Правообладатель РИД: Терин Денис Владимирович

Изобретение относится к области получения пористых анодных оксидов полупроводников и изучения полупроводниковых материалов в процессе их формирования (т.е. in situ). Техническая проблема заключается в возможности получения полупроводниковых наноструктурированных материалов с прогнозируемым...