×
17.06.2023
223.018.8105

Результат интеллектуальной деятельности: СОЛНЕЧНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Солнечный фотоэлектрический модуль включает, по меньшей мере, два субмодуля (1), каждый субмодуль (1) содержит зеркальный параболический концентратор (5) солнечного излучения и солнечный элемент (6), расположенный в фокусе зеркального параболического концентратора (5). Зеркальный параболический концентратор (5) выполнен сечением параболоида (б) вращения четырьмя взаимно перпендикулярными плоскостями (I, II, III, IV), параллельными оси параболоида вращения, две из которых (I, II) проходят через ось параболоида вращения, а две других (III, IV) через точку (Т) на параболоиде (6) вращения, равноудаленную от двух первых плоскостей (I, II). Высота зеркального параболического концентратора (5) равна его фокусному расстоянию. Вершина (8) зеркального параболического концентратора (5) закреплена на общем основании (2) модуля, верхний угол (9) зеркального параболического концентратора (5) закреплен на высоте, равной высоте фокуса зеркального параболического концентратора (5) над общим основанием (2), а верхний угол (11) зеркального параболического концентратора (5) закреплен на высоте, равной половине высоты фокуса зеркального параболического концентратора (5) над общим основанием (2). Солнечный фотоэлектрический модуль обеспечивает снижение оптических потерь при концентрировании солнечного излучения, а также увеличение эффективности использования площади модуля за счет уплотненного расположения субмодулей. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к фотоэлектрическим концентраторным модулям, и может быть применено в концентраторных солнечных энергоустановках, используемых в качестве систем энергоснабжения в различных климатических зонах.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль (см. патент JP 5165064 МПК H01L 31/042, опубликован 21.03.2013), включающий концентрирующую линзу в виде линзы Френеля, собирающую солнечное излучение на фотоэлектрическом элементе, установленном на основании, снабженным теплоотводящим радиатором, закрепленным на панели, в отверстии которой расположено основание с фотоэлектрическим элементом.

Недостатком известного солнечного фотоэлектрического модуля являются большие оптические потери из-за низкой оптической эффективности линз Френеля (менее 90%), что приводит к увеличению оптических потерь.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль (см. заявка US 20090242028, МПК H01L 31/02, опубликована 01.10.2009), включающий опорную конструкцию, линейное зеркало с параболическим профилем и линейное приемное устройство, установленные на опорной конструкции. Линейное зеркало включает пару полузеркал, разделенных осевой плоскостью линейного зеркала. Опорная конструкция содержит опоры для соответствующих полузеркал, каждое полузеркало сформировано из листа упруго гибкого материала, каждая из опор имеет монтажную поверхность, обеспечивающую поддержание параболического профиля соответствующего полузеркала.

Недостатком известного солнечного фотоэлектрического модуля является использование линейного параболического концентратора, обладающего меньшей степенью концентрирования солнечного излучения.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль (см. патент RU 2617041, МПК H02S 10/00, H02S 40/22, H01L 31/042, В82В 1/00, опубликован 19.04.2017), включающий стационарный концентратор, содержащий отражатели в качестве концентрирующих элементов, фотоприемник излучения, расположенный в фокальной области концентратора, при этом концентратор содержит две симметричные ветви параболоцилиндрического отражателя, разделенные плоским прямоугольным отражателем, а фотоприемник излучения является полупрозрачным для падающего на него солнечного света, обладает двусторонней фоточувствительностью и выполнен плоским и прямоугольным, при этом его площадь равна или превышает площадь плоского прямоугольного отражателя. Полупрозрачный фотоприемник излучения с двусторонней фоточувствительностью представляет собой фотопреобразователь на основе аморфного кремния либо на основе мезоскопических слоев сенсибилизированного нанокристаллического оксида металла, выбранного из группы: диоксид титана, оксид цинка, оксид никеля, оксид железа или их смеси.

Недостатком известного солнечного фотоэлектрического модуля является отсутствие оптимизации конструкции модуля при расположении фотоприемника на тыльной стороне соседнего концентратора, обеспечивающего отвод тепла, что ведет к снижению эффективности использования площади модуля.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль (см. патент US 8513518, МПК H01L 31/00, опубликован 20.08.2013), включающий один или несколько субмодулей, установленных на системе слежения за Солнцем, состоящих из концентратора или отражателя солнечного излучения, выполненного, например, в виде отражателя Кассегрена, каскадного солнечного элемента и теплоотвода для охлаждения солнечного элемента.

Недостатком известного солнечного фотоэлектрического модуля является отсутствие оптимизации расположения субмодулей, приводящее к снижению эффективности использования площади модуля, а также сложность изготовления, сборки и юстировки отражателей Кассегрена, что увеличивает стоимость модуля.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль (см. заявка KR 20080079254 МПК H02S 30/20, опубликована 29.08.2008), включающий один или несколько субмодулей на общем основании, каждый субмодуль содержит зеркальный концентратор солнечного излучения, отражающий элемент и фотоэлектрическую панель, расположенную в фокусе отражающего элемента. Для увеличения коэффициента отражения отражающий элемент покрывают пленкой алюминия или оксидом металла.

Недостатком данного солнечного фотоэлектрического модуля является использование комбинированной системы концентрирования и отражения солнечного излучения на фотоэлектрическую панель, что приводит к увеличению оптических потерь, включающих потери на отражения от зеркального концентратора и от отражающего элемента.

Наиболее близким к заявляемому техническому решению по совокупности существенных признаков является солнечный фотоэлектрический модуль (см. патент US 8215298, МПК F24J 2/02, опубликован 10.07.2012), принятый за прототип. Солнечный фотоэлектрический модуль включает по меньшей мере два субмодуля, установленных на общем основании с боковыми стенками, каждый субмодуль содержит зеркальный концентратор солнечного излучения и солнечный элемент, расположенный в фокусе концентратора на тыльной стороне соседнего субмодуля, концентратор субмодуля выполнен в виде половины параболоида вращения.

Использование концентратора в виде половины параболоида вращения ведет к смещению фокуса концентратора вниз и, соответственно, к снижению равномерности углового распределения и к увеличению коэффициента отражения солнечного излучения, что приводит к возрастанию оптических потерь.

Задачей заявляемого технического решения является снижение оптических потерь при концентрировании солнечного излучения, а также увеличение эффективности использования площади модуля за счет уплотненного расположения субмодулей.

Поставленная задача достигается тем, что солнечный фотоэлектрический модуль включает по меньшей мере два субмодуля на общем основании с боковыми стенками, перпендикулярными основанию, каждый субмодуль содержит зеркальный параболический концентратор солнечного излучения и солнечный элемент, расположенный в фокусе зеркального параболического концентратора, а оси зеркальных параболических концентраторов эквидистантно расположены относительно друг друга. Новым является выполнение зеркального параболического концентратора каждого субмодуля сечением параболоида вращения четырьмя взаимно перпендикулярными плоскостями, параллельными оси параболоида вращения, две из которых проходят через ось параболоида вращения, а две других через точку на параболоиде вращения, равноудаленную от первых двух плоскостей, установление высоты зеркального параболического концентратора равного его фокусному расстоянию, закрепление вершины зеркального параболического концентратора на общем основании модуля, закрепление одного верхнего угла зеркального параболического концентратора на высоте, равной высоте фокуса зеркального параболического концентратора над общим основанием, и закрепление второго верхнего угла зеркального параболического концентратора на высоте, равной половине высоты фокуса зеркального параболического концентратора над общим основанием.

Зеркальные параболические концентраторы могут быть выполнены трехслойными, с внутренним слоем, выполненным из вспененного полистирола, тыльным внешним слоем, выполненным из меди или латуни, и фронтальным внешним слоем, выполненным из алюминия.

Солнечный фотоэлектрический модуль может включать по меньшей мере четыре субмодуля на общем основании с боковыми стенками.

Выполнение зеркального параболического концентратора каждого субмодуля сечением параболоида вращения четырьмя взаимно перпендикулярными плоскостями, параллельными оси параболоида вращения, две из которых проходят через ось параболоида вращения, а две других через точку на параболоиде вращения, равноудаленную от первых двух плоскостей, обеспечивает уплотненную компоновку зеркальных концентраторов, высокую степень концентрирования и увеличение равномерности распределения солнечного излучения по поверхности солнечного элемента. Использование концентратора такой формы ведет к смещению фокуса концентратора вверх, при этом углы падения солнечного излучения на солнечный элемент близки к 90 градусам, что приводит к увеличению равномерности углового распределения, уменьшению коэффициента отражения солнечного излучения и, соответственно, к снижению оптических потерь.

Выполнение высоты зеркального параболического концентратора равной его фокусному расстоянию, прикрепление вершины зеркального параболического концентратора к общему основанию модуля, закрепление одного верхнего угла зеркального параболического концентратора на высоте, равной высоте фокуса зеркального параболического концентратора над общим основанием, и закрепление второго верхнего угла зеркального параболического концентратора на высоте, равной половине высоты фокуса зеркального параболического концентратора над общим основанием обеспечивает эффективное использование всей площади модуля полностью заполняя площадь модуля.

Заполнение пространства между зеркальной частью параболического концентратора и его тыльной поверхностью сотовым полистиролом позволяет облегчить конструкцию модуля. Выполнение тыльного внешнего слоя из меди или латуни обеспечивает увеличение жесткости конструкции концентратора и отвод тепла от солнечного элемента. Выполнение фронтального внешнего слоя из алюминия обеспечивает увеличение эффективности собирания солнечного излучения на поверхности солнечного элемента до (96-98)%.

Настоящее техническое решение поясняется чертежами, где:

на фиг. 1 схематически приведен вид сверху на солнечный фотоэлектрический модуль с четырьмя субмодулями;

на фиг. 2 показано сечение солнечного фотоэлектрического модуля по плоскости А-А;

на фиг. 3 приведено сечение солнечного фотоэлектрического модуля по плоскости В-В;

на фиг. 4 показан в аксонометрии вид зеркальных параболических концентраторов, установленных на общем основании (вертикальные стенки для наглядности сняты);

на фиг. 5 приведена фотография макета зеркальных параболических концентраторов, установленных на общем основании;

на фиг. 6 показан вид сверху на зеркальный параболический концентратор, вырезаемый из параболоида вращения.

Настоящий солнечный фотоэлектрический модуль (см. фиг. 1-фиг. 4), включает четыре субмодуля 1 на общем основании 2 с четырьмя боковыми стенками 3, 4 перпендикулярными общему основанию 2. Каждый субмодуль 1 содержит зеркальный параболический концентратор 5 солнечного излучения и солнечный элемент 6, расположенный в фокусе зеркального параболического концентратора 5. Зеркальный параболический концентратор 5 каждого субмодуля 1 выполнен (см. фиг. 6) сечением параболоида 7 вращения (ось О которого перпендикулярна основанию 2) четырьмя взаимно перпендикулярными плоскостями I, II, III и IV, параллельными оси О параболоида 7 вращения, две из которых (I, II) проходят через ось О параболоида 6 вращения, а две других (III, IV) через точку Т на параболоиде 7 вращения, равноудаленную от двух первых плоскостей I, II. Высота параболоида 7 вращения равна его фокусному расстоянию. Вершина 8 каждого зеркального параболического концентратора 5 закреплена на общем основании 2 модуля, верхний угол 9 зеркального параболического концентратора 5 закреплен, например, опорами 10, на высоте, равной высоте фокуса зеркального параболического концентратора 5 над общим основанием 2 (см. фиг. 5), при этом верхние углы 9 зеркальных параболических концентраторов 5, расположенных в крайнем левом ряду, могут быть закреплены на вертикальной стенке 4 (см. фиг. 2). Верхний угол 11 зеркального параболического концентратора 5 закреплен на высоте, равной половине высоты фокуса зеркального параболического концентратора 5 над общим основанием 2, при этом верхние углы 11 зеркальных параболических концентраторов 5, расположенных в крайнем правом ряду, могут быть закреплены на вертикальной стенке 3 (см. фиг. 3). Верхние углы 9 крайних слева зеркальных параболических концентраторов 5 могут быть закреплены на вертикальной стенке 3. В результате, если смотреть сверху на солнечный фотоэлектрический модуль (см. фиг. 1), то видно, что зеркальные параболические концентраторы 5 закрывают всю поверхность общего основания 2. Плоскости всех солнечных элементов 6 установлены под углами 45° к общему основанию 2 и к стенкам 3, 4 модуля, так что солнечное излучение падает от зеркальных параболических концентраторов 5 на солнечные элементы 6 под углами, близкими к 90 градусов. Зеркальные параболические концентраторы 5 могут быть выполнены трехслойными, с тыльным внешним слоем из меди или латуни для увеличения жесткости конструкции модуля и эффективного отвод тепла от солнечного элемента, расположенного на тыльной стороне концентратора, с фронтальным внешним слоем из алюминия для увеличения эффективности собирания солнечного излучения на поверхности солнечного элемента до (96-98)%, с внутренним слоем между зеркальной частью параболического концентратора и его тыльной поверхностью из сотового полистирола для облегчения конструкции концентратора.

Изготовленный опытный образец солнечного фотоэлектрического модуля имел сниженные оптические потери концентрирования солнечного излучения и обеспечил увеличение эффективности использования площади модуля за счет возможности уплотненного расположения субмодулей.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-50 из 114.
13.01.2017
№217.015.81e0

Способ измерения магнитного поля

Изобретение относится к способам измерения магнитного поля и включает воздействие на кристалл карбида кремния гексагонального или ромбического политипа, содержащего спиновые центры с основным квадруплетным спиновым состоянием, вдоль его кристаллографической оси с симметрии сфокусированным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601734
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.83bb

Способ оценки качества гетероструктуры полупроводникового лазера

Изобретение относится к области контроля полупроводниковых устройств. Способ оценки качества гетероструктуры полупроводникового лазера включает воздействие на волноводный слой гетероструктуры полупроводникового лазера световым излучением, не испытывающим межзонное поглощение в его активной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601537
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.91ea

Оксидный материал ловушки расплава активной зоны ядерного реактора

Группа изобретений относится к составам материалов для атомной энергетики, в частности к жертвенным материалам. Оксидный материал ловушки расплава активной зоны ядерного реактора, включающий AlO, FeO и/или FeO, первую целевую добавку в виде GdO или EuO, или SmO и вторую целевую добавку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002605693
Дата охранного документа: 27.12.2016
25.08.2017
№217.015.9b70

Четырехпереходный солнечный элемент

Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2), (3), (4), (5), соединенные между собой туннельными p-n переходами (6, 7, 8), метаморфный градиентный буферный слой (9) между первым (2) и вторым (3) субэлементами и контактный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002610225
Дата охранного документа: 08.02.2017
25.08.2017
№217.015.a56c

Оптический магнитометр

Изобретение относится к области измерения магнитных полей и касается оптического магнитометра. Магнитометр включает генератор низкой частоты, конденсатор, по меньшей мере одну катушку электромагнита, активный материал виде кристалла карбида кремния, содержащий по меньшей мере один спиновый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607840
Дата охранного документа: 20.01.2017
25.08.2017
№217.015.a5d3

Способ изготовления фотоэлемента на основе gaas

Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaAs включает выращивание методом жидкофазной эпитаксии на подложке n-GaAs базового слоя n-GaAs, легированного оловом или теллуром, толщиной 10-20 мкм и слоя p-AlGaAs, легированного цинком, при х=0,2-0,3 в начале роста и при х=0,10-0,15 в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607734
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.a9ae

Солнечный концентраторный модуль

Солнечный концентраторный модуль (1) содержит боковые стенки (2), фронтальную панель (3) с линзами (4) Френеля на внутренней стороне фронтальной панели (3), тыльную панель (9) с фоконами (6) и солнечные элементы (7), снабженные теплоотводящими основаниями (8). Теплоотводящие основания (8)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611693
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.a9ce

Система управления платформой концентраторных солнечных модулей

Система управления платформой концентраторных солнечных модулей содержит платформу (6) с концентраторными каскадными солнечными модулями, оптический солнечный датчик (24), выполненный в виде CMOS матрицы, подсистему (7) азимутального вращения, подсистему (8) зенитального вращения, включающую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611571
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.aa69

Метаморфный фотопреобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания солнечных элементов. Метаморфный фотопреобразователь включает подложку (1) из GaAs, метаморфный буферный слой (2) и по меньшей мере один фотоактивный p-n-переход (3), выполненный из InGaAs и включающий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611569
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.aaa3

Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам создания наногетероструктур для фотопреобразующих и светоизлучающих устройств. Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой включает выращивание на подложке GaSb газофазной эпитаксией из металлоорганических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611692
Дата охранного документа: 28.02.2017
Показаны записи 41-50 из 63.
03.03.2019
№219.016.d231

Способ изготовления мощного фотодетектора

Изобретение может быть использовано для создания СВЧ-фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании фоточувствительной области и контактной площадки для бондинга вне фоточувствительной области на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680983
Дата охранного документа: 01.03.2019
10.04.2019
№219.017.0277

Способ формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя (варианты)

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости формируют фотолитографией топологию фоточувствительных областей и проводят травление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002391741
Дата охранного документа: 10.06.2010
16.05.2019
№219.017.5260

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя с антиотражающим покрытием

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя включает последовательное формирование фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры АВ с пассивирующим слоем и контактным слоем GaAs, удаление контактного слоя над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687501
Дата охранного документа: 14.05.2019
18.05.2019
№219.017.53af

Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя

Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя включает напыление на гетероструктуру AB основы фронтального омического контакта через первую фоторезистивную маску с рисунком фронтального омического контакта и основы тыльного омического контакта, термообработку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687851
Дата охранного документа: 16.05.2019
18.05.2019
№219.017.5967

Солнечный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных фотопреобразователей

Концентраторный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных солнечных элементов относится к области фотоэлектрического преобразования энергии, в частности к системам с расщеплением солнечного спектра. Модуль содержит корпус (1), имеющий фронтальную панель (2), содержащую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002426198
Дата охранного документа: 10.08.2011
29.05.2019
№219.017.689a

Концентраторный солнечный элемент

Концентраторный солнечный элемент (8) выполнен в форме в форме прямоугольника с соотношением длин сторон, находящимся в интервале от 1 до 1,5. Он содержит подложку (3), многослойную структуру (4), сформированную на подложке (3), с центральной фоточувствительной областью (12), контактный слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002407108
Дата охранного документа: 20.12.2010
09.06.2019
№219.017.7c22

Способ получения структуры многослойного фотоэлектрического преобразователя

Способ получения многослойной структуры двухпереходного фотоэлектрического преобразователя, включающий последовательное осаждение из газовой фазы на подложку p-типа GaAs тыльного потенциального барьера из триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl), арсина (AsH) и источника p-примеси, базы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002366035
Дата охранного документа: 27.08.2009
09.06.2019
№219.017.7d2a

Способ изготовления наноструктурного омического контакта фотоэлектрического преобразователя

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способ изготовления наноструктурного омического контакта проводят предварительную очистку поверхности GaSb р-типа проводимости ионно-плазменным травлением на глубину 5-30 нм с последующим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002426194
Дата охранного документа: 10.08.2011
09.06.2019
№219.017.7d72

Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия

Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002428766
Дата охранного документа: 10.09.2011
03.08.2019
№219.017.bbdf

Оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения

Изобретение относится к оптоэлектронике и фотоэнергетике и может быть использовано для создания оптоволоконных систем передачи энергии по лазерному лучу. Заявленный оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения включает оптически последовательно соединенные лазер,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002696355
Дата охранного документа: 01.08.2019
+ добавить свой РИД