×
16.06.2023
223.018.7c2a

Результат интеллектуальной деятельности: ЛЮМИНЕСЦИРУЮЩЕЕ СТЕКЛО

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002744539
Дата охранного документа
11.03.2021
Аннотация: Люминесцирующее стекло относится к материалам квантовой электроники, оптики и может быть использовано в устройствах для отображения информации, электронно-лучевых приборах, индикаторной технике, светодиодах белого свечения, сцинтилляторах, катодо- и рентгенолюминофорах, визуализаторов альфа и бета излучения. Люминесцирующее стекло включает BiO, BO, SiO, AlO, BaO; SrO; ZnO и EuO и AgO при следующем соотношении компонентов, мас. %: BiO 30-35; BO 20-23; SiO 15-18; EuO 7-17; AlO 3-6; BaO 4-6; SrO 4-6; ZnO 4-7 и AgO 0,001-0,1. Люминесцирующее стекло характеризуется стабильной и высокой интенсивностью люминесценции ионов Eu на длине волны электронного перехода D→F. 1 табл. 3 пр.

Изобретение относится к материалам квантовой электроники, оптики и может быть использовано в устройствах для отображения информации, в электронно-лучевых приборах, индикаторной технике, светодиодах белого свечения, сцинтилляторах, катодо- и рентгенолюминофорах, визуализаторов альфа- и бета-излучения.

Известно люминесцирующее стекло (см. патент RU 2574223, МПК С03С 4/12, опубликован 10.02.2016), содержащее в мол. %: SiO2 35,0-42,0; PbO 15,0-20,0; PbF2 27,5-32,0; CdF2 8,0-15,0; Eu2O3 0,5-1,5 и YbF3 1,0-2,5.

Известное люминесцирующее стекло характеризуется интенсивной ап-конверсионной люминесценцией, обусловленной переходом 5D07F2 иона Eu3+, и обладает свойством преобразовывать инфракрасное лазерное излучение в видимое насыщенное оранжево-красное в области длины волны λ-612 нм.

Недостатком известного люминесцирующего стекла является низкая стабильность люминесценции Ей вследствие содержания фторидов. Кроме того, стекла содержат токсичные соединения свинца PbO и PbF2 и кадмия CdF2.

Известно люминесцирующее стекло (см. патент RU 2703039, МПК С03С 4/12, опубликован 15.10.2019), содержащее (мас. %): Bi2O3 36-х; B2O3 20; CaF2 10; SiO2 8; Eu2O3 х; ZnO - остальное (3≤х≤7).

Недостатком стекла является невысокая интенсивность люминесценции Eu3+, так как содержит малое количество сооактиваторов, что снижает растворимость Eu3. Кроме того стекло включает в себя соединение CaF2, что уменьшает радиационную стойкость материала.

Известно люминесцирующее стекло (см. заявка US 2005181927, МПК С03С 8/24, опубликована 18.08.2005), совпадающее с настоящим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятое за прототип. Стекло - прототип содержит (мас. %): Bi2O3 55-90; ZnO 4-22; B2O3 3-15; SiO2 0,5-14; Al2O3 0-4; ВаО 0-12; SrO 0-12 и Eu2O3 0,1-10.

Недостатком известного материала является невысокая интенсивность люминесценции ионов Eu3+ на длине волны 612 нм, соответствующая электронному переходу 5D07F2. Большое содержание висмута в стекле (более 55 мас. %) приводит к сильному поглощению материала в видимом диапазоне спектра и уменьшает интенсивность люминесценции Eu. Кроме того, стекла могут дополнительно содержать оксиды щелочных металлов (Li2O, Na2O и K2O), что приводит к тушению люминесценции активатора при возбуждении высокоэнергетическим излучением (альфа или бета излучение).

Задачей настоящего технического решения является создание люминесцирующего стекла, характеризующегося стабильной и высокой интенсивностью люминесценции ионов Eu3+ на длине волны 615 нм электронного перехода 5D07F2.

Поставленная задача достигается тем, что люминесцирующее стекло включает Bi2O3, B2O3, SiO2, Al2O3, BaO, SrO, ZnO; Eu2O3 и дополнительно содержит Ag2O при следующем соотношении компонентов в мас. %: Bi2O3 30-35; B2O3 20-23; SiO2 15-18; Eu2O3 7-17; Al2O3 3-6; BaO 4-6; SrO 4-6; ZnO 4-7 и Ag2O 0,001-0,1.

Соотношение настоящих составов обусловлено областью фазовой однородности люминесцентного материала, образующегося в системе SiO2 - B2O3 - Bi2O3 - Al2O3 - BaO - SrO - ZnO - Eu2O3 - Ag2O. Уменьшение содержания SiO2 ниже 14 мас. % и B2O3 ниже 20 мас. % приводит к уменьшению однородности люминесцентного материала и ухудшает его оптическое качество. Уменьшение Bi2O3, и ZnO ниже соответственно 30 и 4 нецелесообразно из-за увеличения температуры синтеза и уменьшения плотности стекла. Увеличение концентрации Bi2O3 выше 35 уменьшает прозрачность стекла в видимом спектральном диапазоне. Концентрация ZnO выше заявленных нецелесообразна, так как приведет к снижению остальных компонентов шихты. Уменьшение содержания Al2O3 ниже заявляемого приводит к уменьшению химической стойкости. Увеличение содержания Al2O3 выше заявляемого приводит к увеличению температуры спекания шихты. Указанное содержание SrO и ВаО обусловлено улучшением оптических свойств и растворимости Eu в стекле.

Увеличение концентрации Ag2O, выше заявляемого, приводит к сегрегации серебра и уменьшению молекулярных кластеров серебра, что приводит к уменьшению интенсивности люминесценции активатора. Уменьшение концентрации Ag2O ниже заявляемого нецелесообразно, т.к. это также приводит к уменьшению молекулярных кластеров серебра. Содержание Eu2O3 определяется оптимальным содержанием ионов Eu3+ в стекле, при котором не происходит концентрационного тушения и данные стекла обладают максимальным выходом люминесценции.

Введение Ag2O в стекло в указанных концентрациях, не только позволяет увеличить плотность материала, но и увеличить интенсивность люминесценции на длине волны электронного перехода 5D07F2 иона европия, за счет передачи возбуждения (сенсибилизации) молекулярными кластерами серебра ионам европия.

Настоящее люминесцирующее стекло поясняется чертежом, где в таблице приведены результаты измерения интенсивности люминесценции люминесцирующего стекла на длине волны электронного перехода 5D07F2.

Пример 1. Шихту состава в мас. %: Bi2O3 34; B2O3 23; SiO2 17; Al2O3 6; ВаО 6; SrO 6; ZnO 5; Eu2O3 7; Ag2O 0,01 (где - Eu2O3 и Ag2O добавляли сверх шихты), тщательно перемешивали и перетирали в фарфоровой ступке. В дальнейшем производили высушивание со ступенчатым нагревом (150°С, 250°С, 500°C с выдержкой 20 мин) и промежуточным перемешиванием в ступке. Скорость нагрева составляла от 6 до 7 град/мин. Варку шихты производили в корундовом тигле в окислительных условиях в муфельной электрической печи с нагревом до 1200°C с выдержкой в течение 40 минут. Полученный расплав оставляли остывать в печи до комнатной температуры. Стекла с видимыми внутренними напряжениями подвергали отжигу при 350°С для снятия напряжений. Затем стекла освобождали от тигля, отбирали оптически однородные фрагменты. Из них изготавливали плоскопараллельные образцы размером ~(5×5) мм2 и толщиной (2,5-4) мм, поверхности которых шлифовали и полировали. При исследовании люминесценции стекла в качестве источника возбуждения применяли электронный пучок катодолюминесцентной установки. Спектры были получены при диаметре электронного пучка 4 микрона, ускоряющем напряжении электронов 20 кэВ и поглощенном токе 3 нА. Плотность мощности облучения составляла ~300 Ватт/см2. Измерение интенсивности люминесценции проводили на длине волны 615 нм электронного перехода 5D07F2 иона европия. Полученное люминесцирующее стекло имело интенсивность на длине электронного перехода 5D07F2 иона европия в 1,3 раза выше, чем стекло-прототип, что показано на чертеже в таблице.

Пример 2. Шихту состава в масс %: Bi2O3 34; B2O3 23; SiO2 17; Al2O3 6; ВаО 6; SrO 6; ZnO 5; Eu2O3 10; - Ag2O 0,01 (где - Eu2O3 и Ag2O добавляли сверх шихты), готовили по технологии, описанной в примере 1. Полученное люминесцирующее стекло имеет интенсивность люминесценции на длине волны электронного перехода 5D07F2 иона европия в 1,4 раз выше, чем прототип. Спектры были получены при диаметре электронного пучка 4 микрона, ускоряющем напряжении электронов 20 кэВ и поглощенном токе 3 нА. Плотность мощности облучения составляла ~300 Ватт/см2. Результаты измерений интенсивности люминесценции Eu3+ приведены на чертеже в таблице.

Пример 3. Шихту состава в мас. %: Bi2O3 34; B2O3 23; SiO2 17; Al2O3 6; ВаО 6; SrO 6; ZnO 5; Eu2O3 10; Ag2O 0,01 (где - Eu2O3 и Ag2O добавляли сверх шихты), готовили по технологии, описанной в примере 1. Полученное люминесцирующее стекло имеет интенсивность люминесценции на длине волны электронного перехода 5D07F2 иона европия в 1,2 раз выше, чем прототип. Спектры были получены при диаметре электронного пучка 4 микрона, ускоряющем напряжении электронов 20 кэВ и поглощенном токе 3 нА. Плотность мощности облучения составляла ~300 Ватт/см2. Результаты измерений интенсивности люминесценции Eu3+ приведены на чертеже в таблице.

Как следует из полученных, данных техническим результатом изобретения является повышение интенсивности люминесценции ионов европия на длине волны электронного перехода 5D07F2. В интервале 7-17 мас. % Eu3+ интенсивность свечения люминесцирующего стекла состава в мас. %: Bi2O3 30-35; B2O3 20-23; SiO2 15-18; Eu2O3 7-17; Al2O3 3-5; ВаО 4-6; SrO 4-6; ZnO 4-7 и Ag2O 0,01 превышает интенсивность прототипа.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 51-60 из 114.
25.08.2017
№217.015.aadc

Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами

Изобретение может быть использовано для создания полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров, работающих в ближнем ИК-диапазоне. Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами содержит полуизолирующую подложку (1) из GaAs, буферный слой (2) из GaAs, нижний...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611555
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.bfae

Оптический квантовый термометр

Изобретение относится к области оптических измерений и касается оптического квантового термометра. Термометр включает в себя генератор низкой частоты (НЧ), конденсатор, катушку электромагнита, помещенный в катушку активный материал в виде кристалла карбида кремния, содержащий по меньшей мере...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617194
Дата охранного документа: 21.04.2017
25.08.2017
№217.015.c40c

Способ измерения температуры

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения температуры. Способ включает в себя предварительное построение экспериментальной градуировочной кривой зависимости от температуры величины магнитного поля в точке антипересечения уровней (АПУ) энергии спиновых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617293
Дата охранного документа: 24.04.2017
25.08.2017
№217.015.d18f

Электролит для анодного окисления полупроводниковых соединений на основе ab

Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти применение при формировании оксидных слоев в технологии МДП-приборов. Электролит для анодного окисления полупроводниковых соединений на основе AB включает ортофосфорную кислоту и глицерин. Дополнительно электролит содержит уксусную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621879
Дата охранного документа: 07.06.2017
26.08.2017
№217.015.d46d

Устройство для бесконтактного измерения температуры объекта

Изобретение относится к оптоэлектронным измерительным устройствам и может быть использовано для бесконтактного измерения температуры объекта по его излучению. Устройство включает фокусирующую оптическую систему (2), фотодетектор (1), совмещенный с изображением измеряемой области (4) объекта...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622239
Дата охранного документа: 13.06.2017
26.08.2017
№217.015.d8d8

Способ защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц

Изобретение относится к способам защиты рабочих элементов литографического оборудования от потоков пылевых частиц, в которых запыление элементов оптики продуктами распыления мишени при ее облучении лазерным излучением является критическим. Способ включает зарядку пылевых металлических частиц и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623400
Дата охранного документа: 26.06.2017
26.08.2017
№217.015.d9de

Полупроводниковый датчик метана

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания довзрывных концентраций метана в атмосферном воздухе, и может быть использовано в угольной, металлургической, коксохимической и атомной промышленности, а...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623658
Дата охранного документа: 28.06.2017
26.08.2017
№217.015.e151

Система слежения за солнцем концентраторной энергоустановки

Изобретение относится к области солнечной энергетики и может найти применение, например, при создании установок с фотоэлектрическими модулями. Система слежения за Солнцем концентраторной энергоустановки включает подсистему (1) азимутального вращения и подсистему (2) зенитального вращения....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002625604
Дата охранного документа: 17.07.2017
26.08.2017
№217.015.e3ec

Устройство для регистрации оптических параметров жидкого аналита

Изобретение относится к области измерительной техники и касается устройства для регистрации оптических параметров жидкого аналита. Устройство включает в себя подложку, в толще которой сформированы камера, входной и выходной микрофлюидные каналы, сообщающиеся с камерой, источник оптического...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626299
Дата охранного документа: 25.07.2017
26.08.2017
№217.015.ed00

Способ изготовления термоэлектрического генератора

Изобретение относится к термоэлектрическим генераторам на основе полупроводниковых структур. Сущность: способ изготовления термоэлектрического генератора включает выкалывание из слитка сульфида самария SmS плоскопараллельной пластины (3), нанесение самария (2) на поверхность первого плоского...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628677
Дата охранного документа: 21.08.2017
+ добавить свой РИД