×
16.06.2023
223.018.7c2a

Результат интеллектуальной деятельности: ЛЮМИНЕСЦИРУЮЩЕЕ СТЕКЛО

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002744539
Дата охранного документа
11.03.2021
Аннотация: Люминесцирующее стекло относится к материалам квантовой электроники, оптики и может быть использовано в устройствах для отображения информации, электронно-лучевых приборах, индикаторной технике, светодиодах белого свечения, сцинтилляторах, катодо- и рентгенолюминофорах, визуализаторов альфа и бета излучения. Люминесцирующее стекло включает BiO, BO, SiO, AlO, BaO; SrO; ZnO и EuO и AgO при следующем соотношении компонентов, мас. %: BiO 30-35; BO 20-23; SiO 15-18; EuO 7-17; AlO 3-6; BaO 4-6; SrO 4-6; ZnO 4-7 и AgO 0,001-0,1. Люминесцирующее стекло характеризуется стабильной и высокой интенсивностью люминесценции ионов Eu на длине волны электронного перехода D→F. 1 табл. 3 пр.

Изобретение относится к материалам квантовой электроники, оптики и может быть использовано в устройствах для отображения информации, в электронно-лучевых приборах, индикаторной технике, светодиодах белого свечения, сцинтилляторах, катодо- и рентгенолюминофорах, визуализаторов альфа- и бета-излучения.

Известно люминесцирующее стекло (см. патент RU 2574223, МПК С03С 4/12, опубликован 10.02.2016), содержащее в мол. %: SiO2 35,0-42,0; PbO 15,0-20,0; PbF2 27,5-32,0; CdF2 8,0-15,0; Eu2O3 0,5-1,5 и YbF3 1,0-2,5.

Известное люминесцирующее стекло характеризуется интенсивной ап-конверсионной люминесценцией, обусловленной переходом 5D07F2 иона Eu3+, и обладает свойством преобразовывать инфракрасное лазерное излучение в видимое насыщенное оранжево-красное в области длины волны λ-612 нм.

Недостатком известного люминесцирующего стекла является низкая стабильность люминесценции Ей вследствие содержания фторидов. Кроме того, стекла содержат токсичные соединения свинца PbO и PbF2 и кадмия CdF2.

Известно люминесцирующее стекло (см. патент RU 2703039, МПК С03С 4/12, опубликован 15.10.2019), содержащее (мас. %): Bi2O3 36-х; B2O3 20; CaF2 10; SiO2 8; Eu2O3 х; ZnO - остальное (3≤х≤7).

Недостатком стекла является невысокая интенсивность люминесценции Eu3+, так как содержит малое количество сооактиваторов, что снижает растворимость Eu3. Кроме того стекло включает в себя соединение CaF2, что уменьшает радиационную стойкость материала.

Известно люминесцирующее стекло (см. заявка US 2005181927, МПК С03С 8/24, опубликована 18.08.2005), совпадающее с настоящим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятое за прототип. Стекло - прототип содержит (мас. %): Bi2O3 55-90; ZnO 4-22; B2O3 3-15; SiO2 0,5-14; Al2O3 0-4; ВаО 0-12; SrO 0-12 и Eu2O3 0,1-10.

Недостатком известного материала является невысокая интенсивность люминесценции ионов Eu3+ на длине волны 612 нм, соответствующая электронному переходу 5D07F2. Большое содержание висмута в стекле (более 55 мас. %) приводит к сильному поглощению материала в видимом диапазоне спектра и уменьшает интенсивность люминесценции Eu. Кроме того, стекла могут дополнительно содержать оксиды щелочных металлов (Li2O, Na2O и K2O), что приводит к тушению люминесценции активатора при возбуждении высокоэнергетическим излучением (альфа или бета излучение).

Задачей настоящего технического решения является создание люминесцирующего стекла, характеризующегося стабильной и высокой интенсивностью люминесценции ионов Eu3+ на длине волны 615 нм электронного перехода 5D07F2.

Поставленная задача достигается тем, что люминесцирующее стекло включает Bi2O3, B2O3, SiO2, Al2O3, BaO, SrO, ZnO; Eu2O3 и дополнительно содержит Ag2O при следующем соотношении компонентов в мас. %: Bi2O3 30-35; B2O3 20-23; SiO2 15-18; Eu2O3 7-17; Al2O3 3-6; BaO 4-6; SrO 4-6; ZnO 4-7 и Ag2O 0,001-0,1.

Соотношение настоящих составов обусловлено областью фазовой однородности люминесцентного материала, образующегося в системе SiO2 - B2O3 - Bi2O3 - Al2O3 - BaO - SrO - ZnO - Eu2O3 - Ag2O. Уменьшение содержания SiO2 ниже 14 мас. % и B2O3 ниже 20 мас. % приводит к уменьшению однородности люминесцентного материала и ухудшает его оптическое качество. Уменьшение Bi2O3, и ZnO ниже соответственно 30 и 4 нецелесообразно из-за увеличения температуры синтеза и уменьшения плотности стекла. Увеличение концентрации Bi2O3 выше 35 уменьшает прозрачность стекла в видимом спектральном диапазоне. Концентрация ZnO выше заявленных нецелесообразна, так как приведет к снижению остальных компонентов шихты. Уменьшение содержания Al2O3 ниже заявляемого приводит к уменьшению химической стойкости. Увеличение содержания Al2O3 выше заявляемого приводит к увеличению температуры спекания шихты. Указанное содержание SrO и ВаО обусловлено улучшением оптических свойств и растворимости Eu в стекле.

Увеличение концентрации Ag2O, выше заявляемого, приводит к сегрегации серебра и уменьшению молекулярных кластеров серебра, что приводит к уменьшению интенсивности люминесценции активатора. Уменьшение концентрации Ag2O ниже заявляемого нецелесообразно, т.к. это также приводит к уменьшению молекулярных кластеров серебра. Содержание Eu2O3 определяется оптимальным содержанием ионов Eu3+ в стекле, при котором не происходит концентрационного тушения и данные стекла обладают максимальным выходом люминесценции.

Введение Ag2O в стекло в указанных концентрациях, не только позволяет увеличить плотность материала, но и увеличить интенсивность люминесценции на длине волны электронного перехода 5D07F2 иона европия, за счет передачи возбуждения (сенсибилизации) молекулярными кластерами серебра ионам европия.

Настоящее люминесцирующее стекло поясняется чертежом, где в таблице приведены результаты измерения интенсивности люминесценции люминесцирующего стекла на длине волны электронного перехода 5D07F2.

Пример 1. Шихту состава в мас. %: Bi2O3 34; B2O3 23; SiO2 17; Al2O3 6; ВаО 6; SrO 6; ZnO 5; Eu2O3 7; Ag2O 0,01 (где - Eu2O3 и Ag2O добавляли сверх шихты), тщательно перемешивали и перетирали в фарфоровой ступке. В дальнейшем производили высушивание со ступенчатым нагревом (150°С, 250°С, 500°C с выдержкой 20 мин) и промежуточным перемешиванием в ступке. Скорость нагрева составляла от 6 до 7 град/мин. Варку шихты производили в корундовом тигле в окислительных условиях в муфельной электрической печи с нагревом до 1200°C с выдержкой в течение 40 минут. Полученный расплав оставляли остывать в печи до комнатной температуры. Стекла с видимыми внутренними напряжениями подвергали отжигу при 350°С для снятия напряжений. Затем стекла освобождали от тигля, отбирали оптически однородные фрагменты. Из них изготавливали плоскопараллельные образцы размером ~(5×5) мм2 и толщиной (2,5-4) мм, поверхности которых шлифовали и полировали. При исследовании люминесценции стекла в качестве источника возбуждения применяли электронный пучок катодолюминесцентной установки. Спектры были получены при диаметре электронного пучка 4 микрона, ускоряющем напряжении электронов 20 кэВ и поглощенном токе 3 нА. Плотность мощности облучения составляла ~300 Ватт/см2. Измерение интенсивности люминесценции проводили на длине волны 615 нм электронного перехода 5D07F2 иона европия. Полученное люминесцирующее стекло имело интенсивность на длине электронного перехода 5D07F2 иона европия в 1,3 раза выше, чем стекло-прототип, что показано на чертеже в таблице.

Пример 2. Шихту состава в масс %: Bi2O3 34; B2O3 23; SiO2 17; Al2O3 6; ВаО 6; SrO 6; ZnO 5; Eu2O3 10; - Ag2O 0,01 (где - Eu2O3 и Ag2O добавляли сверх шихты), готовили по технологии, описанной в примере 1. Полученное люминесцирующее стекло имеет интенсивность люминесценции на длине волны электронного перехода 5D07F2 иона европия в 1,4 раз выше, чем прототип. Спектры были получены при диаметре электронного пучка 4 микрона, ускоряющем напряжении электронов 20 кэВ и поглощенном токе 3 нА. Плотность мощности облучения составляла ~300 Ватт/см2. Результаты измерений интенсивности люминесценции Eu3+ приведены на чертеже в таблице.

Пример 3. Шихту состава в мас. %: Bi2O3 34; B2O3 23; SiO2 17; Al2O3 6; ВаО 6; SrO 6; ZnO 5; Eu2O3 10; Ag2O 0,01 (где - Eu2O3 и Ag2O добавляли сверх шихты), готовили по технологии, описанной в примере 1. Полученное люминесцирующее стекло имеет интенсивность люминесценции на длине волны электронного перехода 5D07F2 иона европия в 1,2 раз выше, чем прототип. Спектры были получены при диаметре электронного пучка 4 микрона, ускоряющем напряжении электронов 20 кэВ и поглощенном токе 3 нА. Плотность мощности облучения составляла ~300 Ватт/см2. Результаты измерений интенсивности люминесценции Eu3+ приведены на чертеже в таблице.

Как следует из полученных, данных техническим результатом изобретения является повышение интенсивности люминесценции ионов европия на длине волны электронного перехода 5D07F2. В интервале 7-17 мас. % Eu3+ интенсивность свечения люминесцирующего стекла состава в мас. %: Bi2O3 30-35; B2O3 20-23; SiO2 15-18; Eu2O3 7-17; Al2O3 3-5; ВаО 4-6; SrO 4-6; ZnO 4-7 и Ag2O 0,01 превышает интенсивность прототипа.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-50 из 114.
13.01.2017
№217.015.81e0

Способ измерения магнитного поля

Изобретение относится к способам измерения магнитного поля и включает воздействие на кристалл карбида кремния гексагонального или ромбического политипа, содержащего спиновые центры с основным квадруплетным спиновым состоянием, вдоль его кристаллографической оси с симметрии сфокусированным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601734
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.83bb

Способ оценки качества гетероструктуры полупроводникового лазера

Изобретение относится к области контроля полупроводниковых устройств. Способ оценки качества гетероструктуры полупроводникового лазера включает воздействие на волноводный слой гетероструктуры полупроводникового лазера световым излучением, не испытывающим межзонное поглощение в его активной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601537
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.91ea

Оксидный материал ловушки расплава активной зоны ядерного реактора

Группа изобретений относится к составам материалов для атомной энергетики, в частности к жертвенным материалам. Оксидный материал ловушки расплава активной зоны ядерного реактора, включающий AlO, FeO и/или FeO, первую целевую добавку в виде GdO или EuO, или SmO и вторую целевую добавку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002605693
Дата охранного документа: 27.12.2016
25.08.2017
№217.015.9b70

Четырехпереходный солнечный элемент

Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2), (3), (4), (5), соединенные между собой туннельными p-n переходами (6, 7, 8), метаморфный градиентный буферный слой (9) между первым (2) и вторым (3) субэлементами и контактный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002610225
Дата охранного документа: 08.02.2017
25.08.2017
№217.015.a56c

Оптический магнитометр

Изобретение относится к области измерения магнитных полей и касается оптического магнитометра. Магнитометр включает генератор низкой частоты, конденсатор, по меньшей мере одну катушку электромагнита, активный материал виде кристалла карбида кремния, содержащий по меньшей мере один спиновый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607840
Дата охранного документа: 20.01.2017
25.08.2017
№217.015.a5d3

Способ изготовления фотоэлемента на основе gaas

Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaAs включает выращивание методом жидкофазной эпитаксии на подложке n-GaAs базового слоя n-GaAs, легированного оловом или теллуром, толщиной 10-20 мкм и слоя p-AlGaAs, легированного цинком, при х=0,2-0,3 в начале роста и при х=0,10-0,15 в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607734
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.a9ae

Солнечный концентраторный модуль

Солнечный концентраторный модуль (1) содержит боковые стенки (2), фронтальную панель (3) с линзами (4) Френеля на внутренней стороне фронтальной панели (3), тыльную панель (9) с фоконами (6) и солнечные элементы (7), снабженные теплоотводящими основаниями (8). Теплоотводящие основания (8)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611693
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.a9ce

Система управления платформой концентраторных солнечных модулей

Система управления платформой концентраторных солнечных модулей содержит платформу (6) с концентраторными каскадными солнечными модулями, оптический солнечный датчик (24), выполненный в виде CMOS матрицы, подсистему (7) азимутального вращения, подсистему (8) зенитального вращения, включающую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611571
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.aa69

Метаморфный фотопреобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания солнечных элементов. Метаморфный фотопреобразователь включает подложку (1) из GaAs, метаморфный буферный слой (2) и по меньшей мере один фотоактивный p-n-переход (3), выполненный из InGaAs и включающий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611569
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.aaa3

Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам создания наногетероструктур для фотопреобразующих и светоизлучающих устройств. Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой включает выращивание на подложке GaSb газофазной эпитаксией из металлоорганических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611692
Дата охранного документа: 28.02.2017
+ добавить свой РИД