×
16.06.2023
223.018.7c2a

Результат интеллектуальной деятельности: ЛЮМИНЕСЦИРУЮЩЕЕ СТЕКЛО

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002744539
Дата охранного документа
11.03.2021
Аннотация: Люминесцирующее стекло относится к материалам квантовой электроники, оптики и может быть использовано в устройствах для отображения информации, электронно-лучевых приборах, индикаторной технике, светодиодах белого свечения, сцинтилляторах, катодо- и рентгенолюминофорах, визуализаторов альфа и бета излучения. Люминесцирующее стекло включает BiO, BO, SiO, AlO, BaO; SrO; ZnO и EuO и AgO при следующем соотношении компонентов, мас. %: BiO 30-35; BO 20-23; SiO 15-18; EuO 7-17; AlO 3-6; BaO 4-6; SrO 4-6; ZnO 4-7 и AgO 0,001-0,1. Люминесцирующее стекло характеризуется стабильной и высокой интенсивностью люминесценции ионов Eu на длине волны электронного перехода D→F. 1 табл. 3 пр.

Изобретение относится к материалам квантовой электроники, оптики и может быть использовано в устройствах для отображения информации, в электронно-лучевых приборах, индикаторной технике, светодиодах белого свечения, сцинтилляторах, катодо- и рентгенолюминофорах, визуализаторов альфа- и бета-излучения.

Известно люминесцирующее стекло (см. патент RU 2574223, МПК С03С 4/12, опубликован 10.02.2016), содержащее в мол. %: SiO2 35,0-42,0; PbO 15,0-20,0; PbF2 27,5-32,0; CdF2 8,0-15,0; Eu2O3 0,5-1,5 и YbF3 1,0-2,5.

Известное люминесцирующее стекло характеризуется интенсивной ап-конверсионной люминесценцией, обусловленной переходом 5D07F2 иона Eu3+, и обладает свойством преобразовывать инфракрасное лазерное излучение в видимое насыщенное оранжево-красное в области длины волны λ-612 нм.

Недостатком известного люминесцирующего стекла является низкая стабильность люминесценции Ей вследствие содержания фторидов. Кроме того, стекла содержат токсичные соединения свинца PbO и PbF2 и кадмия CdF2.

Известно люминесцирующее стекло (см. патент RU 2703039, МПК С03С 4/12, опубликован 15.10.2019), содержащее (мас. %): Bi2O3 36-х; B2O3 20; CaF2 10; SiO2 8; Eu2O3 х; ZnO - остальное (3≤х≤7).

Недостатком стекла является невысокая интенсивность люминесценции Eu3+, так как содержит малое количество сооактиваторов, что снижает растворимость Eu3. Кроме того стекло включает в себя соединение CaF2, что уменьшает радиационную стойкость материала.

Известно люминесцирующее стекло (см. заявка US 2005181927, МПК С03С 8/24, опубликована 18.08.2005), совпадающее с настоящим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятое за прототип. Стекло - прототип содержит (мас. %): Bi2O3 55-90; ZnO 4-22; B2O3 3-15; SiO2 0,5-14; Al2O3 0-4; ВаО 0-12; SrO 0-12 и Eu2O3 0,1-10.

Недостатком известного материала является невысокая интенсивность люминесценции ионов Eu3+ на длине волны 612 нм, соответствующая электронному переходу 5D07F2. Большое содержание висмута в стекле (более 55 мас. %) приводит к сильному поглощению материала в видимом диапазоне спектра и уменьшает интенсивность люминесценции Eu. Кроме того, стекла могут дополнительно содержать оксиды щелочных металлов (Li2O, Na2O и K2O), что приводит к тушению люминесценции активатора при возбуждении высокоэнергетическим излучением (альфа или бета излучение).

Задачей настоящего технического решения является создание люминесцирующего стекла, характеризующегося стабильной и высокой интенсивностью люминесценции ионов Eu3+ на длине волны 615 нм электронного перехода 5D07F2.

Поставленная задача достигается тем, что люминесцирующее стекло включает Bi2O3, B2O3, SiO2, Al2O3, BaO, SrO, ZnO; Eu2O3 и дополнительно содержит Ag2O при следующем соотношении компонентов в мас. %: Bi2O3 30-35; B2O3 20-23; SiO2 15-18; Eu2O3 7-17; Al2O3 3-6; BaO 4-6; SrO 4-6; ZnO 4-7 и Ag2O 0,001-0,1.

Соотношение настоящих составов обусловлено областью фазовой однородности люминесцентного материала, образующегося в системе SiO2 - B2O3 - Bi2O3 - Al2O3 - BaO - SrO - ZnO - Eu2O3 - Ag2O. Уменьшение содержания SiO2 ниже 14 мас. % и B2O3 ниже 20 мас. % приводит к уменьшению однородности люминесцентного материала и ухудшает его оптическое качество. Уменьшение Bi2O3, и ZnO ниже соответственно 30 и 4 нецелесообразно из-за увеличения температуры синтеза и уменьшения плотности стекла. Увеличение концентрации Bi2O3 выше 35 уменьшает прозрачность стекла в видимом спектральном диапазоне. Концентрация ZnO выше заявленных нецелесообразна, так как приведет к снижению остальных компонентов шихты. Уменьшение содержания Al2O3 ниже заявляемого приводит к уменьшению химической стойкости. Увеличение содержания Al2O3 выше заявляемого приводит к увеличению температуры спекания шихты. Указанное содержание SrO и ВаО обусловлено улучшением оптических свойств и растворимости Eu в стекле.

Увеличение концентрации Ag2O, выше заявляемого, приводит к сегрегации серебра и уменьшению молекулярных кластеров серебра, что приводит к уменьшению интенсивности люминесценции активатора. Уменьшение концентрации Ag2O ниже заявляемого нецелесообразно, т.к. это также приводит к уменьшению молекулярных кластеров серебра. Содержание Eu2O3 определяется оптимальным содержанием ионов Eu3+ в стекле, при котором не происходит концентрационного тушения и данные стекла обладают максимальным выходом люминесценции.

Введение Ag2O в стекло в указанных концентрациях, не только позволяет увеличить плотность материала, но и увеличить интенсивность люминесценции на длине волны электронного перехода 5D07F2 иона европия, за счет передачи возбуждения (сенсибилизации) молекулярными кластерами серебра ионам европия.

Настоящее люминесцирующее стекло поясняется чертежом, где в таблице приведены результаты измерения интенсивности люминесценции люминесцирующего стекла на длине волны электронного перехода 5D07F2.

Пример 1. Шихту состава в мас. %: Bi2O3 34; B2O3 23; SiO2 17; Al2O3 6; ВаО 6; SrO 6; ZnO 5; Eu2O3 7; Ag2O 0,01 (где - Eu2O3 и Ag2O добавляли сверх шихты), тщательно перемешивали и перетирали в фарфоровой ступке. В дальнейшем производили высушивание со ступенчатым нагревом (150°С, 250°С, 500°C с выдержкой 20 мин) и промежуточным перемешиванием в ступке. Скорость нагрева составляла от 6 до 7 град/мин. Варку шихты производили в корундовом тигле в окислительных условиях в муфельной электрической печи с нагревом до 1200°C с выдержкой в течение 40 минут. Полученный расплав оставляли остывать в печи до комнатной температуры. Стекла с видимыми внутренними напряжениями подвергали отжигу при 350°С для снятия напряжений. Затем стекла освобождали от тигля, отбирали оптически однородные фрагменты. Из них изготавливали плоскопараллельные образцы размером ~(5×5) мм2 и толщиной (2,5-4) мм, поверхности которых шлифовали и полировали. При исследовании люминесценции стекла в качестве источника возбуждения применяли электронный пучок катодолюминесцентной установки. Спектры были получены при диаметре электронного пучка 4 микрона, ускоряющем напряжении электронов 20 кэВ и поглощенном токе 3 нА. Плотность мощности облучения составляла ~300 Ватт/см2. Измерение интенсивности люминесценции проводили на длине волны 615 нм электронного перехода 5D07F2 иона европия. Полученное люминесцирующее стекло имело интенсивность на длине электронного перехода 5D07F2 иона европия в 1,3 раза выше, чем стекло-прототип, что показано на чертеже в таблице.

Пример 2. Шихту состава в масс %: Bi2O3 34; B2O3 23; SiO2 17; Al2O3 6; ВаО 6; SrO 6; ZnO 5; Eu2O3 10; - Ag2O 0,01 (где - Eu2O3 и Ag2O добавляли сверх шихты), готовили по технологии, описанной в примере 1. Полученное люминесцирующее стекло имеет интенсивность люминесценции на длине волны электронного перехода 5D07F2 иона европия в 1,4 раз выше, чем прототип. Спектры были получены при диаметре электронного пучка 4 микрона, ускоряющем напряжении электронов 20 кэВ и поглощенном токе 3 нА. Плотность мощности облучения составляла ~300 Ватт/см2. Результаты измерений интенсивности люминесценции Eu3+ приведены на чертеже в таблице.

Пример 3. Шихту состава в мас. %: Bi2O3 34; B2O3 23; SiO2 17; Al2O3 6; ВаО 6; SrO 6; ZnO 5; Eu2O3 10; Ag2O 0,01 (где - Eu2O3 и Ag2O добавляли сверх шихты), готовили по технологии, описанной в примере 1. Полученное люминесцирующее стекло имеет интенсивность люминесценции на длине волны электронного перехода 5D07F2 иона европия в 1,2 раз выше, чем прототип. Спектры были получены при диаметре электронного пучка 4 микрона, ускоряющем напряжении электронов 20 кэВ и поглощенном токе 3 нА. Плотность мощности облучения составляла ~300 Ватт/см2. Результаты измерений интенсивности люминесценции Eu3+ приведены на чертеже в таблице.

Как следует из полученных, данных техническим результатом изобретения является повышение интенсивности люминесценции ионов европия на длине волны электронного перехода 5D07F2. В интервале 7-17 мас. % Eu3+ интенсивность свечения люминесцирующего стекла состава в мас. %: Bi2O3 30-35; B2O3 20-23; SiO2 15-18; Eu2O3 7-17; Al2O3 3-5; ВаО 4-6; SrO 4-6; ZnO 4-7 и Ag2O 0,01 превышает интенсивность прототипа.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-30 из 114.
20.04.2015
№216.013.42cf

Способ рентгеноспектрального определения размеров наночастиц в образце

Использование: для рентгеноспектрального определения размеров наночастиц в образце. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют последовательное облучение в режиме прохождения и в режиме отражения исследуемой области образца пучками монохроматизированных рентгеновских лучей с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548601
Дата охранного документа: 20.04.2015
20.07.2015
№216.013.64d4

Лазер-тиристор

Использование: для получения управляемой последовательности мощных лазерных импульсов. Сущность изобретения заключается в том, что лазер-тиристор содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа проводимости (2), широкозонный слой n-типа проводимости (3), анодную область (4),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002557359
Дата охранного документа: 20.07.2015
20.08.2015
№216.013.7371

Композиционный материал, поглощающий излучение в ближней ик области спектра

Изобретение относится к композиционным материалам, поглощающим инфракрасное излучение в ближней инфракрасной области, и может быть использовано, например, в оптических фильтрах и специальных панелях сложной формы. Композиционный материал включает переплетенные базальтовые волокна с диаметром от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561123
Дата охранного документа: 20.08.2015
27.08.2015
№216.013.7491

Способ модификации поверхности пористого кремния

Изобретение относится к области химической модификации поверхности пористого кремния и, в частности, может найти применение для создания биосовместимого и способного к полной биодеградации носителя медицинских препаратов, обеспечивающего их целевую доставку и пролонгированное действие в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561416
Дата охранного документа: 27.08.2015
20.11.2015
№216.013.92aa

Тонкопленочный солнечный элемент

Тонкопленочный солнечный элемент содержит светопрозрачную подложку (1), на которую последовательно нанесены светопрозрачная электропроводящая пленка (2), p-слой (3) из микрокристаллического гидрогенизированного кремния в виде твердого раствора SiC:H, где 0,7<х<0,95, с оптической шириной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002569164
Дата охранного документа: 20.11.2015
10.12.2015
№216.013.97c3

Способ определения ориентации nv дефектов в кристалле

Изобретение относится к нанотехнологиям и может быть использовано в области разработки материалов на основе алмаза для магнитометрии, квантовой оптики, биомедицины, а также в информационных технологиях, основанных на квантовых свойствах спинов и одиночных фотонов. Способ определения ориентации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002570471
Дата охранного документа: 10.12.2015
27.02.2016
№216.014.c07e

Способ получения кристаллических алмазных частиц

Изобретение относится к нанотехнологиям материалов. Способ получения кристаллических алмазных частиц включает пропитку порошка наноалмазов, полученных детонационным синтезом, предельным ациклическим углеводородом или одноосновным спиртом в концентрации от 22 мас. % до 58 мас. %, выдержку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002576055
Дата охранного документа: 27.02.2016
27.03.2016
№216.014.c751

Концентраторный солнечный фотоэлектрический модуль

Изобретение относится к области солнечной энергетики. Фотоэлектрический модуль (1) содержит боковые стенки (2), фронтальную панель (3) с линзами Френеля (4) на ее внутренней стороне, светопрозрачную тыльную панель (5), солнечные фотоэлементы (б) с байпасными диодами, планки (11), выполненные из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002578735
Дата охранного документа: 27.03.2016
27.02.2016
№216.014.ce4c

Способ изготовления фотопреобразователя на основе gasb

При изготовлении фотопреобразователя согласно изобретению на тыльной стороне подложки GaSb n-типа проводимости выращивают методом эпитаксии высоколегированный контактный слой n-GaSb, а на лицевой стороне подложки - буферный слой n-GaSb. Наносят на лицевую поверхность подложки диэлектрическую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575972
Дата охранного документа: 27.02.2016
27.02.2016
№216.014.ce65

Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента

Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента включает выращивание полупроводниковой гетероструктуры на германиевой подложке, создание омических контактов со стороны тыльной поверхности германиевой подложки и со стороны фронтальной поверхности гетероструктуры, нанесение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575974
Дата охранного документа: 27.02.2016
+ добавить свой РИД