×
14.05.2023
223.018.54a6

Результат интеллектуальной деятельности: Устройство для измерения термо-ЭДС тонких пленок

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения термо-ЭДС в тонких пленках металлических, полупроводниковых термоэлектрических материалов. Сущность: устройство для измерения термо-ЭДС тонких пленок длиной L и шириной S, содержит термопары и средства для замера ЭДС. Пленка симметрично размещена на неметаллической подложке, имеющей длину L+2d, где d - расстояние от края пленки до края подложки, d=0,05-0,15L. Ширина подложки составляет S+2s, где s расстояние от края пленки до края подложки по ширине подложки, s=0,15-0,5S. На расстоянии Н под одним из краев подложки размещен источник света, где H=2-5S. Спаи термопар закреплены на противоположных сторонах пленки на расстоянии l от ее краев, где l=0,05-0,2L. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и является устройством для измерения термо-ЭДС в тонких пленках металлических, полупроводниковых и термоэлектрических материалов.

Известны устройства для измерения термо-ЭДС материалов, содержащие горячие и холодные зонды, нагревательный элемент для создания градиента температуры в образце и датчики температуры при измерении термо-ЭДС (RU №979974, RU №167045). В известных устройствах недостатком является создание большого градиента температуры за счет применения резистивных нагревателей, что является неприемлемым для маломощного регулирования градиента температуры при измерении термо-ЭДС тонких пленок, имеющих малую массу.

Наиболее близким по конструктивным особенностям является дифференциальный метод измерения термо-ЭДС [А.Т. Бурков и др. Методы и устройства измерения термоэдс и электропроводности термоэлектрических материалов при высоких температурах, Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, 2015, том 15, №2, с. 173-195] (прототип). В этом устройстве для создания градиента температуры вдоль образца к противоположным его концам закреплены нагреватель и холодильник. Перепад температуры между двумя точками на образце измеряется двумя термопарами, а термо-ЭДС между двумя одноименными ветвями термопар.

Недостатком этого устройства является наличие нагревателя и холодильника, которые не позволяют обеспечить получение низкого градиента температуры в несколько К/см в тонких пленках.

Задачей изобретения является создание заданного низкого градиента температуры в тонких пленках при измерении термо-ЭДС. Это достигается фиксированием тонкой пленки на подложке, один конец которой освещается с противоположной стороны крепления пленки, что обеспечивает получение низкого градиента температуры в подложке и, соответственно, в пленке.

Техническим результатом является измерение термо-ЭДС в тонких пленках металлических, полупроводниковых и термоэлектрических материалов.

Указанные техническая задача и результат достигаются благодаря тому, что устройство для измерения термо-ЭДС тонких пленок, содержащее термопары и средства измерения напряжения, дополнительно содержит подложку, на которой закреплен измеряемый образец и источник света, освещающий один конец поверхности подложки с противоположной стороны крепления пленки.

Существо изобретения поясняется схемой на фиг.

Устройство содержит подложку 1 с закрепленной на ней измеряемой пленкой 2, две термопары 3 и 4 для измерения температур T1 и Т2, два средства измерения напряжения на термопарах 5 и 6, третье средство измерения напряжения 7 между одноименными ветвями термопар и источник света 8. Данный измерительный прибор фиксируется в специальном корпусе расположенном отдельно от средств измерения напряжения.

Длина подложки 1 составляет 1.1-1.3 длины пленки L, а ее ширина 0,15-0,5 ширины пленки S. Пленка крепится на подложке симметрично таким образом, чтобы от краев пленки до краев подложки были одинаковые расстояния вдоль длины d и между боковыми краями s. Источник света 8 освещает нижнюю поверхность подложки 1 на расстоянии d от одного из концов подложки 1 до ближайшего края пленки. Расстояние d составляет 0.05-0.15 длины пленки L. При расстоянии d меньше 0.05 источник света 8 не будет освещать подложку, что не позволит получить заданный градиент температуры для измерения термо-ЭДС. При расстоянии d больше 0.15 L длины пленки источник света 8 будет освещать подложку, нагревая ее под пленкой, что создаст условия получения градиента выше заданного и завышенного значения термо-ЭДС. Расстояние Н от источника света до подложки 1 составляет 2-5 ширины пленки S. При расстоянии Н меньше 2S источник света будет освещать площадь подложки меньше ширины пленки, создавая неравномерное ее нагревание и повышение температуры выше оптимальной, что снизит достоверность измерения термо-ЭДС. При расстоянии Н больше 5S источник света будет освещать больше оптимальной площадь подложки, что не позволит создать заданный градиент температуры для измерения термо-ЭДС.

Измерительные термопары 3 и 4 фиксируются на верхней поверхности пленки на расстояниях l1 и l2 от краев пленки. Величина расстояний фиксирования термопар l1 и l2 составляет 0.05-0.2 длины пленки L. При расстояниях от краев пленки l1 и l2 меньше 0.05 L возникают краевые эффекты, влияющие на процессы электропереноса носителей заряда, что не позволит получить достоверные данные. При расстояниях больше 0.2 L значительно уменьшится расстояние между термопарами и величина падения напряжения, что существенно уменьшит точность измерения данных.

Устройство функционирует следующим образом.

На подложку 1 крепят пленку 2 таким образом, чтобы расстояния между краями пленки и подложки были в пределах значений d. Затем на верхней поверхности пленки фиксируют термопары 3 и 4 на расстояниях S1 и S2 от краев пленки. Затем включение источника света 8 нагревает один из концов подложки и создает заданный градиент температуры вдоль подложки и, соответственно, пленки. Величина градиента температуры определяется путем измерения ЭДС на термопарах 3 и 4 средствами измерения напряжения 5 и 6. Термо-ЭДС измеряется средством измерения напряжения 7 между одноименными ветвями термопар 3 и 4 одновременно с измерением ЭДС на термопарах. Одновременное измерение температур и термо-ЭДС обеспечивает высокую точность измерения термо-ЭДС в пленках.

Пример осуществления изобретения.

Для измерения термо-ЭДС пленку висмута толщиной 50 мкм с размерами 20×3×0,05 мм3 фиксировали на пластмассовой подложке с размерами 26×6×2 мм3 таким образом, чтобы между концами пленки висмута вдоль ее длины и концами пластмассовой подложки были одинаковые расстояния равные 3 мм и между боковыми краями расстояния 1,5 мм. Включение осветителя нагревает один конец пластмассовой подложки, создавая воль нее градиент температуры. После достижения заданного градиента температуры вдоль образца с помощью измерителей напряжения измеряют температуру термопар, а между одноименными проволоками термопар - термо-ЭДС. В результате измеренная величина терм-ЭДС делится на разность температур и определяется дифференциальная термо-ЭДС, которая является справочной величиной для всех материалов.

Проведенные измерения термо-ЭДС тонких пленок в предлагаемом устройстве подтверждают его промышленную применимость.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-30 из 39.
07.06.2019
№219.017.750e

Беспроводное устройство для измерения температуры

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к беспроводным устройствам для контроля температуры в вакуумных ростовых камерах, а также при отжиге кристаллов, выращенных из расплава. Беспроводное устройство для измерения температуры, содержащее термодатчик, блок питания и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690719
Дата охранного документа: 05.06.2019
02.09.2019
№219.017.c5ef

Устройство для выращивания кристаллов вертикальным методом бриджмена

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов полупроводников вертикальным методом Бриджмена. Устройство содержит корпус 1 с размещенной внутри него теплоизоляцией 2, два последовательно установленных нагревателя 3, 5 и тигель 6 с рабочей камерой, имеющий возможность осевого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698830
Дата охранного документа: 30.08.2019
04.10.2019
№219.017.d284

Кластер установок для выращивания кристаллов из раствора

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Предлагается кластер установок для выращивания кристаллов из раствора, содержащий несколько кристаллизационных установок 1, которые объединены в отдельные блоки по несколько установок, например по десять, которые образуют кластеры нижнего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701940
Дата охранного документа: 02.10.2019
17.10.2019
№219.017.d6c7

Фтор-проводящий композитный электролит и способ его получения

Изобретение относится к фтор-проводящим твердым электролитам (ФТЭЛ), которые используются в различных областях ионики твердого тела, электрохимии, сенсорных систем и низковольтной энергетики, а также к способу его получения. Фтор-проводящий композитный электролит получают кристаллизацией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002702905
Дата охранного документа: 14.10.2019
18.10.2019
№219.017.d753

Композитный протонопроводящий материал и способ его получения

Изобретение может быть использовано при создании протонообменных мембран, применяемых в топливных элементах на основе водорода. Композитный протонопроводящий материал имеет состав xCs(HSO)(HPO)-(1-х)AlPO, где х=0,5-0,9. Способ получения композитного материала включает получение гидроксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002703246
Дата охранного документа: 15.10.2019
17.01.2020
№220.017.f622

Реактор высокого давления для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса

Изобретение относится к области спектроскопии, а именно к устройствам для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в жидкостях и сверхкритических флюидах при высоком давлении. Реактор высокого давления для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711218
Дата охранного документа: 15.01.2020
28.03.2020
№220.018.1131

Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре

Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717799
Дата охранного документа: 25.03.2020
24.06.2020
№220.018.29cc

Способ получения наностержней никеля с регулируемым аспектным отношением

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам получения никелевых наностержней цилиндрической формы с заданным аспектным отношением. Способ включает изготовление трековой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, на одну из сторон которой наносят слой меди с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724264
Дата охранного документа: 22.06.2020
22.07.2020
№220.018.3562

Способ лечения открытоугольной формы глаукомы, устройство для его осуществления и рабочий инструмент

Группа изобретений относится к офтальмологии. Способ лечения открытоугольной формы глаукомы путем обеспечения оттока водянистой влаги через склеру в проекции цилиарного тела посредством серии лазерных аппликаций по его периметру. В месте каждой конкретной аппликации с помощью рабочего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002727036
Дата охранного документа: 17.07.2020
12.04.2023
№223.018.4310

Способ синхронизированной регистрации рентгеновского излучения и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме при облучении образца рентгеновским излучением

Использование: для синхронизированной регистрации рентгеновского и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют облучение исследуемого образца рентгеновским излучением с последующей регистрацией флуоресцентного излучения от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793568
Дата охранного документа: 04.04.2023
Показаны записи 1-3 из 3.
05.12.2018
№218.016.a330

Магниторезистивный сплав на основе висмута

Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002673870
Дата охранного документа: 30.11.2018
01.05.2019
№219.017.47c3

Магниторезистивный сплав на основе висмута

Изобретение относится к металлургии, а именно к сплавам на основе висмута, предназначенным для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры. Магниторезистивный сплав на основе висмута содержит, мас.%: сурьма 5,1437216 - 5,7737629, олово 0,000006 - 0,0001, висмут – остальное. Сплав...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002686493
Дата охранного документа: 29.04.2019
02.09.2019
№219.017.c5ef

Устройство для выращивания кристаллов вертикальным методом бриджмена

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов полупроводников вертикальным методом Бриджмена. Устройство содержит корпус 1 с размещенной внутри него теплоизоляцией 2, два последовательно установленных нагревателя 3, 5 и тигель 6 с рабочей камерой, имеющий возможность осевого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698830
Дата охранного документа: 30.08.2019
+ добавить свой РИД