×
20.04.2023
223.018.4b40

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения микрокристаллов CsSO(TI) из водного раствора

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области получения микрокристаллов CsSO-TI, являющихся люминофорами и сцинтилляторами для регистрации ионизирующих излучений в медицине, системах безопасности, в мониторинге окружающей среды. Микрокристалл CsSO-TI получают из ненасыщенного водного раствора, содержащего сульфат цезия и соль таллия, который смешивают с обеспечивающим его пересыщение высаливателем, выбранным из органической жидкости, неограниченно растворимой в воде, но в которой соли цезия и таллия не растворимы, а образовавшийся осадок выделяют фильтрованием полученной суспензии. В качестве соли таллия используют однозамещенный фосфат таллия TIHPO или иодид таллия TII. В качестве высаливателя могут быть использованы ацетон или диметилсульфоксид. Быстрым превращением указанного раствора из ненасыщенного в насыщенный добавлением в него водорастворимого органического высаливателя обеспечивается скоростное выделение микрокристаллов сульфата цезия с однородным распределением компонентов. За счет этого формируются сцинтилляционные микрочастицы с высокой интенсивностью ультрафиолетового высвечивания, эффективные как при самостоятельной регистрации ионизирующих излучений, так и в композициях с органическими люминофорами. 6 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл., 7 пр.

Изобретение относится к области получения люминофоров, в частности, сцинтилляторов, а именно к получению микрокристаллов сцинтиллятора сульфата цезия, легированного таллием, Cs2SO4(TI). Этот сцинтиллятор может быть использован в медицине, системах безопасности, в мониторинге окружающей среды и др. Основная роль сцинтиллятора заключается в преобразовании невидимого ионизационного излучения, такого как рентгеновские или гамма, в фотоны, которые затем регистрируются высокочувствительным фотоприемником. Cs2SO4(TI) является сцинтиллятором ультрафиолетового диапазона, то есть при поглощении высокоэнергетичного излучения микрокристаллы Cs2SO4(TI) излучают фотоны УФ диапазона. Такого рода сцинтиллятор со световым излучением в ультрафиолетовом диапазоне особенно эффективен в сцинтилляционных композитах с органическим люминофорами. В этом случае, как показано в работе «Спектроскопия композитных сцинтилляторов», Шмурак С.З., Кедров В.В., Классен Н.В., Шахрай О.А., ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 2012, том 54, №11, стр. 2131-2140, энергия электронных возбуждений, образованных в неорганическом сцинтилляторе при поглощении ионизирующего излучения, безизлучательным образом передается органическому люминофору, время высвечивания которого значительно короче, чем у неорганического сцинтиллятора. Такое ускорение процесса регистрации ионизирующих излучений значительно улучшает чувствительность и ряд других характеристик радиационных детекторов.

Микрокристаллический порошок сульфата цезия, легированный таллием, получали из водных растворов, содержащих сульфат цезия и соль таллия.

Известен способ выращивания кристаллов Cs2SO4 из водных растворов методом снижения температуры от 40 до 25°С, описанный в работе «Исследования фазовых равновесий в системе Cs2SO4-Rb2SO4-H2SO4-H2O», В.А. Коморников,, И.С. Тимаков, О.Б. Зайнуллин, В.В. Гребенев, И.П. Макарова, Е.В. Селезнева, КРИСТАЛЛОГРАФИЯ, 2018, том 63, №6, с. 957-962.

Недостатком этого способа является неоднородное распределение легирующей примеси в кристаллах из-за изменения пересыщения в растворе при снижении температуры, что приводит к понижению эффективности преобразования сигнала.

Наиболее близким к предлагаемому способу по совокупности основных признаков является способ выращивания кристаллов Cs2SO4(TI) путем медленного испарения водного раствора, описанный в работе «Optical and Thermoluminescence Studies on Thallium-Doped Suprapure Cesium Sulphate», B.S.V.S.R. Acharyulu and V.S. Kishan Kumar, phys. stat. sol. (a) 105, 303 (1988). Недостатками этого способа являются длительный процесс получения продукта и неоднородное распределение легирующей примеси в кристаллах из-за изменения пересыщения вследствие испарения раствора, что приводит к понижению эффективности преобразования сигнала.

Задачей предлагаемого способа является устранение недостатков известного способа путем введения в раствор исходных солей, дополнительного компонента - высаливателя, который резко снижает растворимость солей, что приводит к быстрой спонтанной кристаллизации продукта с заданным содержанием таллия, и обеспечивает интегральную интенсивность сигнала Cs2SO4(TI), сопоставимую с сигналом от промышленного сцинтиллятора цезий йод, легированного таллием, CsI(TI).

Техническим результатом является создание способа получения микрокристаллов Cs2SO4(TI), обеспечивающих высокую интенсивность рентгенолюминесценции, близкую к интенсивности промышленного сцинтиллятора Csl(TI).

Поставленная задача решается тем, что в способе получения микрокристаллов Cs2SO4(TI) из водных растворов заданного состава Cs2SO4(TI) используется высаливатель, который является хорошо растворимой в воде жидкостью, но в которой соли цезия и таллия нерастворимы. Добавление высаливателя превращает ненасыщенный раствор в пересыщенный, что приводит к быстрому выпадению в осадок микрокристаллов Cs2SO4(TI). Сульфат цезия хорошо растворим в воде (178 г в 100 мл воды при 20°С), не подвергается гидролизу и не образует кристаллогидратов. Не растворяется в этаноле, ацетоне и других полярных органических жидкостях, например, в диметилсульфоксиде (ДМСО). Поскольку эти органические жидкости неограниченно растворимы в воде, они являются прекрасными высаливателями для сульфата цезия из его водных растворов.

Для измерения спектральных характеристик полученного микрокристаллического сцинтиллятора Cs2SO4(TI) образец помещали в измерительную ячейку рентгеновской установки. Из полученного спектра определяли световой и энергетический выход сцинтиллятора. Для определения времени высвечивания сцинтиллятора применяли импульсную рентгеновскую технику.

Приведем примеры реализации данного изобретения. Во всех примерах содержание TI относительно Cs2SO4 составляло 0,3 мол. %.

Пример 1. 3 г Cs2SO4 и 7.5 мг TIHSO4 растворили в 3 мл воды при 20°С. Полученный двухкомпонентный раствор влили в 100 мл этилового спирта при перемешивании. Образовавшийся осадок выделили фильтрованием суспензии через двойной бумажный фильтр, промыли спиртом и высушили при 80°С.

Пример 2. 3 г Cs2SO4 и 7.5 мг TIH2PO4 растворили в 3 мл воды при 20°С. Полученный двухкомпонентный раствор влили в 100 мл этилового спирта при перемешивании. Образовавшийся осадок выделили фильтрованием суспензии через двойной бумажный фильтр, промыли спиртом и высушили при 80°С.

Пример 3. 3 г Cs2SO4 и 8,2 мг иодида таллия TII растворили в 3 мл воды при 60°С. Полученный двухкомпонентный раствор влили в 100 мл этилового спирта при перемешивании. Образовавшийся осадок выделили фильтрованием суспензии через двойной бумажный фильтр, промыли спиртом и высушили при 80°С.

Пример 4. 3 г Cs2SO4 и 7.5 мг TIHSO4 растворили в 3 мл воды при 20°С. Полученный двухкомпонентный раствор влили в 100 мл ацетона при перемешивании. Образовавшийся осадок выделили фильтрованием суспензии через двойной бумажный фильтр, промыли спиртом и высушили при 80°С.

Пример 5. 3 г Cs2SO4 и 7.5 мг TIH2PO4 растворили в 3 мл воды при 20°С. Полученный двухкомпонентный раствор влили в 100 мл ацетона при перемешивании. Образовавшийся осадок выделили фильтрованием суспензии через двойной бумажный фильтр, промыли спиртом и высушили при 80°С.

Пример 6. 3 г Cs2SO4 и 7.5 мг TIHSO4 растворили в 3 мл воды при 20°С. Полученный двухкомпонентный раствор влили в 100 мл диметилсульфоксида. при перемешивании. Образовавшийся осадок выделили фильтрованием суспензии через двойной бумажный фильтр, промыли спиртом и высушили при 80°С.

Пример 7.. 3 г Cs2SO4 и 7.5 мг TI2PO4 растворили в 3 мл воды при 20°С. Полученный двухкомпонентный раствор влили в 100 мл диметилсульфоксида при перемешивании. Образовавшийся осадок выделили фильтрованием суспензии через двойной бумажный фильтр, промыли спиртом и высушили при 80°С.

Содержание TI относительно Cs2SO4 в количестве 0,3 мол. % является оптимальным. При таком содержании TI полученные образцы демонстрируют максимальную интенсивность свечения.

Спектры рентгенолюминесценции образца Cs2SO4 (0,3% TI) и образца Csl(TI) приведены на фиг. 1. Квантовые выходы Cs2SO4 (0,3% TI) - ηCSO и Csl(TI) - ηCl пропорциональны площадям под кривыми JCSO(λ) и JCl(λ) (λ в nm), фиг. 1. Максимальный квантовый выход Cs2SO4(TI) составляет 0,83 относительно Csl(TI). В то же время максимальный энергетический световыход Cs2SO4 (0,3% TI) относительно Csl(TI), равный отношению площадей под кривыми JCSO(λ) и JCl(λ) (λ в eV), равен 2,14, то есть в ~ 2 раза больше, чем для Csl(TI). Время высвечивания полученных образцов Cs2SO4(TI) составляет 0,5 мксек. В таблице 1 приведена зависимость отношения квантового выхода Cs2SO4(TI) - ηCSO к квантовому выходу Csl(TI) - ηCl от содержания таллия.

Как видно из таблицы 1, изменение содержания таллия, как в сторону увеличения, так и в сторону снижения, уменьшает квантовый выход образцов CS2SO4(TI).

Установлено, что порядок совмещения водного раствора солей и органической жидкости (высаливателя) не имеет принципиального значения, поскольку спектральные характеристики образцов Cs2SO4(TI), полученных вливанием 100 мл спирта в 3 мл водного раствора солей, полностью совпадают со спектральными характеристиками образцов, полученных в Примере 1, в котором раствор солей вливался в высаливатель.

В процессе работы по реализации способа были получены микрокристаллы Cs2SO4(TI) с типичными размерами в интервале 10-100 мкм. На фиг. 1 представлены спектры рентгенлюминесценции микрокристаллов Cs2SO4(TI) и Csl(TI), демонстрирующие интегральные световыходы обоих образцов.

Источник рентгеновского излучения: трубка БСВ-29 (Со)), 30 кВ, 15 мА Площади под кривыми спектров рентгенолюминесценции Cs2SO4: TI (SCSO) и Csl:TI (SCl).

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-8 из 8.
20.04.2023
№223.018.4a6f

Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения легированных бором пленок алмаза на подложках из кремния. Технический результат заключается в создании способа выращивания пленок алмаза акцепторного типа проводимости со значением удельного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002780375
Дата охранного документа: 22.09.2022
20.04.2023
№223.018.4a7d

Способ получения водорода

Изобретение может быть использовано для получения газообразного чистого водорода в установках, связанных с системами транспортировки газа. Способ получения водорода из природного газа включает нагрев лент из углеродной фольги в герметичной водоохлаждаемой камере прямым пропусканием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002786070
Дата охранного документа: 16.12.2022
20.04.2023
№223.018.4ab9

Композиция для высокотемпературной керамики и способ получения высокотемпературной керамики на основе карбида кремния и силицида молибдена

Группа изобретений относится к области получения керамических материалов на основе карбида кремния (SiC) и силицида молибдена, которые могут использоваться при получении изделий повышенной термостойкости, при изготовлении деталей турбин, авиационных двигателей, фрикционных элементов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002788686
Дата охранного документа: 24.01.2023
20.04.2023
№223.018.4abb

Устройство защиты цепей питания постоянного тока от короткого замыкания

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в силовой электронике для повышения надежности работы цепей питания постоянного тока напряжением 310 В при работе на индуктивную нагрузку. Технический результат достигается за счет того, что в схеме прототипа драйвер «нижнего плеча»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002778553
Дата охранного документа: 22.08.2022
20.04.2023
№223.018.4b28

Жаропрочный сплав на основе молибдена

Изобретение относится к металлургии, а именно к жаропрочным сплавам на основе молибдена, обладающим высокой прочностью, и может быть использован для изготовления изделий, подвергающихся в процессе эксплуатации в условиях вакуума или среды, не содержащей кислород, нагреву до высоких температур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002774718
Дата охранного документа: 22.06.2022
20.04.2023
№223.018.4b41

Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения пленок алмаза большой площади на подложках из кремния. Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза включает нагрев порошка алмаза 5 в графитовом контейнере в среде вакуума с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002773320
Дата охранного документа: 01.06.2022
21.04.2023
№223.018.4fc0

Волновод с субволновой фокусировкой для терагерцовой эндоскопии

Изобретение относится к оптике, а именно к устройствам для передачи и преобразования пучков терагерцового излучения. Заявленный волновод с субволновой фокусировкой для терагерцовой эндоскопии включает полую трубку, на внешней поверхности которой имеется оболочка. Внутренний диаметр трубки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002790924
Дата охранного документа: 28.02.2023
16.05.2023
№223.018.6357

Электродуговой способ получения прецизионного сплава timnal

Изобретение относится к области металлургии прецизионных сплавов и может быть использовано для получения сплава Гейслера. Осуществляют сплавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002776576
Дата охранного документа: 22.07.2022
Показаны записи 11-15 из 15.
20.04.2023
№223.018.4abb

Устройство защиты цепей питания постоянного тока от короткого замыкания

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в силовой электронике для повышения надежности работы цепей питания постоянного тока напряжением 310 В при работе на индуктивную нагрузку. Технический результат достигается за счет того, что в схеме прототипа драйвер «нижнего плеча»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002778553
Дата охранного документа: 22.08.2022
21.04.2023
№223.018.4fc4

Способ синтеза шпинели ganbse

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNbSe из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745973
Дата охранного документа: 05.04.2021
14.05.2023
№223.018.55c8

Способ получения композиционных материалов на основе углеволокна и металла

Изобретение относится к технологии получения новых композиционных материалов с углеволокном и может быть использовано, в частности, для изготовления элементов конструкций в авиационной, ракетно-космической и морской технике. Способ получения композиционного материала, содержащего углеволокно и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002731699
Дата охранного документа: 08.09.2020
16.05.2023
№223.018.5dc6

Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K(Co,Ni)(SO)⋅6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002758652
Дата охранного документа: 01.11.2021
16.05.2023
№223.018.5dc7

Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K(Co,Ni)(SO)⋅6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002758652
Дата охранного документа: 01.11.2021
+ добавить свой РИД