×
25.06.2020
220.018.2b6d

Результат интеллектуальной деятельности: Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002724301
Дата охранного документа
22.06.2020
Аннотация: Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС. Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ. Технический результат достигается тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда. Для работы только при комнатной температуре достаточно покрыть это место каплей клея, например, на основе эпоксидной смолы. Для работы при азотных температурах зонды можно упрочнить облуживанием поверхности зоны загиба припоем, например твердым припоем на основе серебра. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС.

Для подсоединения контролирующих схем к кристаллам БИС служат специальные контактные устройства с фиксированным (жестким) расположением контактирующих зондов. Такие устройства, называемые обычно проб-картами, многозондовыми головками или жесткими зондовыми головками (ЖЗГ), широко используются в составе зондовых установок для осуществления электрической связи с контактными площадками кристаллов БИС. При измерениях контактирующие кончики иголок ЖЗГ одновременно опускаются на контактные площадки кристалла, создавая надежное электрическое соединение с металлизированными контактными площадками кристаллов БИС.

Известны Автоматические зондовые станции для контроля кристаллов БИС [Зонд А5, фирмы ООО «Вито-техникс», Москва], использующие перестраиваемые многозондовые устройства для контактирования с кристаллами.

Недостатками такого устройства контактирования являются их громоздкость (диаметр устройства 26 см), и, в связи с этим, невозможность работы с ним на современных зондовых установках, особенно при криогенных температурах, и ограниченное число индивидуально настраиваемых зондов (60 по кругу, следовательно, по 15 на каждую сторону кристалла)

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению являются многозондовые устройства, с зондами, жестко закрепленными на печатных платах с помощью слоев эпоксидной смолы [УКФ-5, Контактные устройства с фиксированным расположением зондов, справочные материалы завода «Планар», г. Минск, Беларусь]. Обычно зонды изготавливают из вольфрамовой проволоки диаметром от 250 до 300 мкм. Контактирующий кончик иголки утоньшен электрохимическим способом с углом заточки порядка 3-6° до радиуса кончика ~25 мкм. Рабочий кончик иголки формируют путем его загиба под углом ~70° на расстоянии 0,3÷0,5 мм от его начала на диаметре меньше 100 мкм (фиг. 1).

Одним из недостатков такого метода формирования зонда состоит в том, что в месте загиба кончика иголки происходит ослабление металла из-за нарушения его структуры, так как в обычных условиях вольфрам недостаточно пластичный. При комнатной температуре он не поддается обработке давлением из-за его хрупкости, возможно даже расщепление проволоки при гибке, особенно для неотожженного металла.

Во время измерения параметров кристаллов БИС при азотной температуре ситуация осложняется из-за высокой склонности вольфрама к ломкости при низкой температуре. Это приводит к деформации иголок, особенно в месте загиба кончика зонда. После нескольких корректировок формы иголки кончик зонда может отломиться, что приводит к неработоспособности всей ЖЗГ и необходимости ее замены на новую.

Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ.

Технический результат достигается тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда (по «кругу») наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда (фиг. 2). Для работы только при комнатной температуре достаточно покрыть эти места эпоксидной смолой для формирования упрочняющей капли клея в зоне загиба.. ЖЗГ, используемые при азотных температурах, можно упрочнить путем облуживания по всей поверхности зоны загиба припоем, например твердым припоем на основе серебра, у которого КТР ближе к вольфраму, чем у эпоксидной смолы. На фиг. 3 представлен внешний вид блока зондов экспериментальной ЖЗГ с упрочняющими каплями эпоксидной смолы в зоне загиба зондов. Для увеличения эластичности слоя эпоксидной смолы в нее вносится наполнитель, например порошок нитрида бора.

Проведен цикл контактирований зондов с контактными площадками кристаллов БИС, после которых не была замечена деформация зондов ЖЗГ.


Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок
Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-27 из 27.
11.03.2019
№219.016.d92c

Способ обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных моп мультиплексоров

Изобретение относится к области тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных МОП мультиплексоров на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрываются окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002388110
Дата охранного документа: 27.04.2010
19.04.2019
№219.017.2f71

Способ изготовления индиевых столбиков

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков для микросборок интегральных схем или ИК-фотодиодных матриц методом перевернутого кристалла. Сущность изобретения: для изготовления индиевых столбиков на временную кремниевую подложку наносят слой фоторезиста и слой индия. Проводят...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002371808
Дата охранного документа: 27.10.2009
08.05.2019
№219.017.48f7

Способ повышения точности контроля качества стыковки

Изобретение может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств (МФПУ) методом перевернутого монтажа. Способ повышения точности контроля качества стыковки БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) включает установку состыкованного модуля в держатель под...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002686882
Дата охранного документа: 06.05.2019
18.05.2019
№219.017.5ba3

Способ изготовления матричного фотоприемника (варианты)

Изобретения относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и могут использоваться для создания матричных фотоприемников различного назначения. Способ изготовления матричного фотоприемника заключается в том, что фоточувствительный элемент гибридизируют с БИС мультиплексора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002460174
Дата охранного документа: 27.08.2012
29.06.2019
№219.017.a1c5

Способ изготовления индиевых столбиков

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией. Способ позволяет формировать индиевые столбики как на кремниевой (Si) БИС считывания, так и на инфракрасной фотодиодной матрице, кристалл которой выполнен из узкозонного полупроводника, например из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002468469
Дата охранного документа: 27.11.2012
19.10.2019
№219.017.d846

Многоэлементный фотоприемник

Многоэлементный фотоприемник с тонкой фоточувствительной базой, включающий матрицу фоточувствительных элементов из одного из полупроводниковых материалов CdHgTe, InSb, InGaAs, QWIP, соединенную со схемой считывания индиевыми микроконтактами, с антиотражающим покрытием, обеспечивающим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002703497
Дата охранного документа: 17.10.2019
16.05.2023
№223.018.6279

Способ изготовления фотоприемника

Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники, а именно к технологии изготовления фотоприемников с высокой фоточувствительностью, и может быть использовано для создания как дискретных, так и матричных фотоприемных устройств (МФПУ) для регистрации объектов в условиях малой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002781461
Дата охранного документа: 12.10.2022
+ добавить свой РИД