×
25.06.2020
220.018.2b6d

Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002724301
Дата охранного документа
22.06.2020
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС. Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ. Технический результат достигается тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда. Для работы только при комнатной температуре достаточно покрыть это место каплей клея, например, на основе эпоксидной смолы. Для работы при азотных температурах зонды можно упрочнить облуживанием поверхности зоны загиба припоем, например твердым припоем на основе серебра. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС.

Для подсоединения контролирующих схем к кристаллам БИС служат специальные контактные устройства с фиксированным (жестким) расположением контактирующих зондов. Такие устройства, называемые обычно проб-картами, многозондовыми головками или жесткими зондовыми головками (ЖЗГ), широко используются в составе зондовых установок для осуществления электрической связи с контактными площадками кристаллов БИС. При измерениях контактирующие кончики иголок ЖЗГ одновременно опускаются на контактные площадки кристалла, создавая надежное электрическое соединение с металлизированными контактными площадками кристаллов БИС.

Известны Автоматические зондовые станции для контроля кристаллов БИС [Зонд А5, фирмы ООО «Вито-техникс», Москва], использующие перестраиваемые многозондовые устройства для контактирования с кристаллами.

Недостатками такого устройства контактирования являются их громоздкость (диаметр устройства 26 см), и, в связи с этим, невозможность работы с ним на современных зондовых установках, особенно при криогенных температурах, и ограниченное число индивидуально настраиваемых зондов (60 по кругу, следовательно, по 15 на каждую сторону кристалла)

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению являются многозондовые устройства, с зондами, жестко закрепленными на печатных платах с помощью слоев эпоксидной смолы [УКФ-5, Контактные устройства с фиксированным расположением зондов, справочные материалы завода «Планар», г. Минск, Беларусь]. Обычно зонды изготавливают из вольфрамовой проволоки диаметром от 250 до 300 мкм. Контактирующий кончик иголки утоньшен электрохимическим способом с углом заточки порядка 3-6° до радиуса кончика ~25 мкм. Рабочий кончик иголки формируют путем его загиба под углом ~70° на расстоянии 0,3÷0,5 мм от его начала на диаметре меньше 100 мкм (фиг. 1).

Одним из недостатков такого метода формирования зонда состоит в том, что в месте загиба кончика иголки происходит ослабление металла из-за нарушения его структуры, так как в обычных условиях вольфрам недостаточно пластичный. При комнатной температуре он не поддается обработке давлением из-за его хрупкости, возможно даже расщепление проволоки при гибке, особенно для неотожженного металла.

Во время измерения параметров кристаллов БИС при азотной температуре ситуация осложняется из-за высокой склонности вольфрама к ломкости при низкой температуре. Это приводит к деформации иголок, особенно в месте загиба кончика зонда. После нескольких корректировок формы иголки кончик зонда может отломиться, что приводит к неработоспособности всей ЖЗГ и необходимости ее замены на новую.

Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ.

Технический результат достигается тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда (по «кругу») наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда (фиг. 2). Для работы только при комнатной температуре достаточно покрыть эти места эпоксидной смолой для формирования упрочняющей капли клея в зоне загиба.. ЖЗГ, используемые при азотных температурах, можно упрочнить путем облуживания по всей поверхности зоны загиба припоем, например твердым припоем на основе серебра, у которого КТР ближе к вольфраму, чем у эпоксидной смолы. На фиг. 3 представлен внешний вид блока зондов экспериментальной ЖЗГ с упрочняющими каплями эпоксидной смолы в зоне загиба зондов. Для увеличения эластичности слоя эпоксидной смолы в нее вносится наполнитель, например порошок нитрида бора.

Проведен цикл контактирований зондов с контактными площадками кристаллов БИС, после которых не была замечена деформация зондов ЖЗГ.


Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок
Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 27.
10.02.2013
№216.012.24c8

Способ обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых моп мультиплексоров

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевую пластину с годными кристаллами МОП...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474918
Дата охранного документа: 10.02.2013
20.07.2014
№216.012.e26e

Способ обнаружения скрытых дефектов матричных бис считывания

Изобретение относится к тестированию матричных БИС считывания и может быть использовано для определения координат скрытых дефектов типа утечек сток-исток, которые невозможно обнаружить до стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов. На кремниевой пластине с годными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002523752
Дата охранного документа: 20.07.2014
27.12.2014
№216.013.161d

Способ снижения омического сопротивления индиевых микроконтактов с помощью термического отжига

Изобретение относится к технологии изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках ИК-излучения и БИС считывания фотосигнала. Изобретение обеспечивает изготовление индиевых микроконтактов с низким сопротивлением и высокой однородностью их значений в пределах больших массивов....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537085
Дата охранного документа: 27.12.2014
27.12.2014
№216.013.1621

Способ гибридизации кристаллов бис считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств

Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. Согласно изобретению способ гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств включает сдавливание индиевых микроконтактов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537089
Дата охранного документа: 27.12.2014
27.03.2015
№216.013.35f3

Способ химико-механического полирования пластин арсенида галлия

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления приборов, в том числе матричных большого формата на основе арсенида галлия. Способ включает обработку пластин вращающимся полировальником и полирующим составом,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545295
Дата охранного документа: 27.03.2015
20.08.2015
№216.013.72d5

Способ коррекции топологии бис

Изобретение относится к вопросам проектирования схемотехники и топологии интегральных схем и может быть использовано для коррекции топологии БИС, гибридных тонко- и толстопленочных микросхем, а также совмещенных ГИС. Кроме того, предложенный способ может быть использован также и для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002560967
Дата охранного документа: 20.08.2015
20.12.2015
№216.013.9a7a

Ик матричный фотоприёмник с охлаждаемой диафрагмой и способ изготовления диафрагмы

Изобретение относится к области создания детекторов излучения и касается фотоприемника ик-излучения с диафрагмой. Фотоприемник содержит держатель, фоточувствительный элемент, приклеенный на растре, и диафрагму. Диафрагма состоит из средней конусной детали, крышки, дискового основания и экрана,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571171
Дата охранного документа: 20.12.2015
27.01.2016
№216.014.bd27

Способ изготовления матричного фотоприемника

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изобретение обеспечивает утоньшение базовой области фоточувствительного элемента с получением требуемого качества и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002573714
Дата охранного документа: 27.01.2016
10.04.2016
№216.015.2e96

Способ сборки фоточувствительного модуля на растр

Изобретение относится к конструкции матричных полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Сборка фоточувствительного модуля на растр заключается в том, что приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002580184
Дата охранного документа: 10.04.2016
25.08.2017
№217.015.b386

Способ повышения прочности стыковки кристаллов

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. В способе повышения прочности стыковки индиевых микроконтактов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613617
Дата охранного документа: 21.03.2017
+ добавить свой РИД