×
24.06.2020
220.018.2a43

Способ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области получения микро- и наноструктур поверхности карбида кремния. Cпособ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния включает установку образца карбида кремния в кювету с рабочей жидкостью, установку кюветы на координатный столик с последующим процессом ориентирования, фокусировку и абляцию импульсным лазерным излучением поверхности карбида кремния. Согласно изобретению установку образца карбида кремния в кювету осуществляют частичным погружением, при этом лазерным излучением, находящимся в прозрачном для карбида кремния спектре, одновременно на фронтальной и сопряженной с рабочей жидкостью тыльной поверхности кристалла, формируют источники теплового потока, вызывающие локальный нагрев и эрозию кристалла, при этом состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения выбираются из условия требуемой морфологии поверхности карбида кремния, а продукты эрозии с тыльной поверхности кристалла удаляются рабочей жидкостью. Способ позволяет получить различную морфологию обрабатываемой поверхности карбида кремния с высоким показателем качества при применении одного и того же оборудования и технических средств для реализации способа, изменяется только состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения. 1 пр., 2 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области получения микро и наноструктур поверхности карбида кремния.

Известны способы электроэрозионной модификации поверхности частично прозрачных кристаллов карбида кремния в жидкости, включая воду (см. Карачинов В.А. Рост отрицательных нитевидных кристаллов в процессе электроэрозии карбида кремния // ЖТФ, 1998, т. 68, №7, с. 133-135; патенты РФ№: 2189664; 2202135; 2182607; 2573622 и др.).

Недостатком известных способов является сильная зависимость производительности процесса от удельного электрического сопротивления кристаллов карбида кремния.

Известен способ сублимационного лазерного профилирования прозрачных подложек (Патент RU 2556177), в котором перед обработкой подложки предварительно наносят маски из поглощающего материала. Температуру в местах масок доводят до уровня сублимации материала подложек.

Недостатком данного способа обработки являются предварительная обработка поверхностей для образования ямок или канавок, а так же необходимость нанесения специальных масок в образованные углубления.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению и принятый за прототип является способ обработки ультрафиолетовым лазерным излучением поверхности карбида кремния в воде, прошедшей этап очистки в системе обратного осмоса. (Патент РФ 2563324).

Недостатками данного способа является его низкая универсальность, заключающаяся в получении морфологии поверхности только определенного диапазона, а так же сложности технологического процесса очистки рабочей жидкости, исключающего использования других жидких сред.

Техническим результатом заявленного решения является способ получения различных видов морфологии обрабатываемой поверхности карбида кремния высокого качества, а так же увеличение универсальности способа.

Для достижения технического результата предложен способ лазерной обработки поверхности карбида кремния, включающий установку образца карбида кремния в кювету с рабочей жидкостью, установку кюветы на координатный столик с последующим процессом ориентирования, фокусировку и абляцию импульсного лазерного излучения на поверхность карбида кремния, отличающийся тем, что установку образца карбида кремния в кювету осуществляют частичным погружением, при этом лазерным излучением, находящимся в прозрачном для карбида кремния спектре, одновременно на фронтальной и сопряженной с рабочей жидкостью тыльной поверхности кристалла, формируют источники теплового потока, вызывающие локальный нагрев и эрозию кристалла, при этом состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения выбираются из условия требуемой морфологии поверхности карбида кремния, а продукты эрозии с тыльной поверхности кристалла, удаляются рабочей жидкостью.

Способ осуществляется следующим образом:

На Фиг. 1 представлено устройство для реализации способа: 1 - пучок лазерного излучения; 2 - кювета; 3 - рабочая жидкость; 4 - карбид кремния; 5 - фокусирующая линза; 6 - координатный столик; 7 - источник теплового потока с тыльной стороны; 8 - источник теплового потока с фронтальной стороны.

Обработку образца поверхности карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2), содержащую рабочую жидкость (3), осуществляют при помощи лазерного излучения. Кювету с образцом карбида кремния устанавливают на координатный столик (6). Облучение производится лазерным пучком (1) на поверхность карбида кремния, сопряженную с рабочей жидкостью, посредством фокусирующей линзы (5), при этом на фронтальной и тыльной поверхности формируются парные источники теплового потока (7, 8). Обработка тыльной поверхности карбида кремния, сопряженной с рабочей жидкостью, ведется через слой карбида кремния лазерным излучением, оптически прозрачным для кристалла карбида кремния. При этом продукты эрозии тыльной поверхности кристалла карбида кремния попадают в рабочую жидкость и выпадают в осадок за счет гравитационных сил, что обеспечивает возможность получения более качественного показателя шероховатости поверхности, а изменяя параметры лазерного излучения можно получить различные виды морфологии поверхности, в том числе, с наноразмерными структурами. Универсальность способа заключается в возможности использования любой жидкости и любого режима лазерного излучения. Подвергать жидкость специальной очистке не требуется.

Пример 1

Обработке подвергался образец карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2) с рабочей жидкостью (3), которую устанавливают на координатный столик (6). Карбид кремния подвергался эффекту флотации на рабочей жидкости, который может быть достигнут при помощи механических держателей, электромагнитного поля и другими способами. Обработка тыльной поверхности карбида кремния, соприкасающейся с рабочей жидкостью, осуществлялась через слой карбида кремния лазерным излучением с длиной волны 635 нм, длительностью импульса 10 нс, с частотой 40 кГц и мощностью 3 Вт. В качестве рабочей жидкости был использован жидкий азот, температура которого - 195 градусов Цельсия. Процесс обработки включал в себя формирование парных источников теплового потока на фронтальной и тыльной поверхностях кристалла карбида кремния, вызывающие как локальный нагрев, так и эрозию кристалла. При взаимодействии кристалла карбида кремния с рабочей жидкостью кристалл сжимался, а в областях сформированных источников теплового потока происходил эффект хрупкого разрушения, при этом продукты эрозии удалялись от места обработки и выпадали в осадок под действием гравитационных сил. Описанный способ позволил получить морфологию поверхности с размерами от 0,1 до 100 мкм, изображенной на фиг. 2. Данный способ позволяет достичь высокого коэффициента поглощения материала.

Пример 2

Обработке подвергался образец карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2) с рабочей жидкостью (3), которую устанавливают на координатный столик (6). Карбид кремния частично погружался в рабочую жидкость, в качестве которой использовался раствор КОН. Обработка тыльной поверхности карбида кремния, соприкасающейся с рабочей жидкостью, осуществлялась через слой карбида кремния лазерным излучением 600 нм, длительностью импульса 100 нс, с частотой 50 кГц и мощностью 4 Вт. Локальный нагрев кристалла, одновременным действием парных источников теплового потока на фронтальной и тыльной поверхностях карбида кремния в условиях прямого контакта тыльной поверхности кристалла с химически активной по отношению к карбиду кремния рабочей жидкостью, порождает процесс химической эрозии поверхности кристалла и формирует новый тип морфологии с наноразмерными структурами. При этом, продукты эрозии удалялись при взаимодействии с химически активной рабочей жидкостью. Полученная морфология поверхности использовалась для получения светодиодов на карбиде кремния.

Пример 3

Обработке подвергался образец карбида кремния (4), который устанавливается в кювету (2) с рабочей жидкостью (3), которую устанавливают на координатный столик (6 Карбид кремния подвергался эффекту флотации на рабочей жидкости, который может быть достигнут, например, при помощи механических держателей. Обработка тыльной поверхности карбида кремния, соприкасающейся с рабочей жидкостью, осуществлялась через слой карбида кремния лазерным излучением с длиной волны 635 нм, длительностью импульса 50 нс, с частотой 40 кГц и мощностью 3 Вт. В качестве рабочей жидкости использовался раствор эмульсии содержащий абразивные алмазные частицы. Для получения заданной морфологии поверхности в кювете с рабочей жидкостью возбуждали акустические волны частотой 100 кГц, которые создавали кавитацию рабочей жидкости, при этом возникал эффект царапания кристалла с обеспечением процесса механической эрозии, что позволило получить высокое качество обрабатываемой поверхности подложек для формирования на ней полупроводниковых приборов. При этом продукты эрозии удалялись от места обработки и выпадали в осадок под действием гравитационных сил.

Приведенные примеры показывают, что используя одно и то же оборудование и технические средства для реализации способа, а изменяя только состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения можно получить различную морфологию обрабатываемой поверхности карбида кремния. Кроме того, улучшение качества обрабатываемой поверхности достигается удалением продуктов эрозии рабочей жидкостью за счет действия гравитационных сил или за счет химического взаимодействия с ней.

Технический результат достигнут полностью.

Способ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния, включающий установку образца карбида кремния в кювету с рабочей жидкостью, установку кюветы на координатный столик с последующим процессом ориентирования, фокусировку и абляцию импульсным лазерным излучением поверхности карбида кремния, отличающийся тем, что установку образца карбида кремния в кювету осуществляют частичным погружением, при этом лазерным излучением, находящимся в прозрачном для карбида кремния спектре, одновременно на фронтальной и сопряженной с рабочей жидкостью тыльной поверхности кристалла, формируют источники теплового потока, вызывающие локальный нагрев и эрозию кристалла, при этом состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения выбираются из условия требуемой морфологии поверхности карбида кремния, а продукты эрозии с тыльной поверхности кристалла удаляются рабочей жидкостью.
Способ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния
Способ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-6 из 6.
24.01.2019
№219.016.b2e4

Радиолокационная станция с квазинепрерывным шумовым сигналом

Изобретение относится к системам для обнаружения воздушных, морских и наземных объектов, а также для определения их дальности, скорости в условиях повышенной скрытности и помехозащищенности, основанных на излучении радиоволн и регистрации их отражений от объектов. Техническим результатом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002677853
Дата охранного документа: 22.01.2019
02.10.2019
№219.017.d0c4

Тепловая микросистема с фотонным нагревом

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения свойств и характеристик газовых потоков в экстремальных условиях эксплуатации. Заявлена тепловая микросистема с фотонным нагревом, включающая источник нагрева микросистемы и площадку круглой формы, в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002700886
Дата охранного документа: 23.09.2019
01.12.2019
№219.017.e914

Герметичный корпус модуля

Изобретение относится к герметичным корпусам электрических приборов и может использоваться в конструкциях, к которым предъявляются высокие требования по герметичности, теплоотводу и радиационной стойкости. Технический результат - повышение надежности слоя геттера и элементов модуля за счет...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002707566
Дата охранного документа: 28.11.2019
25.12.2019
№219.017.f210

Способ монтажа полупроводниковых кристаллов в корпус

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем при креплении кристаллов в корпус. Предлагаемый способ монтажа полупроводниковых кристаллов в корпус позволит улучшить мощностные и частотные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002710005
Дата охранного документа: 23.12.2019
20.02.2020
№220.018.0407

Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на покрытую золотом поверхность

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов, интегральных и гибридных микросхем. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на покрытую золотом поверхность включает нанесение на обратную сторону...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002714538
Дата охранного документа: 18.02.2020
25.06.2020
№220.018.2b2d

Способ контроля качества аммиачной тепловой трубы

Изобретение относится к теплотехнике. Способ контроля качества аммиачной тепловой трубы включает накладывание фильтровальной бумаги, смоченной индикаторным раствором, содержащим 3%-ный раствор CoCl⋅6HO, на контролируемый участок трубы, определение места течи по появлению пятен или точек,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724316
Дата охранного документа: 22.06.2020
Показаны записи 1-10 из 41.
10.01.2013
№216.012.19c6

Способ заправки тепловой трубы теплоносителем

Изобретение относится к теплотехнике, а именно к способу заправки тепловой трубы теплоносителем. Способ заправки тепловой трубы теплоносителем включает операции очистки корпуса и фитиля, откачки и дегазации тепловой трубы, ввода дозы теплоносителя внутрь трубы, при этом после операции очистки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472090
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.10.2013
№216.012.72cf

Пептид, обладающий антиатеросклеротическим действием и композиция для профилактики и лечения атеросклероза сосудов

Изобретение относится к области иммунологии и медицины, а именно к новым пептидам общей формулы: Х-ЦЦ-Ц(Y)-ЦЦ-Z, где Х - B-клеточный эпитоп белка аполипопротеина В 100; Ц - аминокислотный остаток, выбранный из K или R; Y - иммуноадъювант, выбранный из группы PamCSS-; PamCSS-, PamCSS-; Z -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495048
Дата охранного документа: 10.10.2013
20.11.2013
№216.012.8257

Стимулятор пролиферации регуляторных т-лимфоцитов и способ их стимуляции

Изобретение относится к области биохимии, биотехнологии и медицины. Предложен N-концевой фрагмент растворимого супрессора иммунного ответа длиной в 21 аминокислоту, имеющий последовательность аминокислот по Seq ID NО: 1, позволяющий стимулировать образование регуляторных Т-лимфоцитов, а также...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002499043
Дата охранного документа: 20.11.2013
27.07.2014
№216.012.e3e7

Штамм бактерий escherichia coli - продуцент рекомбинантного флагеллина

Изобретение относится к области биотехнологии и касается рекомбинантного штамма бактерий Escherichia coli - продуцента биологически активного флагеллина. Охарактеризованный штамм получен трансформацией культуры клеток E. coli BL21[DE3] рекомбинантной плазмидной ДНК рЕТ151FliC, полученной на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524133
Дата охранного документа: 27.07.2014
20.08.2014
№216.012.ec11

Герметичный корпус модуля

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, а именно к корпусам электрических приборов, в частности к герметичным корпусам, и может использоваться в конструкциях, к которым предъявляются высокие требования по герметичности и теплоотводу. С целью повышения надежности и времени сохранения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526241
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.09.2014
№216.012.f513

Термоанемометр и способ нагрева его терморезисторной структуры

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения скорости и температуры в потоках газов и жидкостей. Предлагается устройство термоанемометра, в котором на одной оптической оси последовательно друг за другом расположены источник света, ТЧЭ в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528572
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.03.2015
№216.013.34df

Герметичный корпус модуля и способ его изготовления

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, а именно к корпусам электронных приборов, к которым предъявляются высокие требования по герметичности и теплоотводу. Технический результат заявленного изобретения - увеличение времени сохранения герметичности корпуса. Для достижения указанного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545019
Дата охранного документа: 27.03.2015
10.04.2015
№216.013.3fc0

Катушка индуктивности

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при изготовлении любых катушек индуктивности или обмоток трансформаторов, наиболее актуально высоковольтных. Технический результат состоит в повышении надежности и уменьшении габаритов. Катушка индуктивности содержит обмотку из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547808
Дата охранного документа: 10.04.2015
20.04.2015
№216.013.439c

Синтетическая днк, кодирующая эритропоэтин человека, содержащий её вектор, способ получения штамма-продуцента эритропоэтина, штамм-продуцент эритропоэтина

Группа изобретений относится к области биотехнологии. Предложены синтетическая ДНК, кодирующая эритропоэтин человека, имеющая последовательность Seq ID No. 1, содержащий ее вектор экспрессии, способ получения штамма-продуцента эритропоэтина и штамм клеток яичников китайского хомячка - продуцент...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548806
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.05.2015
№216.013.4943

Моноклональное антитело против интерлейкина-6 человека и гибридома, продуцирующая данное моноклональное антитело

Изобретение относится к биотехнологии. Представлено моноклональное антитело против интерлейкина-6 человека, содержащее гипервариабельные участки тяжелой цепи CDRH-1: GFSLSTSGMGVG; CDRH-2: HIWWDDDKYYNPSLKS; и CDRH-3: RANYGTSYDYGMDY; и гипервариабельные участки легкой цепи CDRL-1: KASQSVSDVLT;...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550262
Дата охранного документа: 10.05.2015
+ добавить свой РИД