Результат интеллектуальной деятельности: МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНОЕ ТОКОВОЕ ЗЕРКАЛО НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ PN-ПЕРЕХОДОМ ДЛЯ РАБОТЫ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве функционального узла аналоговых микросхем (например, дифференциальных (ОУ) и мультидифференциальных операционных усилителях (МОУ), компараторах и т.п.) для задач усиления и фильтрации сигналов, в том числе в диапазоне низких температур.

Основой современных микроэлектронных операционных усилителей, стабилизаторов напряжения, компараторов и т.п. являются так называемые «токовые зеркала», обеспечивающие инверсию по фазе входного токового сигнала в широком диапазоне его изменения [1-21]. Качественные показатели практически всех современных аналоговых микросхем определяются статическими и динамическими параметрами токовых зеркал (ТЗ). Анализ существующих вариантов построения ТЗ представлен в [21]. Предполагаемое изобретения относится к данному подклассу устройств.

Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является токовое зеркало, описанное в патенте 2002 года US 6.492.796 (fig. 8) фирмы Analog Devices Inc., содержащее вход 1 и инвертирующий выход 2 устройства, первый 3 входной и первый 4 выходной полевые транзисторы, первый 5 и второй 6 вспомогательные полевые транзисторы, истоки которых объединены и подключены к первой 7 шине источника питания через первый 8 токостабилизирующий двухполюсник, причем затвор первого 5 вспомогательного полевого транзистора соединен со стоком первого 3 входного полевого транзистора и входом 1 устройства, затвор второго 6 вспомогательного полевого транзистора соединен с источником опорного напряжения 9, а сток первого 4 выходного полевого транзистора связан с инвертирующим выходом 2 устройства, вторую 10 шину источника питания.

Существенный недостаток известного токового зеркала состоит в том, что оно оказывается неработоспособным при реализации на JFet полевых транзисторах, обеспечивающих экстремально малый уровень шумов, высокую радиационную стойкость и стабильную работу аналоговых микросхем в диапазоне криогенных температур. Кроме этого известные ТЗ а также имеет только инвертирующий токовый выход.

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании работоспособного в диапазоне низких температур и при воздействии потока нейтронов неинвертирующего токового зеркала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом, обеспечивающего неинвертирующие преобразования входного токового сигнала с коэффициентом передачи по току больше единицы.

Поставленная задача решается тем, что в токовом зеркале фиг. 1, содержащем вход 1 и инвертирующий выход 2 устройства, первый 3 входной и первый 4 выходной полевые транзисторы, первый 5 и второй 6 вспомогательные полевые транзисторы, истоки которых объединены и подключены к первой 7 шине источника питания через первый 8 токостабилизирующий двухполюсник, причем затвор первого 5 вспомогательного полевого транзистора соединен со стоком первого 3 входного полевого транзистора и входом 1 устройства, затвор второго 6 вспомогательного полевого транзистора соединен с источником опорного напряжения 9, а сток первого 4 выходного полевого транзистора связан с инвертирующим выходом 2 устройства, вторую 10 шину источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - качестве первого 3 входного и первого 4 выходного полевых транзисторов, а также первого 5 и второго 6 вспомогательных полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим pn-переходом JFET, сток первого 5 JFET вспомогательного полевого транзистора соединен со второй 10 шиной источника питания через второй 13 источник опорного тока и связан с объединенными истоками первого 3 JFET входного и первого 4 JFET выходного полевых транзисторов, затворы первого 3 JFET входного и первого 4 JFET выходного полевых транзисторов подключены ко второй 10 шине источника питания, сток второго 6 JFET вспомогательного полевого транзистора соединен с первым 14 дополнительным неинвертирующим выходом устройства.

На чертеже фиг. 1 представлена токовое зеркало прототип US 6.492.796, fig. 8, 2002 г., а на чертеже фиг. 2 приведена схема заявляемого CJFet токового зеркала в соответствии с п. 1 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 3 показана схема заявляемого устройства в соответствии с п. 2 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 4 приведена схема заявляемого CJFet токового зеркала в соответствии с п. 3 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 5 представлена заявляемое CJFet токовое зеркало с повышенным выходным сопротивлением в соответствии с п. 4 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 6 показана схема CJFet токового зеркала с повышенным выходным сопротивлением в соответствии с п. 5 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 7 показан статический режим токового зеркала фиг. 3 при температуре -197°С в среде среда LTSpiceXVII на комплементарных полевых транзисторах ОАО «Интеграл» (г. Минск) при токах I_вх=50 мкА, I₁=200 мкA, I₂=100 мкА.

На чертеже фиг. 8 приведены зависимости выходных токов I_Rн1 (а) и I_Rн2 (б) токового зеркала фиг. 7 для температуры 27°С при разных входных токах I_вх=0÷200 мкА.

На чертеже фиг. 9 представлены зависимости выходных токов I_Rн1 (а) и I_Rн2 (б) токового зеркала фиг. 7 для температуры -197°С при разных входных токах I_вх=0÷200 мкА.

На чертеже фиг. 10 показаны зависимость выходного тока I_Rн1 ТЗ фиг. 7 в диапазоне температур от - 197°С до 30°С.

На чертеже фиг. 11 приведены зависимость выходного тока I_Rн2 ТЗ фиг. 7 в диапазоне потока нейтронов от 1е13 н/см² до 1е15 н/см².

Многофункциональное токовое зеркало на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом для работы при низких температурах фиг. 2 содержит вход 1 и инвертирующий выход 2 устройства, первый 3 входной и первый 4 выходной полевые транзисторы, первый 5 и второй 6 вспомогательные полевые транзисторы, истоки которых объединены и подключены к первой 7 шине источника питания через первый 8 токостабилизирующий двухполюсник, причем затвор первого 5 вспомогательного полевого транзистора соединен со стоком первого 3 входного полевого транзистора и входом 1 устройства, затвор второго 6 вспомогательного полевого транзистора соединен с источником опорного напряжения 9, а сток первого 4 выходного полевого транзистора связан с инвертирующим выходом 2 устройства, вторую 10 шину источника питания. В качестве первого 3 входного и первого 4 выходного полевых транзисторов, а также первого 5 и второго 6 вспомогательных полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим pn-переходом JFET, сток первого 5 JFET вспомогательного полевого транзистора соединен со второй 10 шиной источника питания через второй 13 источник опорного тока и связан с объединенными истоками первого 3 JFET входного и первого 4 JFET выходного полевых транзисторов, затворы первого 3 JFET входного и первого 4 JFET выходного полевых транзисторов подключены ко второй 10 шине источника питания, сток второго 6 JFET вспомогательного полевого транзистора соединен с первым 14 дополнительным неинвертирующим выходом устройства. В схеме фиг. 2 двухполюсник 12 моделирует входной ток ТЗ, а двухполюсники 11 и 15 свойства нагрузки, подключаемой к инвертирующему выходу 2 устройства и первому 14 дополнительному неинвертирующему выхому устройства.

На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, сток первого 5 JFET вспомогательного полевого транзистора связан с объединенными истоками первого 3 JFET входного и первого 4 JFET выходного полевых транзисторов через дополнительный истоковый повторитель напряжения, выполненный на дополнительном JFET полевом транзисторе 16, затвор которого соединен со стоком первого 5 JFET вспомогательного полевого транзистора, исток подключен к объединенным истокам первого 3 JFET входного и второго 6 JFET вспомогательного полевых транзисторов, а сток связан со вторым 17 дополнительным неинвертирующим выходом устройства, согласованным со второй 10 шиной источника питания. Здесь и далее двухполюсник 18 моделирует свойства нагрузки подключаемой ко второму 17 дополнительному неинвертирующему выходу устройства.

На чертеже фиг. 4, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, первый 4 JFET выходной полевой транзистор выполнен по составной каскодной схеме на первом 19 JFET и втором 20 JFET дополнительных полевых транзисторах, причем затвор второго 20 JFET дополнительного полевого транзистора подключен к объединенными истоками первого 5 JFET и второго 6 JFET вспомогательного полевых транзисторов, а сток связан с инвертирующим выходом 2 устройства.

На чертеже фиг. 5, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, первый 4 JFET выходной полевой транзистор выполнен по составной каскодной схеме на третьем 21 JFET и четвертом 22 JFET дополнительных полевых транзисторах, причем затвор четвертого 22 JFET дополнительного полевого транзистора соединен с истокам первого 3 JFET входного полевого транзистора, а сток связан с инвертирующим выходом 2 устройства.

На чертеже фиг. 6, в соответствии с п. 5 формулы изобретения, первый 4 JFET выходной полевой транзистор выполнен по классической составной каскодной схеме на пятом 23 JFET и шестом 24 JFET дополнительных полевых транзисторах, причем затвор шестого 24 JFET дополнительного полевого транзистора соединен с объединенным истокам первого 5 JFET и второго 6 JFET вспомогательных полевых транзисторов, а сток связан с инвертирующим выходом 2 устройства.

Рассмотрим работу заявляемого ТЗ с учетом результатов его моделирования, представленных на чертежах фиг. 7 - фиг. 11.

Предлагаемое ТЗ имеет устойчивый статических режим (фиг. 7) при температуре до минус 197°С и воздействия потока нейтронов до 1е15 н/см².

Зависимости выходного тока ТЗ фиг. 7, представленные на чертеже фиг. 8 и фиг. 9 для разных температурных условий (27°С и -197°С) в широком диапазоне изменения входных токов I_вх=0÷200 мкА показывают, что предлагаемое устройство обеспечивает высокую точность передачи тока на инвертирующий и неинвертирующий выходы.

Особенность схемы фиг. 7 состоит в том, что здесь коэффициент передачи по току строго равен единице по инвертирующему (I_Rн1), и двум единицам по неинвертирующему (I_Rн2) токовым выходам в широком диапазоне температур (фиг. 9, фиг. 10). Это позволяет создавать нетрадиционные схемотехнические решения на его основе для задач прецизионного усиления и фильтрации сигналов.

В схемах фиг. 4, фиг. 5 и фиг. 6 реализуются повышенные выходные сопротивления по инвертирующему выходу 2 устройства.

Компьютерное моделирование, представленное на чертеже фиг. 11 показывает, что данные качества сохраняются не только в диапазоне криогенных температур, но и при воздействии проникающей радиации (поток нейтронов Fn=1e13 н/см² до 1е15 н/см²). Это значительно расширяет функциональные возможности предлагаемого схемотехнического решения при его использовании в экстремальной электронике.

Таким образом, заявляемо устройство имеет существенные преимущества в сравнении с аналогами.

Библиографический СПИСОК

1. Патент US №6.492.796, fig. 1, fig. 2, fig. 8, 2002 г.

2. Патент US №6.630.818, fig. 4, 2003 г.

3. Патент ЕР №2652872, fig. 2, 2015 г.

4. Патент US №7.869.285, fig. 1, 2011 г.

5. Патент US №7.312.651, 2007 г.

6. Патент RU №2544780, fig. 2, 2013 г.

7. Патент US №8.169.263, 2012 г.

8. Патент US №7.915.948, 2011 г.

9. Патент US №7.541.871, fig. 1, 2009 г.

10. Патент US №5.801.523, fig. 1, 1998 г.

11. Патент US №6.617.915, 2003 г.

12. Заявка на патент US №2007/0216484, fig. 15, 2007 г.

13. Патент US №6.639.452, fig. 1, 2003 г.

14. Патент US №5.515.010, 1996 г.

15. Заявка на патент US №2006/0232340, 2006 г..

16. Патент ЕР №1313211, fig. 3, 2001 г.

17. Патент US №6.842.050, fig. 3, 2005 г.

18. Патент US №6.980.054, fig. 7, 2005 г.

19. Авт. свид. SU 1529410, 1989 г.

20. Полезная модель 139042, 2014 г.

21. Токовые зеркала для проектирования КМОП аналоговых микросхем: основные модификации (ТЗ №1-№36) / Прокопенко Н.Н., Титов А.Е., Бутырлагин Н.В. // Библиотека схемотехнических решений. ИППМ РАН, 2019, С. 1-29. URL: http://www.ippm.ru/data/eljrnal/рареr/J4.pdf (режим доступа свободный).