×
29.12.2019
219.017.f3fd

Результат интеллектуальной деятельности: Полупроводниковый газовый датчик микропримесей кислорода

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей кислорода. Изобретение может быть использовано для экологического мониторинга. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика. Датчик микропримесей кислорода содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки антимонида галлия, легированного теллуридом цинка (GaSb)(ZnTe), аподложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Датчик согласно изобретению при существенном упрощении технологии его изготовления позволяет определять содержание кислорода с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительности известных датчиков. 2 ил.

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей кислорода. Изобретение может быть использовано для экологического мониторинга.

Известен датчик (детектор) по теплопроводности, действие которого основано на различии между теплопроводностью паров вещества и газа-носителя (Вяхирев Д.А., Шушукова А.Ф. Руководство по газовой хроматографии. М.: Высш. Школа, 1987. - 287с). Однако, такой датчик (детектор) чувствителен только к веществам с теплопроводностью, близкой к теплопроводности газа-носителя. Например, при использовании этого датчика для анализа кислорода, точность определения невысока.

Известен также близкий по устройству датчик влажности газов, состоящий из поликристаллической пленки антимонида индия, легированного селенидом цинка, с нанесенными на ее поверхность металлическими электродами и непроводящей подложки (Патент RU №2206083 М. Кл. G 01 № 27/12, опубликовано 10.06.2003).

Недостатком известного устройства является недостаточная чувствительность при контроле микропримесей кислорода. Кроме того, конструкция датчика предполагает при его изготовлении операцию напыления металлических электродов.

Ближайшим техническим решением к изобретению является датчик кислорода (Кировская И.А. Поверхностные явления. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001. С.159), основанный на контакте металл-полупроводник (GaAs), на связи поверхностного изгиба зон с давлением газа (О2) и избирательности адсорбции при наличии двух и более газовых компонентов. Недостатком данного устройства является недостаточная чувствительность для контроля содержания кислорода (его точность сравнима с точностью термопарного манометра - ~5 10-3 мм рт.ст.) и трудоемкость осуществления контроля поверхностного изгиба зон под влиянием адсорбированного кислорода, сопряженного с необходимостью постановки далеко не общедоступного метода измерения контактной разности потенциалов (КРП) и соответственно с операцией нанесения металлических электродов.

Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика, позволяющего определять содержание микропримесей кислорода в газовых смесях при комнатной температуре.

Указанный технический результат достигается тем, что в известном газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание, нанесенное на непроводящую подложку, согласно изобретению, полупроводниковое основание выполнено в виде поликристаллической пленки антимонида галлия, легированного теллуридом цинка при соотношении (мол. %) GaSb:ZnTe=95:5, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора.

Сущность изобретения поясняется чертежом, где представлены на фиг.1 - конструкция заявляемого датчика, на фиг. 2 - кривая зависимости величины адсорбции кислорода от температуры, на фиг. 3 - градуировочная кривая зависимости изменения частоты колебания (∆f) пьезокварцевого резонатора с нанесенной полупроводниковой пленкой в процессе адсорбции при комнатной температуре от начального давления О2О2). Последняя наглядно демонстрирует его чувствительность.

Датчик состоит из полупроводникового основания 1, выполненного в виде поликристаллической пленки антимонида галлия, легированного теллуридом цинка (GaSb:ZnTe=95:5), нанесенной на электродную площадку 2 пьезокварцевого резонатора 3.

Принцип работы такого датчика основан на адсорбционно-десорбционных процессах, протекающих на полупроводниковой пленке, нанесенной на электродную площадку пьезокварцевого резонатора, и вызывающих изменение его массы, а соответственно частоты колебания ∆f.

Работа датчика осуществляется следующим образом. Датчик помещают в находящуюся при комнатной температуре камеру (ею может быть обычная стеклянная трубка), через которую пропускают анализируемый газ на содержание О2. При контакте пропускаемого газа с поверхностью полупроводниковой пленки (GaSb)0.95(ZnTe)0.05 происходит избирательная адсорбция молекул О2, увеличение массы композиции «пленка - кварцевый резонатор» и изменение частоты колебания последнего. По величине изменения частоты с помощью градуировочных кривых можно определить содержание кислорода в исследуемой среде.

Из анализа приведенной на фиг. 3 типичной градуировочной кривой, полученной с помощью заявляемого датчика и выражающей зависимость изменения частоты (∆f) от содержания кислорода (РО2), следует: заявляемый датчик, при существенном упрощении технологии его изготовления, позволяет определять содержание кислорода с чувствительностью, в несколько раз превышающую чувствительность известных датчиков.

Малые габариты устройства (рабочий объем менее 0,3 см3) в сочетании с малой массой пленки - адсорбента позволяют снизить постоянную датчика по времени до 10-20 мс. Кроме того, исключается операция напыления на полупроводниковое основание металлических электродов, что повышает технологичность изготовления датчика.

Конструкция заявляемого датчика позволяет также улучшить и другие его характеристики: быстродействие, регенерируемость, способность работать не только в статистическом, но и динамическом режиме.

Датчик микропримесей кислорода, содержащий полупроводниковое основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки антимонида галлия, легированного теллуридом цинка: GaSb:ZnTe=95:5, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора.
Полупроводниковый газовый датчик микропримесей кислорода
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-41 из 41.
17.06.2023
№223.018.7fa9

Сдвоенный датчик составляющих вектора напряженности электрического поля

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения составляющих вектора напряженности электрического поля. Сущность: датчик для измерения напряженности электрического поля содержит проводящую сферу, на поверхности которой диаметрально противоположно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002768200
Дата охранного документа: 23.03.2022
Показаны записи 21-30 из 30.
07.09.2018
№218.016.839b

Датчик угарного газа

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Предложенный датчик угарного газа содержит полупроводниковое основание (1), выполненное в виде поликристаллической пленки твердого раствора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666189
Дата охранного документа: 06.09.2018
12.09.2018
№218.016.8656

Полупроводниковый газовый датчик

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей оксида углерода, и может быть использовано для экологического мониторинга. Полупроводниковый газовый датчик содержит полупроводниковое...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666575
Дата охранного документа: 11.09.2018
12.09.2018
№218.016.869f

Полупроводниковый газоанализатор оксида углерода

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Газовый датчик согласно изобретению содержит полупроводниковое основание, нанесенное на непроводящую подложку 2, выполненное из поликристаллической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666576
Дата охранного документа: 11.09.2018
29.04.2019
№219.017.447f

Катализатор окисления оксида углерода

Изобретение относится к катализаторам окисления оксида углерода (II), перспективным для очистки от него отходящих газов. Предложено применение теллурида кадмия, легированного селенидом цинка, в качестве катализатора окисления оксида углерода. Технический эффект - повышение активности и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002456073
Дата охранного документа: 20.07.2012
19.06.2019
№219.017.8b6e

Газовый датчик

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей ацетона и других газов. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки иодида меди, а подложкой служит электродная...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002469301
Дата охранного документа: 10.12.2012
23.08.2019
№219.017.c235

Полупроводниковый датчик диоксида азота

Изобретение относится к области газового анализа и может быть использовано для решения задач экологического контроля. Предложен полупроводниковый датчик диоксида азота, состоящий из полупроводникового основания, выполненного в виде поликристаллической пленки селенида цинка (ZnSe), которая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697920
Дата охранного документа: 21.08.2019
02.10.2019
№219.017.cd98

Газоанализатор угарного газа

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода, и может быть использовано в экологии. Датчик состоит из полупроводникового основания (1), выполненного в виде поликристаллической пленки твердого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002700036
Дата охранного документа: 12.09.2019
02.10.2019
№219.017.cde5

Датчик микропримесей аммиака

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака, и может быть использовано для экологического мониторинга. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002700035
Дата охранного документа: 12.09.2019
25.06.2020
№220.018.2b3a

Газоанализатор диоксида азота

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей диоксида азота. Сущность изобретения: полупроводниковый датчик диоксида азота, содержащий полупроводниковое основание, нанесенное на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724290
Дата охранного документа: 22.06.2020
30.05.2023
№223.018.7375

Датчик угарного газа

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей оксида углерода, и может быть использовано для экологического мониторинга. Датчик согласно изобретению содержит полупроводниковое...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002760311
Дата охранного документа: 23.11.2021
+ добавить свой РИД