×
26.10.2019
219.017.db28

Результат интеллектуальной деятельности: Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности, в частности, при производстве металлизированных плат для силовых модулей. Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями, включает нанесение вакуумным осаждением на поверхность керамической пластины тонкоплёночного слоя титан-медь, состоящего из титана и осажденной на него меди. Тонкоплёночный слой титан-медь покрывают тонкопленочным слоем химического никеля, формируют фотолитографическим травлением рисунок металлизации по тонкоплёночному слою химического никеля. В упомянутых переходных отверстиях размещают медные вставки высотой, меньшей толщины керамической пластины на величину не более толщины припоя, после чего к покрытым никелем участкам тонкоплёночного слоя, предназначенным для работы при повышенных токовых нагрузках, под давлением 0,01-0,03 кгс/мм прижимают аппликации из медной фольги и проводят пайку припоем серебро-медь в вакуумной или водородной среде. Обеспечивается совмещение в одном технологическом процессе изготовление плат для изделий повышенной мощности с выполнением части элементов из меди большой толщины и части элементов методом травления по тонкоплёночной металлизации1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями и может найти применение в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности, в частности, при производстве металлизированных плат для силовых модулей.

Известен способ изготовления керамических подложек металлизированных методом DBC (Патент РФ № 2433506, МПК H01L35/08, H01L35/34, опубликован 10.11.2011). Сущность метода DBC состоит в том, что предварительно проводят окисление поверхности пластины из алюмонитридной керамики, после чего пластину соединяют с медью при температуре 1064°С эвтектикой Cu-CuO2. Одним из недостатков метода DBC является то, что эвтектика Cu-CuO2 отличается повышенной хрупкостью и пониженной стойкостью соединения в условиях циклического изменения температур. Также в изделиях из керамики, металлизированной по данному способу, нельзя сформировать металлизированные переходные отверстия.

Известен способ металлизации керамики, включающий нанесение на керамическую пластину адгезионного слоя, а именно слоя молибден-марганцевого состава, и слоя порошкообразной меди, с последующим одновременным их вжиганием при 800-1100°C (Авторское свидетельство СССР № 564293, МПК C04B41/14, опубликован 05.07.1977). С помощью вжигания обеспечивается расплавление меди и проникновение ее между зернами молибден - марганцевого состава. Медь, образуя с марганцем активный расплав, взаимодействует с керамикой. На поверхности подложки образуется покрытие, прочно сцепленное с керамикой, позволяющее осуществлять пайку различными припоями.

Основным недостатком данного способа является то, что топологический рисунок металлизации можно формировать только методом сеткографии. Получение топологического рисунка на такой металлизации методом фотолитографического травления связано с существенными трудностями. Прежде всего, очень сложно подобрать раствор для травления, обеспечивающий высокое сопротивление изоляции между электрически изолированными элементами топологического рисунка. Кроме того, требуется разработка фоторезиста, достаточно устойчивого для процесса травления такой металлизации.

Известен способ металлизации керамики (Патент РФ № 2490237, МПК C04B41/88, C04B37/02, опубликован 20.08.2013), в котором на керамическую пластину сверху и снизу наносят адгезионный слой на основе молибдена и марганца и проводят его вжигание при температуре 1320-1350°C, затем методом холодного газодинамического напыления наносят слой порошкообразной меди, после чего проводят отжиг при температуре 900-1100°C, кроме того, дополнительно устанавливают пластины медной фольги толщиной 100-700 мкм, прижимают их под давлением 0,7-1,6 кгс/мм2 и проводят термообработку в вакууме или водороде при температуре 850-1000°C. Слои металлизации наносят с заранее сформированным топологическим рисунком. Основным недостатком данного способа является то, что топологический рисунок металлизации можно формировать только методом сеткографии. На металлизированных подложках данным способом невозможно формировать топологический рисунок металлизации методом фотолитографического травления. Кроме того, данный процесс требует приложения большого усилия сдавливания при термообработке. Например, при металлизации подложек стандартного размера 48х60 мм усилие составит от 2 до 5 тонн. Такое сдавливание сложно обеспечить в вакуумной или водородной печи. Кроме того, такое сдавливание может привести к появлению трещин на пластине.

Наиболее близким техническим решением является способ металлизации керамики (Патент РФ № 2558323, МПК C23C28/02, C04B41/90, опубликован 27.07.2015), включающий нанесение вакуумным осаждением на поверхности керамической пластины адгезионного слоя титан-медь, припайку к слою меди пластин медной фольги в среде вакуума или водорода. Данное техническое решение направлено на металлизацию керамики толстой медью, но не обеспечивает возможности изготовления плат, элементы которых, пропускающие токи в десятки и сотни ампер, выполнены с минимальными значениями электрического сопротивления, а проводящие элементы в слаботочных цепях – с минимальными размерами и повышенной плотностью.

Предлагаемое изобретение описывает способ изготовления плат для изделий повышенной мощности, в которых элементы, пропускающие токи в десятки и сотни ампер, например в цепях коммутации, выполнены из меди большой толщины, обеспечивая минимальные значения электрического сопротивления, а проводящие элементы в слаботочных цепях, которые могут иметь размеры в несколько десятков микрометров, что невозможно выполнить по толстой меди, например в цепях управления, выполнены методом фотолитографического травления по тонкоплёночной металлизации.

Таким образом изобретение содержит решение технической задачи, состоящей в совмещении в одном технологическом процессе изготовления плат для изделий повышенной мощности возможностей выполнения части элементов из меди большой толщины и части элементов методом травления по тонкоплёночной металлизации, позволяющее преодолеть недостатки известных технических решений.

Решение поставленной технической задачи, обеспечиваемое изобретением, достигается тем, что в способе изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями, включающем нанесение вакуумным осаждением на поверхности керамической пластины тонкоплёночного слоя титан-медь, припайку к слою меди пластин медной фольги припоем серебро-медь в среде вакуума или водорода, тонкоплёночный слой формируют вакуумным осаждением в виде системы титан-медь, покрывают химическим никелем осаждённый слой меди, формируют фотолитографическим травлением рисунок металлизации, в переходных отверстиях размещают медные вставки высотой меньшей толщины керамической пластины на величину не более оптимальной толщины припоя после чего, к покрытым медью участкам тонкоплёночного слоя, предназначенным для работы при повышенных токовых нагрузках, под давлением 0,01-0,03 кгс/мм2 прижимают аппликации из медной фольги и проводят пайку.

Технических решений, содержащих признаки, сходные с отличительными, не выявлено, что позволяет сделать выводы о соответствии заявленных технических решений критерию новизны.

Металлизированная медью подложка из алюмонитридной керамики, допускающая высокотемпературную пайку в среде водорода, допускающая формирование топологического рисунка металлизации фотолитографическим травлением и электрическое соединение между металлизированными поверхностями пластины через переходные отверстия с обеспечением минимального электрического сопротивления в цепях с большими значениями токовых нагрузок, получена благодаря тому, что медный слой тонкоплёночной металлизации покрывают химическим никелем, формируют на ней фотохимическим способом рисунок металлизации, в переходных отверстиях размещают медные вставки высотой меньшей толщины керамической пластины на величину не более оптимальной толщины припоя после чего, к покрытым никелем поверхностям тонкоплёночного слоя прижимают под давлением 0,01-0,03 кгс/мм2 аппликации из медной фольги и проводят пайку припоем серебро-медь.

Осаждённый в вакууме тонкоплёночный слой, состоящий из титана и осаждённой на него меди обеспечивает высокую адгезию к керамике из нитрида алюминия, т.к. с точки зрения термодинамики титан при вакуумном осаждении на алюмонитридную керамику способен вступать с ней в химическое взаимодействие.

Прижим с давлением 0,01-0,03 кгс/мм2 достаточен для получения годных металлизированных подложек.

Пайку можно проводить эвтектическим припоем серебро-медь ПСр-72, оптимальная толщина которого составляет 45-75 мкм (Рот А., Вакуумные уплотнения. Пер. с англ. М., «Энергия», 1971, стр. 69).

При высоте медных вставок в отверстиях меньшей толщины керамической пластины на величину не более 75 мкм в случае пайки припоем ПСр-72 зазор между вставкой и аппликациями гарантированно заполнятся припоем, обеспечивая надёжное электрическое соединение аппликация-вставка-аппликация.

При термообработке достаточным является прижимающее давление, равное 0,01-0,03 кгс/мм2. Можно прикладывать и большее давление, но при этом можно разрушить керамику. Например, при размерах стандартной пластины 48х60 мм с площадью 2880 мм2 на пластину надо приложить равномерно распределённое усилие 86,4 кг, что уже вызывает определённые сложности при пайке в водородной или вакуумной печи, такие как увеличение размеров оснастки, увеличение времени пайки и т.п.

Для обеспечения гарантированного образования припоя серебро-медь и его достаточной смачивающей способности, пайку целесообразно проводить при температуре не ниже 820°C. Температура пайки выше температуры плавления эвтектики серебро-медь приводит к образованию припоя с повышенной температурой плавления за счёт перехода меди с аппликаций в припой. Никель на поверхности осаждённого тонкоплёночного слоя исключает переход в состав припоя тонкоплёночной меди и, следовательно, к нарушению. Адгезии металлизации к керамике.

Для проведения испытаний были изготовлены опытные образцы металлизированных подложек из алюмонитридной керамики.

Процессы металлизации проводили на подложках из алюмонитридной керамики 1 (Фиг. 1) с размерами 48х60 мм при толщине 1 мм. На поверхности тонкоплёночного слоя 2 химически осаждали никель толщиной 3мкм.

Топологический рисунок был сформирован фотолитографическим травлением покрытой никелем тонкоплёночной металлизации по плёночному фоторезисту защищающему от травления металлизацию на поверхности переходных отверстий 5 диаметром 3 мм. В отверстиях размещали медные вставки высотой 0,93 мм и диаметром 2,9 мм. Присоединяли аппликации 3 и 4 из медной фольги толщиной 0,3 мм пайкой припоем ПСр-72 при различных давлениях прижима (P).

Измеряли сопротивление между аппликациями, соединёнными через проходные отверстия и проверяли наличие непропаев аппликаций. К выводным площадкам-аппликациям 4 припаивали выводы при температуре 810°C.

Результаты испытаний приведены в таблице 1.

На металлизированных подложках, изготовленных в соответствии с предложенным техническим решением, вспучивание металлизации отсутствует, непропаев аппликаций нет, сопротивление переходных отверстий менее 10-4 Ом. Изготовленные в соответствии с предложенным техническим решением образцы пригодны для использования в качестве теплоотводящих элементов и плат для мощных полупроводниковых приборов, силовой электроники и иных изделий, где необходим эффективный отвод тепла и способность электропроводящих элементов выдерживать большие токовые нагрузки при высокой разрешающей способности топологического рисунка цепей управления.

Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями, включающий нанесение вакуумным осаждением на поверхность керамической пластины тонкоплёночного слоя титан-медь, состоящего из титана и осажденной на него меди, отличающийся тем, что тонкоплёночный слой титан-медь покрывают тонкопленочным слоем химического никеля, формируют фотолитографическим травлением рисунок металлизации по тонкоплёночному слою химического никеля, в упомянутых переходных отверстиях размещают медные вставки высотой, меньшей толщины керамической пластины на величину не более толщины припоя, после чего к покрытым никелем участкам тонкоплёночного слоя, предназначенным для работы при повышенных токовых нагрузках, под давлением 0,01-0,03 кгс/мм прижимают аппликации из медной фольги и проводят пайку припоем серебро-медь в вакуумной или водородной среде.
Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями
Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями
Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-23 из 23.
27.05.2023
№223.018.7088

Компактная свч-нагрузка большой мощности

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано как оконечная нагрузка в волноводных трактах с высоким уровнем мощности в качестве согласованной нагрузки. СВЧ-нагрузка содержит металлический волновод с высотой «В» узкой стенки и шириной «А» широкой стенки и примыкающий к нему...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002782514
Дата охранного документа: 28.10.2022
29.05.2023
№223.018.7283

Способ диагностики состава и кристаллографических параметров полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, наноэлектронике и может быть использовано для диагностики строения и состава полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, включая современные перспективные структуры на широкозонных нитридных материалах (AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002796363
Дата охранного документа: 22.05.2023
30.05.2023
№223.018.742c

Коаксиальный униполярный соединитель

Изобретение относится к элементам СВЧ-техники. Коаксиальный униполярный соединитель содержит центрирующую втулку с резьбой, расположенную на наружной поверхности коаксиальных кабелей, две накидные гайки и упорные кольца, закреплённые на наружных поверхностях соединяемых коаксиальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740029
Дата охранного документа: 30.12.2020
Показаны записи 11-18 из 18.
19.04.2019
№219.017.304c

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002368031
Дата охранного документа: 20.09.2009
01.06.2019
№219.017.7286

Корпус свч интегральной схемы

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой. Техническим результатом является исключение возможности нахождения резонансной частоты корпуса...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690092
Дата охранного документа: 30.05.2019
09.06.2019
№219.017.7707

Интегральный повторитель напряжения

Изобретение относится к электронике, а именно к повторителям напряжения для усиления тока и преобразования импеданса в цепях электронных устройств, выполненным по интегральной технологии. Технический результат заключается в повышении быстродействия и точности. Устройство содержит первый-третий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002289199
Дата охранного документа: 10.12.2006
22.01.2020
№220.017.f868

Состав для удаления полиимидного материала

Изобретение относится к приборостроению, в частности к составам для удаления с изделий имидизированного полиимидного лака. Состав для травления полиимидного материала содержит органический амин, состоит из диметилсульфоксида (ДМСО), диметилформамида (ДМФА). Органическим амином является...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711532
Дата охранного документа: 17.01.2020
17.06.2020
№220.018.272d

Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию

Изобретение может быть использовано в электронной технике и радиопромышленности, в частности, при производстве мощных СВЧ приборов и модулей силовой электроники. Техническим результатом изобретения является качественная очистка поверхности подложек из алюмонитридной керамики, с отверстиями,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002723475
Дата охранного документа: 11.06.2020
25.06.2020
№220.018.2b0e

Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию

Изобретение относится к подготовке поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкопленочную металлизацию. Техническим результатом изобретения является качественное формирование на подложках из керамики на основе нитрида алюминия систем металлизации, резисторов и т.п. элементов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724291
Дата охранного документа: 22.06.2020
01.07.2020
№220.018.2d45

Способ определения прочности связи стоматологического восстановительного материала с образцом твердой ткани зуба и устройство для его реализации

Группа изобретений относится к медицинской технике. Способ заключается в испытании образца «твердые ткани зуба-стоматологический восстановительный материал» в условиях, имитирующих среду полости рта посредством процесса термоциклирования, добавления фермента альфа-амилаза и приложения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725077
Дата охранного документа: 29.06.2020
12.04.2023
№223.018.4747

Способ изготовления теплоотвода полупроводникового прибора на основе cvd-алмаза

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в полупроводниковых приборах для эффективного отвода тепла от активных элементов. Способ изготовления алмазного теплоотвода полупроводникового прибора включает металлизацию поверхности алмазного основания, предназначенной для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793751
Дата охранного документа: 05.04.2023
+ добавить свой РИД