×
24.10.2019
219.017.d9a0

Результат интеллектуальной деятельности: Способ неразрушающего контроля качества приповерхностного слоя оптических материалов

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к производству высококачественных оптических приборов, в частности к контролю качества обрабатываемых поверхностей оптических материалов как аморфных, так и монокристаллических. Предложен способ оперативного неразрушающего контроля качества приповерхностного слоя оптических материалов без использования сложного измерительного оборудования, состоящий в том, что оценку качества приповерхностного слоя контролируемой поверхности осуществляют измерением угловой зависимости коэффициента отражения плоскополяризованного монохроматического луча от поверхности исследуемого образца вблизи угла Брюстера для данного материала и сопоставлением измеренной зависимости коэффициента отражения с зависимостью для контрольного образца (эталона) или с расчетной зависимостью для идеальной поверхности по положению минимума коэффициента отражения и соответствующего угла. Технический результат - оптимизация времени обработки, увеличение производительности и качества выпускаемой продукции. 1 табл., 3 ил.

Изобретение относится к производству высококачественных оптических приборов, в частности, к контролю качества обрабатываемых поверхностей оптических материалов как аморфных, так и монокристаллических.

Уровень техники

Прогресс в современной оптике и фотонике, а также развитие мощных источников лазерного и рентгеновского излучения значительно повышают требования к качеству поверхности оптических элементов. Традиционная технология производства оптических приборов включает в себя несколько последовательных этапов обработки поверхности: механическое шлифование/полирование с понижением гранулометрического размера абразива, химико-механическое полирование с использованием полировальных суспензий различного состава. В результате в готовом оптическом элементе, наряду с остаточной шероховатостью поверхности, обязательно присутствует так называемый приповерхностный нарушенный слой, свойства которого отличаются от объемных характеристик материала. Отклонения могут быть обусловлены как структурными дефектами (например, нарушениями упорядоченной решетки кристаллических материалов), так и остаточным химическим загрязнением полировальными веществами. Степень несовершенства поверхностей в значительной мере определяет функциональные характеристики, эксплуатационную долговечность и срок службы оптических элементов [1, 2]. Такой поврежденный слой является областью повышенной концентрации центров поглощения света - предшественников, которые при воздействии интенсивного лазерного излучения вызывают поглощение энергии, приводят к локальному нагреву материала оптического элемента. Как следствие - понижение лучевой стойкости материала вплоть до его разрушения. Возможность оперативно контролировать качество приповерхностного слоя на финишных этапах является необходимым этапом производства высококачественных оптических приборов и устройств.

Известны различные способы инструментального контроля поврежденного приповерхностного слоя оптических материалов, большинство из которых относится к деструктивным (разрушающим). Широко распространены аналитические методы, основанные на послойном удалении материала выборочных образцов путем физического (механическая полировка, ионно-лучевое распыление) или химического травления и контроле параметров поверхности на каждом слое (шероховатости с помощью профилометра или атомно-силового микроскопа, твердости - с помощью индентора и др.) [3-7]. При других подходах из исследуемого образца изготавливают скол/срез и, при условии отсутствия внесенных искажений, выполняют диагностику параметров материала по глубине образца (например, кристаллографических параметров материала с помощью просвечивающей электронной микроскопии, шероховатости с помощью профилометра и др.) [8-10]. Хотя деструктивные методы позволяют получать точные результаты, такие методы выборочного контроля не всегда приемлемы, так как достаточно трудозатратны, требуют использования сложного оборудования и неизбежно повреждают тестовый образец.

Различные неразрушающие лазерные методы контроля (конфокальная микроскопия [11, 12], кросс-поляризационное рассеяние и их комбинация [13], микроскопия полного внутреннего отражения [14], рассеяние света [15, 16] и др.) основаны на использовании дорогостоящей измерительной техники и, как правило, требуют применения сложной математической обработки данных для получения требуемой информации.

Наиболее близким по совокупности признаков способом к заявленному изобретению является способ определения толщины тонких пленок с помощью эллипсометрии [17]. Для этого при фиксированном наклонном угле падения монохроматической световой волны, поляризованной в плоскости, отличающейся от плоскости падения, измеряют два параметра отраженного луча: амплитуду и фазовый сдвиг (эллипсометрические параметры ψ и Δ, соответственно). С использованием модели оптического слоя восстанавливают толщину тонкой пленки.

Однако, данный способ неприменим для контроля качества приповерхностного поврежденного слоя, так как однозначное решение основного уравнения эллипсометрии возможно только при известных оптических характеристиках пленки и подложки, в то время как характеристики данного слоя неизвестны.

Раскрытие изобретения

Задача, решаемая изобретением - создание способа оперативного неразрушающего контроля качества приповерхностного слоя оптических материалов без использования сложного измерительного оборудования.

Технический результат заключается в возможности контролировать качество поверхности до и после каждого этапа финишной обработки и тем самым оптимизировать время обработки, увеличить производительность и качество выпускаемой продукции.

Поставленная задача достигается, тем, что оценку качества приповерхностного слоя контролируемой поверхности осуществляют измерением угловой зависимости коэффициента отражения плоскополяризованного монохроматического луча от поверхности исследуемого образца вблизи угла Брюстера для данного материала и сопоставлением измеренной зависимости коэффициента отражения с зависимостью для контрольного образца (эталона) или с расчетной зависимостью для идеальной поверхности по положению минимума коэффициента отражения и соответствующего угла.

Сущность изобретения

На Фиг. 1а, б приведена схема падения плоскополяризованной волны на границу раздела двух сред с разными показателями преломления в идеальном случае (а) и при наличии нарушенного переходного слоя (б).

На фигуре: 1 - падающий луч, 2 - преломленный луч, 3 - отраженный луч.

Известно, что при падении световой волны, плоскополяризованной в плоскости падения (р-поляризация), на идеальную границу двух сред с разными показателями преломления n1 и n2 (соответственно, диэлектрическими проницаемостями ε1 и ε2) под углом Брюстера, определяемым как

наблюдается эффект полного преломления, при котором отраженная световая волна отсутствует (рис. 1а).

В случае наличия на границе двух сред переходного слоя конечной толщины d, в котором показатель преломления среды ntr отличается от его объемного значения для данного материала n2, возникает отраженная световая волна (рис. 1б).

Для однородного переходного слоя на гладкой поверхности (диффузное отражение отсутствует) амплитудный коэффициент отражения электромагнитной волны может быть выражен через коэффициенты отражения от полубесконечных сред r1tr и r2tr (коэффициенты Френеля):

Для p-поляризации параметры отражения можно рассчитать по формулам

где λ - длина падающей электромагнитной волны, θ - угол падения волны на границу раздела сред (рис. 1), ε1, ε2, ε3 - комплексные диэлектрические проницаемости внешней среды, подложки и переходного слоя соответственно.

Известно, что в реальном переходном слое, формируемым при механической обработке, параметры материала плавно изменяются от поверхности к объему [18], поэтому εtr является эффективной характеристикой слоя.

Отраженный луч является результатом интерференции лучей, отраженных от нижней и верхней границ раздела переходного слоя. В зависимости от степени повреждения минимальный коэффициент отражения немонотонно смещается относительно угла Брюстера для данного материала. Чем больше толщина переходного слоя d и чем больше разность Δε=εtr2, тем больше отклонение от идеальной поверхности. За характеристику степени повреждения берется фазовая толщина слоя ψ:

определяющая дополнительный набег фаз в слое. На этапе финишной полировки (с нано-метровым уровнем шероховатости) сдвиг коэффициента отражения р-волны пропорционален степени несовершенства приповерхностного слоя.

Таким образом, сопоставляя измеренную зависимость Rp от угла падения с зависимостью для контрольного образца (эталона) или с расчетной зависимостью для идеальной поверхности, можно оценить степень совершенства (идеальности) контролируемой поверхности.

Принципиальная схема измерений по предлагаемому способу приведена на Фиг. 2. На фигуре:

4 - лазер, 5 - исходный луч, 6 - поляризатор, 1 - плоскополяризованный луч, 7 - контролируемый образец, 3 - отраженный луч, 8, 9 - зеркала, 10 - фотоприемник, 11 - компьютер.

В качестве источника монохроматического света используется лазер. Плоскополяризованный луч формируется с помощью поляризационной призмы так, чтобы плоскость поляризации совпадала с плоскостью падения, образуемой падающим и отраженным лучами, и направляется на образец, установленный на гониометре или поворотном столике с угловой шкалой. Для измерения интенсивности луч, отраженный от поверхности исследуемого образца, с помощью двух зеркал направляется на фотоприемник, показания которого регистрируются на компьютере или отражаются на цифровом приборе.

Пример реализации способа

Предлагаемый способ иллюстрируется следующими примерами.

На Фиг. 3 приведены зависимости коэффициента отражения от поверхности четырех образцов плавленого кварца КУ-1, измеренные предлагаемым способом.

В качестве источника использовался полупроводниковый лазер с длиной волны излучения λ=0,532 мкм. Образец №1 (эталон) получен с помощью глубокой химико-механической полировки поверхности. Поверхность образцов №2-4 механически отполирована алмазной суспензией на водной основе с размерами зерен 1, 3 и 6 мкм, соответственно. Все тестовые образцы имеют зеркальную поверхность. При рассмотрении через оптический микроскоп видимые повреждения отсутствуют.

Угол Брюстера плавленого кварца, рассчитанный по формуле (1) с использованием справочного значения коэффициента преломления для данной длинны волны (n2=1,4607), составляет θB=55,6043 град и отмечен на Фиг. 3 пунктирной линией. Там же нанесена кривая, рассчитанная по формулам (2, 3) для случая идеальной поверхности без поврежденного слоя.

Из литературы известно, что при механической шлифовке/полировке чем больше размеры зерен абразива, тем больше толщина поврежденного слоя [3, 18, 19] и, соответственно, больше остаточная шероховатость поверхности [20-22]. Для данных образцов среднеквадратичная шероховатость поверхности, измеренная с помощью атомно-силового микроскопа на масштабе 40×40 мкм, приведена в Таблице 1. Там же приведены значения минимального коэффициента отражения и соответствующего угла θмин. Видно, что для эталона (образец №1) минимум кривой коэффициента отражения Rp располагается вблизи идеальной поверхности и имеет конечную величину 4×10-7. При увеличении размера зерен абразива увеличивается шероховатость поверхности и, соответственно, растет толщина приповерхностного слоя. При этом кривая коэффициента отражения значительно отдаляется от идеальной кривой (как по углу, так и по минимальному значению) в сторону более высоких, по сравнению с объемным, значений показателя преломления.

Таким образом, зависимость коэффициента отражения, измеренная вблизи угла Брюстера для конкретного материала, является чувствительным индикатором поврежденного слоя и может использоваться для оперативного неразрушающего контроля качества приповерхностного слоя полированных оптических поверхностей.

Использованные источники информации

1. J.H. Campbell, "Damage resistant optical glasses for high power lasers: A continuing glass science and technology challenge" UCRL-JC-149843 (2002).

2. J.A. Randi, J.C. Lambropoulos, and S.D. Jacobs, "Subsurface damage in some single crystalline optical materials" Appl. Opt. 44, 2241-2249 (2005).

3. J. Wang, Y. Li, J. Han, Q. Xu, Y. Guo. Evaluating subsurface damage in optical glasses // J. Eur. Opt. Soc. 6 11001 (2011).

4. J.A. Menapace, P.J. Davis, W.A. Steele, L.L. Wong, T.I. Suratwala, and P.E. Miller, "Utilization of magnetorheological finishing as a diagnostic tool for investigating the three-dimensional structure of fractures in fused silica" Proc. SPIE 5991, 599102 (2005).

5. W. Kanematsu, "Visualization of subsurface damage in silicon nitride from grinding by a plasma etching and dye impregnation method" // J. Am. Ceram. Soc. 89, 2564-2570 (2006).

6. F. Elfallagh and B.J. Inkson, "3D analysis of crack morphologies in silicate glass using FIB tomography" // J. Euro. Ceram. Soc. 29, 47-52 (2009).

7. J. Neauport, C. Ambard, P. Cormont, N. Darbois, J. Destribats, C. Luitot, O. Rondeau, "Subsurface damage measurement of ground fused silica parts by HF etching techniques" Opt. Express 17, 20448-20456 (2009).

8. T. Shibata, A. Ono, K. Kurihara, E. Makino, M. Ikeda, Cross-section transmission electron microscope observation of diamond-turned single-crystal Si surfaces // Appl. Phys. Lett. 65 2553-2555 (1994).

9. Y. Li, H. Huang, R. Xie, H. Li, Y. Deng, X. Chen, J. Wang et al., "A method for evaluating subsurface damage in optical glass," Opt. Express 18, 17180-17186 (2010).

10. J. Steinert, S. Gliech, A. Wuttig, A. Duparre, "Advanced methods for surface and subsurface defect characterization of optical components" // Proc. SPIE 4099, 290-298 (2000).

11. J. Neauport, P. Cormont, P. Legros, C. Ambard, J. Destribats, Imaging subsurface damage of grinded fused silica optics by confocal fluorescence microscopy // Opt. Express 17 3543-3554 (2009).

12. W. Lu, Z.J. Pei, J.G. Sun, "Non-destructive evaluation methods for subsurface damage in silicon wafers: a literature review" Int. J. Machining and Machinability of Materials 2, 125-142 (2007).

13. W.K. Lu, J.G. Sun, Z.J. Pei, "Subsurface damage measurement in silicon wafers with cross-polarisation confocal microscopy" Int. J. Nanoman. 1, 272-282 (2006).

14. O.W. Fahnle, T. Wons, E. Koch, S. Debruyne, M. Meeder, S.M. Booij, and J.J.M. Braat, "iTIRM as a tool for qualifying polishing processes" Appl. Opt. 41, 4036-4038 (2002).

15. C. Amra, C. Deumie, and O. Gilbert, "Elimination of polarized light scattered by surface roughness or bulk heterogeneity," Opt. Express 13, 10854-10864 (2005).

16. Y. Gogotsi, C. Baek, F. Krirscht. Raman microspectroscopy study of processing-induced phase transformation and residual stress in silicon // Semicond. Sci., 14, 936-944 (1999).

17. Ржанов A.B., Свиташев К.К., Семененко А.И. и др. Основы эллипсометрии. Новосибирск, 1979. - 422 с.

18. J.C. Lambropoulos, "From abrasive size to subsurface damage in grinding" Convergence 8, 1-3 (2000).

19. Y. Li, N. Zheng, H. Li, J. Hou, X. Lei, X. Chen, Z. Yuan et al. Morphology and distribution of subsurface damage in optical fused silica parts: Bound-abrasive grinding // Appl. Surf. Sci. 257, 2066-2073 (2011).

20. J.A. Randi, J.C. Lambropoulos, and S.D. Jacobs, Subsurface damage in some single crystalline optical materials // Appl. Opt. 44, 2241-2249 (2005).

21. J. Neauport, J. Destribats, C. Manier, C. ambard, P. Cormont, B. Pintault, and O. Rondeau, Loose abrasive slurries for optical glass lapping // Appl. Opt. 49, 5736-5745 (2010).

22. Sh. Li, Zh. Wang, Y. Wu. Relationship between subsurface damage and surface roughness of optical materials in grinding and lapping processes // J. Mat. Proc. Tech. 205 34-41 (2008).

Способ неразрушающего контроля качества приповерхностного слоя оптических материалов, состоящий в том, что на контролируемую поверхность направляют монохроматический световой луч и регистрируют параметры отраженного от поверхности луча, отличающийся тем, что измерения выполняют вблизи угла Брюстера для данного материала при вариации угла падения луча, поляризованного в плоскости падения, при этом качество приповерхностного слоя контролируемой поверхности оценивают сопоставлением измеренной зависимости коэффициента отражения с зависимостью для контрольного образца (эталона) или с расчетной зависимостью для идеальной поверхности по положению минимума коэффициента отражения и соответствующего угла.
Способ неразрушающего контроля качества приповерхностного слоя оптических материалов
Способ неразрушающего контроля качества приповерхностного слоя оптических материалов
Способ неразрушающего контроля качества приповерхностного слоя оптических материалов
Способ неразрушающего контроля качества приповерхностного слоя оптических материалов
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-20 из 59.
29.12.2017
№217.015.fc8c

Способ регистрации малых количеств органических нано- и микрочастиц в биологических тканях

Изобретение относится к области аналитической химии, в частности к масс-спектрометрическим способам измерения концентрации частиц в биологических тканях, и раскрывает способ регистрации органических нано- или микрочастиц в биологических тканях методом ускорительной масс-спектрометрии (УМС)....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638820
Дата охранного документа: 15.12.2017
19.01.2018
№218.016.0193

Статическое устройство для определения распределения интенсивности поля инфракрасной поверхностной электромагнитной волны вдоль её трека

Изобретение относится к области оптических измерений и касается статического устройства для определения распределения интенсивности поля инфракрасной поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ) вдоль ее трека. Устройство включает в себя источник монохроматического излучения, первый фокусирующий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629909
Дата охранного документа: 04.09.2017
19.01.2018
№218.016.01d2

Способ определения показателя преломления монохроматической поверхностной электромагнитной волны инфракрасного диапазона

Изобретение относится к области оптических измерений и касается способа определения показателя преломления монохроматической поверхностной электромагнитной волны инфракрасного диапазона. Способ включает в себя генерацию волны на плоской поверхности образца, размещение на пути волны плоского...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629928
Дата охранного документа: 04.09.2017
19.01.2018
№218.016.0e6f

Способ приготовления микроволокнистого катализатора

Изобретение относится к области химической промышленности, к новым способам синтеза катализаторов, которые могут использоваться, в частности, для глубокого окисления (дожигания) СО, органических и галогенорганических соединений, окисления сероводорода и диоксида серы, восстановления оксидов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633369
Дата охранного документа: 12.10.2017
19.01.2018
№218.016.0eb3

Способ определения размеров газовых кластеров в сверхзвуковом газовом потоке

Использование: для обработки материалов и осаждения покрытий. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения размеров газовых кластеров в сверхзвуковом газовом потоке включает истечение газа из звукового или сверхзвукового сопла, формирование кластерного пучка с помощью конусной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633290
Дата охранного документа: 11.10.2017
20.01.2018
№218.016.0f4a

Волоконный задающий генератор

Изобретение относится к лазерной технике. Волоконный задающий генератор содержит источник накачки и резонатор, состоящий из двух волоконных частей - активной нелинейной петли и длинной линейной части, соединяющихся посредством четырехпортового волоконного ответвителя; активная петля образует...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633285
Дата охранного документа: 11.10.2017
13.02.2018
№218.016.22d6

N-[3-оксолуп-20(29)-ен-28-оил]-2,2,6,6-тетраметилпиперидин-4-иламин, обладающий цитотоксической активностью в отношении опухолевых клеток человека

Изобретение относится к N-[3-оксолуп-20(29)-ен-28-оил]-2,2,6,6-тетраметилпиперидин-4-иламину структурной формулы обладающему цитотоксической активностью в отношении опухолевых клеток человека. Технический результат: получено новое соединение, обладающее способностью подавлять рост опухолевых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641900
Дата охранного документа: 23.01.2018
10.05.2018
№218.016.38dd

Способ анализа спектрально-временной эволюции излучения

Способ анализа спектрально-временной эволюции излучения включает в себя получение сигнала оптического гетеродина, измерение интенсивности сигнала, получение аналитической формы сигнала при помощи гильбертова дополнения. Далее вычисляют автокорреляционную функцию методом быстрого преобразования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646940
Дата охранного документа: 12.03.2018
10.05.2018
№218.016.3ac3

Композиция, обладающая иммуностимулирующим действием для сублингвального применения

Изобретение относится к фармацевтической промышленности и медицине, в частности иммунологии, и представляет собой композицию, обладающую иммуностимулирующим действием для сублингвального применения, состоящую из двуспиральной РНК бактериофага Ф6 в количестве 0,5±0,1 мг, одноцепочечной дрожжевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002647455
Дата охранного документа: 15.03.2018
10.05.2018
№218.016.4304

Способ измерения пространственно-временной эволюции излучения

Изобретение относится к методам спектроскопии высокого разрешения и пространственно-временного анализа оптического излучения со сложной структурой и относительно быстрой эволюцией. Оно может быть использовано при проведении научных и прикладных исследований лазерных систем, в том числе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002649643
Дата охранного документа: 04.04.2018
Показаны записи 1-1 из 1.
19.01.2018
№218.016.0eb3

Способ определения размеров газовых кластеров в сверхзвуковом газовом потоке

Использование: для обработки материалов и осаждения покрытий. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения размеров газовых кластеров в сверхзвуковом газовом потоке включает истечение газа из звукового или сверхзвукового сопла, формирование кластерного пучка с помощью конусной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633290
Дата охранного документа: 11.10.2017
+ добавить свой РИД