×
03.10.2019
219.017.d196

Результат интеллектуальной деятельности: Способ изготовления образцов фуллерена С для спектроскопии

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002701823
Дата охранного документа
01.10.2019
Аннотация: Изобретение относится к области исследования и анализа материалов и может быть использовано в инфракрасной спектроскопии. Образцы фуллерена C для съемки спектров пропускания инфракрасного излучения изготавливают механическим втиранием порошка C в полированную поверхность бромида калия. Способ прост и не приводит к появлению дополнительных полос поглощения в спектрах, что обеспечит повышение точности исследований. 2 ил.

Изобретение относится к способам подготовки образцов фуллерена C60 для инфракрасной спектроскопии.

Инфракрасная спектроскопия - один из наиболее распространенных методов анализа примесного состава фуллерена C60. Она позволяет контролировать уровень очистки C60, большинство примесей в котором являются органическими соединениями, используемыми в процессе получения, очистки и обработки фуллерена. Многие колебания связей, характерных для таких соединений, проявляются в инфракрасном диапазоне спектра. В этом же диапазоне регистрируются и четыре колебания связей в C60. разрешенных симметрией его молекулы.

Порошок C60 неудобен для измерения спектров пропускания, поэтому обычно ограничиваются съемкой спектров отражения или поглощения, которые в ряде задач недостаточно информативны. Во многих случаях для аналитических целей больше подходит именно измерение спектров пропускания инфракрасного излучения.

Известен способ изготовления образцов C60 для съемки спектров пропускания инфракрасного излучения [А.В. Баженов, Н.С.Сидоров, С.С.Хасанов, Т.Н. Фурсова, В.И. Орлов, А.Н. Изотов, А.А. Левченко, И.В. Слепцова. Монокристаллы C60, выращенные на земле и в космосе//Известия РАН. Серия Физическая, 2011, том 75, №8, с. 1092-1093] - аналог, в котором для приготовления образцов из фуллерена C60 сначала выращивают монокристаллы фуллерита, а затем откалывают от кристалла тонкие пластинки, на которых и измеряется пропускание. Этот способ сложен из-за необходимости выращивания монокристаллов, кроме того, он не позволяет снимать спектры пропускания собственно фуллерена C60.

Известен способ изготовления образцов C60 для съемки спектров пропускания инфракрасного излучения [А.А. Суханов. Исследование межмолекулярных взаимодействий в твердофазных смесях C60-галогенид щелочного металла и их водных растворах газа // Нефтегазовая геология. Теория и практика. - 2007. - Т.2. - статья №024 - http://www.ngtp.ru/rub/1/024.pdf] - прототип, в котором для съемки спектров пропускания изготавливается смесь бромида калия KBr и фуллерена C60. Бромид калия имеет высокую и однородную прозрачность в диапазоне волновых чисел 4000-400 см-1, что соответствует интервалу длин волн 2.5-25 мкм инфракрасного диапазона, в котором проявляются разрешенные колебания связей в C60. Основным недостатком способа-прототипа является его сложность, обусловленная необходимостью приготовления смеси фуллерена и бромида калия. Кроме того, в описании прототипа указывается, что из-за гигроскопичности KBr в такой смеси наблюдается химическое взаимодействие, приводящее к образованию молекулярных комплексов, что регистрируется по особенностям инфракрасных спектров, состоящих в появлении дополнительных полос поглощения, обусловленных нарушением симметрии окружения молекул C60. Такие особенности могут осложнять определение примесей в C60.

Задачей настоящего изобретения является создание простого способа изготовления образцов фуллерена C60 для съемки спектров пропускания инфракрасного излучения, не приводящего к появлению дополнительных полос поглощения в спектрах.

Поставленная задача решается за счет того, что фуллерен C60 механически втирается в полированную поверхность подложки из кристаллического бромида калия.

Твердость фуллерена C60 выше, чем у кристаллического KBr и за счет этого C60 легко проникает в поверхность подложки и хорошо держится на ней, что обеспечивает слой C60, достаточный для съемки спектра. На фотографии Фиг. 1 представлена полированная подложка из кристаллического KBr со слоем C60 нанесенным таким образом.

На графике Фиг. 2 представлен спектр пропускания инфракрасного (ИК) излучения фуллерена C60 высокой очистки, нанесенного на полированную подложку из бромида калия. В спектре хорошо видны четыре полосы разрешенных колебаний в C60, отмеченные соответствующими значениями волновых чисел (528, 577, 1183 и 1429 см-1). Спектр демонстрирует отсутствие дополнительных полос поглощения, обусловленных химическим взаимодействием, которые наблюдались при приготовлении образцов по способу-прототипу.

Пример. Порошок фуллерена C60 механически втирают в полированную поверхность подложки из кристаллического KBr возвратно-поступательными движениями шпателя. Получен образец для спектроскопии, показанный на фотографии Фиг. 1

Таким образом, предложен простой способ изготовления образцов фуллерена C60 для съемки спектров пропускания инфракрасного излучения, не приводящий к появлению дополнительных полос поглощения в спектрах.

Способ изготовления образцов фуллерена C для спектроскопии, включающий изготовление образца, содержащего смесь бромида калия и фуллерена C, для съемки спектров пропускания инфракрасного излучения, отличающийся тем, что фуллерен C механически втирают в полированную поверхность подложки из кристаллического бромида калия.
Способ изготовления образцов фуллерена С для спектроскопии
Способ изготовления образцов фуллерена С для спектроскопии
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 81-90 из 91.
21.04.2023
№223.018.5010

Датчик измерения механических напряжений на основе микропроводов с положительной магнитострикцией

Изобретение относится к измерительной технике и выполняет функцию датчика механических напряжений. Датчик состоит из аморфного ферромагнитного микропровода с положительной магнитострикцией, размещенного по оси дифференциальной измерительной катушки, и внешней катушки, задающей переменное...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002746765
Дата охранного документа: 20.04.2021
23.04.2023
№223.018.51d2

Композиция с углеродными нанотрубками для получения углеродной заготовки для высокоплотной sic/c/si керамики и способ получения изделий из sic/c/si керамики

Композиция и способ изобретения относятся к получению изделий из высокоплотной карбидокремниевой SiC/C/Si керамики для различных отраслей промышленности. Технический результат состоит в увеличении глубины силицирования углеродных заготовок, увеличении размеров изделий из силицированых графитов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002730092
Дата охранного документа: 17.08.2020
24.04.2023
№223.018.5275

Способ получения изделий из карбидокремниевой керамики

Способ изобретения относится к области получения карбидокремниевых керамических изделий, в том числе крупногабаритных, обладающих повышенными эксплуатационными характеристиками, в том числе при высоких температурах для применения в различных областях промышленности. Технический результат...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740984
Дата охранного документа: 22.01.2021
14.05.2023
№223.018.55c8

Способ получения композиционных материалов на основе углеволокна и металла

Изобретение относится к технологии получения новых композиционных материалов с углеволокном и может быть использовано, в частности, для изготовления элементов конструкций в авиационной, ракетно-космической и морской технике. Способ получения композиционного материала, содержащего углеволокно и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002731699
Дата охранного документа: 08.09.2020
14.05.2023
№223.018.56cc

Осевой неразгруженный компенсатор

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002732334
Дата охранного документа: 15.09.2020
15.05.2023
№223.018.5c25

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c26

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c68

Опора тигля для выращивания кристаллов

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759623
Дата охранного документа: 16.11.2021
16.05.2023
№223.018.5dc6

Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K(Co,Ni)(SO)⋅6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002758652
Дата охранного документа: 01.11.2021
16.05.2023
№223.018.5dc7

Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K(Co,Ni)(SO)⋅6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002758652
Дата охранного документа: 01.11.2021
Показаны записи 31-40 из 40.
03.07.2020
№220.018.2dda

Способ получения timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725229
Дата охранного документа: 30.06.2020
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
21.04.2023
№223.018.4fc4

Способ синтеза шпинели ganbse

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNbSe из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745973
Дата охранного документа: 05.04.2021
14.05.2023
№223.018.56cc

Осевой неразгруженный компенсатор

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002732334
Дата охранного документа: 15.09.2020
15.05.2023
№223.018.5c25

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c26

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c68

Опора тигля для выращивания кристаллов

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759623
Дата охранного документа: 16.11.2021
16.05.2023
№223.018.5ecf

Электродуговой способ получения слитков timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl. Способ получения слитков сплава TiMnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754540
Дата охранного документа: 03.09.2021
16.05.2023
№223.018.6357

Электродуговой способ получения прецизионного сплава timnal

Изобретение относится к области металлургии прецизионных сплавов и может быть использовано для получения сплава Гейслера. Осуществляют сплавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002776576
Дата охранного документа: 22.07.2022
+ добавить свой РИД