×
19.07.2019
219.017.b631

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения кристаллов CdAs

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области выращивания кристаллов диарсенида трикадмия. Кристаллы CdAs получают кристаллизацией капель расплава стехиометрического состава, свободно падающих в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 44-52 град./см. Способ позволяет получать монокристаллы, обладающие поверхностной сверхпроводимостью на образцах, ориентированных по (112). 1 ил., 7 пр.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов неорганических соединений.

Диарсенид трикадмия Cd3As2 - это материал, вызывающий в настоящее время повышенный интерес в экспериментальной физике как полуметалл Дирака, для которого теоретически предсказана поверхностная сверхпроводимость. Экспериментальное наблюдение этого явления оказалось возможным только в местах точечных контактов, плотно прижатых к поверхности.

Известен способ получения кристаллов Cd3As2 из нестехиометрического расплава [Н. Wang, Н. Wang, Н. Liu, Н. Lu, W. Yang, S. Jia, X.-J. Liu, X. C. Xie, J. Wei, J. Wang, Nat. Mater. 15, 38 (2016)] - аналог. Недостатком этого способа является то, что выращенные кристаллы демонстрируют сверхпроводимость только в местах точечного контакта, плотно прижатого к поверхности, что может быть объяснено как несовершенством структуры кристаллов, так и отклонением их состава от стехиометрии.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ выращивания кристаллов (Cd0,6Zn0,4)3As2 из расплава стехиометрического состава методом Бриджмена [В.С. Захвалинский, Т.Б. Никуличева, E Lähderanta, М.А. Шахов, Е.А. Пилюк, С.В. Иванчихин. Прыжковая проводимость в монокристаллах (Cd0,6Zn0,4)3As2. Научные ведомости БелГУ. Серия Математика. Физика. 2015. №23 (220). Выпуск 41, стр. 71-79] - прототип. Недостатком этого метода является то, что при применении его к получению Cd3As2 в выращенных кристаллах не удается наблюдать поверхностной сверхпроводимости, что также может быть объяснено как несовершенством структуры кристаллов, так и возможным отклонением их состава от стехиометрии в ходе процесса.

Задачей данного изобретения является получение кристаллов Cd3As2, на которых возможно экспериментальное наблюдение поверхностной сверхпроводимости.

Эта задача решается в предлагаемом способе за счет того, что кристаллизации подвергают капли расплава стехиометрического состава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 44-52 град/см.

Предлагаемым способом получены монокристаллы диаметром до 5 мм, имеющие структуру α-Cd3As2 и хорошую спайность по кристаллографической плоскости (112), что иллюстрируется фотографией на Фиг. 1, где показана закристаллизованная капля, расколотая по плоскости спайности.

Полученные кристаллы демонстрируют поверхностную сверхпроводимость в областях площадью 100-120 мкм между сколотой по (112) поверхностью Cd3As2 и пленарным золотым контактом толщиной 100 нм, нанесенным на диэлектрическую подложку. Критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние составляет ≈ 1 К. Параллельными измерениями установлено, что объемная сверхпроводимость в материале не наблюдается. Воспроизводимость результатов была подтверждена измерениями на образцах из четырех кристаллов.

Кристаллизация капель проводится под давлением инертного газа для предотвращения испарения расплава, ведущего к получению кристаллов нестехиометрического состава. Аргон выбран как распространенный и наиболее экономически доступный инертный газ.

Давление аргона выбрано экспериментально. При давлениях ниже 5±0,5 МПа полученные кристаллы не демонстрируют поверхностной сверхпроводимости, что может быть объяснено отклонением состава кристаллов от стехиометрии при недостаточно высоком давлении инертного газа. При давлениях выше 5±0,5 МПа не наблюдается дальнейшего положительного эффекта.

Градиент температуры на пути падения капель выбран экспериментально. При величине градиента менее 44 град/см капли представляют собой мелкозернистые поликристаллы, из которых невозможно подготовить образцы для измерений. При величине градиента более 52 град/см в кристаллизующихся каплях возникают значительные напряжения, приводящие к растрескиванию кристаллов, а при дальнейшем повышении градиента, и к полному их разрушению.

Процесс получения и кристаллизации капель был реализован в сосуде высокого давления. Графитовый резервуар для расплавления загрузки Cd3As2, снабженный графитовой трубкой для формирования капель при истечении расплава находился при температуре плавления Cd3As2 (990 K) и температурный градиент на пути падения капель задавали тепловым узлом, имеющим в конструкции графитовые нагреватели сопротивления. Процесс происходил под давлением инертного газа.

Пример 1.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 42 град/см. Получены поликристаллы Cd3As2 c максимальным линейным размером зерен от ≈100 мкм до 0,5 мм.

Пример 2.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 54 град/см. Происходит растрескивание закристаллизованных капель.

Пример 3.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 65 град/см. Происходит разрушение кристаллизующихся капель.

Пример 4.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 4 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 48 град/см. Полученные кристаллы не демонстрируют поверхностной сверхпроводимости, что объясняется отклонением состава от стехиометрии при недостаточно высоком давлении аргона.

Пример 5.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 10 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 48 град/см. Получены монокристаллы, демонстрирующие поверхностную сверхпроводимость.

Пример 6.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 44 град/см. Получены монокристаллы, демонстрирующие поверхностную сверхпроводимость.

Пример 7.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 52 град/см. Получены монокристаллы, демонстрирующие поверхностную сверхпроводимость.

Способ получения кристаллов CdAs из расплава стехиометрического состава, отличающийся тем, что кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 44-52 град./см.
Способ получения кристаллов CdAs
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 81-90 из 91.
21.04.2023
№223.018.5010

Датчик измерения механических напряжений на основе микропроводов с положительной магнитострикцией

Изобретение относится к измерительной технике и выполняет функцию датчика механических напряжений. Датчик состоит из аморфного ферромагнитного микропровода с положительной магнитострикцией, размещенного по оси дифференциальной измерительной катушки, и внешней катушки, задающей переменное...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002746765
Дата охранного документа: 20.04.2021
23.04.2023
№223.018.51d2

Композиция с углеродными нанотрубками для получения углеродной заготовки для высокоплотной sic/c/si керамики и способ получения изделий из sic/c/si керамики

Композиция и способ изобретения относятся к получению изделий из высокоплотной карбидокремниевой SiC/C/Si керамики для различных отраслей промышленности. Технический результат состоит в увеличении глубины силицирования углеродных заготовок, увеличении размеров изделий из силицированых графитов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002730092
Дата охранного документа: 17.08.2020
24.04.2023
№223.018.5275

Способ получения изделий из карбидокремниевой керамики

Способ изобретения относится к области получения карбидокремниевых керамических изделий, в том числе крупногабаритных, обладающих повышенными эксплуатационными характеристиками, в том числе при высоких температурах для применения в различных областях промышленности. Технический результат...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740984
Дата охранного документа: 22.01.2021
14.05.2023
№223.018.55c8

Способ получения композиционных материалов на основе углеволокна и металла

Изобретение относится к технологии получения новых композиционных материалов с углеволокном и может быть использовано, в частности, для изготовления элементов конструкций в авиационной, ракетно-космической и морской технике. Способ получения композиционного материала, содержащего углеволокно и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002731699
Дата охранного документа: 08.09.2020
14.05.2023
№223.018.56cc

Осевой неразгруженный компенсатор

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002732334
Дата охранного документа: 15.09.2020
15.05.2023
№223.018.5c25

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c26

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c68

Опора тигля для выращивания кристаллов

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759623
Дата охранного документа: 16.11.2021
16.05.2023
№223.018.5dc6

Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K(Co,Ni)(SO)⋅6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002758652
Дата охранного документа: 01.11.2021
16.05.2023
№223.018.5dc7

Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K(Co,Ni)(SO)⋅6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002758652
Дата охранного документа: 01.11.2021
Показаны записи 41-42 из 42.
16.05.2023
№223.018.5ecf

Электродуговой способ получения слитков timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl. Способ получения слитков сплава TiMnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754540
Дата охранного документа: 03.09.2021
16.05.2023
№223.018.6357

Электродуговой способ получения прецизионного сплава timnal

Изобретение относится к области металлургии прецизионных сплавов и может быть использовано для получения сплава Гейслера. Осуществляют сплавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002776576
Дата охранного документа: 22.07.2022
+ добавить свой РИД