×
10.07.2019
219.017.b117

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА В СИСТЕМЕ МЕДЬ-ОКСИД МЕДИ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002441936
Дата охранного документа
10.02.2012
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии получения высокотемпературных проводников в системе металл-оксид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих особыми физическими свойствами. Порошок меди окисляют в реакторе в потоке осушенного кислорода, подаваемого со скоростью 20-30 мл/мин, при нагреве порошка со стороны подачи кислорода до температуры 700°С в течение 3 мин. Полученный порошок выдерживают при температуре 1000°С в ампуле под вакуумом 5×10 Торр в течение 1 мин и охлаждают до комнатной температуры. Обеспечивается получение сверхпроводника с температурой перехода в сверхпроводящее состояние 90 K при одновременном повышении воспроизводимости результатов синтеза. 1 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области получения высокотемпературных сверхпроводников в системе металл-оксид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих особыми физическими свойствами.

В практике физических исследований известны высокотемпературные сверхпроводники, полученные в различных оксидных системах. Хотя имеются теоретические предпосылки к обнаружению сверхпроводников в системе медь-оксид меди, однако в научной литературе сведения о практической реализации сверхпроводимости в этой системе отсутствуют.

Из уровня техники известен способ получения сверхпроводников в системе La2CuO4 с температурой сверхпроводящего перехода 15-50 K. По этому способу La2CuO4 насыщают кислородом, используя отжиг образцов в атмосфере озона, или проводят частичную замену оксида лантана на оксид стронция до состава La1.55Sr0,45CuO4 [A.Gozar et al., High-temperature interface superconductivity between metallic and insulating copper oxides. Nature, 2008, v.455, N 9, рр.782-785]. В соответствии с этим способом двойные слои готовили из изолятора La2CuO4 и металла La1.55Sr0,45CuO4. Образовавшаяся граница раздела (интерфейс) имеет толщину 2-3 нм и переходит в сверхпроводящее состояние при 15 K-30 K. Проводя окисление в озоне, добиваются перехода границы в сверхпроводящее состояние при 50 K. Основным недостатком этого способа является технологическая трудность формирования интерфейса толщиной 2-3 нм, что существенно влияет на воспроизводимость результатов. Кроме того, формирование четырехкомпонентной системы (La-Sr-Cu-O) с определенным количественным составом является достаточно сложной задачей.

Задача изобретения - получение сверхпроводника в системе медь-оксид меди с высокой температурой перехода в сверхпроводящее состояние при одновременном повышении воспроизводимости результатов синтеза.

Решение поставленной задачи достигается тем, что используется способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе медь-оксид меди, включающий окисление порошка меди в реакторе в потоке осушенного кислорода со скоростью 20-30 л/мин, при нагреве порошка со стороны подачи кислорода до температуры 700°С, в течение 3 мин, выдержку полученного порошка при температуре 1000°С в ампуле под вакуумом 5×10-4 Торр в течение 1 мин и охлаждение до комнатной температуры. В предлагаемом способе реализуется идея, состоящая в окислении поверхности порошка в атмосфере кислорода с последующей термообработкой образца в вакууме при температуре, не превышающей температуру плавления меди (1083°С).

Способ получения высокотемпературного сверхпроводника осуществляется следующим образом. Мелкодисперсный порошок меди помещают в реактор, через который пропускают осушенный от следов влаги кислород со скоростью 20-30 мл/мин. Край засыпки порошка со стороны подачи кислорода нагревают до температуры 700°С, после чего нагреватель выключают, и дальнейшее окисление образца происходит за счет выделения тепла при прохождении реакции окисления. Скорость окисления определяется скоростью подачи кислорода в реактор. При этом по образцу проходит горячая зона, и реакция окисления завершается за 3 минуты. Полученный порошок медь-оксид меди извлекают из реактора и помещают в ампулу, которую откачивают до остаточного давления 5×10-4 Торр. Ампулу отпаивают и помещают в печь, нагретую до температуры 1000°С, т.е. до температуры, которая ниже температуры плавления меди 1083°С. Образец отжигают в печи в течение 1 минуты, охлаждают и проводят измерение магнитной восприимчивости в переменном магнитном поле с целью обнаружения сверхпроводящего перехода.

Пример реализации способа

В качестве исходного материала использовали мелкодисперсный порошок (<50 мкм) меди чистотой 99,99%. Навеску порошка массой 10 г помещали в реактор и равномерно распределяли по всей его длине. Через реактор пропускали кислород со скоростью 20 мл/мин, осушенный от следов влаги с целью предотвращения образования гидроксида меди при окислении меди. Край засыпки порошка со стороны подачи кислорода нагревали до температуры 700°С, после чего с началом реакции окисления нагреватель выключали, и дальнейшее окисление происходило за счет выделения тепла в ходе реакции. Продолжительность окисления определялась скоростью прохождения горячей зоны по всей длине засыпки и составляла 3 минуты. Рентгенофазовый анализ показал наличие в порошке Cu, Cu2O и CuO. Полученный порошок медь-оксид меди извлекали из реактора и помещали в ампулу, которую вакуумировали до остаточного давления 5×10-4 Торр. Ампулу отпаивали и помещали в печь, нагретую до температуры 1000°C, которая ниже температуры плавления меди 1083°С. Полученный порошок медь-оксид меди выдерживали при этой температуре в течение 1 минуты, после чего ампулу с полученным порошком охлаждали до комнатной температуры и проводили измерение магнитной восприимчивости в переменном магнитном поле. Результаты измерения (см. чертеж) показали, что переход полученного порошка медь-оксид меди в сверхпроводящее состояние составил 90 K.

Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе медь-оксид меди, включающий окисление порошка меди в реакторе в потоке осушенного кислорода со скоростью 20-30 мл/мин при нагреве порошка со стороны подачи кислорода до температуры 700°С в течение 3 мин, выдержку полученного порошка медь-оксид меди при температуре 1000°С в ампуле под вакуумом 5·10 торр в течение 1 мин и охлаждение до комнатной температуры.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-6 из 6.
20.02.2019
№219.016.c16c

Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка

Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSeTe относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использован в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Технический результат - получение нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSeTe...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002415805
Дата охранного документа: 10.04.2011
29.06.2019
№219.017.a146

Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе натрий-оксид натрия

Изобретение относится к технологии получения высокотемпературных проводников в системе металл-оксид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих особыми физическими свойствами. Поверхность образца металлического натрия окисляют в реакторе в потоке осушенного кислорода,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002441933
Дата охранного документа: 10.02.2012
10.07.2019
№219.017.aef1

Способ получения высокочистого титана для распыляемых мишеней

Изобретение относится к способу получения высокочистого титана для распыляемых мишеней. Способ включает очистку исходных прутков металлического титана, полученных йодидным способом, в реакторе. Причем очистку осуществляют в потоке осушенного от влаги хлора при температуре 500°С. Затем проводят...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002418874
Дата охранного документа: 20.05.2011
10.07.2019
№219.017.b10f

Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе натрий - теллурид натрия

Изобретение относится к технологии получения высокотемпературных проводников в системе металл - оксид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих особыми физическими свойствами. Порошок теллура с металлическим натрием нагревают до температуры 200°С в реакторе под...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002441934
Дата охранного документа: 10.02.2012
10.07.2019
№219.017.b116

Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе железо-оксид железа

Изобретение относится к области технологии получения высокотемпературных проводников в системе металл - оксид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих уникальными физическими свойствами. Способ включает частичное восстановление мелкодисперсного порошка оксида железа...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002441845
Дата охранного документа: 10.02.2012
10.07.2019
№219.017.b118

Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе натрий-теллурид сурьмы

Изобретение относится к технологии получения высокотемпературных проводников в системе металл-теллурид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих особыми физическими свойствами. Смесь порошка теллурида сурьмы и металлического натрия нагревают в реакторе под вакуумом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002441935
Дата охранного документа: 10.02.2012
Показаны записи 1-10 из 15.
10.04.2019
№219.017.08a7

Способ получения иглы из монокристаллического вольфрама для сканирующей туннельной микроскопии

Изобретение относится к области физики поверхности, а именно к способам получения острий из монокристаллического вольфрама для сканирующей туннельной микроскопии. Способ заключается в том, что электрохимическое травление монокристаллической заготовки с поперечным сечением 0,5×0,5 мм проводят в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002437104
Дата охранного документа: 20.12.2011
29.05.2019
№219.017.6829

Способ производства литой мишени для магнетронного распыления из сплава на основе молибдена

Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых металлических мишеней для нанесения тонкопленочной металлизации различного назначения в микроэлектронике и других высоких технологиях. Заявлены способ производства литой мишени...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002454484
Дата охранного документа: 27.06.2012
29.05.2019
№219.017.682a

Способ производства литой мишени из сплава на основе тантала для магнетронного распыления

Изобретение относится к области металлургического производства распыляемых металлических мишеней для микроэлектроники, а также к изготовлению интегральных схем и тонкопленочных конденсаторов на основе тантала и его сплавов. Заявлены способ производства литой мишени для магнетронного распыления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002454483
Дата охранного документа: 27.06.2012
29.05.2019
№219.017.69ae

Способ получения кристаллов фуллерена с особой чистоты

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов из парогазовой фазы. Способ включает низкотемпературную обработку порошка фуллерена С в динамическом вакууме 10 Па при температуре 720 K в течение 3 часов, затем обработанный порошок подвергают сублимации в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002442847
Дата охранного документа: 20.02.2012
09.06.2019
№219.017.7db1

Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам производства распыляемых мишеней. Заявлены способ производства составной мишени для получения пленок магнетронным распылением и мишень, полученная этим способом. Способ включает изготовление диска из слитка поликристаллического...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002454481
Дата охранного документа: 27.06.2012
09.06.2019
№219.017.7db3

Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-рений

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам производства распыляемых мишеней. Заявлены способ производства составной мишени для получения пленок магнетронным распылением и мишень, полученная этим способом. Способ включает изготовление диска из слитка поликристаллического...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002454482
Дата охранного документа: 27.06.2012
09.06.2019
№219.017.7f1a

Способ получения сверхпроводящего трехкомпонентного борида

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к получению новых сверхпроводящих борсодержащих соединений. Сверхпроводящий трехкомпонентный борид, содержащий литий, ванадий и бор, с переходом в сверхпроводящее состояние при температуре 27 К получают твердофазным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002443627
Дата охранного документа: 27.02.2012
09.06.2019
№219.017.7f4e

Способ получения сверхпроводящего соединения кальций-фосфор-кислород

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к получению новых сверхпроводящих соединений в области высоких давлений от 17 ГПа до 160 ГПа. Проводят синтез механической смеси кальция с оксидом фосфора РO или кальция с фосфатом кальция Са(РO). Смеси кальция с оксидом фосфора и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002442749
Дата охранного документа: 20.02.2012
29.06.2019
№219.017.a0c0

Устройство для получения газообразного хлора

Изобретение может быть использовано в области неорганической химии. Устройство для получения газообразного хлора включает реактор, термостат, устройство для очистки хлора и устройство для регулирования температуры. В качестве накопителя хлора установлена демпфирующая емкость с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002436728
Дата охранного документа: 20.12.2011
29.06.2019
№219.017.a0d8

Способ получения высокочистого кобальта для распыляемых мишеней

Изобретение относится к области металлургии цветных металлов, в частности к способу получения высокочистого кобальта для распыляемых мишеней. Способ включает восстановление хлорида кобальта водородом при нагревании до получения металлического кобальта в виде порошка или губки. После...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002434955
Дата охранного документа: 27.11.2011
+ добавить свой РИД