×
10.07.2019
219.017.ad45

Результат интеллектуальной деятельности: КОРПУС ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА СВЧ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в корпусе для полупроводникового прибора СВЧ, в котором теплоотводящее основание и рамка выполнены монолитно, последняя - в виде бортика по его периметру, толщиной, равной не более 2,0 мм, металлокерамические вводы/выводы выполнены также монолитно в виде проводника из металла или сплава металлов, имеющих низкое электрическое сопротивление, расположенного внутри трубки с размером внутреннего сечения, равным 0,2-1,0 мм, выполненной из предварительно обожженной керамики, металлокерамические вводы/выводы и соответственно сквозные отверстия для них в рамке выполнены круглого сечения, размер сечения которых, длина металлокерамических вводов/выводов, а также размеры сечений их проводников и размер их контактных площадок определяются заданными параметрами полупроводникового прибора, а контактные площадки выполнены на концах металлокерамических вводов/выводов параллельно и/или перпендикулярно их оси. Заявлен также способ изготовления корпуса полупроводникового прибора СВЧ. Техническим результатом изобретения является повышение надежности и долговечности, увеличение выходной мощности СВЧ, повышение технологичности и снижение трудоемкости изготовления, уменьшение массогабаритных характеристик. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к металлокерамическим корпусам для полупроводниковых приборов СВЧ.

Одной из основных функций корпуса для полупроводникового прибора СВЧ является обеспечение:

во-первых, герметичности и надежности и, прежде всего, с точки зрения защиты от воздействия окружающей среды, отрицательно влияющей на параметры полупроводникового прибора СВЧ,

во-вторых, эффективного отвода тепла от полупроводникового прибора СВЧ и, прежде всего, с целью получения максимально допустимой выходной мощности СВЧ,

в-третьих, долговечности работы полупроводникового прибора СВЧ и особенно при работе в режиме высоких уровней мощности СВЧ,

в-четвертых, минимальных массогабаритных характеристик.

Кроме того, не менее важным является обеспечение возможности надежного планарного соединения корпуса с другими элементами устройств и систем радиоэлектронной техники СВЧ.

Известны корпус для мощной гибридной интегральной схемы и способ его изготовления, представляющие собой:

- теплоотводящее основание и рамку для вводов/выводов, выполненные из бескислородной жесткой меди;

- металлокерамический ввод/вывод сборной конструкции, выполненный в виде керамической втулки, локально металлизированной под пайку как в области соединения ее с рамкой, так и с проводником штырькового типа. При этом проводник выполнен составным в виде медной жилы и сплава типа ковар и соединен с металлизированной керамической втулкой высокотемпературной пайкой при температуре выше 780°С;

- крышку, выполненную из сплава типа ковар или иного сплава [1, стр.7/4].

Наличие в конструкции корпуса технологической пары материалов в виде бескислородной жесткой меди и сплава типа ковар:

во-первых, делает эту конструкцию напряженной в силу существенного различия значений термических коэффициентов линейного расширения материалов и, следовательно, недостаточно надежным и корпус в целом и, особенно, при работе в режиме высоких уровней мощности СВЧ;

во-вторых, приводит к значительным потерям на СВЧ, что затрудняет использование данного корпуса для полупроводниковых приборов СВЧ;

Известны корпус для интегральных схем быстродействующей связной радиоэлектронной аппаратуры и способ его изготовления, представляющие собой

- теплоотводящее основание с принудительным охлаждением, выполненное из псевдосплава на основе бескислородной меди и вольфрама либо молибдена;

- рамку со сквозными отверстиями для вводов/выводов, расположенную на одной из поверхностей теплоотводящего основания по его периметру;

- расположенную на упомянутой поверхности основания, по меньшей мере, одну металлическую контактную площадку для расположения и последующего соединения с ним кристалла либо кристаллов интегральной схемы;

- по меньшей мере, два металлокерамических вводов/выводов из алюмосиликатной керамики, при этом проводник выполнен из молибдена либо вольфрама, одни контактные площадки которых выходят на упомянутую поверхность теплоотводящего основания, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу,

В процессе изготовления металлокерамических вводов/выводов на необожженную алюмосиликатную керамику наносят проводники методом тонкопленочной металлизации из молибдена либо вольфрама с последующим высокотемпературным обжигом в окислительно-восстановительной среде;

- при этом металлокерамические вводы/выводы соединены с рамкой пайкой твердым припоем;

- при этом металлокерамические вводы/выводы и сквозные отверстия для них в рамке выполнены прямоугольной формы - прототип [1, стр.7/2].

Использование в данной конструкции корпуса других материалов позволило несколько снизить потери на СВЧ.

Однако и данный корпус не обеспечивает достаточной как надежности и долговечности и особенно при работе в режиме высоких уровней мощности СВЧ, так и выходной мощности СВЧ.

Техническим результатом предлагаемых изобретений является повышение надежности и долговечности и особенно при работе в режиме высоких уровней мощности СВЧ, увеличение выходной мощности СВЧ, повышение технологичности и снижение трудоемкости изготовления, уменьшение массогабаритных характеристик.

Указанный технический результат достигается следующим образом.

Предлагаемым устройством - корпусом для полупроводникового прибора СВЧ, содержащим теплоотводящее основание, рамку со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов, расположенную на одной из поверхностей теплоотводящего основания по его периметру, по меньшей мере, одну металлическую контактную площадку для расположения и последующего соединения с ним кристалла либо кристаллов полупроводникового прибора, расположенные на упомянутой поверхности теплоотводящего основания, по меньшей мере, два металлокерамических ввода/вывода, одни контактные площадки которых выходят на упомянутую поверхность теплоотводящего основания, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу, при этом металлокерамические вводы/выводы соединены с рамкой твердым припоем.

В котором теплоотводящее основание и рамка выполнены монолитно, последняя - в виде бортика по его периметру, толщиной, равной не более 2,0 мм, металлокерамические вводы/выводы выполнены также монолитно в виде проводника из металла или сплава металлов, имеющих низкое электрическое сопротивление, расположенного внутри трубки с размером внутреннего сечения, равным 0,2-1,0 мм, выполненной из предварительно обожженной керамики, металлокерамические вводы/выводы и соответственно сквозные отверстия для них в рамке выполнены круглого сечения, размер сечения которых, длина металлокерамических вводов/выводов, а также размеры сечений их проводников и размер их контактных площадок определяются заданными параметрами полупроводникового прибора, а контактные площадки выполнены на концах металлокерамических вводов/выводов параллельно и/или перпендикулярно их оси.

В теплоотводящем основании вне рамки могут быть выполнены дополнительно сквозные отверстия круглого сечения для металлокерамических вводов/выводов.

Проводник металлокерамического ввода/вывода выполнен из металла бескислородной меди либо золота, либо серебра, либо платины, либо сплава металлов, при этом он может иметь добавку межфазноактивного элемента в виде титана либо хрома, либо марганца, либо бора.

Так и предлагаемым способом его изготовления, включающим последовательное изготовление теплоотводящего основания, рамки со сквозными отверстиями, по меньшей мере, одной металлической контактной площадки на одной из поверхностей упомянутого основания для расположения кристалла либо кристаллов полупроводникового прибора, по меньшей мере, двух металлокерамических вводов/выводов, расположение их в рамке таким образом, что одни их контактные площадки выходят на упомянутую поверхность теплоотводящего основания, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу, и соединение металлокерамических вводов/выводов с рамкой пайкой твердым припоем.

В котором теплоотводящее основание и рамку изготавливают в едином технологическом цикле, монолитно, последнюю - из части материала теплоотводящего основания в виде бортика по его периметру, толщиной, равной не более 2,0 мм, а изготовление металлокерамических вводов/выводов осуществляют посредством размещения металла или сплава металлов, имеющих низкое электрическое сопротивление, внутри трубки заданного размера, выполненной из предварительно обожженной керамики, металлизированной по наружной ее поверхности, последующего нагрева в электрической печи с регулируемой средой до полного расплавления металла или сплава металлов, выдержки при этой температуре не более 10 минут и охлаждения до комнатной температуры, извлечения заготовок металлокерамических вводов/выводов, доводки их до заданного размера, последующего изготовления контактных площадок на их концах параллельно и/или перпендикулярно их оси, очистки металлокерамических вводов/выводов, а соединяют металлокерамические вводы/выводы с рамкой пайкой твердым припоем по их металлизированной наружной поверхности.

Рамку для металлокерамических вводов/выводов и сквозные отверстия в ней изготавливают любым известным способом.

При изготовлении металлокерамических вводов/выводов в качестве металла или сплава металлов, имеющих низкое электрическое сопротивление, берут бескислородную медь либо золото, либо серебро, либо платину, при этом в них может быть введена добавка межфазноактивного элемента в виде титана либо хрома, либо марганца, либо бора не более одного весового процента, а размещают металлы или сплавы металлов внутри трубки заданного размера, выполненной из предварительно обожженной керамики, в виде проволоки, порошка, стружки, а регулируемой средой служит вакуум с натеканием по гелию не ниже 1,3×10-5 м3 Па/с, либо восстановительная среда - водорода или /смеси водорода с азотом с температурой точки росы не более -45°С, либо среда инертного газа, доводку их до заданного размера и изготовление контактных площадок на их концах параллельно и/или перпендикулярно оси осуществляют шлифованием.

При соединении металлокерамических вводов/выводов с рамкой пайкой твердым припоем последний берут в виде сплава бескислородной меди с серебром либо золотом, либо платиной, либо германием, либо меди, нанесенной гальваническим методом на металлизированную наружную поверхность металлокерамических вводов/выводов.

Выполнение металлокерамических вводов/выводов и соответственно сквозных отверстий для них круглого сечения позволяет благодаря простоте и большей технологичности изготовления последних выполнить теплоотводящее основание и рамку для металлокерамических вводов/выводов монолитно.

Выполнение монолитно как теплоотводящего основания и рамки, так и металлокерамических вводов/выводов каждых соответственно раздельно, позволит исключить паяные соединения твердыми припоями между основанием и рамкой, а также между металлом проводника и керамикой ввода/вывода и тем самым повысить:

во-первых, надежность,

во-вторых, долговечность и особенно при работе в режиме высоких уровней мощности СВЧ, при которых, как известно, возрастают тепловые нагрузки на элементы конструкции, могущие вызвать выход их из строя.

Необходимая и достаточная совокупность выполнения с одной стороны металлокерамических вводов/выводов и соответственно сквозных отверстий для них в рамке круглого сечения и с другой - теплоотводящего основания и рамки для металлокерамических вводов/выводов монолитно обеспечит:

- повышение технологичности и снижение трудоемкости изготовления благодаря возможности более точного как изготовления, так и сопряжения элементов корпуса при их взаимном расположении,

- уменьшение массогабаритных характеристик.

Предложен способ изготовления корпуса, в котором и само формирование проводника вводов/выводов и соединение его с керамикой осуществляют в едином технологическом цикле.

При этом соединение происходит благодаря адгезионным и термодиффузионным процессам, протекающим при непосредственном контакте расплавленного металла или сплава металлов проводника с внутренней поверхностью трубки, выполненной из обожженной керамики, в указанной регулируемой среде.

Указанный тип соединения, который имеет место быть между металлом или сплавом металлов проводника и керамикой вводов/выводов, обладает достаточно высокой надежностью и обеспечит герметичность соединения металлокерамических вводов/выводов с рамкой.

Выполнение металлокерамических вводов/выводов из предварительно обожженной керамики, температура обжига которой достаточно высокая (1600-1650°С), позволит использовать в качестве металла или сплава металлов проводника металлокерамических вводов/выводов:

а) менее тугоплавкие металлы, чем, например, молибден или вольфрам,

б) но при этом, которые имеют температуру плавления выше температуры плавления твердого припоя при последующей пайке.

И при этом, и это не менее важно, упомянутый металл или сплав металлов должен иметь максимально низкое электрическое сопротивление.

Наличие одного из указанных межфазноактивных элементов повышает смачиваемость и адгезию расплава металла или сплава металлов к внутренней поверхности трубки, выполненной из обожженной керамики и особенно в случае выполнения металлокерамических вводов/выводов больших размеров и тем самым обеспечит герметичность металлокерамических вводов/выводов.

Возможность использования указанных металлов или сплавов металлов, которые имеют низкое электрическое сопротивление, при прочих упомянутых условиях, в качестве проводника металлокерамических вводов/выводов позволит увеличить выходную мощность СВЧ.

Следует отметить, что из них наиболее предпочтительна бескислородная медь и ее сплавы и, в том числе, с точки зрения ее стоимости.

Выполнение рамки для металлокерамических вводов/выводов указанной толщины, более 2,0 мм, с одной стороны, ограничено требованием целостности рамки, а с другой, нецелесообразно, в том числе из-за увеличения массогабаритных характеристик.

Трубка, выполненная из обожженной керамики именно с указанным малым внутренним диаметром, равным 0,2-1,0 мм, в процессе расплавления в ней металла или сплава металлов проводника, благодаря действию сил, обусловленных капиллярным давлением, обеспечивает как заполнение расплавом трубки, так и необходимый контакт и адгезию расплава к ее внутренней поверхности, и тем самым обеспечивает высокую надежность и герметичность вышеназванного термодиффузионного соединения металла или сплава проводника с обожженной керамикой вводов/выводов.

Регулируемая среда в указанных ее вариантах обеспечивает необходимые технологические условия, в том числе исключающие вероятность окисления материала проводника.

Кроме того, немаловажным является также исключение дорогостоящих материалов молибдена и вольфрама в качестве проводника металлокерамических вводов/выводов.

Кроме того, предлагаемая конструкция корпуса для полупроводниковых приборов СВЧ обеспечит:

- возможность использования при изготовлении корпуса известных групповых методов,

- возможность надежного планарного соединения корпуса с другими элементами устройств и систем радиоэлектронной техники СВЧ, так как в некотором приближении можно рассматривать конструктивное выполнение металлокерамического ввода/вывода в виде полосковой линии.

Таким образом, совокупность предложенных признаков каждого независимого пункта формулы как устройства - корпуса, так и способа его изготовления, обеспечит указанный технический результат, а именно повышение надежности и долговечности, повышение выходной мощности СВЧ, повышение технологичности и снижение трудоемкости изготовления, уменьшение массогабаритных характеристик.

Изобретение поясняется чертежом, где изображены разрез предлагаемого корпуса для полупроводникового прибора СВЧ и металлокерамический ввод/вывод соответственно и обозначено: теплоотводящее основание 1, рамка для металлокерамических вводов/выводов 2, металлическая контактная площадка для расположения кристалла либо кристаллов полупроводникового прибора СВЧ 3, металлокерамические вводы/выводы 4, с контактными площадками, выполненными на их концах, параллельно их оси 5.

Пример 1.

Рассмотрено изготовление корпуса, например для полевого транзистора СВЧ.

Изготовление теплоотводящего основания 1 и рамки со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов 2

Для этого берут пластину из теплопроводящего материала, например из безкислородной меди размером, соответствующим размеру теплоотводящего основания 1. На одной из его поверхностей из части его материала, по его периметру, изготавливают рамку 2 в виде бортика толщиной, равной 1 мм, например фрезерованием.

Затем в рамке - бортике изготавливают сквозные отверстия круглого сечения с размером, равным 0,6 мм, для расположения металлокерамических вводов/выводов 4, например сверлением.

Затем на упомянутой поверхности теплоотводящего основания 1 изготавливают металлическую контактную площадку 3 для расположения и соединения кристалла полевого транзистора СВЧ.

Изготовление металлокерамических вводов/выводов 4

Для этого берут трубку, выполненную из предварительно обожженной керамики, например ВК 94-1, с размером внутреннего ее сечения, равным 0,5 мм, металлизируют ее по наружной поверхности, например, пастой ПСТМ-1. Далее размещают внутри упомянутой трубки бескислородную медь, например, в виде проволоки, равной длине трубки либо с выступающими концами. Далее размещают упомянутое в электрической печи с регулируемой средой, например, сухим водородом с температурой точки росы не выше -20°С, нагревают до температуры плавления бескислородной меди и выдерживают при температуре, равной 1083-1150°С, в течение 5 минут, охлаждают до комнатной температуры.

Извлекают заготовку металлокерамических вводов/выводов 4 из электрической печи, производят доводку их до заданного размера и изготавливают контактные площадки на их концах, параллельно их оси шлифованием, далее производят очистку металлокерамических вводов/выводов, например, в ацетоне с использованием ультразвука.

Далее располагают изготовленные металлокерамические вводы/выводы 4 в рамке 2, одними контактными площадками к упомянутой поверхности основания 1, а другими - через сквозные отверстия в рамке наружу и соединяют металлокерамические вводы/выводы с рамкой пайкой твердым припоем, например ПСр-72 В, по их металлизированной наружной поверхности.

Примеры 2-3.

Аналогично примеру 1 изготовлены корпуса для полевого транзистора СВЧ, но при других значениях толщины рамки, размера внутреннего сечения трубки, выполненной из предварительно обожженной керамики, указанных в формуле изобретения.

Изготовленные образцы корпуса для полевого транзистора СВЧ прошли испытания на предмет герметичности и надежности.

Герметичность определяли с помощью гелиевого течеискателя типа ПТИ-10 по техническим требованиям согласно ОСТ 11 332.702-89.

Оценку надежности по герметичности и сохранению целостности проводили методом термоциклирования при определенном режиме согласно ОСТ 11 332.702-89 и дополнительных термоциклов по режиму «Приложение», таблица 1, до потери ими герметичности.

Как показали результаты испытаний, изготовленные образцы корпусов имели герметичность по натеканию гелия не более 1,33×10-11 м3Па/с.

Герметичность и целостность их сохранились как после основного термоциклирования, так и 30 дополнительных термоциклов.

Таким образом, предлагаемые как корпус для полупроводникового прибора СВЧ, так и способ его изготовления, позволят по сравнению с прототипом повысить:

во-первых, надежность,

во-вторых, долговечность и особенно при работе в режиме высоких уровней мощности СВЧ,

в-третьих, выходную мощность СВЧ.

А также повысить технологичность и снизить трудоемкость изготовления, уменьшить массогабаритные характеристики.

Кроме того, предлагаемая конструкция корпуса обеспечит:

- возможность использования при изготовлении корпуса известных групповых методов,

- возможность надежного планарного соединения корпуса с другими элементами устройств и систем радиоэлектронной техники СВЧ.

Кроме того, экономию дорогостоящих материалов, таких как молибден и вольфрам.

Источник информации

1. Colloq. Microwave Packag., London, 14 Apr. 1986. Electron. Div, PGE 12. London, 1986.

1.КорпусдляполупроводниковогоприбораСВЧ,содержащийтеплоотводящееоснование,рамкусосквознымиотверстиямидляметаллокерамическихвводов/выводов,расположеннуюнаоднойизповерхностейтеплоотводящегооснованияпоегопериметру,поменьшеймере,однуметаллическуюконтактнуюплощадкудлярасположенияипоследующегосоединенияснимкристаллалибокристалловполупроводниковогоприбора,расположенныенаупомянутойповерхноститеплоотводящегооснования,поменьшеймере,дваметаллокерамическихввода/вывода,одниконтактныеплощадкикоторыхвыходятнаупомянутуюповерхностьтеплоотводящегооснования,адругие-черезсквозныеотверстияврамкенаружу,приэтомметаллокерамическиевводы/выводысоединенысрамкойтвердымприпоем,отличающийсятем,чтотеплоотводящееоснованиеирамкавыполненымонолитно,последняя-ввидебортикапоегопериметру,толщиной,равнойнеболее2,0мм,металлокерамическиевводы/выводывыполненытакжемонолитноввидепроводникаизметаллаилисплаваметаллов,имеющихнизкоеэлектрическоесопротивление,расположенноговнутритрубкисразмеромвнутреннегосечения,равным0,2-1,0мм,выполненнойизпредварительнообожженнойкерамики,металлокерамическиевводы/выводыисоответственносквозныеотверстиядлянихврамкевыполненыкруглогосечения,размерсечениякоторых,длинаметаллокерамическихвводов/выводов,атакжеразмерысеченийихпроводниковиразмерихконтактныхплощадокопределяютсязаданнымипараметрамиполупроводниковогоприбора,аконтактныеплощадкивыполненынаконцахметаллокерамическихвводов/выводовпараллельнои/илиперпендикулярноихоси.12.КорпусдляполупроводниковогоприбораСВЧпоп.1,отличающийсятем,чтовтеплоотводящемоснованиимогутбытьвыполненыдополнительносквозныеотверстиякруглогосечениядляметаллокерамическихвводов/выводов.23.КорпусдляполупроводниковогоприбораСВЧпоп.1,отличающийсятем,чтопроводникметаллокерамическоговвода/выводавыполненизметаллабескислородноймедилибозолота,либосеребра,либоплатины,илисплаваметаллов,приэтомонможетиметьдобавкумежфазноактивногоэлементаввидетитаналибохрома,либомарганца,либобора.34.СпособизготовлениякорпусаполупроводниковогоприбораСВЧ,включающийпоследовательноеизготовлениетеплоотводящегооснования,рамкисосквознымиотверстиями,поменьшеймере,однойметаллическойконтактнойплощадкинаоднойизповерхностейупомянутогооснованиядлярасположениякристаллалибокристалловполупроводниковогоприбора,поменьшеймере,двухметаллокерамическихвводов/выводов,расположениеихврамкетакимобразом,чтоодниихконтактныеплощадкивыходятнаупомянутуюповерхностьтеплоотводящегооснования,адругие-черезсквозныеотверстияврамкенаружуисоединениеметаллокерамическихвводов/выводовсрамкойпайкойтвердымприпоем,отличающийсятем,чтотеплоотводящееоснованиеирамкуизготавливаютвединомтехнологическомцикле,монолитно,последнюю-изчастиматериалатеплоотводящегооснованияввидебортикапоегопериметру,толщинойравнойнеболее2,0мм,аизготовлениеметаллокерамическихвводов/выводовосуществляютпосредствомразмещенияметаллаилисплаваметаллов,имеющихнизкоеэлектрическоесопротивление,внутритрубкизаданногоразмера,выполненнойизпредварительнообожженнойкерамики,металлизированнойпонаружнойееповерхности,последующегонагревавэлектрическойпечисрегулируемойсредойдополногорасплавленияметаллаилисплаваметаллов,выдержкиприэтойтемпературенеболее10минутиохлаждениядокомнатнойтемпературы,извлечениязаготовокметаллокерамическихвводов/выводов,доводкиихдозаданногоразмераипоследующегоизготовленияконтактныхплощадокнаихконцахпараллельнои/илиперпендикулярнооси,очисткиметаллокерамическихвводов/выводов,асоединяютметаллокерамическиевводы/выводысрамкойпайкойтвердымприпоемпоихметаллизированнойнаружнойповерхности.45.СпособизготовлениякорпусаполупроводниковогоприбораСВЧпоп.4,отличающийсятем,чторамкудляметаллокерамическихвводов/выводовисквозныеотверстиявнейизготавливаютлюбымизвестнымспособом.56.СпособизготовлениякорпусаполупроводниковогоприбораСВЧпоп.4,отличающийсятем,чтоприизготовленииметаллокерамическихвводов/выводоввкачествеметаллаилисплаваметаллов,имеющихнизкоеэлектрическоесопротивление,берутбескислороднуюмедьлибозолото,либосеребро,либоплатину,приэтомвнихможетбытьвведенадобавкамежфазноактивногоэлементаввидетитаналибохрома,либомарганца,либоборанеболееодноговесовогопроцента,аразмещаютметаллыилисплавыметалловвнутритрубкизаданногоразмера,выполненнойизпредварительнообожженнойкерамики,ввидепроволоки,порошка,стружки,арегулируемойсредойслужитвакуумснатеканиемпогелиюнениже1,3×10мПа/с,либовосстановительнаясреда-водородаилисмесьводородасазотомстемпературойточкиросынеболее-45°С,либосредаинертногогаза,доводкуихдозаданногоразмераиизготовлениеконтактныхплощадокнаихконцахпараллельнои/илиперпендикулярноосиосуществляютшлифованием.67.СпособизготовлениякорпусаполупроводниковогоприбораСВЧпоп.4,отличающийсятем,чтоприсоединенииметаллокерамическихвводов/выводовсрамкойпайкойтвердымприпоем,последнийберутввидесплавабескислородноймедиссеребромлибозолотом,либоплатиной,либогерманием,либобескислородноймеди,нанесеннойгальваническимметодомнаметаллизированнуюнаружнуюповерхностьметаллокерамическихвводов/выводов.7
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 62.
10.01.2013
№216.012.18f7

Устройство для вакуумного нанесения материала

Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к устройствам для вакуумного нанесения материалов, предназначенных, прежде всего, для использования в электронной технике. Устройство для вакуумного нанесения материала содержит вакуумную камеру, в которой расположены испаритель наносимого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471883
Дата охранного документа: 10.01.2013
20.01.2013
№216.012.1df8

Смеситель свч

Изобретение относится к электронной технике. Достигаемый технический результат - расширение рабочего диапазона частот, в том числе включая крайне высокие, снижение потерь преобразования. Смеситель СВЧ содержит коаксиально-волноводный тройник в виде отрезка прямоугольного волновода, коаксиальную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473166
Дата охранного документа: 20.01.2013
10.02.2013
№216.012.24cb

Интегральная схема свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно интегральным схемам СВЧ, и может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик, повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474921
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.04.2013
№216.012.34e0

Двухканальный переключатель свч

Изобретение относится к технике СВЧ. Двухканальный переключатель СВЧ содержит три линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна линия передачи предназначена для входа СВЧ сигнала, две другие - для выхода, отрезок линии передачи, два полевых транзистора с барьером Шотки....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002479079
Дата охранного документа: 10.04.2013
20.06.2013
№216.012.4c24

Способ изготовления изделий из огнеупорного керамического материала для электронной техники свч

Изобретение относится к способу изготовления изделий из огнеупорного керамического материала для использования в электронной технике СВЧ: муфеля печи, лодочки и их элементов. Поверхность частиц оксида алюминия увлажняют поверхностно-активным веществом, смешивают частицы оксида алюминия и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485074
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4de9

Устройство для измерения полного сопротивления двухполюсника на свч

Изобретение относится к измерительной технике на СВЧ и может использоваться при проектировании изделий электронной техники СВЧ различного назначения. Техническим результатом выступает расширение рабочей полосы частот и снижение погрешности измерений, а также упрощение конструкции и возможность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485527
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4e47

Способ изготовления мощного транзистора свч

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощного транзистора СВЧ включает формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии, по меньшей мере, одного кристалла транзистора, формирование электродов транзистора, формирование, по меньшей мере, одного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485621
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.08.2013
№216.012.5e55

Гибридная интегральная схема свч

Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик гибридных интегральных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489770
Дата охранного документа: 10.08.2013
27.09.2013
№216.012.7055

Устройство для измерения параметров рассеяния четырехполюсника на свч

Заявлено устройство относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров рассеяния четырехполюсника на СВЧ. Техническим результатом заявленного устройства выступает упрощение и повышение точности устройства для измерения параметров рассеяния четырехполюсника на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494408
Дата охранного документа: 27.09.2013
27.09.2013
№216.012.70ab

Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора свч

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора СВЧ включает изготовление высокотеплопроводного основания и рамки из металла или сплава металлов, изготовление выводов, совмещение рамки с выводами и высокотеплопроводного основания,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494494
Дата охранного документа: 27.09.2013
Показаны записи 1-6 из 6.
27.09.2013
№216.012.70ab

Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора свч

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора СВЧ включает изготовление высокотеплопроводного основания и рамки из металла или сплава металлов, изготовление выводов, совмещение рамки с выводами и высокотеплопроводного основания,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494494
Дата охранного документа: 27.09.2013
10.04.2016
№216.015.2c9c

Корпус для полупроводникового прибора свч

Использование: для полупроводниковых приборов СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что корпус для полупроводникового прибора СВЧ содержит высокотепло- и электропроводное основание, рамку по периметру одной из поверхностей высокотепло- и электропроводного основания со сквозными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002579544
Дата охранного документа: 10.04.2016
11.03.2019
№219.016.d8c6

Окно ввода и/или вывода энергии свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к выходным устройствам электронных СВЧ-приборов. Техническим результатом является повышение надежности, выхода годных приборов при снижении потерь мощности СВЧ. Окно ввода и/или вывода энергии СВЧ выполнено в виде диэлектрической пластины из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002313865
Дата охранного документа: 27.12.2007
11.03.2019
№219.016.d9ba

Припой для пайки

Изобретение может быть использовано при пайке различных элементов изделий электронной техники из оксидных диэлектрических материалов между собой либо с элементами из металлов, в частности из меди, или из их сплавов, прежде всего, элементов электровакуумных изделий СВЧ. Припой получен при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002374056
Дата охранного документа: 27.11.2009
29.03.2019
№219.016.f6d7

Способ изготовления листового стекла из полого стеклянного цилиндра

Изобретение относится к области изготовления листового стекла из полых стеклянных цилиндров. Техническим результатом является повышение прозрачности листового стекла, а также возможность получения листового стекла с толщиной, близкой к толщине стекла исходного полого стеклянного цилиндра, и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002433090
Дата охранного документа: 10.11.2011
29.06.2019
№219.017.9c1b

Способ изготовления корпуса для полупроводникового прибора свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к металлокерамическим корпусам для полупроводниковых приборов СВЧ. Сущность изобретения: в способе изготовления корпуса для полупроводникового прибора СВЧ при изготовлении рамки металл или сплав металлов берут в виде ленты заданной толщины,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002345444
Дата охранного документа: 27.01.2009
+ добавить свой РИД