Вид РИД
Изобретение
Известные тиристорные распределители с конденсаторными связями имеют пониженную помехозащищенность, обусловленную тем, что зарядные токи конденсаторов проходят через цепи управления тиристоров.
В предложенном однотактном распределителе на тиристорах для повышения помехоустойчивости ко входу каждого тиристора подключена ферриттранзисторная ячейка. При этом первичная обмотка трансформатора соединена с отрицательным полюсом источника питания и обкладкой запоминающего конденсатора, второй обкладкой присоединенного к катоду предыдущего тиристора. Одна из вторичных обмоток трансформатора включена в цепь эмиттер - база транзистора, эмиттер которого соединен с анодом последующего тиристора, а его управляющий электрод через другую вторичную обмотку трансформатора подключен к коллектору транзистора.
На чертеже представлена принципиальная схема распределителя.
Если к шинам питания приложено напряжение и на вход тиристора 1 подан управляющий сигнал, тиристор открывается. Через первичную обмотку 2 трансформатора 3 связи заряжается конденсатор 4. Э.д.с., наводимая в базовой обмотке, транзистор 5 не открывает. При снятии питающего напряжения тиристор 1 закрывается. Для продвижения включенного состояния тиристора на один шаг питания снимается только на время, достаточное для надежного закрывания тиристора.
После закрывания тиристора 1, конденсатор 4 разряжается через резистор 6 и первичную обмотку 2 трансформатора 3 связи. Ток разряда наводит в базовой обмотке 7 э.д.с. полярности, открывающую транзистор 5. Трансформатор связи рассчитывают так, чтобы импульс в обмотке 7, открывающий транзистор 5, продолжался и при подаче напряжения питания после паузы.
Когда транзистор 5 открывается, в действие вступает положительная обратная связь через коллекторную обмотку. Ферритовое кольцо намагничивается током разряда конденсатора в обмотке 2 и коллекторным током в обмотке 8, а размагничивается током в базовой обмотке 7. Транзистор переходит в режим насыщения, в коллекторной цепи его появляется кратковременный мощный импульс тока, определяемый величиной ограничивающего сопротивления 9 и сопротивлением нагрузки 10 в цепи катода тиристора 11. Этого тока достаточно, чтобы включить тиристоры с самыми большими токами открывания и тем самым обеспечить надежную работу распределителя при широком диапазоне изменения параметров тиристоров вследствие их технологического разброса, старения, изменения температуры окружающей среды, а также при широком диапазоне изменения напряжения питания. Так как ферриттранзисторной ячейкой формируется мощный импульс тока в управляющей цепи тиристора с длительностью, в основном зависящей от параметров трансформатора связи, можно получать эти импульсы весьма короткими и, следовательно, добиваться высокой частоты переключений, определяемой временем закрывания тиристоров. Время заряда запоминающего конденсатора незначительно и также определяется параметрами трансформатора связи.
Между ячейками распределителя нет гальванической связи. База транзистора типа р-n-р через обмотку 7 соединена с положительной шиной. Этим достигается надежное ограничение тока в управляющей цепи тиристоров, как в нормальном режиме работы, так и при подаче напряжения питания, кратковременных его изменениях и т.д. Следовательно, распределитель имеет повышенную помехоустойчивость.
Распределитель выполнен с относительно малым числом проводов (три). Конструктивно запоминающий конденсатор, трансформатор связи и транзистор могут быть оформлены в виде малогабаритного модуля.
Однотактный распределитель на тиристорах, содержащий запоминающие конденсаторы, отличающийся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, ко входу каждого тиристора подключена ферриттранзисторная ячейка, причем первичная обмотка трансформатора соединена с отрицательным полюсом источника питания и обкладкой запоминающего конденсатора, второй обкладкой соединенного с катодом предыдущего тиристора, одна из вторичных обмоток упомянутого трансформатора включена в цепь эмиттер - база транзистора, эмиттер которого соединен с анодом последующего тиристора, управляющий электрод которого через другую вторичную обмотку трансформатора подключен к коллектору транзистора.