Вид РИД
Изобретение
Известные модуляторы длительности импульсов не обеспечивают высокой линейности модуляционной характеристики и имеют недостаточно широкую зону мягкого возбуждения.
Предложенное устройство позволяет существенно расширить диапазон линейности модуляционной характеристики и увеличить зону мягкого возбуждения модулятора.
Модулятор выполнен по схеме управляемого мультивибратора на транзисторах с источником управляющего напряжения в цепях перезаряда времязадающих конденсаторов и отличается от известных тем, что в нем симметрично между общими точками соединения отключающих диодов с диодами отрицательной обратной связи одних транзисторов и общими точками соединения времязадающих конденсаторов с коллекторами других транзисторов включены последовательно с сопротивлениями диоды, а в цепях отрицательной обратной связи последовательно с диодами включены индуктивности.
Принципиальная схема модулятора показана на чертеже.
Модулятор содержит основные транзисторы 1 управляемого мультивибратора, транзисторы 2 для преобразования входного управляющего напряжения в разрядные токи коллекторов, разделительные диоды 3 для отключения коллекторной разрядной цепи (во время разряда) от базовых цепей транзисторов, диоды 4 нелинейной отрицательной обратной связи, времязадающие конденсаторы 5, сопротивления 6 и диоды 7, служащие для повышения линейности модуляционной характеристики, и индуктивности 8, служащие для расширения зоны мягкого возбуждения.
Устройство работает следующим образом.
При входном управляющем напряжении, равном нулю, на обоих выходах модулятора генерируются симметричные прямоугольные импульсы со скважностью 2.
При изменении входного управляющего напряжения в зависимости от полярности происходит уменьшение (или увеличение) тока коллектора одного транзистора 2 и одновременно - увеличение (или уменьшение) тока коллектора другого транзистора. Изменение токов приводит к пропорциональному изменению коэффициента заполнения импульсов на выходе модулятора.
В модулятор введены сопротивления 6 и диоды 7 перекрестной положительной обратной связи, а последовательно с диодами 4 нелинейной отрицательной обратной связи включены индуктивности 8.
Благодаря сопротивлениям 6 модулятор постоянно работает в режиме, при котором транзисторы 1 не переходят в ненасыщенную область, т.е. расширяется линейная область работы модулятора. При этом возможна работа при небольших токах, а следовательно, при малых емкостях конденсаторов и малых коллекторных сопротивлениях.
Однако работа схемы возможна лишь при наличии индуктивностей 8, которые обеспечивают коэффициент передачи по переменному току в замкнутом контуре (по петле обратной положительной связи) больше единицы в широком диапазоне изменения входного напряжения: ограничения накладывают лишь допустимые токи транзисторов.
Это приводит к существенному увеличению зоны мягкого возбуждения при линейной модуляционной характеристике.
Линейная область ограничена лишь временем восстановления конденсаторов, которое меньше, чем в известных схемах, и может быть уменьшена известными методами.