ИМПУЛЬСНО-ПОТЕНЦИАЛЬНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ

Известные амплитудные радиоимпульсные ячейки памяти СВЧ-дискретной автоматики на туннельных диодах устанавливаются в состояние «1» радиоимпульсами, а для срыва их автоколебаний используется переменное тактовое напряжение, т.е. они являются тактовыми устройствами. Однако генерируемый ячейками радиоимпульс имеет почти колоколообразную форму, а для их запуска таким радиоимпульсом необходима жесткая синхронизация между фазой переменного напряжения на диоде и положением максимума амплитуды во внешнем радиоимпульсе.

Положение максимума внешнего радиоимпульса и фаза переменного тактового напряжения на диоде зависят от параметров диодов, используемых в схемах, что приводит к необходимости подбирать диоды для установки в элементы, связанные друг с другом.

Предлагаемая ячейка памяти отличается тем, что в ней используется только постоянное напряжение питания, между земляной клеммой и общей точкой двух туннельных диодов включена индуктивность, параллельно которой подключены последовательно соединенные обращенный диод и радиоимпульсный одновибратор на туннельном диоде. Установка в состояния «0» и «1» производится радиоимпульсами, подаваемыми на раздельные входы. Благодаря этому предлагаемая ячейка не обладает недостатками тактовых устройств, а также имеет улучшенные условия запуска, увеличенные допуски на параметры запускающего радиоимпульса и его формирующих туннельных диодов.

На фиг. 1 показана ячейка памяти; на фиг. 2 - расположение рабочих точек, соответствующих положению «0» и «1».

Ячейка памяти состоит из запоминающего элемента и радиоимпульсного одновибратора. Запоминающий элемент включает в себя два автогенератора на туннельных диодах 1 и 2 Собственные емкости диодов с индуктивностями 3 и 4 образуют колебательные контуры, в которых возникают автоколебания при попадании рабочих точек диодов на падающие участки вольтамперных характеристик диодов. На диоды 1 и 2 напряжение питания подается от источника постоянного напряжения 5, параллельно которому включены стабилизирующие сопротивления 6 и 7, зашунтированные блокировочными емкостями 8 и 9.

Величина напряжения питания выбирается таким образом, чтобы рабочие точки, соответствующие положениям «0» и «1», располагались, как показано на фиг. 2.

Индуктивность 10 включена между земляной клеммой и общей точкой туннельных диодов, к которой также присоединен обращенный диод 11.

Для записи «1» в запоминающий элемент через емкость 12 подается радиоимпульс. Радиоимпульс считывания поступает через емкость 13.

Радиоимпульсный одновибратор состоит из туннельного диода 14, собственная емкость которого с индуктивностью 15 образует колебательный контур. Величина стабилизирующего сопротивления 16, зашунтированного блокировочной емкостью 17, такова, что его вольтамперная характеристика пересекает вольтамперную характеристику туннельного диода на первом восходящем участке, что также обеспечено выбором источника 18 постоянного напряжения.

Если запоминающий элемент хранил состояние «1», то радиоимпульс считывания опрокидывает его в состояние «0». Положительный перепад, длительность фронта которого зависит от величины формирующей индуктивности 10, через диод 11 воздействует на одновибратор и перебрасывает его в состояние, соответствующее падающему участку характеристики, где в его колебательном контуре возникают автоколебания, которые через емкость 19 попадают в регистр числа.

Если запоминающий элемент находился в состоянии «0», то радиоимпульс считывания не вызывает положительного перепада, и в одновибраторе не образуется считанный радиоимпульс.

Обращенный диод предохраняет запоминающий элемент от воздействия перепадов напряжения, возникающих при срабатывании одновибратора.

Предлагаемая схема обеспечивает надежное срабатывание при колебаниях параметров запускающего импульса и формирующих туннельных диодов.