×
26.06.2019
219.017.8f02

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0000214630
Дата охранного документа
27.05.1968
Реферат Свернуть Развернуть

Известен способ изготовления пленочных микросхем, основанный на вакуумном напылении на подложку резистивного и токопроводящего слоев, фотопечати изображения схемы, вытравливании пробельных участков и удалении токопроводящих слоев с площадок, занятых резистивными элементами, при использовании золота в качестве токопроводящего слоя. Этот способ экономически невыгоден ввиду значительного расхода золота.

Описываемый способ позволяет уменьшить расход золота. Он состоит в том, что после гальванического нанесения слоя золота на контактные площадки и коммутационные проводники удаляют фоторезист, с пробельных участков удаляют травлением медь и подслой хрома. После этого вторично методом фотопечати защищают фоторезистом участки резистивного слоя, предназначенные для использования в микросхеме в качестве резисторов. Остальные открытые участки резистивного слоя удаляют селективным травлением для резистивного слоя.

Осуществляют данный способ следующим образом.

На подложку напыляют сплошной резистивный слой, например, слой металлосилицидного сплава, который покрывают подслоем хрома. На подслой хрома напыляют медь, посредством фотопечати на фоторезисте наносят на медный слой изображения контактных площадок и коммутационных проводников. Покрыв площадки и проводники слоем золота, удаляют фоторезист.

С пробельных участков травлением удаляют медь и подслой хрома. Вторично методом фотопечати защищают фоторезистом участки резистивного слоя, предназначенные для использования в качестве резисторов в микросхеме, а остальные открытые участки резистивного слоя удаляют селективным травителем для резистивного слоя. В качестве материала подложки может быть использован ситалл. Фоторезист должен быть стойким к электролиту, используемому при нанесении золотого покрытия, например, может быть использован поливинилциннамат. После фотопечати фоторезист термически задубливают. Медный слой вытравливают в растворе персульфата аммония, а хром - в растворе серной кислоты. Вторую печать можно проводить на фоторезисте типа нафтохинондиозида. Для удаления резистивного слоя в качестве травителя используют смесь азотной и плавиковой кислот.

Способ изготовления пленочных микросхем, основанный на вакуумном напылении на подложку резистивного и токопроводящего слоев, фотопечати изображения схемы, вытравливании пробельных участков, удалении токопроводящих слоев с площадок, занятых резистивными элементами, и нанесении защитного слоя золота, отличающийся тем, что, с целью уменьшения расхода золота, после гальванического нанесения слоя золота на контактные площадки и коммутационные проводники удаляют фоторезист, с пробельных участков травлением удаляют медь и подслой хрома, вторично методом фотопечати защищают фоторезистом участки резистивного слоя, предназначенные для использования в качестве резисторов в микросхеме, а остальные открытые участки резистивного слоя удаляют при помощи селективного травления для резистивного слоя.
Источник поступления информации: Роспатент
+ добавить свой РИД