Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕБЛЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ ПОДУПРОВОДНИКА
Вид РИД
Изобретение
Предлагается способ получения углублений в кристаллах полупроводника электрохимическим травлением. В известных способах применяется струйное электрохимическое травление. Основной недостаток его - трудность контроля толщины перемычки между углублениями в кристалле в процессе травления.
В описываемом способе этот недостаток устранен тем, что подлежащая травлению пластина погружается в электролит и зажимается между соосными платиновыми электродами, к которым прикладывают электрическое напряжение и расстояние между которыми непрерывно измеряется одним из известных способов. В качестве электролита может быть использована смесь HF и HNO3 или HF и HCl.
Напряжение, подводимое к платиновым электродам, может быть постоянным или переменным. Процесс электрохимического вытравливания продолжается до тех пор, пока электроды не сблизятся на желаемое расстояние, после чего процесс автоматически прекращается.
Способ получения углублений в кристаллах полупроводника электрохимическим травлением, отличающийся тем, что, с целью осуществления непрерывного контроля толщины перемычки между углублениями в полупроводниковой пластине в процессе травления, последняя погружается в электролит и зажимается между двумя соосными платиновыми электродами, к которым прикладывают электрическое напряжение и расстояние между которыми непрерывно измеряется одним из известных способов.
