Вид РИД
Изобретение
Известны способы очистки технического теллура окислительно-восстановительной обработкой с последующей вакуумной дистилляцией и плавкой или зонной очисткой.
Особенность описываемого способа состоит в том, что технический теллур вначале подвергают перегонке в токе водорода при ~ 700°С, а затем вакуумной ректификации в кварцевой насадочной колонке при остаточном давлении ~ 1 мм рт. ст., температуре в кубе ~ 800°С, в нижней зоне колонки ~ 700°С, в верхней зоне колонки ~ 600°С, в головке колонки 550°С и в конденсаторе ~ 500°С.
Способ позволяет получать продукт высокой степени чистоты (порядка 99,9999%).
По описываемому способу исходный технический теллур, чистотой 99%, содержащий 0,08% Se, 0,01% S, 0,03% Fe, 0,02% Cu, 0,03% Pb, 0,0005% Al, 0,0007% Si, 0,003% Mg, 0,003% Sb, 0,006% Ag и др., подвергают перегонке в токе водорода при температуре ~ 700°С, в результате чего содержание примесей в полученном продукте понижается до ~ 0,0001% Se, 0,00005% Fe, 0,00005% Cu, 0,0001% Pb, 0,0001% Sb.
Полученный продукт чистотой ~ 99,999% подвергают вакуумной ректификации в кварцевой насадочной колонке при следующем режиме: температура в кубе ~ 800°С, в нижней зоне колонки ~ 700°С, в верхней зоне колонки ~ 600°С, в головке колонки ~ 550°С, в конденсаторе ~ 500°С, остаточном давлении в головке колонки ~ 1 мм рт. ст. и флегмовом числе 10.
Выход продукта высокой степени чистоты (≥99,9999%) составляет 95-98%.
Способ очистки теллура, отличающийся тем, что, с целью получения теллура высокой степени чистоты (порядка 99,9999%), вначале производят перегонку технического теллура в токе водорода при ~ 700°С, а затем полученный продукт подвергают вакуумной ректификации в кварцевой насадочной колонке при остаточном давлении ~ 1 мм рт. ст., при температуре в кубе 800°С, в нижней зоне колонки ~ 700°С, в верхней зоне колонки ~ 600°С, в головке колонки ~ 550°С, и в конденсаторе ~ 500°С.