Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК

Известные способы получения монокристаллических пленок не позволяют получить монокристаллические и текстурированные пленки больших размеров из растворимых веществ.

Предложенный способ отличается тем, что пленку получают путем вытягивания инородной смачиваемой подложки из раствора, содержащего кристаллизуемое вещество, со скоростью, обеспечивающей постоянство положения области кристаллизации. При этом процесс кристаллизации происходит вследствие испарения растворителя с поверхности подложки над уровнем раствора. Для ускорения испарения растворителя использована фокусирующая оптическая система радиационного подогрева подложки с щелевой зоной нагрева, параллельной линии раздела раствор - подложка и расположенной около нее. Для уменьшения случайных колебаний уровня поверхности раствора в рабочей зоне последняя ограничивается узкой щелью, боковая поверхность которой образует с поверхностью подложки плоский капилляр.

Предложенный способ иллюстрируется чертежом.

Сосуд 1 с насыщенным при комнатной температуре раствором кристаллизуемого вещества, например триглицинсульфата, помещают в термостат. Подготовленную смачиваемую подложку 2 закрепляют в подвижном держателе так, чтобы полость подложки была расположена перпендикулярно к поверхности раствора. Держатель устанавливают в таком положении, чтобы подложка была погружена в раствор до уровня, от которого должно производиться наращивание пленки. После установления в системе температурного равновесия нагретую до 45-70°С подложку с помощью механизма и системы подачи начинают медленно извлекать из раствора с постоянной заданной скоростью, например 1-10 мм/мин. При этом вследствие испарения растворителя вещество кристаллизуется на поверхности подложки.

Для создания стационарных условий процесса кристаллизации применяют радиационный нагрев подложки от источника света через фокусирующую оптическую систему 3 с горизонтальной щелью. Оптическую систему устанавливают таким образом, чтобы нижний край зоны освещения находится вблизи мениска на границе раствор - подложка. Рабочее пространство вблизи подложки ограничивают диафрагмой 4, непосредственно прилегающей к поверхности раствора и имеющую узкую щель для размещения подложки. Благодаря этому образуется плоский капилляр, в котором устанавливается достаточно стабильный уровень поверхности раствора.