Способ поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последнних букв

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

[0001] Настоящее изобретение относится к способу поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последней буквы, и более конкретно, к способу поиска полупроводниковых деталей алгоритма удаления последних букв, в котором пользователь выполняет повторяющийся поиск путем создания заново выражения запроса для релевантной полупроводниковой детали с использованием алгоритма, который удаляет введенное название релевантной полупроводниковой детали одно за одним, начиная с последних букв в названии полупроводниковой детали, когда он или она пишет название релевантной полупроводниковой детали некорректно или вводит длинное выражение запроса с опечаткой в названии полупроводниковой детали из-за некорректного распознавания номера релевантной полупроводниковой детали во время поиска релевантной полупроводниковой детали, так что пользователь может искать спецификацию полупроводниковой детали, соответствующую названию полупроводниковой детали, запрошенной им или ей, с учетом факта, что различные типы полупроводниковых деталей, выполняющих одинаковую функцию, немного отличаются друг от друга в способах их использования в зависимости от их компаний-производителей, и таким образом спецификация для релевантной полупроводниковой детали должна быть корректно получена для использования необходимой полупроводниковой детали, а типы компаний-производителей и зависящих от производителя полупроводниковых деталей различны, и название релевантной детали состоит из комбинации сложных значений (смысловых).

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

[0002] В целом, примеры символьных поисковых систем Интернета, которые широко используются пользователями в Корее, включают в себя GOOGLE, NAVER и DAUM. В таких поисковых системах пользователи обычно ищут желаемый контент с помощью корректного выражения запроса, основанного на релевантном ключевом слове. Кроме того, поисковые системы обычно выполняют поиск на многих веб-страницах, содержащих слово, соответствующее выражению запроса, введенному пользователем, и выводят веб-страницы, на которых выполнялся поиск, для него или нее, так что он или она нажимает на контент выведенной веб-страницы, чтобы идентифицировать релевантную информацию.

[0003] В формате выражения запроса обычные пользователи ищут желаемый контент, основанный на слове, соответствующем главному ключевому слову, но продолжаются исследования по различным поисковым способам, таким как поисковый способ, основанный на предложении, и поисковый способ, основанный на распознавании голоса пользователя.

[0004] Корейская патентная заявка, выложенная в общий доступ, №10-2008-0113943 описывает способ системы поиска в Интернете и систему, в которой, когда пользователь вводит выражение запроса и выбирает конкретный поисковый узел для запроса на поиск информации, связанной с выражением запроса с использованием пользовательской программы с помощью терминала пользователя, который имеет доступ в Интернет для выполнения запросов, пользовательская программа выводит страницу с результатами поиска, связанную с выражением запросом конкретного поискового узла на первый браузер, включенный в пользовательскую программу, и когда пользователь выбирает конкретный сайт на странице с результатами поиска первого браузера, пользовательская программа или первый браузер анализирует информацию конкретного поискового узла и выводит отдельную страницу с результатами поиска, связанную с выражением запросом на второй браузер, когда результат анализа информации удовлетворяет заданному требованию.

[0005] Однако обычная технология характеризуется тем, что она предоставляет результат поиска, отличающийся от результата поиска, предоставленного поисковым узлом с использованием другой категории поиска, не имеющей отношения к URL поискового узла, зависящему от категории поиска, выбранному пользователем, но тем не менее? имеет ограничение в поиске конкретной технологии из-за проблемы, что он не специализируется в поиске для конкретной области.

[0006] Кроме того, опубликованная корейская патентная заявка №10-2016-0123485, с названием "Method and System For Searching Interested Product and Part Based on Image", касается способа и системы построения базы данных, основанной на изображениях, и способа и системы для поиска интересующего продукта и его детали. В частности, каждое изображение и каждое ключевое слово для продукта и интересующей детали совпадают друг с другом, пользователь может ввести изображение для поиска интересующего продукта и интересующей детали с помощью построения базы данных, в которой совпадающие изображение и ключевое слово хранятся в группах, и группа деталей, используемых в интересующем продукте, и группа продукта, связанного с интересующей деталью, могут предоставляться как результат поиска.

[0007] Однако, хотя такая обычная технология предоставляет способ и систему для поиска продукта или детали, которые пользователь желает найти, необходимо построить базу данных, основанную на изображении, что приводит к увеличению потребностей в ресурсах для системы.

[0008] Кроме того, так как изображение для продукта или детали, которые пользователь хочет найти, используется как средство ввода, пользователь должен защитить файл изображения для релевантного продукта или детали, и далее здесь возникает проблема перегрузки ресурса и низкой скорости поиска в соответствии с технологией согласования изображений для поиска изображений. Кроме того, в случае полупроводниковых деталей существует проблема, что изображения полупроводниковых деталей практически идентичны друг другу, что приводит к низкой точности поиска.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Техническая задача

[0009] Соответственно, данное изобретение сделано, чтобы разрешить вышеупомянутые проблемы, встречающиеся в известном уровне техники, и цель данного изобретения - предложить способ для поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв, в котором пользователь может искать спецификации для полупроводниковых деталей, предлагаемых производителями полупроводниковых деталей, так что пользователь может получать корректную информацию относительно полупроводниковой детали, необходимой пользователю в области полупроводниковых деталей, и в котором, хотя пользователь пишет номер полупроводниковой детали некорректно или в выражении запроса есть опечатка в написании названия полупроводниковой детали, обычно используемого в качестве выражения запроса при поиске полупроводниковой детали, он или она может осуществлять поиск или полупроводниковой детали, соответствующей наиболее похожему номеру детали, или полупроводниковой детали, соответствующей номеру релевантной детали вместе с информацией относительно полупроводниковой детали, которая начинается или заканчивается как номер релевантной детали или содержит номер релевантной детали, с использованием алгоритма, который удаляет последнюю букву некорректно написанного номера детали, так что пользователь может корректно использовать функцию и характеристики релевантной полупроводниковой детали, а также способ использования детали, основанный на штырьках.

Техническое решение

[0010] Для достижения вышеупомянутых целей данное изобретение предлагает способ поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв; способ включает в себя шаги: шаг S110 ввода спецификации для ввода спецификаций по полупроводниковым деталям, изготовленным производителями полупроводниковых деталей, с помощью устройства 110 ввода спецификаций деталей; шаг S120 построения информации, зависящей от деталей, для извлечения информации, описанной в спецификациях по полупроводниковым деталям, загруженных на шаге S110 ввода спецификации, и построения информации по полупроводниковым деталям; шаг S130 ввода запроса, который позволяет пользователю вводить выражение запроса для полупроводниковой детали, которую пользователь хочет искать, чтобы получить информацию относительно полупроводниковой детали; шаг S140 поиска детали для сравнения выражения запроса, введенного пользователем на шаге S130 ввода запроса со словами, содержащимися в информации относительно полупроводниковых деталей, построенной на шаге S120 построения информации, зависящей от деталей, и выполнения поиска детали; шаг S150 вывода результата поиска для вывода информации относительно полупроводниковой детали, которая построена на шаге S120 построения информации, зависящей от деталей, и содержит слово, соответствующее выражению запроса, введенному пользователем на шаге S130 ввода запроса; шаг S160 определения длины названия детали для определения того, является ли длина слова номера детали, использованного как выражение запроса для полупроводниковой детали, которую пользователь хочет найти, большей, чем заданный размер; и шаг S170 удаления последних букв для последовательного ввода выражения запроса шага S130 ввода запроса для поиска таким образом, чтобы удалять последний набор букв слова, введенного пользователем, чтобы получить результат поиска из выражения запроса, состоящего из слова, превышающего заданную длину, на шаге S160 определения длины названия детали.

Положительные эффекты

[0010] В соответствии со способом поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма последних букв данного изобретения, пользователь может заново создавать выражение запроса для релевантной полупроводниковой детали путем удаления введенного названия релевантной полупроводниковой детали одного за одним, начиная с последних букв выражения запроса, введенного пользователем, так что пользователи могут искать выражение запроса в порядке дополнения, чтобы осуществлять поиск желаемой полупроводниковой детали более корректно, хотя он или она некорректно распознает название релевантной полупроводниковой детали или некорректно вводит запрос с опечаткой для названия полупроводниковой детали во время поиска спецификации полупроводниковой детали, когда пользователь желает получить функцию и способ использования полупроводниковой детали, который пользователь хочет использовать, потому что большое разнообразие типов полупроводниковых деталей, имеющих разные функции, поступают на рынок, и полупроводниковые детали, выполняющие одну и ту же функцию, немного отличаются друг от друга в способах их применения в зависимости от их компаний-производителей. Кроме того, данное изобретение может предложить пользователю вместе с полупроводниковой деталью, совпадающей с выражением запроса, введенного пользователем, полупроводниковую деталь, которая начинается или заканчивается как выражение запроса, введенного пользователем, или полупроводниковая деталь включает в себя выражение запроса, введенного пользователем в отношении полученного результата поиска, так что в итоге может быть представлена спецификация полупроводниковой детали, которую хочет пользователь.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

[0012] Вышеупомянутые и другие задачи, отличительные признаки и преимущества данного изобретения будут понятны из последующего подробного описания предпочтительных вариантов осуществления изобретения вместе с прилагаемыми чертежами, в которых:

[0013] Фиг. 1 - блок-схема, показывающая конфигурацию системы поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

[0014] Фиг. 2 - вид, показывающий пример результата поиска, выведенного с помощью устройства вывода системы поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

[0015] Фиг. 3 - схема процесса, показывающая способ поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв, в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

[0016] Фиг. 4 - схема процесса, показывающая шаг построения информации, зависящей от деталей, в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв, в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения.

[0017] Фиг. 5 - схема процесса, показывающая шаг вывода результата поиска в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления набора букв, в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения.

[0018] Фиг. 6 - схема процесса, показывающая шаг поиска деталей в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв, в соответствии с другим вариантом осуществления данного изобретения.

[0019] Фиг. 7 - вид, показывающий пример результата" поиска, выведенного на шаге вывода результата поиска в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с другим вариантом осуществления данного изобретения.

ЛУЧШИЙ ВАРИАНТ ОСУЩЕСЬВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0020] Настоящее изобретение для получения вышеупомянутых результатов направлено на способ поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв. В то же время, в подробном описании и прилагаемых чертежах иллюстрация и объяснение устройства и работы, которые специалист в данной области техники может легко понять, будет дано кратко или будет опускаться во избежание избыточности. В частности, иллюстрация и объяснение подробного технического устройства и работы элементов, которые не имеют прямой связи с техническими отличительными признаками настоящего изобретения, будут опущены, и только технические устройства, напрямую связанные с настоящим изобретением, будут кратко иллюстрироваться и объясняться.

[0021] Далее подробно описывается способ поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с настоящим изобретением.

[0022] Система 100 поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с данным изобретением может включать в себя устройство 110 ввода спецификации деталей, устройство 120 хранения спецификации деталей, устройство 130 конвертации веб-документа, устройство 140 ввода поиска детали, машину 150 поиска деталей и устройство 160 вывода.

[0023] Устройство 110 ввода спецификации деталей, вводит спецификации, содержащие описание для полупроводниковых деталей, изготовленных производителями, которые производят полупроводниковые детали, и функции и способ использования релевантной детали. Устройство 120 для хранения спецификации деталей сохраняет спецификации в формате электронного файла, загруженного на устройство 110 ввода спецификации деталей. Устройство 130 конвертации веб-документа конвертирует спецификации, хранящиеся в формате электронного файла в устройстве 120 хранения спецификации деталей, в HTML-файлы в формате веб-страницы. Устройство 140 ввода поиска детали - это устройство, которое позволяет пользователю вводить слово, то есть выражение запроса, для полупроводниковой детали, которую пользователь желает искать. Перед тем, как пользователь использует релевантную полупроводниковую деталь, он или она должны получить информацию относительно функции и способа использования релевантной полупроводниковой детали, чтобы обеспечить более корректное использование полупроводниковой детали. Таким образом, пользователь вводит название полупроводниковой детали для поиска спецификации релевантной полупроводниковой детали. Система 150 поиска деталей сравнивает название релевантной полупроводниковой детали, введенное пользователем, с названиями полупроводниковых деталей, хранящимися в устройстве 120 хранения спецификации деталей, на основании входного значения, введенного из устройства 140 ввода поиска детали, ищет контент, соответствующий названию релевантной полупроводниковой детали или содержащий релевантное название детали, и передает результат поиска контента на устройство 160 вывода.

[0024] Шаг S120 построения информации, зависящей от деталей, в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения может включать в себя построение информации, полученной путем конвертации спецификаций полупроводниковых деталей, введенных в формате электронного файла, на шаге S110 ввода спецификации в формате HTML-файла, который пользователь легко просматривает на обычной веб-странице, используя устройство 130 конвертирования веб-документа.

[0025] Шаг S120 построения информации, зависящий от деталей, в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения может включать в себя: шаг S121 разделения слов для разделения соответствующих слов, составляющих каждое из предложений, содержащихся в спецификациях для полупроводниковых деталей, загруженных на шаге ввода спецификации S110; шаг S122 извлечения слов описания для извлечения слов, необходимых для описания, из слов, содержащихся в спецификациях, которые разделяются на шаге S121 разделения слов; шаг S123 ввода извлеченных слов для ввода слов, извлеченных на шаге S122 извлечения слов описания, одного за одним в конкретный массив; шаг S124 определения длины слова для измерения и определения длины, то есть количества извлеченных слов, сохраненных в отдельном месте хранения на шаге S123 ввода извлеченного слова; и шаг S125 обозначения краткого описания для обозначения слов, определенных на шаге S124 определения длины слова, как слов, которые должны использоваться в кратком описании.

[0026] Шаг S150 вывода результата поиска в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с другим вариантом осуществления данного изобретения может включать в себя: шаг S151 получения краткого описания для получения слов, которые должны использоваться в кратком описании, и которые обозначены на шаге S12 обозначения краткого описания; шаг S152 установления связи, зависящей от слова, для установления отдельной связи с помощью слов, полученных на шаге S151 получения краткого описания; шаг S153 вывода краткого описания для отображения на экране слов, с помощью которых устанавливается связь на шаге S152 установления связи, зависящей от слова, на кратком описании экрана вывода; шаг S154 нажатия на слово связи для определения, нажимает ли пользователь слово для релевантной полупроводниковой детали, которая описывается в кратком описании; и шаг S155 добавления запроса для того, чтобы, если пользователь щелкает (нажимает) на слово, соответствующее краткому описанию, добавить нажатое слово в поисковое поле, найденное с помощью описаний на шаге S130 ввода запроса, чтобы выполнить поиск совпадения с релевантным словом или содержащий релевантное слово.

[0027] Шаг S140 поиска детали в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с другим вариантом осуществления данного изобретения может включать в себя: шаг S141 создания результата поиска для сравнения выражения запроса для полупроводниковой детали, введенного на шаге S130 ввода запроса со словами, содержащимися в информации относительно полупроводниковых деталей, которая построена в устройстве 120 хранения спецификации детали, и создания результата поиска с извлечением информации относительно всех полупроводниковых деталей, которая содержит введенное выражения запроса; шаг S142 поиска совпадающего значения для последовательного сравнения выражения запроса, введенного пользователем, с результатом поиска, созданного на шаге S141 создания результата поиска, и если существует совпадающее слово, выполнение отдельного поиска только полупроводниковой детали, соответствующей совпадающему слову; шаг S143 создания массива совпадающих значений для сохранения результат для полупроводниковой детали, соответствующей результату поиска на шаге S142 поиска совпадающих значений; шаг S144 поиска начального значения для последовательного сравнения выражения запроса, введенного пользователем, с результатом поиска, созданным на шаге S141 создания результата поиска, и выполнение отдельного поиска только полупроводниковой детали, включающей слова, содержащиеся в информации относительно всех полупроводниковых деталей, которая начинается как слово, введенное пользователем, и после него идет дополнительный набор букв; шаг S145 создания массива начальных значений для хранения результата для полупроводниковой детали, соответствующей результату поиска на шаге S144 поиска начального значения; шаг S146 поиска конечного значения для последовательного сравнения выражения запроса, введенного пользователем, с результатом поиска, созданного на шаге S141 создания результата поиска, и отдельного поиска только полупроводниковой детали, включающей слова, содержащиеся в информации относительно всех полупроводниковых деталей, которая заканчивается как слово, введенное пользователем; шаг S147 создания массива конечных значений для хранения результата для полупроводниковой детали, соответствующей результату поиска на шаге S146 поиска конечного значения; шаг S148 создания массива включенных значений для хранения результата для полупроводниковых деталей, оставшихся после обработки на шаге S142 поиска совпадающего значения, шаге S144 поиска начального значения и шаге S146 поиска конечного значения; и шаг S149 создания «быстрой» клавиши для создания «быстрой» клавиши, так чтобы пользователь мог идентифицировать информацию относительно полупроводниковой детали, найденной пользователем с использованием созданного массива совпадающих значений, созданного массива начальных значений, созданного массива конечных значений и созданного массива включенных значений. Шаг S150 вывода результата поиска может включать в себя вывод для пользователя результата поиска, входящего в массив совпадающих значений, массив начальных значений, массив конечных значений и массив включенных значений «быстрой» клавиши путем идентификации быстрой ссылки, созданной на шаге S149 создания быстрой ссылки, с использованием индексов, таких как «совпадающий», «начальный», «конечный» и «включенный».

ЛУЧШИЙ ВАРИАНТ

[0028] Далее предпочтительные варианты осуществления настоящего изобретения будут описаны подробно со ссылками на фиг. 1-7, так что данное изобретение может легко быть реализовано обычным специалистом, сведущим в данной области техники, к которому относится настоящее изобретение. Предпочтительные варианты осуществления настоящего изобретения могут быть модифицированы в различных формах, и следует понимать, что объем данного изобретения не ограничивается вариантами осуществления, описанными и проиллюстрированными в данном документе. Варианты осуществления настоящего изобретения представлены только для иллюстративных целей и для полного его понимания специалистами в данной области техники. Поэтому формы и относительные размеры составляющих элементов на чертежах могут быть увеличены для ясности и удобства объяснения. Необходимо отметить, что одни и те же элементы или детали на чертежах обозначаются одинаковыми ссылочными позициями, хотя изображены на разных фигурах. В то же время, на прилагаемых чертежах и в подробном описании иллюстрация и объяснение конструкции и работы устройства ввода спецификации деталей, устройства ввода поиска деталей, системы поиска деталей и устройства вывода, которые специалист в данной области техники легко понимает, будет сделано кратко или будет опущено, чтобы избежать избыточности. В частности, иллюстрация и объяснение подробного технического устройства и работы элементов, которые не имеют прямой связи с техническими отличительными признаками настоящего изобретения, будут опущены, и только технические устройства, напрямую связанные с настоящим изобретением, будут кратко иллюстрироваться и объясняться.

[0029] На фиг. 1 представлена блок-схема, показывающая конфигурацию системы поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

[0030] Как показано на фиг. 1, система 100 поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с настоящим изобретением включает в себя устройство 110 ввода спецификации деталей, устройство 120 хранения спецификации деталей, устройство 130 конвертирования веб-документа, устройство 140 ввода поиска детали, машина 150 поиска деталей и устройство 160 вывода.

[0031] Устройство 110 ввода спецификации деталей вводит спецификации, содержащие описание для полупроводниковых деталей, изготовленных производителями, которые производят полупроводниковые детали, и функции и способ использования релевантной детали. Введенные спецификации обычно имеют формат различных компьютерных электронных файлов, таких как форматы PDF-файлов, созданных каждой компанией-производителем полупроводниковых деталей.

[0032] Устройство 110 ввода спецификации деталей может вводить спецификации формата электронного файла таким образом, чтобы загрузить их в систему 100 поиска полупроводниковых деталей. Причина этого в том, что так как производители полупроводниковых деталей находятся в самых разных частях мира, загрузка файлов наиболее эффективна, чтобы предоставить спецификации как информацию относительно полупроводниковых деталей для отдельной системы 100 поиска полупроводниковых деталей.

[0033] Устройство 120 хранения спецификации деталей сохраняет спецификации в формате электронного файла, загруженного на устройство 110 ввода спецификации деталей. Устройство 120 для хранения спецификации деталей извлекает информацию, такую как номер детали (то есть, №детали), путь доступа к файлу, размер файла, номер страницы, производителя, веб-сайт производителя, краткое описание релевантной полупроводниковой детали, и сохраняет спецификацию для полупроводниковых деталей в форме базы данных вместе с извлеченной информацией и электронными файлами спецификации.

[0034] Устройство 130 конвертирования веб-документа конвертирует спецификации, хранящиеся в формате электронного файла в устройстве 120 хранения спецификации деталей, в HTML-файлы в формате веб-страницы. Некоторые пользователи имеют среду, в которой они могут просматривать различные форматы электронных файлов, таких как PDF-файлы, но устройство 130 конвертирования веб-документа конвертирует электронные файлы в HTML-файлы, которые пользователь может просматривать с помощью веб-браузера в Интернете, к которому они имеют доступ.

[0035] Устройство 140 ввода поиска детали - это устройство, которое позволяет пользователю вводить слово, то есть выражение запроса, для полупроводниковой детали, которую пользователь желает искать. Перед тем как пользователь использует релевантную полупроводниковую деталь, он или она должны получить информацию относительно функции и способа использования релевантной полупроводниковой детали, чтобы обеспечить более корректное использование полупроводниковой детали. Таким образом, пользователь вводит название полупроводниковой детали для поиска спецификации релевантной полупроводниковой детали.

[0036] Система 150 поиска деталей сравнивает название релевантной полупроводниковой детали, введенное пользователем, с названиями полупроводниковых деталей, хранящимися в устройстве 120 хранения спецификации деталей, на основании входного значения, введенного из устройства 140 ввода поиска детали, ищет контент, соответствующий названию релевантной полупроводниковой детали или содержащий релевантное название детали, и передает результат поиска контента на устройство 160 вывода.

[0037] Фиг. 2 - вид, показывающий пример результата поиска, выведенного с помощью устройства вывода системы поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

[0038] Как показано на фиг. 2, устройство 160 вывода выводит результат поиска от системы 150 поиска деталей на экран. Устройство 160 вывода может выводить краткое описание, включающее в себя номер детали (то есть №детали) релевантной полупроводниковой детали, путь доступа к файлу спецификации, по которому может быть загружена спецификация, или путь доступа к странице со спецификацией детали, конвертированной устройством конвертирования веб-документов, размер файла и номер страницы спецификации релевантной детали, имя производителя, адрес сайта производителя в виде гиперссылки и тип релевантной детали, которые хранятся в устройстве 120 хранения спецификации деталей в отношении полупроводниковой детали, найденной машиной 150 поиска детали.

[0039] На фиг. 3 показана схема поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв, в соответствии с вариантом осуществления данного изобретения.

[0040] Как показано на Фиг. 3, способ поиска полупроводниковой детали с использованием алгоритма удаления последних букв включает в себя шаг S110 ввода спецификации, шаг S120 построения информации, зависящей от деталей, шаг S130 ввода запроса, шаг S140 поиска детали, шаг S150 вывода результата поиска, шаг S160 определения длины названия детали и шаг S170 удаления последних букв.

[0041] Шаг S110 ввода спецификации - это шаг ввода спецификаций для полупроводниковых деталей, произведенных производителями полупроводниковых деталей, с помощью устройства 110 ввода спецификации деталей. Спецификации для полупроводниковых деталей, введенные на шаге S110 ввода спецификации, напрямую загружаются в формате электронного файла производителями полупроводниковых деталей, которые изготовили соответствующие полупроводниковые детали.

[0042] Шаг S120 построения информации, зависящей от деталей, - это шаг извлечения информации, такой как номер детали (т.е. №детали), путь доступа к файлу спецификации, хранящемуся в устройстве 120 хранения спецификации деталей, размер файла спецификации, номер страницы, веб-сайт производителя и краткое описание релевантной полупроводниковой детали, которые описываются в спецификациях для полупроводниковых деталей, загруженных на шаге S110 ввода спецификации, и построения информации по полупроводниковым деталям на основании извлеченной информации и электронных файлов спецификации. Информация, построенная на шаге S120 построения информации, зависящей от деталей, может храниться в форме базы данных.

[0043] Кроме того, шаг S120 построения информации, зависящей от деталей, может включать в себя построение информации, полученной путем конвертирования спецификаций для полупроводниковых деталей, введенных в формате электронных файлов на шаге S110 ввода спецификации, в формат HTML-файла, который пользователи могут легко просматривать на обычной веб-странице, используя устройство 130 конвертирования веб-документа.

[0044] Шаг S130 ввода запроса - это шаг, на котором пользователь имеет возможность ввести выражение запроса для полупроводниковой детали, которую пользователь желает найти, так чтобы получить информацию о полупроводниковой детали. Пользователи, которые желают использовать полупроводниковые детали, могут иметь информацию относительно релевантной детали, но им, обычно, нужна информация относительно функции релевантной полупроводниковой детали и способ использования, например, способ подключения соответствующих штырьков, которые должны быть подключены, чтобы выполнять функцию, чтобы использовать новую полупроводниковую деталь. Эта информация более корректно описана в спецификации релевантной полупроводниковой детали, предоставленной производителем, и пользователи вводят название полупроводниковой детали на шаге S130 ввода запроса, чтобы найти такую информацию. Название полупроводниковой детали, введенное на шаге S130 ввода запроса, в-основном, является номером детали.

[0045] Шаг S140 поиска детали - это шаг сравнения выражения запроса, введенного пользователем на шаге S130 ввода запроса, со словами, содержащимися в информации относительно полупроводниковой детали, построенной в устройстве 120 хранения спецификации деталей на шаге S120 построения информации, зависящей от деталей, и выполнения поиска детали. Обычно, во многих случаях пользователь вводит номер детали, чтобы различать полупроводниковые детали на шаге S130 ввода запроса, и таким образом сравнение между номерами деталей, обычно, делается на шаге S140 поиска детали. В некоторых вариантах осуществления пользователь может выполнять поиск детали, основываясь на производителе или типе полупроводниковой детали, описанных в кратком описании полупроводниковой детали.

[0046] Шаг S150 вывода результата поиска - это шаг вывода информации касающейся полупроводниковой детали, которая построена на шаге S120 построения информации, зависящей от деталей, если определено, что существует информация относительно полупроводниковой детали, содержащая слово, соответствующее выражению запроса, введенному пользователем на шаге S130 ввода запроса. Информация относительно полупроводниковой детали, выведенная на шаге S150 вывода результата поиска, включает в себя краткое описание, включающее в себя номер детали (т.е. №детали) релевантной полупроводниковой детали, путь доступа к файлу спецификации детали, по которому можно загрузить спецификацию, или путь доступа к странице со спецификацией детали, конвертированной устройством конвертирования веб-документа, размер файла и номер страницы спецификации детали, имя производителя, адрес веб-сайта производителя в виде гиперссылки и тип релевантной детали.

[0047] С другой стороны, если определено на шаге S150 вывода результата поиска, что нет слова, совпадающего с выражением запроса, программа переходит на шаг S160 определения длины названия детали, где количество слов, введенных пользователем, измеряется, чтобы определить, является ли количество слов длиной названия детали, подходящей для поиска полупроводниковой детали.

[0048] Шаг S160 определения длины названия детали - это шаг определения, является ли длина слова номера детали, использованного в качестве выражения запроса для полупроводниковой детали, которую пользователь желает найти, большей, чем заданный размер. Обычно, номер детали, использованный в качестве выражения запроса для полупроводниковой детали, которую пользователь желает найти, имеет преимущественно длину слова, превышающую заданный размер, хотя есть различия между производителями полупроводниковых деталей. Так, если определено, что количество слов, введенных пользователем, измерено, и измеренное количество слов не превышает заданный размер, пользователь может быть информирован отдельным предупреждением, что есть ошибка в самом введенном выражении запроса. В способе поиска полупроводниковой детали с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с данным изобретением, если выражение запроса, введенного пользователем, не состоит из четырех букв, устройство 160 вывода может выдать отдельное предупреждение пользователю, при этом выводя на экран страницу с результатом, не имеющую результатов поиска на шаге S150 вывода результата поиска.

[0049] Шаг S170 удаления последних букв - это шаг удаления последних букв слова, введенного пользователем, чтобы вывести результат поиска из выражения запроса, состоящего из слова, большего, чем заданная длина, на шаге S160 определения длины названия детали. На шаге S170 удаления последних букв нет совпадающего результата для поиска в случае, где пользователь пишет выражение запроса для полупроводниковой детали некорректно или в выражении запроса есть опечатка, или пользователь некорректно распознает само выражение запроса при вводе выражения запроса для полупроводниковой детали, которую пользователь желает найти, например, пользователь вводит *LM3245678* в качестве выражения запроса из-за некорректного написания, или вводит *LM3244444444* в качестве выражения запроса из-за опечатки, хотя номер детали релевантной полупроводниковой детали - *LM324*. Таким образом, пользователь может удалить последнюю букву выражения запроса, введенного пользователем, одну за одной, даже без повторного ввода выражения запроса, так что выражение запроса, в котором была удалена последняя буква одна за одной, представлен как слово для ввода, так что по информации относительно полупроводниковой детали, чей номер детали - *LM324*, может выполняться поиск.

[0050] На шаге S170 удаления последних букв, основанном на новом слове, из которого была удалена последняя буква, новое слово используется как введенное слово шага S130 ввода запроса, или выражение запроса, введенное пользователем на шаге S130 ввода запроса сравнивается со словами, содержащимися в информации относительно полупроводниковых деталей на шаге S140 поиска деталей, чтобы повторно выполнять операцию поиска детали, которая выполняет поиск информации относительно спецификации полупроводниковой детали, содержащей такое же слово, как слово, из которого была удалена последняя буква, и выводит результат поиска информации пользователю с помощью устройства 160 вывода, так что пользователю может быть предоставлена информация относительно полупроводниковой детали, которую пользователь пишет некорректно, или в которой может быть опечатка, или которую пользователь мог некорректно распознать.

[0051] Фиг. 4 представляет схему процесса, показывающую шаг построения информации, зависящей от деталей, в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв, в соответствии с другим вариантом осуществления данного изобретения.

[0052] Как показано на фиг. 4, шаг S120 построения информации, зависящей от деталей, включает в себя шаг S121 разделения слов, шаг S122 извлечения слов описания, шаг S123 ввода извлеченных слов, шаг S124 определения длины слова и шаг S125 обозначения краткого описания. На шаге S120 построения информации, зависящей от деталей, информация, необходимая для краткого описания, может быть построена из спецификации полупроводниковой детали, чтобы представить краткое описание для полупроводниковой детали, которую пользователи желают найти.

[0053] Шаг S121 разделения слов это шаг разделения соответствующих слов, составляющих каждое из предложений, содержащихся в спецификациях для полупроводниковых деталей, загруженных на шаге S110 ввода спецификации. На шаге S121 разделения слов, слова, такие как существительные, глаголы и тому подобные, которые имеют значение, необходимое для описания, отделяются от соответствующих слов, составляющих каждое из предложений.

[0054] Шаг S122 извлечения слов описания - это шаг извлечения слов, необходимых для описания, из слов, содержащихся в спецификациях, которые разделены на шаге S121 разделения слов. На шаге S122 извлечения слов описания, слова, которые могут представлять характеристики соответствующей детали, такие как тип или функция полупроводниковой детали, извлекаются из слов, описанных в спецификациях.

[0055] Шаг S123 ввода извлеченных слов - это шаг ввода слов, извлеченных на шаге S122 извлечения слов описания, одного за одним в заданный массив. На шаге S123 ввода извлеченных слов, извлеченные слова вводятся в отдельное устройство хранения, как массив, для процедуры подтверждения слова, которое должно быть добавлено в краткое описание полупроводниковых деталей.

[0056] Шаг S124 определения длины слова - это шаг измерения и определения длины, то есть количества извлеченных слов, сохраненных в отдельном пространстве хранения на шаге S123 ввода извлеченных слов. На шаге S124 определения длины слова, только слова, состоящие из трех букв или более, обозначаются в кратком описании, на основании определения, что слово, состоящее по меньшей мере из трех букв, необходимо, чтобы описание релевантной полупроводниковой детали имело значение.

[0057] Шаг S125 обозначения краткого описания - это шаг обозначения слов, определенных на шаге S124 определения длины слова как слов, которые должны использоваться в кратком описании. На шаге S125 обозначения краткого описания, слова, обозначенные для краткого описания, раздельно хранятся как отдельные объекты в структуре информации относительно релевантной полупроводниковой детали, так что определенные слова могут быть выведены как краткое описание для релевантной полупроводниковой детали для пользователя.

[0058] Фиг. 5 представляет схему процесса, показывающую шаг вывода результата поиска в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв, в соответствии с другим вариантом осуществления данного изобретения.

[0059] Как показано на фиг. 5, шаг S151 вывода результата поиска включает в себя шаг S151 получения краткого описания, шаг S152 установления связи, зависящей от слова, шаг S153 вывода краткого описания, шаг S154 нажатия на слово связи и шаг S155 добавления запроса.

[0060] Шаг S151 получения краткого описания - это шаг получения слов, которые должны использоваться в кратком описании, которые обозначены на шаге S125 обозначения краткого описания. На шаге S151 получения краткого описания, полученные слова, которые должны использоваться в построенном кратком описании, выводятся в кратком описании результата поиска в соответствии с выражением запроса от пользователя.

[0061] Шаг S152 установления связи, зависящей от слова, - это шаг установления связи с помощью слов, полученных на шаге S151 получения краткого описания. Слова, которые используются в кратком описании, означают слова, которые описывают релевантную полупроводниковую деталь, и одновременно полезны при поиске аналогичных других полупроводниковых деталей. Таким образом, связь устанавливается с помощью каждого слова.

[0062] Шаг S153 вывода краткого описания - это шаг вывода слов, с помощью которых устанавливается связь на шаге S152 установления связи, зависящей от слова, в кратком описании на экране вывода.

[0063] Шаг S154 нажатия на слово связи - шаг определения, нажал ли пользователь на слово для релевантной полупроводниковой детали, которая описывается в кратком описании.

[0064] Шаг S155 добавления запроса - это шаг, если пользователь нажимает на слово, соответствующее краткому описанию на шаге S154 нажатия на слова связи, добавления нажатого слова в поисковую строку, найденную с помощью описаний шага S130 ввода запроса, чтобы выполнить поиск совпадения с релевантным словом или содержащий релевантное слово. С помощью этого шага, в случае, когда пользователь знает номер связанной детали, хотя он или она некорректно знает номер детали, которую нужно найти, пользователь может искать аналогичные другие полупроводниковые детали лично из краткого описания, полученного путем поиска полупроводниковой детали, которой приписан номер связанной детали.

[0065] Фиг. 6 представляет схему процесса, показывающую шаг поиска деталей в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв, в соответствии с другим вариантом осуществления данного изобретения.

[0066] Как показано на фиг. 6, шаг S140 поиска детали включает в себя шаг S141 создания результата поиска, шаг S142 поиска совпадающих значений, шаг S143 создания массива совпадающих значений, шаг S144 поиска начального значения, шаг S145 создания массива начальных значений, шаг S146 поиска конечного значения, шаг S147 создания массива конечных значений, шаг S148 создания массива включенных значений и шаг S149 создания «быстрой» клавиши.

[0067] Шаг S141 создания результата поиска - это шаг сравнения выражения запроса для полупроводниковой детали, введенного на S130 ввода запроса, со словами, содержащимися в информации по полупроводниковым деталям, которая построена в устройстве 120 хранения спецификаций деталей, и создания результата поиска извлечения информации относительно всех полупроводниковых деталей, которые содержат введенное выражение запроса. Шаг S141 создания результата поиска использует формат, в котором результат поиска вводится в отдельный массив.

[0068] Шаг S142 поиска совпадающих значений - это шаг последовательного сравнения выражения запроса, введенного пользователем, с результатом поиска, созданного на шаге S141 создания результата поиска, и, если существует совпадающее слово, отдельного поиска только полупроводниковой детали, соответствующей совпадающему слову.

[0069] Шаг S143 создания массива совпадающих значений - это шаг для сохранения результата для полупроводниковой детали, соответствующей результату поиска на шаге S142 поиска совпадающих значений. Шаг S143 создания массива совпадающих значений использует формат, в котором результат для полупроводниковой детали, созданный на шаге S143 создания массива совпадающих значений, вводится один за одним в отдельный массив. Даже после того, как созданный массив совпадающих значений выведен для пользователя, информация относительно полупроводниковой детали может быть идентифицирована непрерывно с помощью связи, и таким образом, ее необходимо сохранять в устройстве хранения, таком как память до завершения участка.

[0070] Шаг S144 поиска начального значения - это шаг последовательного сравнения выражения запроса, введенного пользователем, с результатом поиска, созданного на шаге S141 создания результата поиска, и отдельного поиска только полупроводниковой детали, включающей слова, содержащиеся в информации относительно всех полупроводниковых деталей, которые начинаются как слово, введенное пользователем, и после этого идут дополнительные буквы.

[0071] Шаг S145 создания массива начальных значений - это шаг для сохранения результата для полупроводниковой детали, соответствующей результату поиска на шаге S144 поиска начального значения. Шаг S145 создания массива начальных значений использует формат, в котором результат для полупроводниковой детали, который создан на шаге S145 создания массива начальных значений, вводится один за одним в отдельный массив. Даже после того, как созданный массив начальных значений выведен для пользователя как массив совпадающих значений, информация относительно полупроводниковой детали может быть идентифицирована непрерывно с помощью связи, соединенной с каждым словом, и таким образом, ее можно сохранять в запоминающем устройстве, таком как отдельная память до завершения участка.

[0072] Шаг S146 поиска конечного значения - это шаг последовательного сравнения выражения запроса, введенного пользователем, с результатом поиска, созданного на шаге S141 создания результата поиска, и отдельного поиска только полупроводниковой детали, включающей слова, содержащиеся в информации относительно всех полупроводниковых деталей, которые заканчиваются как слово, введенное пользователем.

[0073] Шаг S147 создания массива конечных значений - это шаг сохранения результата для полупроводниковой детали, соответствующей результату поиска на шаге S146 поиска конечного значения. Шаг S147 создания массива конечных значений использует формат, в котором результат для полупроводниковой детали, который создан на шаге S147 создания массива конечных значений, вводится один за одним в отдельный массив. Даже после того, как созданный массив конечных значений выведен как результат поиска для пользователя как массив совпадающих значений, информация относительно полупроводниковой детали может быть идентифицирована непрерывно с помощью связи, соединенной с каждым словом, и таким образом, ее можно сохранять в устройстве хранения, таком как отдельная память, до завершения сегмента.

[0074] Шаг S148 создания массива включенных значений - это шаг сохранения результата для полупроводниковых деталей, оставшихся после обработки на шаге S142 поиска совпадающих значений, шаге S144 поиска начального значения и шаге S146 поиска конечного значения. Шаг S148 создания массива включенных значений использует формат, в котором результат для полупроводниковой детали, который создан на шаге S148 создания массива включенных значений, вводится один за одним в отдельный массив. Даже после того, как созданный массив включенных значений выведен как результат поиска для пользователя, информация относительно полупроводниковой детали может быть идентифицирована непрерывно с помощью связи, соединенной с каждым словом, и таким образом, ее можно сохранять в устройстве хранения, таком как отдельная память, до завершения сегмента.

[0075] Шаг S149 создания «быстрой» клавиши - это шаг создания быстрой» клавиши, так чтобы пользователь мог идентифицировать информацию относительно полупроводниковой детали, найденной пользователем с использованием созданного массива совпадающих значений, созданного массива начальных значений, созданного массива конечных значений и созданного массива охваченных значений. Шаг S149 создания «быстрой» клавиши может создать «быструю» клавишу, используя способ, который устанавливает идентификатор для каждого массива или объединяет массивы в единый массив, а затем выполняет шаг установки для различения между соответствующими массивами. Даже после того, как созданный массив «быстрых» клавиш выведен как результат поиска для пользователя, информация относительно полупроводниковой детали может быть идентифицирована с помощью связи, соединенной с каждым словом, и таким образом, ее необходимо сохранять в устройстве хранения, таком как отдельная память, до завершения сегмента.

[0076] Фиг. 7 представляет вид, показывающий пример результата поиска, выведенного на шаге вывода результата поиска в способе поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с другим вариантом осуществления данного изобретения.

[0077] Как показано на фиг. 7, шаг S150 вывода результата поиска включает в себя вывод для пользователя результата поиска, входящего в массив совпадающих значений, массив начальных значений, массив конечных значений и массив включенных значений «быстрой» клавиши путем идентификации «быстрой» клавиши, созданной на шаге S149 создания «быстрой» клавиши, с использованием индексов, таких как «совпадающий», «начальный», «конечный» и «включенный». На шаге S150 вывода результата поиска, результат для выражения запроса, введенного пользователем, выводится для пользователя. Кроме того, в случае, когда количества массива совпадающих значений, массива начальных значений, массива конечных значений и массива включенных значений «быстрой» клавиши не достаточны для создания экрана вывода, результат поиска может быть выведен так, чтобы массив совпадающих значений, массив начальных значений, массив конечных значений и массив включенных значений могли быть организованы правильным образом относительно различных индексов. Например, в случае, когда количество результатов поиска «совпадающих» с выражением запроса, введенного пользователем, невелико, а количество результатов поиска «начинающихся» как выражение запроса, введенного пользователем, велико, до одной буквы может быть выбрано из результатов поиска, «начинающихся» как выражение запроса, введенного пользователем, так чтобы его дополнительно вывести на экран в результатах поиска «совпадающих» с выражением запроса, введенного пользователем.

[0078] Как описывается выше, хотя способ для поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с данным изобретением был описан и проиллюстрирован в связи с конкретными примерами вариантов осуществления со ссылками на прилагаемые чертежи, специалистам в данной области техники необходимо понимать, что различные модификации и изменения могут быть сделаны в данном изобретении в пределах сущности и объема данного изобретения, определенных в формуле изобретения.

ПРОМЫШЛЕННАЯ ПРИМЕНИМОСТЬ

[0079] Способ для поиска полупроводниковых деталей с использованием алгоритма удаления последних букв в соответствии с данным изобретением позволяет пользователю заново создавать выражение запроса для релевантной полупроводниковой детали путем удаления введенного имени релевантной полупроводниковой детали одного за одним, начиная с последних букв выражения запроса, введенного пользователем, так что пользователи могут искать выражение запроса в порядке дополнения, чтобы осуществлять поиск желаемой полупроводниковой детали более корректно, хотя он или она некорректно распознает название релевантной полупроводниковой детали или некорректно вводит запрос с опечаткой для названия полупроводниковой детали во время поиска спецификации полупроводниковой детали, когда пользователь желает получить функцию и способ использования полупроводниковой детали, который пользователь хочет использовать, потому что большое разнообразие типов полупроводниковых деталей, имеющих разные функции, вводятся на рынок, и полупроводниковые детали, выполняющие одну и ту же функцию, немного отличаются друг от друга в способах их использования в зависимости от их компаний-производителей. Кроме того, данное изобретение может предложить пользователю полупроводниковую деталь, соответствующую выражению запроса, введенному пользователем, полупроводниковая деталь начинается или заканчивается как выражение запроса, введенного пользователем, или полупроводниковая деталь включает в себя выражение запроса, введенного пользователем в отношении полученного результата поиска, так что спецификация полупроводниковой детали, которую хочет пользователь, может быть в итоге представлена, что приводит к повышению возможности использования данного изобретения для пользователя, который производит и изготавливает новый продукт, используя полупроводниковую деталь.