×
29.05.2019
219.017.62c0

Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в повышении стабильности статического режима входных полевых транзисторов при отрицательных температурах, возможности изменения напряжения ограничения проходной характеристики ДУ. Дифференциальный усилитель содержит полевой транзистор, затвор которого соединен с первым входом устройства, а сток подключен к первому токовому выходу, согласованному с первой шиной источника питания, второй входной полевой транзистор, затвор которого подключен ко второму входу устройства, а сток связан со вторым токовым выходом устройства, согласованным с первой шиной источника питания. Истоки первого и второго входных полевых транзисторов связаны друг с другом через последовательно включенные первый и второй дополнительные резисторы, истоки третьего и четвертого входных полевых транзисторов связаны друг с другом через последовательно включенные третий и четвертый дополнительные резисторы. 2 з.п. ф-лы, 9 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях (ОУ), стабилизаторах напряжения, компараторах, мостовых усилителях мощности и т.п., в т.ч. работающих при низких температурах и воздействии радиации [1].

Известны схемы классических дифференциальных усилителей (ДУ) на комплементарных полевых транзисторах [2-9], в т.ч. на комплементарных КМОП полевых транзисторах [2-4] и комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом (JFet) [5], которые стали основой многих серийных аналоговых микросхем. В литературе по аналоговой микроэлектронике этот класс ДУ имеет специальное обозначение – dual-input-stage [10].

Для работы при низких температурах при жестких ограничениях на уровень шумов перспективно использование JFet полевых транзисторов [11-13]. ДК данного класса активно применяются в структуре малошумящих аналоговых интерфейсов для обработки сигналов датчиков [14-16].

Задача улучшения качественных показателей классических ДУ по ослаблению входных синфазных сигналов и обеспечению работоспособности ДУ в схемах с парафазным выходом решается сегодня с помощью введения в практические схемы ОУ различных обратных связей по синфазному сигналу, использующих информацию о входном синфазном сигнале входного каскада [17]. Для этой цели в аналоговой микроэлектронике существует специальный подкласс цепей выделения входного синфазного сигнала ДУ, которые реализуются в виде специальных дифференциальных усилителей [6-7]. В ДУ-прототипе такая задача не решается – в схеме отсутствует выходной узел, на котором с достаточно высокой точностью выделяется входной синфазный сигнал Uсф.вх, т.е. сигнал на первом 1 и втором 2 входах ДУ фиг. 1 Uсф.вх=(uc1+uc2)/2.

Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель, описанный в патенте US 5.291.149, fig.4, 1994г., который содержит первый 1 и второй 2 входы, образующие дифференциальный вход устройства, первый 3 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, а сток – подключен к первому 4 токовому выходу, согласованному с первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого подключен ко второму 2 входу устройства, а сток – связан со вторым 7 токовым выходом устройства, согласованным с первой 5 шиной источника питания, причем истоки первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов связаны друг с другом, третий 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, а сток – подключен к третьему 9 токовому выходу, согласованному со второй 10 шиной источника питания, четвертый 11 входной полевой транзистор, затвор которого подключен ко второму 2 входу устройства, а сток – связан с четвертым 12 токовым выходом устройства, согласованным со второй 10 шиной источника питания, причем истоки третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов связаны друг с другом.

Первый существенный недостаток известного ДУ фиг. 1 состоит в том, что статический режим его входных транзисторов (3, 6, 8, 11) определяется двумя источниками опорного тока I1 (I2), которые, как правило, неидентичны. Это становится причиной дополнительных погрешностей при усилении малых сигналов. Во-вторых, в известном ДУ при фиксированном токе потребления затруднено изменение напряжения ограничения (Uгр) проходной характеристики iвых=f(uвх), которое оказывает существенное влияние на максимальную скорость нарастания выходного напряжения (SR) операционного усилителя с входным ДУ фиг. 1 [17, 18]

, (1)

где f1 – частота единичного усиления скорректированного ОУ с входным ДУ фиг. 1, как правило, слабо зависящая от Uгр.

Это не позволяет управлять численными значениями SR в конкретных схемах ОУ при заданных ограничениях на токопотребление, запас устойчивости по фазе, коэффициент усиления по напряжению и т.п.

В-третьих, в ДУ-прототипе фиг. 1 отсутствует выходной узел, на котором с достаточно высокой точностью выделяется входной синфазный сигнал для последующего использования в схеме ОУ с целью повышения его прецизионности.

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании условий, при которых в ДУ фиг. 1 обеспечивается:

- более высокая стабильность статического режима входных полевых транзисторов при отрицательных температурах (до -197°С) и изменении напряжений питания (в сравнении с ДУ фиг. 1 на основе классических источников опорного тока I1, I2);

- возможность изменения напряжения ограничения (Uгр) проходной характеристики iвых=f(uвх) по усмотрению разработчика (в зависимости от заданных значений SR ОУ) при фиксированном статическом токопотреблении;

- измерение уровня входного синфазного сигнала ДУ Uсф.вх=(uc1+uc2)/2, который формируется на дополнительном выходе заявляемого устройства 17.

Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном усилителе фиг. 1, содержащем первый 1 и второй 2 входы, образующие дифференциальный вход устройства, первый 3 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, а сток – подключен к первому 4 токовому выходу, согласованному с первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого подключен ко второму 2 входу устройства, а сток – связан со вторым 7 токовым выходом устройства, согласованным с первой 5 шиной источника питания, причем истоки первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов связаны друг с другом, третий 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, а сток – подключен к третьему 9 токовому выходу, согласованному со второй 10 шиной источника питания, четвертый 11 входной полевой транзистор, затвор которого подключен ко второму 2 входу устройства, а сток – связан с четвертым 12 токовым выходом устройства, согласованным со второй 10 шиной источника питания, причем истоки третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов связаны друг с другом, предусмотрены новые элементы и связи – истоки первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов связаны друг с другом через последовательно включенные первый 13 и второй 14 дополнительные резисторы, истоки третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов связаны друг с другом через последовательно включенные третий 15 и четвертый 16 дополнительные резисторы, причем общий узел первого 13 и второго 14 дополнительных резисторов связан с дополнительным выходом устройства 17 для измерения уровня входного синфазного сигнала на первом 1 и втором 2 входах устройства, а общий узел третьего 15 и четвертого 16 дополнительных резисторов связан с дополнительным выходом устройства 17 для измерения уровня входного синфазного сигнала на первом 1 и втором 2 входах устройства.

На чертеже фиг. 1 представлена схема ДУ-прототипа, а на чертеже фиг. 2 – схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 2, а на чертеже фиг. 4 - в соответствии с п. 3 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 5 показан дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах со всеми вариантами схемы выделения входного синфазного сигнала, соответствующий п. 1 – п. 3 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 6 представлен статический режим ДУ фиг. 5 в среде LTspice на моделях комплементарных полевых транзисторов ОАО «Интеграл» (г. Минск) при температурах 27°С (а) и -197°С (б). При этом узел «А» соответствует дополнительному выходу устройства 17 для измерения уровня входного синфазного сигнала на первом 1 и втором 2 входах заявляемого устройства.

На чертеже фиг. 7 приведена зависимость выходного синфазного напряжения ДУ фиг. 6 (напряжения в узле "А") от входного синфазного напряжения Vin=V3 при разных температурах. Данный график показывает, что зависимость uсф=f(Uсф.вх) - линейная.

На чертеже фиг. 8 показана зависимость напряжения в узле "А" ДУ фиг. 6 от температуры в диапазоне -197÷+27°С при нулевом входном синфазном напряжении Vin=V3=0В.

На чертеже фиг. 9 представлены проходные характеристики ДУ фиг. 6 при разных сопротивлениях резистора R5*.

Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом фиг. 2 содержит первый 1 и второй 2 входы, образующие дифференциальный вход устройства, первый 3 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, а сток – подключен к первому 4 токовому выходу, согласованному с первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого подключен ко второму 2 входу устройства, а сток – связан со вторым 7 токовым выходом устройства, согласованным с первой 5 шиной источника питания, причем истоки первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов связаны друг с другом, третий 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, а сток – подключен к третьему 9 токовому выходу, согласованному со второй 10 шиной источника питания, четвертый 11 входной полевой транзистор, затвор которого подключен ко второму 2 входу устройства, а сток – связан с четвертым 12 токовым выходом устройства, согласованным со второй 10 шиной источника питания, причем истоки третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов связаны друг с другом. Истоки первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов связаны друг с другом через последовательно включенные первый 13 и второй 14 дополнительные резисторы, истоки третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов связаны друг с другом через последовательно включенные третий 15 и четвертый 16 дополнительные резисторы, причем общий узел первого 13 и второго 14 дополнительных резисторов связан с дополнительным выходом устройства 17 для измерения уровня входного синфазного сигнала на первом 1 и втором 2 входах устройства, а общий узел третьего 15 и четвертого 16 дополнительных резисторов связан с дополнительным выходом устройства 17 для измерения уровня входного синфазного сигнала на первом 1 и втором 2 входах устройства.

На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, общий узел последовательно включенных первого 13 и второго 14 дополнительных резисторов связан с дополнительным выходом устройства 17 для измерения уровня входного синфазного сигнала на первом 1 и втором 2 входах устройства через пятый 22 дополнительный резистор.

На чертеже фиг. 4, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, общий узел последовательно включенных третьего 15 и четвертого 16 дополнительных резисторов связан с дополнительным выходом устройства 17 для измерения уровня входного синфазного сигнала на первом 1 и втором 2 входах устройства через шестой 23 дополнительный резистор.

Рассмотрим работу ДУ фиг. 2.

В статическом режиме при подключении первого 1 и второго 2 входов ДУ фиг. 2 к общей шине источников питания (5 и 10) для схемы ДУ фиг. 2 справедливы следующие уравнения:

, (2)

, (3)

, (4)

, (5)

, (6)

где Iсi – ток стока i-го входного полевого транзистора (3, 6, 8, 11);

Uзи.i – напряжение затвор-исток соответствующих входных полевых транзисторов 3, 6, 8, 11 в рабочей точке при токе истока, равном заданному значению I0;

uсф – выходное напряжение на дополнительном выходе устройства 17 для измерения уровня входного синфазного сигнала на первом 1 и втором 2 входах заявляемого устройства.

Если Uзи.3=Uзи.6=Uзи.8=Uзи.11, то выходное синфазное напряжение на дополнительном выходе устройства 17 равно входному синфазному напряжению ДУ фиг. 2: uсф≈(uc1+uc2)/2.

Таким образом, за счет выбора сопротивлений первого 13, второго 14, третьего 15 и четвертого 16 дополнительных резисторов в ДУ фиг. 2 обеспечивается идентичный заданный статический режим по току всех полевых транзисторов 3, 6, 8, 11. При этом напряжение на дополнительном выходе устройства 17 для измерения уровня входного синфазного сигнала на первом 1 и втором 2 входах устройства близко к нулю (фиг. 7, фиг. 8).

В тех случаях, когда стоко-затворные характеристики первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов отличаются от стоко-затворных характеристик третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов для получения нулевого уровня выходного напряжения uсф на дополнительном выходе устройства 17 могут применяться схемы фиг. 3 или фиг. 4. В этих схемах введение пятого 22 дополнительного резистора (фиг. 3) или шестого 23 дополнительного резистора (фиг. 4) позволяет получить нулевое значение выходного напряжения uсф на дополнительном выходе устройства 17 при нулевом входном синфазном сигнале (uc1+uc2)/2=0.

Следует заметить, что статический режим по току ДУ фиг. 2 практически не зависит от величины входного синфазного сигнала (uc1+uc2)/2 и изменений напряжений питания на первой 5 и второй 10 шинах. Это позволяет исключить из схемы ДУ фиг. 2 традиционные источники опорного тока (I1, I2, фиг. 1) при их простейшем построении, отрицательно влияющие на коэффициент ослабления входного синфазного сигнала ДУ и коэффициент подавления помехи по первой 5 и второй 10 шинам питания.

Если на вход 1 подается положительное входное напряжение uвх относительно входа 2, то это вызывает увеличение тока истока первого 3 и четвертого 11 входных полевых транзисторов. В пределе ток истока первого 3 входного полевого транзистора может принимать удвоенное значение относительно своего статического уровня при uвх=0. Численные значения сопротивлений первого 13, второго 14, третьего 15 и четвертого 16 дополнительных резисторов определяют напряжение ограничения проходной характеристики ДУ фиг. 2: чем больше сопротивления дополнительных резисторов R13, R14, R15, R16, тем при большем входном напряжении uвх=Uгр произойдет ограничение выходного тока ДУ для первого 4 токового выхода. Об этом свидетельствуют графики фиг. 9, полученные для схемы фиг. 2.

Таким образом, первый 13, второй 14, третий 15 и четвертый 16 дополнительные резисторы определяют численные значения напряжения ограничения Uгр предлагаемого дифференциального усилителя для всех его токовых выходов 4, 7, 9, 12.

Результаты компьютерного моделирования в среде LTspice схем ДК фиг. 3 и фиг. 8 показывают, что на основе предлагаемого ДК реализуется широкий спектр проходных характеристик с разными численными значениями напряжения ограничения Uгр для первого 4 и второго 7 токовых выходов, согласованных с первой 6 шиной источника питания, а также третьего 9 и четвертого 12 токовых выходов, согласованных со второй 10 шиной источника питания. В итоге, это позволяет проектировать на основе ДУ дифференциальные и мультидифференциальные операционные усилители с заданным (см. формулу (1)) быстродействием.

Графики фиг. 8 характеризуют слабую температурную зависимость выходного напряжения ДУ фиг. 6 на дополнительном выходе устройства 17 для измерения уровня входного синфазного сигнала на первом 1 и втором 2 входах устройства.

Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с известными схемотехническими решениями ДУ класса dual-input-stage [2-28], что позволяет рекомендовать его для практического использования в ОУ и построения низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем по техпроцессам BiJFet и CJFet ОАО «Интеграл» (г. Минск), а также комплементарному полевому технологическому процессу АО «НПП «Пульсар» (г. Москва).

Библиографический список

1. O. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, K. O. Petrosiants, N. V. Kozhukhov and V. A. Tchekhovski, "The accounting of the simultaneous exposure of the low temperatures and the penetrating radiation at the circuit simulation of the BiJFET analog interfaces of the sensors," 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, 2017, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998507

2. Патент US 4.377.789, fig. 1, 1983 г.

3. Патентная заявка US 2006/0125522, 2006 г.

4. Патент US 7.907.011, 2011 г.

5. Патент US 5.291.149 fig. 4, 1991 г.

6. Патент US 6.750.515, 2004 г.

7. Патент US 4.573.020, 1986 г.

8. Ashley Ingmire. Differential Amplifiers and common mode feedback. https://slideplayer.com/slide/1496714/

9. Патент US 6.556.081, fig. 1, 2003 г.

10. N. N. Prokopenko, N. V. Butyrlagin, A. V. Bugakova and A. A. Ignashin, "Method for speeding the micropower CMOS operational amplifiers with dual-input-stages," 2017 24th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), Batumi, 2017, pp. 78-81.

11. K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-zade, L. M. Sambursky, O. V. Dvornikov, B. G. Lvov and I. A. Kharitonov, "Automation of parameter extraction procedure for Si JFET SPICE model in the −200…+110°C temperature range," 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT), Moscow, 2018, pp. 1-5. DOI: 10.1109/MWENT.2018.8337212

12. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 2 / О. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника, 2015, № 5. С. 24-28

13. O. V. Dvornikov, N. N. Prokopenko, N. V. Butyrlagin and I. V. Pakhomov, "The differential and differential difference operational amplifiers of sensor systems based on bipolar-field technological process AGAMC," 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Moscow, 2016, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2016.7491792

14. Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н. "Малошумящий электронный модуль обработки сигналов лавинных фотодиодов" Приборы и методы измерений, no. 2 (7), 2013, pp. 42-46.

15. Дворников О. Чеховский В., Дятлов В., Прокопенко Н. Применение структурных кристаллов для создания интерфейсов датчиков //Современная электроника. – 2014. – №. 1. – С. 32-37.

16. O. V. Dvornikov, A. V. Bugakova, N. N. Prokopenko, V. L. Dziatlau and I. V. Pakhomov, "The microcircuits MH2XA010-02/03 for signal processing of optoelectronic sensors," 2017 18th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Erlagol, 2017, pp. 396-402. DOI: 10.1109/EDM.2017.7981781

17. Операционные усилители с непосредственной связью каскадов: монография / Анисимов В.И., Капитонов М.В., Прокопенко Н.Н., Соколов Ю.М. - Л.: «Энергия», 1979. - 148 с.

18. Прокопенко Н.Н. Нелинейная активная коррекция в прецизионных аналоговых микросхемах (монография) // Ростов-на-Дону: Изд-во Северо-Кавказского научного центра высшей школы, 2000. 222с.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 186.
13.01.2017
№217.015.8dc0

Способ штамповки деталей из металлов и сплавов и пресс для его осуществления

Изобретение относится к области обработки давлением и может быть использовано для выполнения технологических операций штамповки эластичным пуансоном при изготовлении несимметричных деталей сложной формы толщиной 0,01-0,3 мм. На заготовку воздействуют статической нагрузкой до получения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002605011
Дата охранного документа: 20.12.2016
13.01.2017
№217.015.90ce

Микроконтроллерный измерительный преобразователь для резистивных и емкостных датчиков с передачей результата преобразования по радиоканалу

Изобретение относится измерительным информационным системам, в частности к системам для измерения емкости и сопротивления и может быть использовано для измерения неэлектрических величин резистивными и емкостными датчиками в беспроводных системах контроля и управления. Микроконтроллерный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603937
Дата охранного документа: 10.12.2016
13.01.2017
№217.015.9131

Универсальный набор для строительства малоэтажных зданий и сооружений

Изобретение относится к области строительства и может быть использовано при возведении малоэтажных зданий различных конструктивных систем. Цель изобретения - создание универсального набора элементов, который может использоваться во всех трех системах: брусчатой, стоечной и легкокаркасной, при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002605654
Дата охранного документа: 27.12.2016
25.08.2017
№217.015.9a08

Способ создания гидроизоляции

Изобретение относится к строительству, а именно к созданию вертикальной и горизонтальной гидроизоляции фундаментов, стен, и может быть использовано при возведении новых, а также реконструкции (восстановлении) существующих зданий и сооружений. Способ создания гидроизоляции включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002609511
Дата охранного документа: 02.02.2017
25.08.2017
№217.015.9f09

Бетонная смесь

Изобретение относится к составам мелкозернистых бетонных смесей, в том числе песчаных, используемых для изготовления бетонных и железобетонных изделий и конструкций. Технический результат - снижение расхода цемента и повышение трещиностойкости песчаного бетона после тепловлажностной обработки....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002606147
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.af78

Конструкция усиления железобетонной многопустотной плиты перекрытия

Изобретение относится к строительству, в частности, к конструкциям усиления железобетонных многопустотных плит перекрытия, доступ к которым сверху невозможен, например, плит перекрытия, используемых преимущественно в зданиях с совмещенной кровлей. Техническим результатом является увеличение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002610951
Дата охранного документа: 17.02.2017
25.08.2017
№217.015.b31a

Устройство терминального управления на основе вариационных принципов

Устройство терминального управления на основе вариационных принципов содержит блок отношения, пять блоков сумматоров, четырнадцать блоков умножения, блок вычисления производной, блок линии задержки, вход эталонного сигнала, блок хранения констант, соединенных определенным образом....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613623
Дата охранного документа: 21.03.2017
25.08.2017
№217.015.b65e

Устройство объединения медицинских изображений

Изобретение относится к информационно-измерительным устройствам и может быть использовано в вычислительной технике, в системах управления и обработки сигналов. Техническим результатом является обеспечение объединенного изображения со сглаженными границами перехода. Устройство содержит: регистр...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614545
Дата охранного документа: 28.03.2017
25.08.2017
№217.015.b96a

Биполярно-полевой мультидифференциальный операционный усилитель

Изобретение относится к области радиоэлектроники. Технический результат: повышение коэффициента усиления по напряжению разомкнутого мультидифференциального операционного усилителя при сохранении высокой стабильности нулевого уровня. Для этого предложен биполярно-полевой мультидифференциальный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615071
Дата охранного документа: 03.04.2017
25.08.2017
№217.015.b973

Прецизионный двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления сигналов. Технический результат заключается в повышении коэффициента усиления дифференциального сигнала в разомкнутом состоянии двухкаскадного ОУ до уровня 90÷400 дБ....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615070
Дата охранного документа: 03.04.2017
Показаны записи 1-10 из 216.
20.04.2014
№216.012.bb74

Быстродействующий аналого-цифровой преобразователь с дифференциальным входом

Изобретение относится к области измерительной и вычислительной техники, радиотехники и связи. Технический результат заключается в расширении в несколько раз предельного частотного диапазона обрабатываемых входных сигналов АЦП за счет снижения погрешности передачи входных дифференциальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513716
Дата охранного документа: 20.04.2014
10.05.2014
№216.012.c282

Быстродействующий драйвер дифференциальной линии связи

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления и преобразования аналоговых сигналов, в структуре «систем на кристалле» и «систем в корпусе» различного функционального назначения (например, операционных усилителей, работающих на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515543
Дата охранного документа: 10.05.2014
27.05.2014
№216.012.cacc

Быстродействующий датчик физических величин с потенциальным выходом

Изобретение относится к области информационно-измерительной техники и автоматики и может быть использовано в датчиках, обеспечивающих измерение различных физических величин. Техническим результатом является повышение быстродействия датчика за счет минимизации влияния внутренней емкости 2...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002517682
Дата охранного документа: 27.05.2014
27.05.2014
№216.012.cadc

Широкополосный аттенюатор для быстродействующих аналоговых и аналого-цифровых интерфейсов

Широкополосный аттенюатор для быстродействующих аналоговых и аналого-цифровых интерфейсов относится к области измерительной техники, электротехники, радиотехники и связи и может использоваться в структуре различных интерфейсов, в измерительных приборах, быстродействующих аналого-цифровых (АЦП)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002517698
Дата охранного документа: 27.05.2014
10.06.2014
№216.012.cfea

Сверхбыстродействующий параллельный аналого-цифровой преобразователь с дифференциальным входом

Изобретение относится к области измерительной и вычислительной техники, радиотехники и связи. Технический результат: расширение в несколько раз частотного диапазона обрабатываемых сигналов АЦП за счет снижения погрешности передачи входных дифференциальных напряжений от источников входных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002518997
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d149

Управляемый усилитель и смеситель аналоговых сигналов на базе дифференциального каскада дарлингтона

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в радиоприемных устройствах, фазовых детекторах и модуляторах, а также в системах умножения частоты или в качестве усилителя, коэффициент передачи по напряжению которого с входов канала «X» зависит от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519348
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d190

Широкополосный повторитель напряжения

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Техническим результатом является расширение диапазона рабочих частот широкополосного повторителя напряжения при наличии емкости на выходе С, которая не может быть уменьшена по объективным причинам - является неотъемлемой частью цепи...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519419
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d19a

Измерительный усилитель с управляемыми параметрами амплитудно-частотной характеристики

Изобретение относится к области измерительной техники, радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Технический результат заключается в увеличении затухания выходного сигнала в диапазоне низких частот при повышенной и достаточно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519429
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.07.2014
№216.012.dbc8

Быстродействующий драйвер емкостной нагрузки

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления и преобразования аналоговых и цифровых импульсных сигналов в устройствах различного функционального назначения, работающих на емкостную нагрузку. Достигаемый технический результат -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522042
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.e026

Компенсационный стабилизатор напряжения

Устройство относится к области электротехники. Технический результат заключается в получении температурно-стабильного выходного напряжения и снижении минимальной разности напряжения вход-выход стабилизатора. Для этого предложен стабилизатор напряжения, содержащий первый и второй транзисторы,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002523168
Дата охранного документа: 20.07.2014
+ добавить свой РИД