×
18.05.2019
219.017.5967

Результат интеллектуальной деятельности: СОЛНЕЧНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002426198
Дата охранного документа
10.08.2011
Аннотация: Концентраторный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных солнечных элементов относится к области фотоэлектрического преобразования энергии, в частности к системам с расщеплением солнечного спектра. Модуль содержит корпус (1), имеющий фронтальную панель (2), содержащую концентрирующую линзу (3) Френеля, боковые стенки (5) и тыльные стенки (6), расположенные под углом 45° к плоскости фронтальной панели (2). В корпусе (1) по ходу солнечного излучения установлены: дихроичное зеркало (7), пропускающее свет с длиной волны выше меньше 900 нм, отражающее оставшуюся часть спектра и расположенное под углом β к оптической оси концентрирующей линзы (3) Френеля, и разнесенные по внутренней поверхности корпуса первый фотопреобразователь (8) и второй фотопреобразователь (9). Дихроичное зеркало (7) расщепляет излучение на два спектральных диапазона. Отраженное излучение с длиной волны 350-900 нм преобразуется первым фотопреобразователем (8), а прошедшее излучение с длиной волны 900-1800 нм преобразуется вторым фотопреобразователем (9). Фотоэлектрический модуль согласно изобретению имеет более простую конструкцию, увеличенный диапазон преобразуемых длин волн с 400-1200 нм до 350-1800 нм и уменьшенные оптические потери. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области фотоэлектрического преобразования энергии, в частности к системам с расщеплением солнечного спектра на длинноволновый и коротковолновый диапазоны.

Системы с расщеплением солнечного спектра являются одним из перспективных направлений в солнечной энергетике, т.к. преобразование каждого участка спектра отдельной полупроводниковой структурой с шириной запрещенной зоны, соответствующей энергии того или иного диапазона, ведет к увеличению эффективности преобразования. Тот же подход с комбинированием материалов с различной шириной запрещенной зоны используется и в концентраторных фотоэлектрических системах с многопереходными фотопреобразователями, но при изготовлении таких элементов часто сталкиваются с трудностями, связанными с согласованием параметров кристаллической решетки нескольких эпитаксиальных слоев, в то время как в системе с пространственным разнесением фотопреобразователей эта проблема отсутствует, что позволяет увеличивать число каскадов фотопреобразователей для повышения эффективности фотопреобразования.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль с расщеплением спектра (см. заявка US 20080149162, МПК H01L 31/052, опубликована 26.06.2008), использующий в качестве концентратора систему, состоящую из набора дихроичных зеркал, являющуюся одновременно и приспособлением для расщепления солнечного излучения. В качестве преобразователей излучения известная система включает в себя фотоэлектрические элементы на основе кремния для области 650-1200 nm и InGaP для области 400-650 nm.

Основным недостатком известного солнечного фотоэлектрического модуля является сложная конструкция дихроичных зеркал большой площади.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль (см. заявка US20100000593, МКП H01L 31/052, опубликована 07.01.2010), расщепляющий коллимированный пучок света на три группы пучков с помощью дихроичных зеркал. Преобразование света в электричество производится соответствующими фотоэлектрическими элементами, ширина запрещенных зон которых не указана.

Недостатками известного фотоэлектрического модуля являются необходимость получения коллимированного пучка света и высокая плотность мощности на дихроичном зеркале из-за того, что пучок света коллимирован, что неизменно приведет к деградации зеркала.

Известен концентраторный солнечный фотоэлектрический модуль (см. патент US 6689949, МКП H01L 31/052, опубликован 10.02.2004), использующий в качестве концентратора параболическое зеркало, которое собирает свет в полость, по периметру которой расположены четыре группы фотоэлементов, покрытых фильтрами, пропускающими свет с определенной длиной волны и отражающими остальную часть спектра.

Среди недостатков известного концентраторного солнечного фотоэлектрического модуля следует выделить, во-первых, большое количество фотоэлементов из-за необходимости максимального покрытия внутренней поверхности полости, во-вторых, нахождение фильтров под сильно концентрированным светом, что ведет к их деградации, а также сложность монтажа фотоэлементов внутри полости.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль на основе наноструктурных фотопреобразователей (см. заявка US 20090065044, МПК H01L 31/052, опубликована 12.03.2009), совпадающий с заявляемым решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Известный солнечный фотоэлектрический модуль включает корпус с фронтальной панелью в виде концентрирующей линзы Френеля, боковые стенки и плоскую тыльную стенку, в котором по ходу солнечного излучения установлены линза с коротким фокусным расстоянием для получения коллимированного пучка солнечного излучения, треугольная призма в качестве устройства для расщепления пучка света и разнесенные по тыльной поверхности корпуса фотопреобразователи с различной шириной запрещенной энергетической зоны, при этом на внутренние поверхности стенок корпуса нанесено светоотражающее покрытие.

Недостатком данной системы является, во-первых, большое количество оптических элементов, приводящее к увеличению доли рассеянного и отраженного света. Во-вторых, в соответствии с законом нормальной дисперсии, угловой размер изображения видимого спектрального диапазона будет превышать размер ИК диапазона в 10-15 раз, что либо потребует использования слишком больших элементов, т.о. уменьшая степень концентрирования, либо существенно увеличит потери при преобразовании ИК диапазона.

Задачей заявленного изобретения является создание солнечного фотоэлектрического модуля на основе наногетероструктурных фотопреобразователей, который бы имел более простую конструкцию, увеличенный диапазон преобразуемых длин волн с 400-1200 нм до 350-1800 нм и уменьшенные оптические потери.

Поставленная задача решается тем, что солнечный фотоэлектрический модуль на основе наноструктурных фотопреобразователей включает корпус, имеющий фронтальную панель с концентрирующей линзой Френеля, боковые стенки и тыльные стенки, расположенные под углом к плоскости фронтальной панели и примыкающие под тупым углом к боковым стенкам, в котором по ходу солнечного излучения установлены дихроичное зеркало, пропускающее солнечное излучение с длиной волны больше 900 нм, отражающее оставшуюся часть спектра и расположенное под углом β к оптической оси концентрирующей линзы Френеля, и разнесенные по тыльной поверхности корпуса первый и второй фотопреобразователи на основе полупроводниковой наногетероструктуры. Первый фотопреобразователь выполнен с фоточувствительностью в спектральном диапазоне солнечного излучения, отражаемого дихроичным зеркалом, и установлен в фокусе лучей, отраженных от дихроичного зеркала. Второй фотопреобразователь выполнен с фоточувствительностью в диапазоне спектра, пропускаемого дихроичным зеркалом, и установлен в фокусе концентрирующей линзы Френеля. Расстояние L от концентрирующей линзы Френеля до точки пересечения оси концентрирующей линзы Френеля с плоскостью дихроичного зеркала удовлетворяет соотношению:

F-D/4≤L≤F/2,

где F - фокусное расстояние концентрирующей линзы Френеля, см;

D - геометрический размер линзы Френеля, см.

Первый фотопреобразователь установлен на расстоянии F-L от оптической оси концентрирующей линзы Френеля.

Дихроичное зеркало (селективный фильтр) разделяет спектр солнечного излучения на длинноволновую и коротковолновую составляющие. В качестве первых фотопреобразователей могут быть использованы фотопреобразователи на основе широкозонных наногетероструктур GaInP/GaAs для диапазона 350-900 нм. В качестве вторых фотопреобразователей могут быть использованы фотопреобразователи на основе узкозонного полупроводникового материала GaSb, а также двухслойные каскадные наногетероструктуры AlGaSb/GaSb или GaInAsP/GaInAs (имеющие повышенную эффективность преобразования солнечного излучения) для диапазона 900-1800 нм.

Расстояние L от концентрирующей линзы Френеля до точки пересечения ее оси с плоскостью дихроичного зеркала должно удовлетворять соотношению, обозначенному выше, т.к. если F-D/4≥L, то концентрация света на фильтре будет достаточно высокой, что приведет к деградации фильтра, а если F/2≤L, то свет не будет концентрироваться на фотоэлектрическом элементе.

При F-D/4≤L≤F-D/2 и β=45° тыльные стенки модуля должны быть расположены под углом 45° к плоскости линзы. В противном случае свет не будет фокусироваться на фотоэлемент.

Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где:

на фиг.1 представлен один из вариантов воплощения солнечного фотоэлектрического модуля на основе наноструктурных фотопреобразователей, общая схема изобретения;

на фиг.2 приведен другой вариант воплощения солнечного фотоэлектрического модуля на основе наноструктурных фотопреобразователей, общая схема изобретения;

на фиг.3 представлен третий вариант воплощения солнечного фотоэлектрического модуля на основе наноструктурных фотопреобразователей, общая схема изобретения.

Заявляемый солнечный фотоэлектрический модуль на основе наноструктурных фотопреобразователей (см. фиг.1) содержит корпус 1, имеющий фронтальную панель 2, содержащую силиконовую концентрирующую линзу 3 Френеля, преимущественно размером D=4-10 см и фокусным расстоянием F=(1,6-2,0)·D, закрепленную на основе 4 из силикатного стекла, боковые стенки 5 и тыльные стенки 6, расположенные под углом к плоскости фронтальной панели 2 и примыкающие под тупым углом к боковым стенкам 5. В корпусе 1 по ходу солнечного излучения установлены: дихроичное зеркало 7, пропускающее свет с длиной волны больше 900 нм, отражающее оставшуюся часть спектра и расположенное под углом β=45° к оптической оси концентрирующей линзы 3 Френеля, и разнесенные по внутренней поверхности корпуса первый фотопреобразователь 8 и второй фотопреобразователь 9. Первый фотопреобразователь 8 выполнен основе полупроводниковой наногетероструктуры с фоточувствительностью в спектральном диапазоне солнечного излучения, отражаемого дихроичным зеркалом 7. Первый фотопреобразователь 8 установлен в фокусе лучей, отраженных от дихроичного зеркала 7, на боковой стенке 5. Второй фотопреобразователь 9 выполнен на основе полупроводниковой наногетероструктуры с фоточувствительностью в диапазоне спектра, пропускаемого дихроичным зеркалом 7, и установлен в фокусе концентрирующей линзы 3 Френеля в месте соединения тыльных стенок 6. Расстояние L удовлетворяет соотношению:

L=F-D/2.

На фиг.2 показан другой вариант воплощения заявляемого солнечного фотоэлектрического модуля на основе наноструктурных фотопреобразователей, отличающийся от первого варианта тем, что дихроичное зеркало 7 расположено под углом 90° к оптической оси концентрирующей линзы 3 Френеля, а первый фотопреобразователь 8 расположен на тыльной стороне концентрирующей линзы 3 Френеля. Расстояние L удовлетворяет соотношению:

L=F/2.

На фиг.3 представлен третий вариант воплощения заявляемого солнечного фотоэлектрического модуля на основе наноструктурных фотопреобразователей, отличающийся от первого варианта тем, что дихроичное зеркало 7 расположено под углом к оптической оси концентрирующей линзы 3 Френеля, а первый фотопреобразователь 8 расположен на тыльной стенке 6 модуля, расположенной под углом 45° к плоскости концентрирующей линзы Френеля, а расстояние L удовлетворяет соотношению:

F-D/4≤L≤F-D/2.

Заявляемый солнечный фотоэлектрический модуль на основе наноструктурных фотопреобразователей работает следующим образом. Солнечный свет падает на фронтальную поверхность модуля 4 и концентрируется линзой Френеля 3. Свет с длиной волны больше 900 нм проходит сквозь дихроичное зеркало 7 и фокусируется на узкозонном наноструктурном фотопреобразователе 9, который преобразует эту часть спектра в электричество. Свет с длиной волны меньше 900 нм отражается от дихроичного зеркала 7 и фокусируется на широкозонном наноструктурном фотоэлементе 8, который преобразует эту часть спектра в электричество. В заявляемом модуле оптические потери уменьшаются, т.к. за счет небольшого количества оптических элементов уменьшается доля рассеянного и отраженного света.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-6 из 6.
10.04.2019
№219.017.0277

Способ формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя (варианты)

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости формируют фотолитографией топологию фоточувствительных областей и проводят травление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002391741
Дата охранного документа: 10.06.2010
18.05.2019
№219.017.566b

Туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура

Изобретение относится к полупроводниковой технике, квантовой оптоэлектронике и может быть использовано для разработки мощных когерентных импульсных источников излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур. Сущность изобретения: туннельно-связанная полупроводниковая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002396655
Дата охранного документа: 10.08.2010
29.05.2019
№219.017.689a

Концентраторный солнечный элемент

Концентраторный солнечный элемент (8) выполнен в форме в форме прямоугольника с соотношением длин сторон, находящимся в интервале от 1 до 1,5. Он содержит подложку (3), многослойную структуру (4), сформированную на подложке (3), с центральной фоточувствительной областью (12), контактный слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002407108
Дата охранного документа: 20.12.2010
09.06.2019
№219.017.79be

Способ определения размеров наночастиц и устройство для измерения спектра электронного парамагнитного резонанса

Изобретение относится к технике спектроскопии электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) при исследованиях наноструктур методом ЭПР. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение чувствительности регистрации спектров ЭПР мелких доноров в полупроводниковых нанокристаллах....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002395448
Дата охранного документа: 27.07.2010
09.06.2019
№219.017.7d2a

Способ изготовления наноструктурного омического контакта фотоэлектрического преобразователя

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способ изготовления наноструктурного омического контакта проводят предварительную очистку поверхности GaSb р-типа проводимости ионно-плазменным травлением на глубину 5-30 нм с последующим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002426194
Дата охранного документа: 10.08.2011
09.06.2019
№219.017.7d72

Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия

Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002428766
Дата охранного документа: 10.09.2011
Показаны записи 41-50 из 59.
03.03.2019
№219.016.d231

Способ изготовления мощного фотодетектора

Изобретение может быть использовано для создания СВЧ-фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании фоточувствительной области и контактной площадки для бондинга вне фоточувствительной области на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680983
Дата охранного документа: 01.03.2019
10.04.2019
№219.017.0277

Способ формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя (варианты)

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости формируют фотолитографией топологию фоточувствительных областей и проводят травление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002391741
Дата охранного документа: 10.06.2010
16.05.2019
№219.017.5260

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя с антиотражающим покрытием

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя включает последовательное формирование фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры АВ с пассивирующим слоем и контактным слоем GaAs, удаление контактного слоя над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687501
Дата охранного документа: 14.05.2019
29.05.2019
№219.017.689a

Концентраторный солнечный элемент

Концентраторный солнечный элемент (8) выполнен в форме в форме прямоугольника с соотношением длин сторон, находящимся в интервале от 1 до 1,5. Он содержит подложку (3), многослойную структуру (4), сформированную на подложке (3), с центральной фоточувствительной областью (12), контактный слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002407108
Дата охранного документа: 20.12.2010
09.06.2019
№219.017.7c22

Способ получения структуры многослойного фотоэлектрического преобразователя

Способ получения многослойной структуры двухпереходного фотоэлектрического преобразователя, включающий последовательное осаждение из газовой фазы на подложку p-типа GaAs тыльного потенциального барьера из триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl), арсина (AsH) и источника p-примеси, базы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002366035
Дата охранного документа: 27.08.2009
09.06.2019
№219.017.7d2a

Способ изготовления наноструктурного омического контакта фотоэлектрического преобразователя

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способ изготовления наноструктурного омического контакта проводят предварительную очистку поверхности GaSb р-типа проводимости ионно-плазменным травлением на глубину 5-30 нм с последующим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002426194
Дата охранного документа: 10.08.2011
09.06.2019
№219.017.7d72

Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия

Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002428766
Дата охранного документа: 10.09.2011
03.08.2019
№219.017.bbdf

Оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения

Изобретение относится к оптоэлектронике и фотоэнергетике и может быть использовано для создания оптоволоконных систем передачи энергии по лазерному лучу. Заявленный оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения включает оптически последовательно соединенные лазер,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002696355
Дата охранного документа: 01.08.2019
04.10.2019
№219.017.d20f

Полупроводниковая структура многопереходного фотопреобразователя

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным фотоэлектрическим преобразователям мощного оптического излучения с соединительными туннельными диодами. Полупроводниковая структура многопереходного фотопреобразователя содержит верхнюю субструктуру (1),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701873
Дата охранного документа: 02.10.2019
31.12.2020
№219.017.f458

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе gasb

Изобретение относится к способам изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb, применяемых в солнечных элементах, термофотоэлектрических генераторах, в системах с расщеплением спектра солнечного излучения, в преобразователях лазерного излучения. Во всех перечисленных случаях...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002710605
Дата охранного документа: 30.12.2019
+ добавить свой РИД