ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА

Изобретение относится к области газоразрядной техники и может быть использовано при разработке средств отображения информации на газоразрядных индикаторных панелях (ГИП) переменного тока.

Известна ГИП переменного тока, содержащая две диэлектрические пластины, на одной из которых расположены пары параллельных электродов индикации, покрытые диэлетриком, а на другой расположены электроды управления, на которые нанесено люминофорное покрытие [заявка ЕПВ N 0554172, кл. H 01 J 17/49, 1993 г.].

Недостатком данной ГИП является высокий уровень управляющих напряжений, вызванный низким накоплением зарядов на диэлектрическом покрытии электродов.

Известна ГИП переменного тока, содержащая две диэлектрические пластины, на одной из которых расположены покрытые диэлектриком пары параллельных электродов индикации, имеющие выступы, направленные навстречу друг другу, а на другой расположены управляющие электроды, ортогональные электродам индикации и люминофор, нанесенный на электроды управления [заявка Франции N 2629265, кл. H 01 J 17/49, 1989 г.].

Недостатком данной конструкции является низкая надежность управления из-за неравномерности электрического поля в области перекрещивания управляющего и индикаторного электродов.

Наиболее близкой к предлагаемой конструкции является ГИП переменного тока, включающая первую диэлектрическую пластину с расположенными на ее внутренней поверхности электродами управления, на которые поочередно нанесены слои диэлектрика, содержащего легкоплавкое стекло (ЛПС), и люминофора, вторую диэлектрическую пластину, на внутренней поверхности которой ортогонально электродам управления размещена система параллельных электродов индикации, покрытых диэлектриком, диэлектрические барьеры, выполненные, по крайней мере, на одной из диэлектрических пластин между электродами управления (T. Akiyama, M.Ueoka "Evaluation of Discharge Cell Structure for Color AC Plasma Display Panels", Asia Display' 95, стр. 377 - прототип).

Недостатком данной ГИП является низкая яркость свечения люминофора вследствие снижения эффективности люминесценции люминофора в результате взаимодействия люминофора с легкоплавким стеклом, содержащемся в покрытии на электродах управления, в процессе проведения термических обработок.

Задачей изобретения является создание ГИП переменного тока с высокой яркостью за счет исключения снижения эффективности люминесценции люминофора, связанного с изменениями, происходящими в структуре решетки люминофора при появлении в ней атомов постороннего вещества - ЛПС в процессе термических операций.

Указанный технический результат при осуществлении изобретения достигается тем, что в известной конструкции ГИП переменного тока, включающей первую диэлектрическую пластину с расположенными на ее внутренней поверхности электродами управления, на которые поочередно нанесены слои диэлектрика, содержащего легкоплавкое стекло, и люминофора, вторую диэлектрическую пластину, на внутренней поверхности которой ортогонально электродам управления размещена система параллельных электродов индикации, покрытых диэлектриком, диэлектрические барьеры, выполненные, по крайней мере, на одной из диэлектрических пластин между электродами управления, на электродах управления между слоями диэлектрика и люминофора расположен дополнительный слой из тугоплавкого диэлектрического материала.

Расположение дополнительного слоя из тугоплавкого диэлектрического материала между слоями диэлектрика, содержащего легкоплавкое стекло, и люминофора исключает взаимодействие в процессе термообработки материала люминофорного покрытия с легкоплавким стеклом, содержащимся в покрытии электродов, которое приводит к снижению эффективности люминесценции люминофора, вызванному изменениями в решетке люминофора при появлении в ней атомов ЛПС.

Яркость ГИП увеличивается, если при нанесении люминофора на стенки диэлектрических барьеров, выполненных из материала, содержащего ЛПС, люминофор формируют на слое из тугоплавкого диэлектрического материала, так как в этом случае также исключается снижение эффективности люминесценции люминофора, вызванной изменениями в структуре решетки люминофора при появлении в ней при термических операциях атомов ЛПС, входящего в состав материала диэлектрических барьеров.

Применение в качестве тугоплавкого диэлектрического материала эмиссионного материала помимо повышения яркости, приводит к снижению рабочих напряжений за счет повышения коэффициента вторичной эмиссии поверхности разрядного промежутка.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации, и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, позволяет установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными признакам заявленного изобретения, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа, как наиболее близкого по совокупности признаков аналога, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию "новизна".

Для проверки соответствия заявленного изобретения требованию изобретательского уровня был проведен дополнительный поиск известных решений, с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленного изобретения, результаты которого показывают, что заявленное изобретение не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, в которых повышение яркости достигалось бы за сет расположения в ГИП между слоем из диэлектрика, содержащего легкоплавкое стекло, покрывающего электроды управления, и люминофором дополнительного слоя из тугоплавкого диэлектрического материала.

Кроме того, не выявлены технические решения, в которых повышение яркости достигалось бы за счет послойного нанесения на боковые стенки диэлектрических барьеров тугоплавкого диэлектрического материала и люминофора и использования в качестве тугоплавкого диэлектрического материала, наносимого между покрытием электродов управления и люминофором эмиссионного материала.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию "изобретательский уровень".

Предлагаемая конструкция ГИП поясняется чертежами.

На фиг. 1 представлен вариант конструкции предлагаемой ГИП, в которой дополнительный слой из тугоплавкого диэлектрического материала расположен между слоем диэлектрика, покрывающего электроды управления, и люминофором.

На фиг. 2 представлен вариант конструкции предлагаемой ГИП, в которой дополнительный слой из тугоплавкого диэлектрического материала расположен между слоем диэлектрика, покрывающего электроды управления, и люминофором, а на боковых стенках диэлектрических барьеров послойно размещены тугоплавкий диэлектрический материал и люминофор.

Конструкция ГИП (фиг. 1 и 2) содержит первую диэлектрическую пластину 1, на которой расположены электроды управления 2 со слоями диэлектрика, содержащего ЛПС 3, тугоплавкого диэлектрического материала 4 и люминофора 5, вторую диэлектрическую пластину 6 с расположенными на ней электродами индикации 7, покрытыми диэлектриком 8 и разделительные диэлектрические барьеры 9. На боковые стенки диэлектрических барьеров могут быть послойно нанесены тугоплавкий диэлектрический материал и люминофор (фиг.2).

Работает ГИП следующим образом. На все электроды индикации подается опорное напряжение, не изменяющее состояние индикаторных ячеек. Для выборочного зажигания индикаторных ячеек необходимо подать часть напряжения записи на выбранные электроды управления, а другую часть - на выбранные электроды индикации. В точках пересечения выбранных электродов управления и электродов индикации загорается разряд, подхватываемый затем в разрядном промежутке между электродами индикации при подаче на них импульсов поддержания напряжения индикации. Для смены информации на управляющие и индикаторные электроды необходимо подать импульсы гашения и вновь повторить цикл записи.

При подаче на электроды индикации импульсов напряжения поддержания разряда возникает разряд, ультрафиолетовое излучение, которого, попадая на люминофор, возбуждает его свечение, отображая, таким образом, информацию.

Яркость свечения люминофора зависит от эффективности люминесценции люминофора, которая изменяется при термических обработках.

Наблюдается значительное снижение эффективности люминесценции люминофора из-за изменения структуры решетки люминофора, вызванного появлением при проведении термических операций в решетке люминофора атомов постороннего вещества - ЛПС, входящего в состав слоев, на которые наносят люминофор в ГИП переменного тока. Расположение дополнительного слоя из тугоплавкого диэлектрического материала между слоем легкоплавкого стекла, покрывающего электроды управления, и люминофор, исключает взаимодействие материала люминофорного покрытия с легкоплавким стеклом при термообработках.

Таким образом, предлагаемая конструкция ГИП позволяет сохранить высокую эффективность люминесценции люминофора, которая обеспечивает высокую яркость излучения люминофора в элементах отображения в процессе работы панели.

Пример конкретного выполнения.

ГИП переменного тока состоит из двух диэлектрических пластин. На верхней диэлектрической пластине методом трафаретной печати сформированы электроды индикации из золотосодержащей пасты шириной 90 мкм с расстоянием между электродами 200 мкм. Электроды индикации покрыты диэлектрическим слоем из легкоплавкого стекла толщиной 35 мкм и защитным слоем из окиси магния. На второй диэлектрической пластине сформированы методом трафаретной печати электроды из серебросодержащей пасты шириной 100 мкм и шагом 0,35 мм, покрытые легкоплавким стеклом толщиной 15 мкм. Между электродами управления сформированы диэлектрические барьеры высотой 140 мкм. На легкоплавком стекле, расположенном на электродах управления и на боковых стенках барьеров, послойно сформированы покрытие из пасты на основе окиси магния толщиной 2 мкм и люминофорное покрытие 3-х основных цветов. ГИП загерметизирована и наполнена смесью Ne + 5% Xe, p = 500 мм рт.ст.

ГИП, выполненная вышеизложенным способом, имеет яркость 380 кд/кв.м, опорное напряжение индикации 200 B. ГИП без покрытия из тугоплавкого материала имеет яркость 310 кд/кв.м, опорное напряжение индикации - 220 В.

Таким образом, предложенное изобретение позволяет создать ГИП переменного тока с высокой яркостью и низким уровнем управляющих напряжений.