×
12.04.2019
219.017.0c0b

Результат интеллектуальной деятельности: Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях (ОУ), компараторах, мостовых усилителях мощности и т.п., в т.ч. работающих при низких температурах и воздействии радиации. Технический результат заключается в создании условий, при которых в заявляемом дифференциальном усилителе (ДУ) обеспечивается, более высокая стабильность статического режима ДУ при отрицательных температурах и изменении напряжений питания, возможность изменения напряжения ограничения проходной характеристики (U) по усмотрению разработчика (в зависимости от заданных значений SR) при фиксированном статическом токопотреблении. За счет выбора дополнительных резисторов обеспечивается заданный статистический режим по току во всех полевых транзисторах, что позволяет исключить из схемы ДК традиционные источники опорного тока, отрицательно влияющие на данные параметры при их построении. 1 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях (ОУ), компараторах, мостовых усилителях мощности и т.п., в т.ч. работающих при низких температурах и воздействии радиации [1].

Известны схемы классических дифференциальных усилителей (ДУ) на комплементарных транзисторах [2-28], в т.ч. на комплементарных КМОП полевых транзисторах [3-28] и комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом (JFet) [2], которые стали основой многих серийных аналоговых микросхем. В литературе по аналоговой микроэлектронике этот класс ДК имеет специальное обозначение – dual-input-stage [29].

Для работы при низких температурах при жестких ограничениях на уровень шумов перспективно использование JFet полевых транзисторов [30-32]. ДК данного класса активно применяются в структуре малошумящих аналоговых интерфейсов для обработки сигналов датчиков [33-35].

Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является дифференциальный каскад, описанный в патенте US 5.291.149, fig.4, 1994г., который содержит первый 1 вход, соединенный с затвором первого 2 входного полевого транзистора, второй 3 вход, соединенный с затвором второго 4 входного полевого транзистора, первый 5 токовый выход, соединенный со стоком первого 2 входного полевого транзистора и согласованный с первой 6 шиной источника питания, второй 7 токовый выход, соединенный со стоком второго 4 входного полевого транзистора и согласованный с первой 6 шиной источника питания, третий 8 входной полевой транзистор, сток которого соединен с третьим 9 токовым выходом и согласован со второй 10 шиной источника питания, четвертый 11 входной полевой транзистор, сток которого соединен с четвертым 12 токовым выходом и согласован со второй 10 шиной источника питания, причем каналы первого 2 и второго 4 входных полевых транзисторов имеют первый тип проводимости, а каналы третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов имеют другой тип проводимости.

Первый существенный недостаток известного ДК фиг. 1 состоит в том, что статический режим его входных транзисторов определяется двумя источниками опорного тока I1 (I2), которые, как правило, неидентичны. Это становится источником дополнительных погрешностей при усилении малых сигналов. Во-вторых, в известном ДК при фиксированном токе потребления затруднено изменение напряжения ограничения Uгр проходной характеристики iвых=f(uвх), которое оказывает существенное влияние на максимальную скорость нарастания выходного напряжения (SR) операционного усилителя с входным ДК фиг. 1 [36, 37]

, (1)

где f1 – частота единичного усиления скорректированного ОУ с входным ДУ фиг. 1, как правило, слабо зависящая от Uгр.

Это не позволяет управлять численными значениями SR в конкретных схемах ОУ при заданных ограничениях на токопотребление, запас устойчивости по фазе, коэффициент усиления по напряжению и т.п.

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании условий, при которых в ДУ фиг. 1 обеспечивается:

- более высокая стабильность статического режима ДУ при отрицательных температурах (до -197̊С) и изменении напряжений питания (в сравнении с ДУ фиг. 1 на основе классических источников опорного тока I1, I2);

- возможность изменения напряжения ограничения проходной характеристики (Uгр) по усмотрению разработчика (в зависимости от заданных значений SR) при фиксированном статическом токопотреблении.

Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном каскаде фиг. 1, содержащем первый 1 вход, соединенный с затвором первого 2 входного полевого транзистора, второй 3 вход, соединенный с затвором второго 4 входного полевого транзистора, первый 5 токовый выход, соединенный со стоком первого 2 входного полевого транзистора и согласованный с первой 6 шиной источника питания, второй 7 токовый выход, соединенный со стоком второго 4 входного полевого транзистора и согласованный с первой 6 шиной источника питания, третий 8 входной полевой транзистор, сток которого соединен с третьим 9 токовым выходом и согласован со второй 10 шиной источника питания, четвертый 11 входной полевой транзистор, сток которого соединен с четвертым 12 токовым выходом и согласован со второй 10 шиной источника питания, причем каналы первого 2 и второго 4 входных полевых транзисторов имеют первый тип проводимости, а каналы третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов имеют другой тип проводимости, предусмотрены новые элементы и связи – между истоками третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов включен первый 13 дополнительный резистор, между истоком третьего 8 входного полевого транзистора и истоком первого 2 входного полевого транзистора включен второй 14 дополнительный резистор, между истоком четвертого 11 входного полевого транзистора и истоком второго 4 входного полевого транзистора включен третий 15 дополнительный резистор, причем исток первого 2 входного полевого транзистора соединен с затвором четвертого 11 входного полевого транзистора, а исток второго 4 входного полевого транзистора соединен с затвором третьего 8 входного полевого транзистора.

На чертеже фиг. 1 представлена схема ДК-прототипа, а на чертеже фиг. 2 – схема заявляемого дифференциального каскада на комплементарных полевых транзисторах CJFET (ОАО «Интеграл», г. Минск) в соответствии с п.1 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 3 показан статический режим ДК фиг. 2 при t=27ᵒC в среде LTSpice на моделях CJFet транзисторов ОАО «Интеграл» (г. Минск).

На чертеже фиг. 4 представлен статический режим ДК фиг. 2 при
t=-197ᵒC в среде LTSpice на моделях CJFet транзисторов ОАО «Интеграл» (г. Минск).

На чертеже фиг. 5 приведены проходные характеристики ДК фиг. 3 при температуре 27ᵒС и разных сопротивлениях резистора R3*=10/100/1к/100к/1МОм для токовых выходов Iout1, Iout2, Iout3, Iout4 при входном напряжении V3=Vin, изменяющимся в пределах -5÷5В.

На чертеже фиг. 6 показаны проходные характеристики ДК фиг. 3 при температуре -197ᵒС и разных сопротивлениях резистора R3*=10/100/1к/100к/1МОм для токовых выходов Iout1, Iout2, Iout3, Iout4 при входном напряжении V3=Vin, изменяющимся в пределах -5÷5В.

На чертеже фиг. 7 представлена крутизна проходной характеристики Gm для токовых выходов в цепи стока полевых транзисторов J1, J2, J3, J4 ДК рис. 2 при разных температурах t= -197/-150/-125/-100/-75/-50/-30/0/27/30°С.

На чертеже фиг. 8 приведена схема заявляемого дифференциального каскада на комплементарных полевых транзисторах в соответствии с п. 2 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 9 показан статический режим ДК фиг. 8 при t=27ᵒC в среде LTSpice на моделях CJFet транзисторов ОАО «Интеграл» (г. Минск) при сопротивлении резистора R20>>R13 (фиг. 8).

На чертеже фиг. 10 представлен статический режим ДК фиг. 8 при t=-197ᵒC в среде LTSpice на моделях CJFet транзисторов ОАО «Интеграл» (г. Минск) при сопротивлении резистора R20>>R13 (фиг. 8).

На чертеже фиг. 11 приведены проходные характеристики ДК фиг. 9 при температуре 27ᵒС и разных сопротивлениях резистора R3*=100/1к/100к/1МОм для токовых выходов Iout1, Iout2, Iout3, Iout4 при входном напряжении V3=Vin, изменяющимся в пределах -5÷5В и сопротивлении резистора R20>>R13 (фиг. 8).

На чертеже фиг. 12 показаны проходные характеристики ДК фиг. 8 при температуре -197ᵒС и разных сопротивлениях резистора R3*=100/1к/100к/1МОм для токовых выходов Iout1, Iout2, Iout3, Iout4 при входном напряжении V3=Vin, изменяющимся в пределах -5÷5В и сопротивлении резистора R20>>R13 (фиг. 8)

На чертеже фиг. 13 представлена крутизна проходной характеристики Gm для токовых выходов в цепи стока полевых транзисторов J1, J2 и J3, J4 ДК фиг. 9 при разных температурах t= -197/-150/-125/-100/-75/-50/-30/0/27/30°С.

Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах фиг. 2 содержит первый 1 вход, соединенный с затвором первого 2 входного полевого транзистора, второй 3 вход, соединенный с затвором второго 4 входного полевого транзистора, первый 5 токовый выход, соединенный со стоком первого 2 входного полевого транзистора и согласованный с первой 6 шиной источника питания, второй 7 токовый выход, соединенный со стоком второго 4 входного полевого транзистора и согласованный с первой 6 шиной источника питания, третий 8 входной полевой транзистор, сток которого соединен с третьим 9 токовым выходом и согласован со второй 10 шиной источника питания, четвертый 11 входной полевой транзистор, сток которого соединен с четвертым 12 токовым выходом и согласован со второй 10 шиной источника питания, причем каналы первого 2 и второго 4 входных полевых транзисторов имеют первый тип проводимости, а каналы третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов имеют другой тип проводимости. Между истоками третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов включен первый 13 дополнительный резистор, между истоком третьего 8 входного полевого транзистора и истоком первого 2 входного полевого транзистора включен второй 14 дополнительный резистор, между истоком четвертого 11 входного полевого транзистора и истоком второго 4 входного полевого транзистора включен третий 15 дополнительный резистор, причем исток первого 2 входного полевого транзистора соединен с затвором четвертого 11 входного полевого транзистора, а исток второго 4 входного полевого транзистора соединен с затвором третьего 8 входного полевого транзистора.

На чертеже фиг. 2 в качестве элементов нагрузки первого 5, второго 7, третьего 9 и четвертого 12 токовых выходов ДК показаны соответствующие двухполюсники 16, 17, 18, 19. В частном случае, например, в операционном усилителе на основе заявляемого ДК, это могут быть входные сопротивления классических токовых зеркал.

На чертеже фиг. 8, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, между затворами третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов включен четвертый 20 дополнительный резистор.

Рассмотрим работу ДУ фиг. 2.

В статическом режиме, например, при подключении первого 1 и второго 3 входов ДК фиг. 2 к общей шине источников питания (6 и 10), первый 13 дополнительный резистор не влияет на статические токи истока всех полевых транзисторов схемы из-за ее симметрии. При этом

, (2)

, (3)

, (4)

, (5)

где Iиi – ток стока i-го полевого транзистора;

Uзи.8, Uзи.11 – напряжение затвор-исток соответствующих третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов в рабочей точке при токе истока, равном I0;

UR14=UR15 – падение напряжения на втором 14 и третьем 15 дополнительных резисторах от тока I0.

Таким образом, за счет выбора второго 14 и третьего 15 дополнительных резисторов обеспечивается идентичный заданный статический режим по току всех полевых транзисторов 2, 4, 8, 11 ДК фиг. 2:

. (6)

Следует заметить, что статический режим ДК фиг. 2 практически не зависит от величины входного синфазного сигнала и изменений напряжений питания на первой 6 и второй 10 шинах. Это позволяет исключить из схемы ДК фиг. 2 традиционные источники опорного тока (I1, I2, фиг. 1), отрицательно влияющие на данные параметры при их простейшем построении.

Если на вход 1 подается положительное входное напряжение uвх относительно входа 3, то это вызывает увеличение тока через первый дополнительный резистор и уменьшение тока истока второго 4 и четвертого 11 входных полевых транзисторов. В пределе ток истока первого 2 входного полевого транзистора может принимать удвоенное значение относительно своего статического уровня при uвх=0. Численные значения сопротивлений второго 14 и третьего 15 дополнительных резисторов определяют напряжение ограничения проходной характеристики ДК фиг. 2: чем больше сопротивления дополнительных резисторов R14=R15, тем при большем входном напряжении uвх=Uгр произойдет ограничение выходного тока ДК для первого 5 токового выхода. Об этом свидетельствуют графики фиг. 4, фиг. 5, фиг. 6, полученные для схемы фиг. 2.

Аналогичным образом на напряжение ограничения Uгр ДК фиг. 8 влияет четвертый 20 дополнительный резистор. Чем меньше его сопротивление, тем при меньших значениях входного напряжения uвх=Uгр произойдет ограничение выходного тока ДК фиг. 8 для первого 5 токового выхода (фиг. 11, фиг. 12), а также других токовых выходов (7, 9, 12).

Таким образом, первый 13 и четвертый 20 дополнительные резисторы определяют численные значения напряжения ограничения Uгр предлагаемого дифференциального усилителя для всех его токовых выходов 5, 7, 9, 12.

Графики, представленные на чертежах фиг. 5, фиг. 6, фиг. 11, фиг. 12, снятые при разных температурах и численных значениях сопротивлений первого 13 и четвертого 20 дополнительных резисторов подтверждают сделанные выше качественные выводы.

Результаты компьютерного моделирования в среде LTspice схем ДК фиг. 3 и фиг. 8 показывают, что на основе предлагаемого ДК реализуется широкий спектр проходных характеристик с разными численными значениями напряжения ограничения Uгр для первого 5 и второго 7 токовых выходов, согласованных с первой 6 шиной источника питания, и третьего 9 и четвертого 12 токовых выходов, согласованных со второй 10 шиной источника питания. В итоге, это позволяет проектировать дифференциальные и мультидифференциальные операционные усилители с заданным (см. формулу (1)) быстродействием.

Графики фиг. 7 и фиг. 13 характеризуют температурную зависимость крутизны проходной характеристики ДК фиг. 3 и ДК фиг. 8, определяющей дифференциальный коэффициент усиления по напряжению в практических схемах ОУ на основе предлагаемых ДК.

Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с известными схемотехническими решениями ДК класса dual-input-stage [2-28], что позволяет рекомендовать его для практического использования в различных ОУ и построения низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем по техпроцессу CJFet ОАО «Интеграл» (г. Минск), а также комплементарному полевому технологическому процессу АО «НПП «Пульсар» (г. Москва).

Библиографический список

1. O. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, K. O. Petrosiants, N. V. Kozhukhov and V. A. Tchekhovski, "The accounting of the simultaneous exposure of the low temperatures and the penetrating radiation at the circuit simulation of the BiJFET analog interfaces of the sensors," 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, 2017, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998507

2. Патент US 5.291.149 fig. 4, 1994 г.

1. Патент US 4.377.789, fig. 1, 1983 г.

2. Патентная заявка US 2006/0125522, 2006 г.

3. Патент US 7.907.011, 2011

4. US 2008/0024217, fig. 1, 2008 г.

5. Патент EP 0318263,1989 г.

6. Патент US 5.907.259, fig. 1, 1999 г.

7. Патент US 7.408.410, 2008 г.

8. Патент US 6.628.168, fig.2, 2003 г.

9. Патентная заявка US 2009/0302895, 2009 г.

10. Патент US 5.714.906, fig. 4, 1998 г.

11. Патент US 2005/0285677, 2005 г.

12. Патент US 5.070.306, fig. 3, 1991 г.

13. Патент US 2010/001797, 2010 г.

14. Патент US 6.972.623, fig. 4, fig. 6, 2005 г.

15. Патент US 2008/0252374, 2008 г.

16. Патент US 7.586.373, 2009 г.

17. Патент US 2006/0215787, 2006 г.

18. Патент US 7.453.319, 2008 г.

19. Патент US 2004/0174216, fig. 2, 2004 г.

20. Патент US 7.215.200, fig. 6, 2007 г.

21. Патент US № 6.433.637, fig. 2, 2002 г.

22. Патент US № 6.392.485, 2002 г.

23. Патент US 5.963.085, fig. 3, 1999 г.

24. Патент US 6.788.143, 2004 г.

25. Патент US 4.390.850, 1983 г.

26. Патент US 6.696.894, fig. 1, 2004 г.

29. N. N. Prokopenko, N. V. Butyrlagin, A. V. Bugakova and A. A. Ignashin, "Method for speeding the micropower CMOS operational amplifiers with dual-input-stages," 2017 24th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), Batumi, 2017, pp. 78-81.

30. K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-zade, L. M. Sambursky, O. V. Dvornikov, B. G. Lvov and I. A. Kharitonov, "Automation of parameter extraction procedure for Si JFET SPICE model in the −200…+110°C temperature range," 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT), Moscow, 2018, pp. 1-5. DOI: 10.1109/MWENT.2018.8337212

31. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 2 / О. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника, 2015, № 5. С. 24-28

32. O. V. Dvornikov, N. N. Prokopenko, N. V. Butyrlagin and I. V. Pakhomov, "The differential and differential difference operational amplifiers of sensor systems based on bipolar-field technological process AGAMC," 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Moscow, 2016, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2016.7491792

33. Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н. "Малошумящий электронный модуль обработки сигналов лавинных фотодиодов" Приборы и методы измерений, no. 2 (7), 2013, pp. 42-46.

34. Дворников О. Чеховский В., Дятлов В., Прокопенко Н. Применение структурных кристаллов для создания интерфейсов датчиков //Современная электроника. – 2014. – №. 1. – С. 32-37.

35. O. V. Dvornikov, A. V. Bugakova, N. N. Prokopenko, V. L. Dziatlau and I. V. Pakhomov, "The microcircuits MH2XA010-02/03 for signal processing of optoelectronic sensors," 2017 18th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Erlagol, 2017, pp. 396-402. DOI: 10.1109/EDM.2017.7981781

36. Прокопенко Н.Н. Нелинейная активная коррекция в прецизионных аналоговых микросхемах (монография) // Ростов-на-Дону: Изд-во Северо-Кавказского научного центра высшей школы, 2000. 222с.

37. Операционные усилители с непосредственной связью каскадов: монография / Анисимов В.И., Капитонов М.В., Прокопенко Н.Н., Соколов Ю.М. - Л.: «Энергия», 1979. - 148 с.


Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 151-160 из 186.
02.04.2020
№220.018.12df

Универсальный программируемый arc-фильтр

Изобретение относится к средствам перестраиваемых ограничителей спектра, включаемых на входе аналого-цифровых преобразователей различного назначения. Технический результат заключается в повышении стабильности реализуемой добротности. По сравнению с прототипом универсальный программируемый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002718212
Дата охранного документа: 31.03.2020
05.04.2020
№220.018.136c

Устройство обнаружения локально-стационарных областей на изображении

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в системах анализа и обработки изображений. Техническим результатом является повышение качества получаемого результата. Устройство обнаружения локально-стационарных областей на изображении содержит блок хранения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002718429
Дата охранного документа: 02.04.2020
15.04.2020
№220.018.14a9

Полосовой фильтр с независимой подстройкой основных параметров

Изобретение относится к средствам выделения заданного спектра источника сигнала, например, при его дальнейшей обработке аналого-цифровыми преобразователями различных модификаций. Технический результат заключается в обеспечении полосового фильтра с более низкой параметрической чувствительностью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002718709
Дата охранного документа: 14.04.2020
17.04.2020
№220.018.1535

Полосовой фильтр второго порядка с независимой подстройкой основных параметров

Изобретение относится к средствам выделения заданного спектра источника сигнала, например, при его дальнейшей обработке аналого-цифровыми преобразователями различных модификаций. Технический результат заключается в обеспечении полосового фильтра с более низкой параметрической чувствительностью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002718830
Дата охранного документа: 14.04.2020
04.05.2020
№220.018.1b9f

Токовое зеркало для работы при низких температурах

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в создании как инвертирующего, так и неинвертирующего токового зеркала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом для работы при низких температурах, обеспечивающего для разных выходов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002720365
Дата охранного документа: 29.04.2020
14.05.2020
№220.018.1bf5

Промежуточный каскад операционного усилителя с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом

Изобретение относится к области радиотехники и микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых микросхемах и аналого-цифровых интерфейсах датчиков. Технический результат заключается в создании стабильно работающего промежуточного каскада с повышенными коэффициентами усиления по току с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002720555
Дата охранного документа: 12.05.2020
14.05.2020
№220.018.1c03

Активный rc-фильтр нижних частот с одноэлементной перестройкой частоты полюса на дифференциальном и двух мультидифференциальных операционных усилителях

Изобретение относится к области радиотехники и может использоваться в качестве ограничителей спектра, включаемых на входе аналого-цифровых преобразователей различного назначения. Технический результат заключается в обеспечении перестройки амплитудно-частотной характеристики ФНЧ без изменения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002720559
Дата охранного документа: 12.05.2020
14.05.2020
№220.018.1c41

Многофункциональное токовое зеркало на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом для работы при низких температурах

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве функционального узла аналоговых микросхем (например, дифференциальных (ОУ) и мультидифференциальных операционных усилителях (МОУ), компараторах и т.п.) для задач усиления и фильтрации сигналов, в том числе в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002720557
Дата охранного документа: 12.05.2020
14.05.2020
№220.018.1c59

Неинвертирующее токовое зеркало на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом для работы при низких температурах

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в обеспечении неинвертирующего преобразования входного токового сигнала с коэффициентом передачи по току больше единицы. Токовое зеркало содержит вход и выход устройства, согласованные с первой шиной источника...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002720554
Дата охранного документа: 12.05.2020
14.05.2020
№220.018.1c66

Полосовой фильтр на двух операционных усилителях с независимой подстройкой основных параметров

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в качестве интерфейса для выделения заданного спектра источника сигнала с аналого-цифровыми преобразователями различных модификаций. Технический результат заключается в обеспечении низкой параметрической чувствительности при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002720558
Дата охранного документа: 12.05.2020
Показаны записи 151-160 из 217.
01.08.2019
№219.017.baf9

Активный rc-фильтр нижних частот третьего порядка на операционном усилителе с парафазным выходом

Изобретение относится к области радиотехник. Технический результат заключается в увеличении крутизны амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) ФНЧ в переходной области и увеличении затухания АЧХ в полосе задерживания. Активный RC-фильтр содержит дифференциальный операционный усилитель (5) с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002695977
Дата охранного документа: 29.07.2019
01.08.2019
№219.017.bb05

Двоичный токовый пороговый rs-триггер

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в быстродействующих аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков. Технический результат: повышение быстродействия систем обработки информации и создание элементной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002695979
Дата охранного документа: 29.07.2019
17.08.2019
№219.017.c134

Активный rc-фильтр для обработки сигналов пьезоэлектрического преобразователя

Изобретение относится к области радиотехники, а также измерительной техники и может использоваться в составе электромеханических систем балансировки роторов. Технический результат заключается в увеличении гарантированного затухания амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) активного RC-фильтра...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697611
Дата охранного документа: 15.08.2019
17.08.2019
№219.017.c13f

Активный rc-фильтр нижних частот третьего порядка

Изобретение относится к измерительной техники и может использоваться, например, в качестве ограничителей спектра, включаемых на входе аналого-цифровых преобразователей различного назначения. Технический результат заключается в увеличении гарантированного затухания амплитудно-частотной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697612
Дата охранного документа: 15.08.2019
23.08.2019
№219.017.c29b

Активный rc-фильтр нижних частот третьего порядка на базе операционного усилителя с парафазным выходом

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано, например, в качестве ограничителей спектра, включаемых на входе аналого-цифровых преобразователей различного назначения. Технический результат заключается в увеличении гарантированного затухания амплитудно-частотной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697945
Дата охранного документа: 21.08.2019
23.08.2019
№219.017.c2b6

Полосовой фильтр второго порядка с независимой подстройкой основных параметров

Изобретение относится к средствам выделения заданного спектра источника сигнала, например, при его дальнейшей обработке аналого-цифровыми преобразователями различных модификаций. Технический результат заключается в обеспечении независимой подстройки трех основных параметров АЧХ – частоты полюса...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697944
Дата охранного документа: 21.08.2019
02.10.2019
№219.017.cb90

Полосовой фильтр на двух операционных усилителях с независимой подстройкой основных параметров

Изобретение относится к средствам выделения заданного спектра источника сигнала, например, при его дальнейшей обработке аналого-цифровыми преобразователями различных модификаций. Технический результат заключается в обеспечении независимой подстройки трех основных параметров АЧХ – частоты полюса...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701038
Дата охранного документа: 24.09.2019
02.10.2019
№219.017.cc49

Низкочувствительный полосовой фильтр с независимой подстройкой основных параметров

Изобретение относится к средствам радиотехники и связи и может быть использовано в качестве интерфейса для выделения заданного спектра источника сигнала, например, при его дальнейшей обработке аналого-цифровыми преобразователями различных модификаций. Технический результат заключается в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701095
Дата охранного документа: 24.09.2019
02.10.2019
№219.017.cd51

Токовый пороговый логический элемент "неравнозначность"

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в быстродействующих аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков. Техническим результатом является создание токового порогового логического элемента...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701108
Дата охранного документа: 24.09.2019
12.10.2019
№219.017.d49f

Универсальный активный rc-фильтр

Изобретение относится к области радиотехники, а также измерительной техники, и может использоваться, например, в качестве ограничителей спектра, включаемых на входе аналого-цифровых преобразователей различного назначения. Технический результат заключается в упрощении процесса подстройки и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002702499
Дата охранного документа: 08.10.2019
+ добавить свой РИД