×
01.03.2019
219.016.d0c1

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МАТЕРИАЛЕ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества проводящих слоев и поверхностей полупроводниковых пленок, применяемых при изготовлении изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: в способе определения неоднородностей в полупроводниковом материале, включающем анодное оксидирование поверхности твердого тела из полупроводникового материала в водном растворе электролита и последующее визуальное определение мест расположения неоднородностей на поверхности твердого тела, согласно изобретению в качестве водного раствора электролита используют водный раствор фосфорной кислоты с концентрацией от 0,05 до 0,1 М, процесс электролиза ведут в течение от 0,5 до 5,0 с при постоянном напряжении от 30 до 130 В, при этом о местах расположения неоднородностей в твердом теле из полупроводникового материала судят по местам расположения на его поверхности участков, цвет или цветовой тон которых отличается от цвета или цветового тона остальной поверхности твердого тела. При реализации изобретения не используются агрессивные химические агенты.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества проводящих слоев и поверхностей полупроводниковых пленок, применяемых при изготовлении изделий микроэлектроники, например светоизлучающих диодов и фотодетекторов.

Известны способы определения неоднородностей в полупроводниковых материалах, обусловленных дефектами их структуры, посторонними включениями, наличием участков с неравномерным легированием, которые основаны на электрохимическом оксидировании поверхности исследуемой пленки.

Известен способ определения неоднородностей в полупроводниковых пленках [JP 57056941], который включает формирование тонкой проводящей пленки на исследуемой полупроводниковой пленке и последующее проведение электролиза в растворе фосфорной, уксусной, азотной кислоты с использованием исследуемой полупроводниковой пленки в качестве анода. В процессе электролиза происходит образование оксидной пленки на тех участках сформированной тонкой проводящей пленки, которые расположены поверх мест расположения неоднородностей, присутствующих в исследуемой пленке, поскольку указанные участки обладают более высокой электропроводностью. При этом одновременно под воздействием используемой в качестве электролита кислоты происходит вытравливание участков тонкой проводящей пленки, не защищенных оксидной пленкой. Затем визуально определяют локализацию неоднородностей в исследуемой полупроводниковой пленке, которая соответствует локализации на ее поверхности участков, покрытых пленкой оксида.

Рассматриваемый способ является сложным, что связано с необходимостью предварительного нанесения на исследуемую пленку тонкой проводящей пленки.

Известен способ определения неоднородностей в полупроводниковом материале, в частности в кристаллической пленке из карбида кремния [JP 63025943], который выбран авторами в качестве ближайшего аналога.

Рассматриваемый способ включает анодное оксидирование поверхности полупроводниковой пленки в водном растворе электролита. В качестве водного раствора электролита используют водный раствор фтористоводородной кислоты, процесс электролиза ведут в течение от 30 с до 10 мин при постоянном напряжении от 5 до 15 В. Одновременно под воздействием используемой в качестве электролита фтористоводородной кислоты происходит вытравливание образующейся пленки оксида. Затем осматривают протравленную поверхность исследуемой полупроводниковой пленки с помощью оптического микроскопа и визуально определяют места расположения в ней неоднородностей.

Недостатком рассматриваемого способа является необходимость использования специального оптического оборудования, а именно микроскопа, что усложняет способ. Кроме того, для вытравливания пленки оксида в рассматриваемом способе используется агрессивный химический агент - фтористоводородная кислота, которая относится к вредным соединениям.

Задачей заявляемого изобретения является создание нового способа определения неоднородностей в полупроводниковом материале.

Сущность заявляемого изобретения заключается в том, что в способе определения неоднородностей в полупроводниковом материале, включающем анодное оксидирование поверхности твердого тела из полупроводникового материала в водном растворе электролита и последующее визуальное определение мест расположения неоднородностей на поверхности твердого тела, согласно изобретению в качестве водного раствора электролита используют водный раствор фосфорной кислоты с концентрацией от 0,05 до 0,1 М, процесс электролиза ведут в течение от 0,5 до 5,0 с при постоянном напряжении от 30 до 130 В, при этом о местах расположения неоднородностей в твердом теле из полупроводникового материала судят по местам расположения на его поверхности участков, цвет или цветовой тон которых отличается от цвета или цветового тона остальной поверхности твердого тела.

В заявляемом способе в результате электролиза на поверхности исследуемого твердого тела из полупроводникового материала образуется пленка оксида. В ходе проведения экспериментальных исследований авторами были подобраны электролит и режимы анодного оксидирования, при которых на поверхности твердого тела образуется оксидная пленка небольшой толщины (не более 1 мкм). Цвет указанной тонкой оксидной пленки определяется ее оптической толщиной, прямо пропорциональной толщине пленки. Участки поверхности с более высокой электропроводностью, соответствующие местам расположения неоднородностей в исследуемом твердом теле, окисляются быстрее, оксидная пленка над этими участками имеет большую толщину и, соответственно, отличается по цветовому тону от цветового тона оксидной пленки на остальной части поверхности. При этом оксидная пленка, образовавшаяся над неоднородностями, представляющими собой включения вещества другой химической природы, может иметь иной цвет, чем цвет оксидной пленки над остальной частью поверхности.

То есть, по наличию и местам расположения участков оксидной пленки, цветовой тон или цвет которых отличается от цвета или цветового тона остальной поверхности оксидной пленки, можно визуально судить о наличии и местах расположения имеющихся в исследуемом твердом теле неоднородностей. При этом визуальное определение неоднородностей можно осуществлять невооруженным глазом или, в случае исследования твердых тел относительно малого размера, с использованием оптического микроскопа.

При времени электролиза более 5,0 с оптические свойства образующейся оксидной пленки выравниваются по ее объему, что снижает чувствительность визуального определения неоднородностей.

При величине напряжения свыше 130 В может наступить пробой оксидной пленки, что ведет к нарушению процесса анодного оксидирования.

При времени проведения электролиза менее 0,5 с оксидная пленка, доступная для наблюдения, на поверхности исследуемого твердого тела не успевает образоваться.

Важным в заявляемом способе является выбор в качестве электролита водного раствора фосфорной кислоты с концентрацией 0,05 до 0,1 М, которая обеспечивает достаточную для протекания электрохимического процесса проводимость и при этом не оказывает разрушающего действия на оксидную пленку.

При концентрации фосфорной кислоты в водном растворе менее 0,05 М проводимость электролита становится слишком низкой. При концентрации фосфорной кислоты в водном растворе более 0,1 М из-за повышения вязкости электролита замедляется движение реагентов вблизи поверхности оксидируемого твердого тела, и за указанное время электролиза оксидная пленка не успевает образоваться.

Таким образом, техническим результатом, достигаемым при использовании заявляемого изобретения, является создание нового способа определения неоднородностей в полупроводниковом материале, основанного на визуальном определении на поверхности исследуемого твердого тела участков, цветовой тон или цвет которых отличается от цветового тона или цвета остальной поверхности твердого тела.

Заявляемый способ осуществляют следующим образом.

Проводят электрохимический процесс оксидирования исследуемого твердого тела из полупроводникового материала в растворе электролита, в качестве которого используют водный раствор фосфорной кислоты с концентрацией от 0,05 до 0,1 М, при этом испытуемое твердое тело служит анодом. В качестве материала катода могут быть использованы, например, платина, графит. Процесс ведут при постоянном напряжении 30-130 В в течение 0,5-5,0 с. В ходе электролиза на поверхности испытуемого твердого тела образуется оксидная пленка.

По окончании процесса электролиза визуально определяют участки поверхности исследуемого твердого тела, цвет или цветовой тон которых отличается от цвета или цветового тона остальной поверхности твердого тела, и по наличию и местам расположения указанных участков судят о наличии и местах расположения имеющихся в исследуемом твердом теле неоднородностей. При этом визуальное определение неоднородностей можно осуществлять невооруженным глазом или, в случае исследования твердых тел относительно малого размера, с использованием оптического микроскопа.

Возможность реализации заявляемого способа показана в примерах конкретного выполнения.

Пример 1

Определяли наличие неоднородностей в арсениде галлия.

Осуществляли анодное оксидирование испытуемого образца в водном растворе фосфорной кислоты с концентрацией 0,05 М.

Процесс электролиза вели при постоянном напряжении 30 В в течение 0,5 с. В ходе электролиза на поверхности испытуемой пленки твердого тела образовалась оксидная пленка. По окончании процесса визуально исследовали оксидированную поверхность испытуемой пленки. Обнаружили, что большая часть поверхности пленки имела светло-синий цвет, при этом наблюдались участки поверхности, имеющие желтый цвет. По наличию и местам расположения участков с желтым цветом судили о наличии и местам расположения неоднородностей, присутствующих в пленке арсенида галлия.

Пример 2

Определяли наличие неоднородностей в образце из антимонида галлия.

Осуществляли анодное оксидирование испытуемой пленки в водном растворе фосфорной кислоты с концентрацией 0,05 М.

Процесс электролиза вели при постоянном напряжении 130 В в течение 0,5 с. В ходе электролиза на поверхности испытуемой пленки твердого тела образовалась оксидная пленка. По окончании процесса визуально исследовали оксидированную поверхность испытуемой пленки. Обнаружили, что большая часть поверхности пленки имела голубой цвет, при этом наблюдались участки поверхности, имеющие более темный синий цвет. По наличию и местам расположения участков с более темным синим цветом судили о наличии и местах расположения неоднородностей, присутствующих в образце антимонида галлия.

Пример 3

Определяли наличие неоднородностей в образце из антимонида индия.

Осуществляли анодное оксидирование испытуемой пленки в водном растворе фосфорной кислоты с концентрацией 0,1 М.

Процесс электролиза вели при постоянном напряжении 100 В в течение 5,0 с. В ходе электролиза на поверхности испытуемой пленки твердого тела образовалась оксидная пленка. По окончании процесса визуально исследовали оксидированную поверхность испытуемой пленки. Обнаружили, что большая часть поверхности пленки имела светло-синий цвет, при этом наблюдались участки поверхности, имеющие более темный синий цвет. Кроме того, наблюдались точечные участки красного цвета. По наличию и местам расположения участков с более темным синим цветом и участков красного цвета судили о наличии и местам расположения неоднородностей, присутствующих в пленке антимонида индия.

Способ определения неоднородностей в полупроводниковом материале, включающий анодное оксидирование поверхности твердого тела из полупроводникового материала в водном растворе электролита и последующее визуальное определение мест расположения неоднородностей на поверхности твердого тела, отличающийся тем, что в качестве водного раствора электролита используют водный раствор фосфорной кислоты с концентрацией от 0,05 до 0,1 М, процесс электролиза ведут в течение от 0,5 до 5,0 с при постоянном напряжении от 30 до 130 В, при этом о местах расположения неоднородностей в твердом теле из полупроводникового материала судят по местам расположения на его поверхности участков, цвет или цветовой тон которых отличается от цвета или цветового тона остальной поверхности твердого тела.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-2 из 2.
01.03.2019
№219.016.cedd

Способ полирования полупроводниковых материалов

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов, а именно к химико-механическим способам полирования полупроводников. Изобретение обеспечивает высокое качество полированной поверхности. Сущность изобретения: в способе химико-механического полирования полупроводниковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002457574
Дата охранного документа: 27.07.2012
01.03.2019
№219.016.d0be

Способ изготовления полупроводниковой структуры с p-n переходами

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным структурам, используемым, в частности, в фотоэлектрических преобразователях. Способ изготовления полупроводниковой структуры включает последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002461093
Дата охранного документа: 10.09.2012
Показаны записи 21-30 из 63.
10.04.2016
№216.015.2ccb

Система позиционирования и слежения за солнцем концентраторной фотоэнергоустановки

Система позиционирования и слежения за Солнцем концентраторнойфотоэнергоустановки, содержащая платформу с концентраторными каскадными модулями, подсистему азимутального вращения, подсистему зенитального вращения, силовой блок, блок управления положением платформы с блоком памяти, содержащий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002579169
Дата охранного документа: 10.04.2016
12.01.2017
№217.015.648e

Способ изготовления многопереходного солнечного элемента

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589464
Дата охранного документа: 10.07.2016
13.01.2017
№217.015.919e

Фотоэлектрический преобразователь

Изобретение относится к электронной технике, а именно к фотоэлектрическим преобразователям солнечной энергии. Фотоэлектрический преобразователь на основе изотипной варизонной гетероструктуры из полупроводниковых соединений A3B5 и/или A2B6 содержит полупроводниковую подложку и изотипный с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002605839
Дата охранного документа: 27.12.2016
25.08.2017
№217.015.a5d3

Способ изготовления фотоэлемента на основе gaas

Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaAs включает выращивание методом жидкофазной эпитаксии на подложке n-GaAs базового слоя n-GaAs, легированного оловом или теллуром, толщиной 10-20 мкм и слоя p-AlGaAs, легированного цинком, при х=0,2-0,3 в начале роста и при х=0,10-0,15 в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607734
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.a9ae

Солнечный концентраторный модуль

Солнечный концентраторный модуль (1) содержит боковые стенки (2), фронтальную панель (3) с линзами (4) Френеля на внутренней стороне фронтальной панели (3), тыльную панель (9) с фоконами (6) и солнечные элементы (7), снабженные теплоотводящими основаниями (8). Теплоотводящие основания (8)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611693
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.a9ce

Система управления платформой концентраторных солнечных модулей

Система управления платформой концентраторных солнечных модулей содержит платформу (6) с концентраторными каскадными солнечными модулями, оптический солнечный датчик (24), выполненный в виде CMOS матрицы, подсистему (7) азимутального вращения, подсистему (8) зенитального вращения, включающую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611571
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.aa69

Метаморфный фотопреобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания солнечных элементов. Метаморфный фотопреобразователь включает подложку (1) из GaAs, метаморфный буферный слой (2) и по меньшей мере один фотоактивный p-n-переход (3), выполненный из InGaAs и включающий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611569
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.aaa3

Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам создания наногетероструктур для фотопреобразующих и светоизлучающих устройств. Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой включает выращивание на подложке GaSb газофазной эпитаксией из металлоорганических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611692
Дата охранного документа: 28.02.2017
26.08.2017
№217.015.da8c

Способ получения антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, применяемым в производстве полупроводниковых приборов. В способе изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623832
Дата охранного документа: 29.06.2017
26.08.2017
№217.015.e151

Система слежения за солнцем концентраторной энергоустановки

Изобретение относится к области солнечной энергетики и может найти применение, например, при создании установок с фотоэлектрическими модулями. Система слежения за Солнцем концентраторной энергоустановки включает подсистему (1) азимутального вращения и подсистему (2) зенитального вращения....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002625604
Дата охранного документа: 17.07.2017
+ добавить свой РИД