×
24.01.2019
219.016.b2e2

СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002677920
Дата охранного документа
22.01.2019
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к медицине, и именно к косметологии. Осуществляют косметический уход, согласно которому наносят на кожу композицию косметической маски на водной основе, содержащую воду, магнитный порошок, загуститель и заряженный ионофорезный компонент. Прикладывают магнитную силу к магнитному порошку в композиции косметической маски на водной основе, нанесенной на кожу, притягивая и удаляя магнитный порошок с поверхности кожи, оставляя при этом водный раствор ионофорезного компонента на поверхности кожи. Подают ток, использование которого обеспечивает ионофорез на кожу, обеспечивая проникновение оставшегося водного раствора ионофорезного компонента маски в кожу путем ионофореза. Способ позволяет эффективно осуществлять притягивание и удаление загрязнений с кожи. 2 н. и 10 з.п. ф -лы, 15 ил., 1 табл.
Реферат Свернуть Развернуть

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

[0001] Настоящее изобретение относится к способу косметического ухода для красоты кожи.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

[0002] В качестве способа косметического ухода для красоты кожи, известен способ, в котором используется вещество косметической маски. Вещество косметической маски создано для того, чтобы удалять, например, загрязнения и остатки кожи вместе с используемым веществом косметической маски. Способы удаления такого используемого вещества косметической маски с кожи, обычно варьируются от вытирания, например, ватой, до смывания, например, теплой водой. В последнее время для удаления используемого вещества косметической маски были разработаны более простые способы, чем эти обычные.

[0003] Например, в патентном документе 1 предлагается очищающий крем для кожи, который получают путем добавления порошка, состоящего из намагниченных частиц или частиц, которые могут быть намагничены, в вспомогательное вещество, служащее в качестве применяемой основы. Очищающий крем для кожи используется, например, следующим образом: после того, как очищающий крем для кожи наносится на кожу, можно поднести магнит или подобное к очищающему крему для кожи на поверхности кожи. Таким образом, магнитная сила действует на порошок, содержащийся в очищающем креме для кожи, и притягивает порошок. Затем используемый очищающий крем для кожи, сцепленный с порошком и загрязнениями на коже и прочим, притягивается и удаляется магнитной силой с поверхности кожи вместе с порошком. Таким образом, очищающий крем для кожи легко удаляется с поверхности кожи.

[0004] В то же время, после удаления загрязнений на коже и прочего путем использования вещества косметической маски, также эффективно для красоты кожи позволить косметическим компонентам, таким как питательные компоненты, которые поставляют питательные вещества к коже, и отбеливающему ингредиенту для производства отбеливающего эффекта проникнуть в кожу, чтобы получить косметические эффекты от этих косметических компонентов. Например, в патентном документе 2 раскрывается способ активизации инфильтрации косметического компонента посредством ионтофореза. Ионтофорез является способом активизации инфильтрации косметического компонента в кожу, чтобы позволить заряженному косметическому компоненту переместиться в кожу, путем приложения слабого тока к требуемой части, в которую должен подаваться косметический компонент.

Документ предшествующего уровня техники

Патентный документ

[0005] Патентный документ 1: JP-B-61-3765

Патентный документ 2: JP-B-4768404

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ПРОБЛЕМА, РЕШАЕМАЯ ИЗОБРЕТЕНИЕМ

[0006] Более сильный косметический эффект может быть получен путем выполнения удаления загрязнений на коже и прочего с помощью вещества косметической маски и ионтофореза последовательно. Однако, для выполнения их последовательно, имеют место следующие проблемы.

[0007] Более конкретно, в обычном веществе косметической маски, содержащем магнитный порошок, используется вспомогательное вещество, содержащее в качестве основного компонента маслянистое вещество, такое как вазелин. Из-за этого маслянистый ингредиент, по меньшей мере, частично остается на поверхности кожи и образует маслянистую пленку после того, как вещество косметической маски притягивается и удаляется с кожи под действием магнитной силы. Кроме того, так как маслянистая пленка изоляционная, трудно приложить слабый ток к коже для ионтофореза.

[0008] Как указано выше, трудно для обычного вещества косметической маски, содержащего магнитный порошок, осуществлять притягивание и удаление загрязнений кожи и прочего и ионтофореза последовательно, и масляная пленка должна быть удалена с поверхности кожи до ионтофореза. По той причине, отличный косметический эффект, производимый при проведении последовательно удаления загрязнений на коже и прочего и ионтофореза, почти никогда не получается. Так как этап удаления маслянистой пленки с поверхности кожи должен быть выполнен в дополнение к удалению используемого вещества косметической маски и ионтофорезу, рабочий процесс усложняется.

[0009] Для того, чтобы избежать указанной выше проблемы, является возможным способ, в котором используется вещество косметической маски на водной основе, которое редко образует масляную пленку на поверхности кожи. Однако, в этом случае, путем добавления магнитного порошка к веществу косметической маски на водной основе, трудно получить вещество косметической маски в виде пасты, пригодной для нанесения на кожу,.

[0010] Настоящее изобретение было сделано с учетом указанных выше предпосылок и направлено на предоставление способа косметического ухода, который может обеспечить превосходный косметический эффект посредством простой процедуры.

СРЕДСТВА РЕШЕНИЯ ПРОБЛЕМЫ

[0011] В соответствии с аспектом настоящего изобретения предлагается способ косметического ухода, содержащий

этап нанесения вещества косметической маски на водной основе, содержащего воду, магнитный порошок, загуститель и заряженный ионтофорезный компонент на кожу,

этап приложения магнитной силы к магнитному порошку в веществе косметической маски на водной основе, нанесенном на кожу для того, чтобы притянуть и удалить магнитный порошок с поверхности кожи, оставляя при этом водный раствор ионтофорезного компонента на поверхности кожи, и

этап подачи ионтофорезного тока на кожу при помощи водного раствора, оставшегося для того, чтобы дать возможность ионтофорезному компоненту проникнуть в кожу.

ЭФФЕКТЫ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0012] В способе косметического ухода, во-первых, выполняется этап нанесения вещества косметической маски на водной основе на кожу. Поскольку вещество косметической маски на водной основе содержит воду, магнитный порошок и загуститель, магнитный порошок диспергируется в веществе косметической маски на водной основе и вещество косметической маски на водной основе получается в виде пасты, подходящей для нанесения на кожу, в результате чего пользователь чувствует равномерное нанесение на кожу.

[0013] Затем выполняется этап приложения магнитной силы к магнитному порошку в веществе косметической маски на водной основе, нанесенном на кожу для того, чтобы притянуть и удалить магнитный порошок с поверхности кожи. На этом этапе магнитный порошок притягивается и удаляется с поверхности кожи под действием магнитной силы; в то же самое время, используемое вещество косметической маски на водной основе, сцепленное с магнитным порошком и загрязнениями на коже и прочим притягиваются и удаляются с поверхности кожи посредством магнитной силы.

[0014] Поскольку вещество косметической маски на водной основе является водным, масляная пленка редко образуется на поверхности кожи после того, как используемое вещество косметической маски на водной основе притягивается и удаляется. Таким образом, количество вещества, которое ингибирует инфильтрацию косметического компонента, такого как загрязнения кожи, остатки или масляная пленка является небольшим на поверхности кожи после того, как вещество косметической маски на водной основе притягивается и удаляется. Полученная поверхность кожи находится в состоянии, в котором легко проникает косметический компонент. Так как ионтофорезный компонент заранее смешивают с веществом косметической маски на водной основе, водный раствор, содержащий ионтофорезный компонент ионтофореза, может оставаться нанесенным на поверхность кожи, даже несмотря на то, что вещество косметической маски на водной основе притягивается и удаляется с поверхности кожи.

[0015] После этого выполняется этап подачи ионтофорезного тока на кожу, на которую нанесен водный раствор, для того, чтобы позволить ионтофорезному компоненту проникнуть в кожу. Как описано выше, вещество косметической маски на водной основе редко образует маслянистую пленку на поверхности кожи после притяжения и удаления. Таким образом, после того, как вещество косметической маски на водной основе притягивается и удаляется с поверхности кожи, ионтофорезный ток может быть подан на кожу без удаления маслянистой пленки. Благодаря этому, заряженный ионтофорезный компонент может иметь возможность переместиться в кожу, и может быть облегчена инфильтрация ионтофорезного компонента в кожу. Как указано выше, ионтофорез не может быть выполнен ​​сразу же после того, как вещество косметической маски притягивается и удаляется с помощью обычных веществ косметической маски, содержащих маслянистый ингредиент в качестве основного компонента.

[0016] Как указано выше, в способе косметического ухода, вещество косметической маски на водной основе наносится на кожу и затем вещество косметической маски на водной основе притягивается и удаляется с помощью магнитной силы. Благодаря последовательным операциям, рабочий этап притягивания и удаления загрязнений на коже и прочего и рабочий этап нанесения водного раствора, содержащего ионтофорезный компонент, на кожу могут осуществляться непрерывно, и далее может непрерывно осуществляться ионтофорез. Таким образом, отличный косметический эффект можно легко получить путем последовательно выполнения удаления загрязнений на коже и прочего и ионтофореза. Так как между удалением загрязнений на коже и ионтофорезом не требуется рабочего этапа удаления маслянистой пленки с поверхности кожи, рабочий процесс может быть еще более упрощен.

[0017] Как описано выше, в соответствии со способом косметического ухода, косметический эффект может быть более чем на отлично получен с помощью простых этапов.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

[0018] [Фигура 1] На Фигуре 1 (а) проиллюстрировано состояние, в котором наносится вещество косметической маски на водной основе в Примере 1, на (b) проиллюстрировано состояние, в котором вещество косметической маски на водной основе притягивается и удаляется с помощью магнитной силы, и на (c) проиллюстрировано состояние, в котором осуществляется ионтофорез.

[Фигура 2] На Фигуре 2 показан график формы волны ионтофорезного тока в Примере 1.

[Фигура 3] На Фигуре 3 представлен график, показывающий изменение эластичности кожи до и после испытания в Примере 1.

[Фигура 4] На Фигуре 4 представлен вид в перспективе прибора для косметического ухода, описанного в Примере 2.

[Фигура 5] На Фигуре 5 представлена горизонтальная проекция прибора для косметического ухода, описанного в Примере 2, если смотреть сверху, т.е., с противоположной стороны от поверхности генерации магнитной силы.

[Фигура 6] На Фигуре 6 представлена горизонтальная проекция прибора для косметического ухода, описанного в Примере 2, если смотреть снизу, т.е., поверхность генерации магнитной силы.

[Фигура 7] На Фигуре 7 представлен вид в разрезе по линии, определяемой А-А, показанной на Фигуре 5.

[Фигура 8] На Фигуре 8 представлена блок-схема, описывающая строение секции управления прибором для косметического ухода, описанного в Примере 2.

[Фигура 9] На Фигуре 9 представлена показана блок-схема, показывающая работу прибора для косметического ухода, описанного в Примере 2.

[Фигура 10] На Фигуре 10 представлена блок-схема, показывающая работу функции обнаружения кожи при протекании ионтофорезного тока, описанной в Примере 2.

[Фигура 11] На Фигуре 11 представлен график формы волны, показывающий разность потенциалов, возникающую между обоими концами секции резистора на этапе S5, когда рабочий электрод и противоэлектрод прибора для косметического ухода, описанного в Примере 2, находятся в контакте с человеческим телом.

[Фигура 12] На Фигуре 12 представлен вид, показывающий, как удалить вещество косметической маски на водной основе с использованием прибора для косметического ухода, описанного в Примере 2.

[Фигура 13] На Фигуре 13 представлен вид, показывающий, как подать ионтофорезный ток к коже путем использования прибора для косметического ухода, описанного в Примере 2.

[Фигура 14] На Фигуре 14 представлен вид в перспективе прибора для косметического ухода при притягивании и удалении магнитного порошка, если смотреть под углом сверху.

[Фигура 15] На Фигуре 15 представлен вид в перспективе прибора для косметического ухода, при притягивании и удалении магнитного порошка, если смотреть под углом снизу.

ВАРИАНТ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0019] В способе косметического ухода, ионтофорез осуществляется путем приведения двух электродов в соприкосновение с кожей и подачей ионтофорезного тока между двумя электродами. В последующем описании для удобства один из двух электродов называется рабочим электродом и другой электрод называется противоэлектродом. Рабочий электрод определяется как электрод для приведения в соприкосновение с нужной частью, в которую разрешено проникновение ионтофорезного компонента.

[0020] Ионтофорезный ток представляет собой ток, являющийся однополярным и имеющий различные формы волн, такие как постоянного тока, импульсного тока и так далее. Полярность ионтофорезного тока определяется в соответствии с полярностью заряда ионтофорезного компонента. Например, если ионтофорезный компонент присутствует в состоянии отрицательного иона в водном растворе, напряжение прикладывают между двумя электродами таким образом, что электрический потенциал рабочего электрода ниже, чем потенциал противоэлектрода. Таким образом, ионтофорезный ток протекает между рабочим электродом, выступающим в качестве катода, и противоэлектродом, выступающим в качестве анода. Ионтофорезный компонент отталкивается от рабочего электрода и движется к сторонам противоэлектрода, т.е., в кожу. В результате инфильтрация ионтофорезного компонента в кожу облегчается.

[0021] Текущее значение ионтофорезного тока может быть установлено таким образом, чтобы попадать в диапазон, например, от 100 до 1000 мкА. Если текущее значение ионтофорезного тока менее, чем 100 мкА, эффект облегчения инфильтрации косметического компонента в кожу может быть недостаточным и косметический эффект, который пользователь может почувствовать, может уменьшиться. Если текущее значение ионтофорезного тока превышает 1000 мкА, эффект облегчения инфильтрации косметического компонента почти достигает плато.

[0022] По мере того, как текущее значение ионтофорезного тока увеличивается, инфильтрация косметического компонента в кожу облегчается; несмотря на то, что в некоторых случаях, пользователь может испытывать чувство дискомфорта на контактной части кожи с рабочим электродом. Для того, чтобы в достаточной степени получить эффект облегчения инфильтрации косметического компонента, и избегая при этом подобную проблему, текущее значение ионтофорезного тока предпочтительно устанавливается равным от 100 до 240 мкА.

[0023] Для вещества косметической маски на водной основе, растворитель может быть соответствующим образом выбран так, чтобы получить требуемые свойства, такие как как текстура и способность к растеканию при нанесении на кожу, и для того, чтобы получить пастообразный вид, соответствующий тому, чтобы быть нанесенным на кожу. Например, вещество косметической маски на водной основе может содержать воду в качестве растворителя. В этом случае, так как вещество косметической маски на водной основе содержит заряженный ионтофорезный компонент, водный раствор, содержащий ионтофорезный компонент, остается на поверхности кожи после того, как магнитный порошок удаляется с кожи, как описано выше.

[0024] Растворитель вещества косметической маски на водной основе может быть создан только из водорастворимого растворителя без воды. В качестве водорастворимого растворителя можно использовать, например, растворимый в воде спирт такой как этанол и изопропиловый спирт, и глицерин. В этом случае вещество косметической маски на водной основе должно содержать компонент, такой как аскорбат, который создан для того, чтобы являться источником ионтофорезного компонента при растворении в воде. В случае с веществом косметической маски на водной основе, разработанного таким образом, когда магнитный порошок удаляется с кожи, указанный выше компонент остается на поверхности кожи. Компонент, оставшийся на поверхности кожи, ионизируется из-за влаги, которую содержит сама кожа, или влаги воздуха, и является источником ионтофорезного компонента. Вследствие этого даже если вещество косметической маски на водной основе не содержит воды, ионофорез может быть выполнен.

[0025] В веществе косметической маски на водной основе, которое должно использоваться в способе косметического ухода, чем сильнее снижается содержание компонента, нерастворимого в воде, тем реже вещество косметической маски на водной основе образует маслянистую пленку на поверхности кожи, и тем легче веществу косметической маски на водной основе иметь отличные характеристики. Сответственно, в веществе косметической маски на водной основе, если общее количество компонентов, за исключением магнитного порошка, принять за 100 масс.%, то содержание компонента, нерастворимого в воде, ограничивается 50 масс.% или менее. Для того, чтобы подавить образование маслянистой пленки на поверхности кожи содержание нерастворимого в воде компонента предпочтительно составляет 40 масс.% или менее и более предпочтительно 30 масс.% или менее.

[0026] Если вода содержится в веществе косметической маски на водной основе в качестве растворителя, вместе с водой должен содержаться загуститель. Загуститель повышает вязкость вещества косметической маски на водной основе таким образом, что вещество косметической маски на водной основе имеет соответствующую вязкость. Таким образом, магнитный порошок легко диспергируется в веществе косметической маски на водной основе, и легко получается пастообразное вещество косметической маски на водной основе, подходящее для нанесения на кожу. Загуститель также сцепляется с частицами, составляющими магнитный порошок, при нанесении на кожу. Таким образом, в веществе косметической маски на водной основе, частицы магнитного порошка легко прилипают друг к другу, в результате чего используемое вещество косметической маски на водной основе легко снимается с поверхности кожи в виде сплошной пленки. Таким образом, вещество косметической маски на водной основе можно легко притянуть и удалить с поверхности кожи, и пресекается задерживание используемого вещества косметической маски на водной основе и мелких частиц магнитного порошка на поверхности кожи.

[0027] В случае, когда вещество косметической маски на водной основе не содержит загустителя, так как вязкость вещества косметической маски на водной основе не увеличивается, возникают некоторые проблемы, такие как осаждение магнитного порошка под действием силы тяжести, стекание каплями вещества косметической маски на водной основе с поверхности кожи из-за низкой вязкости и так далее. Вследствие этих проблем такое вещество косметической маски на водной основе трудно наносить на кожу.

[0028] В качестве загустителя можно использовать обычный загуститель для использования в косметике. Примеры загустителя включают в себя глицерин, (акрилаты/алкил акрилат (C10-30)) кроссполимер, производные целлюлозы, камедь ксантановую, гуаровую камедь, крахмал и его производные, альгинат и его производные, агар, полиакрилат натрия, карбоксивиниловый полимер и бентонит. Эти загустители можно использовать в одиночку или в комбинации.

[0029] Вещество косметической маски на водной основе предпочтительно содержит в качестве загустителя глицерина от 10 до 45 масс.% по отношению к общему количеству вещества косметической маски на водной основе. В этом случае сила сцепления, действующая между частицами магнитного порошка, возрастает, сплошную подобную пленке структуру вещества косметической маски на водной основе, как правило, нелегко разорвать, когда используемое вещество косметической маски на водной основе притягивается и удаляется с кожи. В результате вещество косметической маски на водной основе легче притягивается и удаляется с поверхности кожи и можно не дать используемому веществу косметической маски на водной основе и прочему остаться на поверхности кожи.

[0030] Содержание воды, служащей в качестве растворителя составляет предпочтительно от 5 до 73 масс.% по отношению к общему количеству вещества косметической маски на водной основе. Если содержание воды находится в пределах определенного диапазона как указано выше, вещество косметической маски на водной основе может, как правило, быть получено в виде однородной пасты, в которой диспергирован магнитный порошок. В результате вещество косметической маски на водной основе легко распределяется по поверхности при нанесении на кожу, и пользователь чувствует однородное распределение по поверхности кожи.

[0031] Если содержание воды составляет менее 5 масс.%, веществу косметической маски на водной основе недостает влаги, и оно может образовать липкую массу. В этом случае пользователь может чувствовать дискомфорт, такой как шероховатость, когда вещество косметической маски на водной основе приводится в соприкосновение с кожей. В некоторых случаях, вещество косметической маски на водной основе, соприкасающееся с кожей, может стать чрезвычайно сильным раздражителем на коже. Таким образом, распределять по поверхности кожи вещество косметической маски на водной основе становится трудно. Для получения имеющего вид пасты вещества косметической маски на водной основе, подходящего для нанесения на кожу, содержание воды составляет предпочтительно 5 масс.% или больше, и более предпочтительно 6 масс.% или больше.

[0032] Для сравнения, если содержание воды превышает 73 масс.%, трудно получить эффект увеличения вязкости, обусловленный загустителем, в результате чего вязкость вещества косметической маски на водной основе может сильно уменьшиться. В этом случае количество магнитного порошка, содержащегося в веществе косметической маски на водной основе, наносимой на поверхность кожи, становится недостаточным из-за осаждения магнитного порошка под действием силы тяжести. Если количество магнитного порошка недостаточно, магнитная сила, действующая на весь магнитный порошок, становится недостаточной, когда подносится магнит или подобное. В некоторых случаях, используемое вещество косметической маски на водной основе и прочее возможно останутся на поверхности кожи. Кроме того, в этом случае, из-за низкой вязкости вещество косметической маски на водной основе может капать с поверхности кожи. Таким образом, для того, чтобы получить вещество косметической маски на водной основе, имеющее соответствующую большую вязкость, содержание воды составляет предпочтительно 73 масс.% или менее, более предпочтительно 30 масс.% или менее и еще более предпочтительно 15 масс.% или менее.

[0033] Предпочтительно, чтобы содержание магнитного порошка относительно всего вещества косметической маски на водной основе составляло от 15 до 80 масс.%. В этом случае, так как количество магнитного порошка, содержащегося в веществе косметической маски на водной основе, наносимой на кожу, является относительно большим, магнитная сила, действующая на весь магнитный порошок возрастает, когда магнит или подобное подносится к веществу косметической маски на водной основе. В результате, используемое вещество косметической маски на водной основе можно легко притянуть и удалить с поверхности кожи вместе с загрязнениями на коже и прочим, а также можно не дать используемому веществу косметической маски на водной основе и прочему остаться на поверхности кожи.

0034] Если содержание магнитного порошка составляет менее чем 15 масс.%, то поскольку содержание магнитного порошка низкое, когда магнит или подобное подносится, магнитная сила, действующая на весь магнитный порошок, может оказаться недостаточной. В результате, становится трудно притянуть и удалить используемое вещество косметической маски на водной основе с поверхности кожи. Для того, чтобы легко притянуть и удалить вещество косметической маски на водной основе с поверхности кожи, содержание магнитного порошка составляет предпочтительно 15 масс.% или больше, более предпочтительно 30% или больше, еще более предпочтительно 50 масс.% или больше.

[0035] Для сравнения, если содержание магнитного порошка превышает 80 масс.%, то поскольку содержания воды и загустителя становятся недостаточными, вещество косметической маски на водной основе может образовать липкую массу. Из-за этого трудно распределять по поверхности кожи вещество косметической маски на водной основе. Таким образом, для того, чтобы получить вещество косметической маски на водной основе в виде пасты, пригодной для нанесения на кожу, содержание магнитного порошка составляет предпочтительно 80 масс.% или менее, более предпочтительно 75 масс.% или менее, и еще более предпочтительно 70 масс.% или менее.

[0036] Вязкость вещества косметической маски на водной основе составляет предпочтительно 9000 мПа·с или более. В этом случае диспергированное состояние магнитного порошка в веществе косметической маски на водной основе может сохраняться в течение более длительного времени. Таким образом, состояние, в котором достаточное количество магнитного порошка для притягивания и удаления содержится в веществе косметической маски на водной основе, наносимом на поверхность кожи, может быть более легко реализовано. В результате, магнитный порошок и используемое вещество косметической маски на водной основе можно легко притянуть и удалить с поверхности кожи, и лучше пресекается задерживание на поверхности кожи используемого вещества косметической маски на водной основе и мелких частиц магнитного порошка.

[0037] Вещество косметической маски на водной основе может содержать тиксотропную добавку для придания тиксотропных свойств. Вещество косметической маски на водной основе, содерхащее тиксотропную добавку имеет высокую вязкость в состоянии, в котором вещество косметической маски на водной основе не течет, например, во время хранения. Принимая во внимание, что в состоянии, когда вещество косметической маски течет во время, например, нанесения вещества на кожу, вязкость вещества косметической маски на водной основе уменьшается. Таким образом, в веществе косметической маски на водной основе, содержащем тиксотропную добавку, осаждение магнитного порошка можно предотвратить, если вещество косметической маски на водной основе находится на хранении. В отличие от этого, при нанесении на кожу вещество косметической маски на водной основе может иметь подходящую вязкость для нанесения. В результате вещество косметической маски на водной основе соответствующим образом наносится на кожу, предотвращая осаждение магнитного порошка.

[0038] В качестве тиксотропой добавки используется обычная тиксотропная добавка для использования в косметике, такая как бентонит, 12-гидроксистеариновая кислота и кристаллическая целлюлоза.

[0039] Вещество косметической маски на водной основе может содержать поверхностно-активное вещество. Поверхностно-активное вещество обладает действием диспергирования магнитного порошка в веществе косметической маски на водной основе. Таким образом, в веществе косметической маски на водной основе, содержащем поверхностно-активное вещество, состояние, в котором диспергируется магнитный порошок, может быть более надежно реализовано. В результате вещество косметической маски на водной основе предоставляется в виде однородной пасты, как и пользователь чувствует себя более однородное распределение по поверхности кожи.

[0040] В качестве поверхностно-активного вещества можно использовать обычное поверхностно-активное вещество для использования в косметике. Примеры поверхностно-активного вещества включают в себя ПЭГ-7 глицерил кокоат, полиглицерил-10 лаурат, алкилсульфат, соль ациламинокислоты, оксиэтилированный алкилэфирсульфат, фосфат простого алкилового эфира, алкилполиэтиленгликолевый эфир, эфир глицеролполипропиленгликоля, алкиловый полиглицериновый эфир и блоксополимер оксидов этилена и пропилена. Эти поверхностно-активные вещества можно использовать в одиночку или в комбинации.

[0041] Вещество косметической маски на водной основе может дополнительно содержать косметический компонент, обеспечивающий косметический эффект на коже, отличный от указанных выше компонентов. Как описано выше, вещество косметической маски на водной основе редко образует масляную пленку на поверхности кожи после того, как используемое вещество косметической маски на водной основе притягивается и удаляется. Таким образом, количество вещества, которое ингибирует инфильтрацию косметического компонента, такого как загрязнения на коже, остатки или масляная пленка, мало на поверхности кожи после того, как вещество косметической маски на водной основе притягивается и удаляется. В этом состоянии косметический компонент легко инфильтруется. Косметический компонент, который смешивают заранее с веществом косметической маски на водной основе, может оставаться нанесенным на поверхность кожи, хотя вещество косметической маски на водной основе притягивается и удаляется с поверхности кожи. Таким образом, косметический компонент легко проникает в поверхность кожи и легко достигается превосходный косметический эффект.

[0042] Примеры косметического компонента, который используется в настоящем изобретении, включают в себя отбеливающий компонент как например, производное аскорбиновой кислоты, койевая кислота, арбутин и транекзамовая кислота; питательный компонент такой, как аминокислота, витамин, растительный экстракт и микробиологический ферментированный продукт; и увлажняющий компонент.

[0043] Вещество косметической маски на водной основе может содержать добавки, обычно используемые в косметике, отличные от указанных выше компонентов. Примеры добавок включают в себя смягчающее вещество, антимикробное вещество, ароматизирующее вещество и регулятор кислотности. Эти добавки могут быть соответствующим образом добавлены, поскольку не сказываются негативно на эффектах настоящего изобретения.

[0044] Предпочтительно, чтобы вещество косметической маски на водной основе имело электрическую проводимость 20 мкС/см или больше до 25 мкС/см. В этом случае, так как слабый ток для облегчения инфильтрации компонента ионтофореза в кожу течет легко, ионтофорез может быть легко выполнен.

[0045] Так как магнитный порошок должен содержаться в веществе косметической маски на водной основе, используется магнитный порошок, состоящий из ферромагнитного материала. Когда магнитный порошок вступает в непосредственный контакт, например, с водой, содержащейся в веществе косметической маски на водной основе, магнитный порошок окисляется и может образовываться ржавчина. Магнитный порошок, окисленный до такой степени, что образуется ржавчина, почти не притягивается и не удаляется с кожи, так как магнитные свойства порошка ухудшаются. Кроме того, ржавчина для магнитного порошка не является предпочтительной при смешивании с веществом косметической маски на водной основе из-за внешнего вида. Таким образом, предпочтительно использовать магнитную порошок, способный подавлять образование ржавчины в течение длительного периода времени.

[0046] Например, магнитный порошок, представляет собой ферромагнитный металл и на поверхности каждой частицы, составляющей магнитный порошок, может быть образована стойкая к окислению пленка. В этом случае, достаточно большая магнитная сила может быть приложена ко всему магнитному порошку через ферромагнитный металл, когда подносится магнит или подобное. Таким образом, магнитный порошок можно легко притянуть и удалить с поверхности кожи вместе с используемым веществом косметической маски на водной основе.

[0047] В связи с наличием стойкой к окислению пленки, можно блокировать прямой контакт частиц с материалом, который может служить в качестве окислителя, таким как вода, которая содержится в веществе косметической маски на водной основе. Таким образом, образование ржавчины магнитного порошка может быть подавлено в течение длительного периода времени. В результате блокирования контакта между частицами и, например, водой, магнитный порошок почти никогда не окисляется и магнитные свойства можно поддерживать в течение длительного периода времени.

[0048] Как указано выше, магнитный порошок, состоящий из ферромагнитного металла и содержащий стойкую к окислению пленку, может поддерживать превосходные магнитные свойства в течение длительного периода времени. Таким образом, вещество косметической маски на водной основе, содержащее магнитный порошок, может сохранять свои характеристики в течение длительного периода времени.

[0049] В качестве указанного выше ферромагнитного металла назовем, например, существующий сам по себе металл, такой как железо, никель и кобальт, и сплав, содержащий, по меньшей мере, один из этих металлических элементов. Обратите внимание, что эти существующие сами по себе металлы и сплавы могут по большей части содержать другие химические компоненты, такие как неизбежные примеси.

[0050] В качестве стойкой к окислению пленки можно использовать большое разнообразие материалов при условии, что они блокируют непосредственный контакт между частицами и, например водой. Примеры стойкой к окислению пленки, которую можно использовать, включают в себя неорганическую пленку покрытия, пленку покрытия на основе жирной кислоты, пленку покрытия на основе силана и пленку покрытия на основе смолы. Неорганическая пленка покрытия может быть образована путем воздействия на магнитную частицу при обработке фосфатной солью такой как фосфат железа, фосфат цинка, фосфат кальция и фосфат марганца.

[0051] Пленка покрытия на основе жирной кислоты может содержать структуру, полученную из жирная кислоты, такой как лауриновая кислота, миристиновая кислота, стеариновая кислота, пальмитиновая кислота, олеиновая кислота и линолевая кислота. Пленка покрытия на основе жирной кислоты может быть образована путем воздействия на магнитный порошок для обработки поверхности раствором, содержащим жирную кислоту.

[0052] Пленка покрытия на основе силана может содержать структуру, полученную из алкилалкоксисилана, такго как метилтриметоксисилан, диметилдиметоксисилан, триметилметоксисилан, метилтриэтоксисилан, метилтрифеноксисилан, этилтриметоксисилан, n-пропилтриметоксисилан, диизопропилдиметоксисилан и изоиутилтриметоксисилан. Пленка покрытия на основе силана может быть образована путем обработки поверхности магнитного порошка с помощью алкоксисилана.

[0053] Примеры смол, образующих пленку покрытия на основе смолы, которые можно использовать, включают в себя смолу такую как акрилат сополимер, поливиниловый спирт, поливинилпирролидон, сополимер метокси этилена и малеинового ангидрида, катионная целлюлоза, сополимер полиакриловой кислоты, сополимер метакриловой кислоты, эпоксидную смолу и силиконовую смолу. Пленка покрытия на основе смолы может быть образована путем нанесения смолы, как указано выше, на поверхность магнитного порошка.

[0054] Магнитный порошок может содержать ферромагнитный феррит в качестве основного компонента. «Основной компонент» в данном описании обозначает химический компонент, содержащийся в самом большом количестве. Магнитный порошок обычно содержит, кроме ферромагнитного феррита, выступающего в качестве основного компонента, например, оксид на основе железа, такой как вюстит и гематит, каждый из которых имеет различную степень окисления, и неизбежные примеси.

[0055] Феррит обладает самой низкой изменчивостью магнитных свойств и цветового тона. Соответственно, у вещества косметической маски на водной основе, содержащего магнитный порошок, содержащий феррит в качестве основного компонента, может быть снижена изменчивость по легкости притягивания и удаления и цветового тона. Кроме того, так как феррит представляет собой оксид железа, дальнейшее окисление магнитного порошка почти никогда не происходит в веществе косметической маски на водной основе. По той причине, даже если, например, вещество косметической маски на водной основе хранится в течение длительного срока, магнитные свойства магнитного порошка почти никогда не меняются и рабочие характеристики могут поддерживаться в течение длительного срока.

[0056] Магнитный порошок, содержащий феррит в качестве основного компонента может иметь на поверхности стойкую к окислению пленку. В этом случае, благодаря наличию стойкой к окислению пленки, магнитный порошок реже окисляется. Таким образом, вещество косметической маски на водной основе может поддерживать характеристики в течение длительного периода времени.

[0057] Примеры ферромагнитного феррита включают в себя шпинельный феррит, магнетоплюмбит феррита, гранатовый феррит, феррит-перовскит и так далее. Из этих ферритов, мягкий феррит с высокой намагниченностью насыщения и низкой как остаточной намагниченностью, так и магнитной коэрцитивной силой, предпочтительно составляет основной компонент магнитного порошка. Примеры мягкого феррита включают в себя шпинельный феррит, имеющий формулу, представимую в виде (МО)х(Fe2O3)у (где х+у=100 моль%, М представляет собой один или два или более металлических элементов, выбранных из металлических элементов, например, Fe, Mn, Mg, Sr, Ca, Ba, Cu, Zn, Ni, Li и Co). Из шпинельных ферритов предпочтительно используется феррит, имеющий высокую намагниченность насыщения.

[0058] В магнитном порошке, предназначенном к использованию в веществе косметической маски на водной основе, количество элементов, составляющих феррит, служащий в качестве основного компонента, предпочтительно мало. Таким образом, магнетит (Fe3O4), имеющий высокую намагниченность насыщения и состоящий из двух элементов Fe и O, является еще более предпочтительным и составляет основной компонент магнитного порошка.

[0059] Предпочтительно, чтобы магнитный порошок содержал химический компонент, состоящий из 80 масс.% или более магнетита, а остальное приходилось на вюстит, гематит и неизбежные примеси. В этом случае доля диамагнитного материала в магнитном порошке снижается и, таким образом, магнитная сила, действующая на весь магнитный порошок, возрастает. В результате вещество косметической маски на водной основе может быть эффективно притягиваться и удаляться. Поскольку степень окисления вюстита низка по сравнению, например, с магнетитом, то, если содержание вюстита снижается, то, возможно избежать дальнейшего окисления магнитного порошка. Таким образом, характеристики вещества косметической маски на водной основе могут быть стабильными в течение длительного срока.

[0060] Средний объемный диаметр частиц магнитного порошка составляет предпочтительно от 20 до 150 мкм и более предпочтительно от 50 до 75 мкм. В этом случае можно легко притянуть и удалить используемое вещество косметической маски на водной основе с поверхности кожи. Средний объемный диаметр частиц магнитного порошка может быть рассчитан в переводе на 50%-ный диаметр частиц в обобщенном распределении (средний диаметр), полученного в режиме распределения объема в соответствии с ситовым представлением распределения частиц по размерам, полученным методом лазерного дифракционного рассеяния.

[0061] Если средний объемный диаметр частиц составляет менее чем 20 мкм, распределение частиц магнитного порошка по размеру, как правило, имеет тенденцию к характеру распределения, при котором содержание частиц чрезмерно малого размера велико. Магнитная сила, действующая на каждую из частиц, уменьшается вместе с уменьшением размера частицы. Из-за этого, частицам, имеющим слишком маленький диаметр частицы, трудно притягиваться магнитом или подобным и, они имеют тенденцию остаться на поверхности кожи. Кроме того, в этом случае, магнитная сила, действующая на весь магнитный порошок ослабевает, в результате чего вероятно, что используемое вещество косметической маски на водной основе останется на поверхности кожи.

[0062] Для сравнения, если средний объемный диаметр частиц превышает 150 мкм, распределение частиц по размерам имеет характер распределения, при котором содержание частиц чрезмерно большого диаметра велико. В этом случае, пользователь чувствует нечто шероховатое, когда используется вещество косметической маски на водной основе, содержащее магнитный порошок. Точно так же, ощущения при использовании могут ухудшиться.

[0063] Как указано выше, вещество косметической маски на водной основе, содержащей магнитный порошок, в котором средний объемный диаметр частиц регулируется так, что он попадет в диапазон от 20 до 150 мкм, обеспечивает отличные ощущения при использовании, потому что пресекается задерживание мелких частиц, содержащихся в магнитном порошке, и используемого вещества косметической маски на водной основе на поверхности кожи.

[0064] Магнитный порошок предпочтительно имеет средний объемный диаметр частиц от 50 до 75 мкм, как определяется из распределения частиц по размерам, полученного методом лазерного дифракционного рассеяния, содержание частиц с диаметром частиц менее, чем 37 мкм, составляет 15 масс.% или менее, и содержание частиц с диаметром частиц 105 мкм или больше составляет 5 масс.% или менее.

[0065] Содержание частиц, имеющих диаметр частиц менее чем 37 мкм (далее иногда называемых «частицами малого диаметра»), может быть измерено в переводе, например, на количество частиц, которые могут проходить через стандартное сито, имеющее размер отверстий 37 мкм (400 меш).

[0066] Содержание частиц, имеющих диаметр частиц 105 мкм или более (в дальнейшем иногда называемых «частицами большого диаметра») может быть измерено в переводе, например, на количество частиц, которые могут проходить через стандартное сито, имеющее размер отверстий 105 мкм (145 меш).

[0067] Как описано выше, для получения вещества косметической маски на водной основе, почти никогда на задерживающегося на поверхности кожи и обеспечивающего равномерное нанесение на кожу, предпочтительно, чтобы распределение частиц магнитного порошка по размеру имело характер распределения, в котором содержание частиц, имеющих чрезмерно маленький диаметр, и содержание частиц, имеющих чрезмерно большой диаметр, было мало в обоих случаях. Другими словами, средний объемный диаметр частиц магнитного порошка от 50 до 75 мкм является более предпочтительным.

[0068] Однако, трудно надежно уменьшить содержание частиц, имеющих слишком малый диаметр частицы, только за счет регулирования среднего объемного диаметра частиц так, чтобы он находился в диапазоне от 50 мкм или более. Таким образом, важно не только регулировать средний объемный диаметр частиц для того, чтобы он падал в диапазон от 50 мкм или больше, но и регулировать содержание частиц малого диаметра, чтобы оно составляло 15 масс.% или менее, как указано выше. Содержание частиц, имеющих слишком малый диаметр частицы, может быть, конечно, уменьшено за счет регулирования содержания частиц малого диаметра, чтобы оно находилось в диапазоне от 15 масс.% или менее.

[0069] Кроме того, трудно надежно уменьшить содержание частиц, имеющих чрезмерно большой диаметр, только за счет регулирования того, чтобы средний объемный диаметр частиц попадал в диапазон от 75 мкм или менее. Таким образом, важно не только регулировать средний объемный диаметр частиц так, чтобы он попадал в диапазон от 75 мкм или менее, но и регулировать содержание частиц большого диаметра так, чтобы оно составляло 5 масс.% или менее, как указано выше. Содержание частиц, имеющих слишком большой диаметр частицы, может быть, конечно, уменьшено за счет регулирования содержания частиц большого диаметра так, чтобы оно попадало в диапазон от 5 масс.% или менее.

[0070] Как указано выше, наиболее подходящее распределение частиц по размерам, в котором содержание частиц, имеющих оптимальный диаметр велико, может быть реализовано не только за счет управления средним объемным диаметром частиц магнитного порошка таким образом, чтобы оно падало в определенный диапазон, указанный выше, но также, регулируя как содержание частиц малого диаметра, так и содержание частиц большого диаметра. Магнитный порошок, который тонко и тщательно регулируется таким образом, чтобы иметь распределение частиц по размерам, как указано выше, обладает наиболее подходящими свойствами в качестве магнитного порошка для смешивания в веществе косметической маски на водной основе. Таким образом, вещество косметической маски на водной основе, содержащее такой магнитный порошок, более редко остается на поверхности кожи и обеспечивает более равномерное нанесение на кожу.

[0071] Предпочтительно намагниченность насыщения магнитного порошка составляет 80 Ам2/кг или более. В этом случае намагниченность магнитного порошка может быть значительно увеличена и магнитная сила, действующая на весь магнитный порошок, может еще возрасти. В результате, используемое вещество косметической маски на водной основе можно легко притянуть и удалить с поверхности кожи и можно не дать ему остаться на поверхности кожи.

ПРИМЕР

[0072] (Пример 1)

Обратимся к Фигурам от Фигуры 1 до Фигуры 3, будут объяснены примеры способа косметического ухода. В способе косметического ухода этого примера, во-первых, выполняется этап нанесения вещества 1 косметической маски на водной основе, которое содержит воду, магнитный порошок 11, содержащий ферромагнитный феррит в качестве основного компонента, загуститель и заряженный ионтофорезный компонент 13, на кожу 2 (Фигура 1 (а)). Затем выполняется этап приложения магнитной силы к магнитному порошку 11, содержащемуся в веществе 1 косметической маски на водной основе, которое наносят на кожу 2, и притягивание и удаление магнитного порошка 11 с поверхности кожи 21 с помощью магнитной силы, оставляя при этом водный раствор 12 ионтофорезного компонента 13 на поверхности кожи 21 (Фигура 1 (b)). После этого выполняется этап подачи ионтофорезного тока на кожу 2, на которой находится водный раствор 12, чтобы дать возможность ионтофорезному компоненту 13 проникнуть в кожу 2 (Фигура 1 (c)). Способ косметического ухода будет более конкретно описано ниже.

[0073] На этапе этап нанесения вещества 1 косметической маски на водной основе на кожу 2 вещество 1 косметической маски на водной основе 1 наносится на всю поверхность требуемой части, на которой должен быть обеспечен косметический эффект. Вещество 1 косметической маски на водной основе предпочтительно наносится слоем с толщиной, сквозь которую не может быть виден цвет кожи 2. Следует отметить, что, подробный состав веществ косметической маски на водной основе 1 будет описан ниже.

[0074] На этапе притягивания и удаления магнитного порошка 11 предполагается, что магнит 3 приближается к веществу 1 косметической маски на водной основе, нанесенному на кожу 2, как показано Фигуре 1 (b). Таким образом, магнитный порошок 11 притягивается магнитом 3 и удаляется с поверхности 21 кожи магнитной силой. Одновременно с магнитным порошком 11, используемое вещество 100 косметической маски на водной основе и загрязнения 200 кожи 2 и прочее, сцепленное с магнитным порошком 11, притягиваются и удаляются с поверхности 21 кожи магнитной силой. Магнит 3, используемый на этом этапе, может быть постоянным магнитом таким, как ферритовый магнит и неодимовый магнит, или электромагнитом.

[0075] Для сравнения, водный раствор 12, содержащий ионтофорезный компонент 13 не притягивается и не удаляется вместе с использованным веществом 100 косметической маски на водной основе и прочим, и остается на поверхности 21 кожи. Таким образом, вещество 1 косметической маски на водной основе притягивается и удаляется с поверхности 21 кожи; в то же время, водный раствор 12, содержащий ионизированный ионтофорезный компонент 13 остается нанесенным на поверхность 21 кожи, как показано на Фигуре 1 (b).

[0076] На этапе введения ионтофорезного компонента 13 в кожу 2, как показано в Фигуре 1 (c), предполагается, что рабочий электрод 41 находится контакте с поверхностью 21 кожи, на которую наносится водный раствор 12, содержащий ионтофорезный компонент 13; при этом предполагается, что противоэлектрод 42 находится контакте с поверхностью 211 кожи, где водный раствор 12 не нанесен. На этом этапе напряжение прикладывается между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42 для подачи ионтофорезного тока на кожу 2. Следует отметить, что, ионтофорезный компонент 13, используемый в этом примере, представляет собой L-аскорбил-2-фосфат натрия. L-аскорбил-2-фосфат натрия ионизируется в L-аскорбил-2-фосфат ион 131 и ион натрия в водном растворе 12. Затем предполагается, что анион, т.е., в L-аскорбил-2-фосфат ион 131, проникает в кожу посредством ионофореза. Благодаря этому можно ожидать таких косметических эффектов, как улучшение эластичности, коррекции морщин и возрастных пятен кожи и сокращения пор.

[0077] Ионтофорезный ток этого примера состоит из последовательных повторов этапа ионофореза для подачи ионтофорезного тока (с базовой формой волны F1), имеющего одну полярность, на контактный участок между рабочим электродом 41 и кожей 2; этап импульса сброса для подачи импульсного тока (с базовой формой волны F2), имеющего другую полярность, к контактному участку; и этап ухода за кожей для подачи тока (с базовой формой волны F3), у которого полярность попеременно меняется, к контактному участку, как показано на Фигуре 2.

[0078] На этапе ионофореза, импульсное напряжение подается между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42 множество раз, управляя при этом разностью потенциалов между электродами, таким образом, что электрический потенциал рабочего электрода 41 ниже, чем противоэлектрода 42. Благодаря этому ионтофорезный ток становится отрицательным импульсным током, как показано на базовой форме волны F1, показанной на Фигуре 2. Ионтофорезный ток течет через кожу 2 и инфильтрация L-аскорбил-2-фосфат иона 131 в кожу облегчается.

[0079] На этапе импульса сброса, импульсное напряжение подается один раз между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42, управляя при этом разностью потенциалов между электродами, таким образом, что электрический потенциал рабочего электрода 4 выше, чем противоэлектрода 42. Благодаря этому положительный импульсный ток протекает через кожу 2, как показано базовой форме волны F2, показанной на Фигуре 2. Этап импульса сброса осуществляется таким образом, чтобы нейтрализовать смещение заряда, образовавшегося на коже 2 на этапе ионофореза.

[0080] На этапе ухода за кожей, волна в виде меандра, у которой максимум и минимум разности потенциалов между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42 попеременно меняются, подается на оба электрода. Таким образом, квадратно-волновой ток, в котором положительная полярность и отрицательная полярность попеременно меняются, как показано на базовой форме волны F3, показанной Фигуре 2, течет через кожу 2. Как указано выше, если слабый ток, в котором попеременно изменяется полярность, течет через кожу 2, при выполнении этапа ухода за кожей могут проявиться такие эффекты, как оживление клеток кожи, улучшение лимфотока, улучшение кровообращения и улучшение обмена веществ. Таким образом, можно ожидать получить такие косметические эффекты, как улучшение эластичности кожи 2 и омолаживание кожи 2.

[0081] В данном примере оценивали косметический эффект на коже 2, полученный способом косметического ухода. Содержание проведенной оценки и результаты проведенной оценки и будут описаны ниже.

[0082] <Субъект испытаний>

Испытуемыми были восемь японских женщин 20 или более лет, но менее 60 лет.

[0083] <Условия испытаний>

[0084] [Вещество косметической маски на водной основе 1]

Конкретный состав вещества 1 косметической маски на водной основе для нанесения на кожу 2 имеет вид:

Вода 7,92 масс.%
Магнитный порошок 11 65 масс.%
Загуститель
Глицерин 17,5 масс.%
Полиакрилат натрия 0,01 масс.%
Поверхностно-активное вещество
Полиглицерил монолаурат 0,2 масс.%
Ионтофорезный компонент 13
L-аскорбил-2-фосфат натрия 0,1 масс.%
Смягчающее вещество, регулятор кислотности, консервант и т.д. остальное

[0085] [Магнитный порошок 11]

Способ изготовления магнитного порошка11, используемого в веществе 1 косметической маски на водной основе и свойства магнитного порошка 11 следующие:

Способ изготовления

Суспензию готовили путем добавления воды к порошку из гематита (Fe2O3) таким образом, чтобы иметь содержание сухого вещества 55 масс.%. Далее к полученной суспензии добавляли 1 масс.% поливинилового спирта относительно содержания твердого вещества в суспензии, 0,9 масс.% углеродной сажи и 0,5 масс.% поликарбоксилатной соли. После этого к смеси добавляли воду для приготовления суспензии, имеющей 55 масс.% твердого вещества. Затем полученную суспензию перемешивали при помощи размельчителя в течение одного часа, и затем, обращали в сферические зерна путем использования распылительной сушилки. Размеры зерен полученных гранул регулировали с помощью рассев с круговращательным движением сит.

[0086] Сферические гранулы с отрегулированным размером зерен нагревали при 1320°C в течение 3-х часов для того, чтобы уменьшить гематит исходного вещества. Таким образом, был получен прокаленный продукт, содержащий магнетит в качестве основного компонента. Следует отметить, что гранулы нагревали при помощи электрической печи туннельного типа в атмосфере азота.

[0087] Полученный прокаленный продукт измельчали и классифицировали с использованием с помощью рассева с круговращательным движением сит в сочетании с аппаратом для воздушной сепарации. Таким образом управляли распределением частиц по размерам. После этого, частицы с большой магнитной восприимчивостью были отобраны посредством электромагнитной сепарации для того, чтобы получить магнитный порошок 11.

[0088] При выполнении обработки поверхности в получающемся в результате магнитном порошке 11 как указано выше, на поверхности частиц, образующих магнитный порошок 11, была образована полимерная пленка, состоящая из акрилата сополимера.

[0089] Средний объемный диаметр частиц

Средний объемный диаметр частиц рассчитывали следующим способом. Во-первых, к магнитному порошку 11 добавляли 0,2% водного раствора гексаметафосфата натрия. Полученную смесь подвергали ультразвуковой обработке с помощью ультразвукового гомогенизатора (UH-3C, изготовленного Ultrasonic Engineering Co., Ltd.) в течение одной минуты для приготовления дисперсионной жидкости магнитного порошка 11. Дисперсионную жидкость вводили в микротрековый анализатор размеров частиц (Модель 9320-X100 производства Nikkiso Co., Ltd.). Анализ проводили в условиях: показатель преломления 1,81, температура 25±5°C и влажность 55±15%, чтобы получить распределение частиц по размерам в соответствии с методом лазерного дифракционного рассеяния. Из полученного распределения частиц по размерам, 50%-ный диаметр частиц в обобщенном распределении, представленный в переводе на размер ячейки сита с режимом распределения объема, был рассчитан и использован в качестве среднего объемного диаметра частиц (средний диаметр).

[0090] Из приведенных выше результатов, средний объемный диаметр частиц магнитного порошка 11 составил около 70 мкм.

[0091] Содержание частиц малого диаметра и частиц большого диаметра

Магнитный порошок 11 был разделен по крупности способом в соответствии со стандартом JIS H 2601 с использованием стандартных сит, указанные в JIS Z 8801. Таким образом, измеряли содержание частиц малого диаметра, а именно, частиц, проходящих через стандартное сито с номинальным размером 37 мкм (400 меш), и содержание частиц большого диаметра, а именно, частиц, проходящих через стандартное сито с номинальным размером 105 мкм (145 меш).

[0092] В результате, содержание частиц малого диаметра в магнитном порошке 11 составило 6,7 масс.% и содержание частиц большого диаметра составило 0 масс.%.

[0093] Намагниченность насыщения, остаточная намагниченность и магнитная коэрцитивная сила

Магнитные свойства измеряли с использованием B-H регистратора (Модель: BHU-60, производства Riken Denshi Co., Ltd.) в следующей процедуре. Во-первых, измерительная катушка измерителя напряженности магнитного поля для измерения магнитного поля и 4πI катушка для измерения намагниченности были помещены между электромагнитами и магнитный порошок 11 был вставлен в 4πI катушку. Затем, значения тока электромагнитов изменялись для изменения магнитного поля H. Выходные сигналы H катушки и 4πI катушки были отдельно проинтегрированы. Выходной сигнал из H катушки наносили на график по оси Х и выходной сигнал от 4πI катушки наносили на график по оси ординат. Таким образом, петля гистерезиса была нарисована на бумаге для самописца. Из петли гистерезиса рассчитывались намагниченность насыщения, остаточная намагниченность и магнитная коэрцитивная сила. Следует отметить, что условие измерения для петли гистерезиса были следующие: количество образца около 1 г, элемент образца 7 мм±0,02 мм во внутреннем диаметре и 10 мм±0,1 мм по высоте, число витков из 4πI катушки 30; приложенное магнитное поле 3000 эрстед.

[0094] В результате магнитный порошок 11 имел намагниченность насыщения 82 Ам2/кг, остаточную намагниченность 82 Ам2/кг и магнитную коэрцитивную силу 24 эрстед.

[0095] Химические компоненты

Соотношение компонентов магнетита (Fe3O4), гематита (Fe2O3) и вюстита (FeO) было рассчитано в соответствии со следующим способом, используя метод дифракции рентгеновских лучей.

[0096] В качестве измерительного прибора использовали «X'PertPRO MPD», выпускаемый фирмой Panalytical B.V. Измерение проводили с использованием Co трубки (CoKα излучение) в качестве источника рентгеновского излучения, централизованной оптической системы, в качестве оптической системы и быстродействующего детектора, «X'Celarator», путем непрерывного сканирования со скоростью 0,2°/сек. Результаты измерений были проанализированы с помощью программного обеспечения для анализа, «X'PertHighScore» таким же образом, как и в обычном структурном анализе порошка, чтобы определить кристаллическую структуру. После этого рассчитывали относительное содержание в весовом отношении путем уточнения полученной кристаллической структуры. Следует отметить, что, когда рассчитывали относительное содержание магнетита, гематита и вюстита, Fe и O рассматривались в качестве основных элементов.

[0097] В качестве источника рентгеновских лучей, который используется при измерении дифракции рентгеновских лучей, без проблем можно использовать Cu трубку; однако, в случае образца обогащенного железом, фоновый шум становится большим, по сравнению с пиком измеряемой мишени. Таким образом, предпочтительно использовать Co трубку. Даже если коллимирующаяся оптика используется в качестве оптической системы, можно получить те же самые результаты; однако, интенсивность рентгеновского излучения мала и для измерения требуется длительное время. По этой причине измерение в централизованной оптической системе является предпочтительным. Скорость непрерывного сканирования не имеет особых ограничений; однако, интенсивность главного пика магнетита, т.е., пика в (311) плоскости, становится 50000 имп/с или более для того, чтобы получить достаточное отношение сигнал/шум для анализа кристаллической структуры. Образец был установлен в кювете таким образом, чтобы частицы преимущественно не были ориентированы в определенном направлении. Таким образом было выполнено измерение.

[0098] В результате магнитный порошок 11 содержал химический компонент, имеющий 89,7 масс.% магнетита, 4,1 масс.% гематита и 6,2 масс.% вюстита.

[0099] <Способ испытаний>

Правая половина лица субъекта использовалась в качестве участка лечения и лечение применялось к участку лечения один раз в три дня в соответствии со следующим способом. Во-первых, были выполнены очищение и умывание лица. После этого вещество 1 косметической маски на водной основе было нанесено только на участок лечения и обеспечивалось то, что участок лечения оставался в этом состоянии в течение трех минут. Через три минуты к веществу 1 косметической маски на водной основе, нанесенному на кожу 2, подносили магнит 3, и магнитный порошок 11 и используемое вещество 1 косметической маски на водной основе притягивались и удалялись с кожи 2. После притягивания и удаления, ионтофорезный ток, показанный на Фигуре 2, подавался к участку лечения в течение приблизительно 5 минут. Таким образом, лечение было завершено.

[0100] Следует отметить, что, левая половина лица каждого субъекта использовалась в качестве участка контроля и обрабатывалась в соответствии со следующей процедурой.

[0101] После очищения и умывания лица, вещество косметической маски на масляной основе, содержащее 65 масс.% магнитного порошка 11, было нанесено на участок контроля и обеспечивалось то, что участок контроля оставался в этом состоянии в течение трех минут. Через три минуты к веществу косметической маски на масляной основе, нанесенному на кожу 2, подносили магнит 3, и магнитный порошок 11 и используемое вещество косметической маски на масляной основе притягивались и удалялись с кожи 2. После притягивания и удаления, лосьон содержащий L-аскорбил-2-фосфат натрия наносился на участок контроля и ионтофорезный ток подавался в течение приблизительно 5 минут, точно так же как к участку лечения.

[0102] Следует отметить, что конкретные составы вещества косметической маски на масляной основе и лосьона, наносимые на участок контроля, следующие:

[Вещество косметической маски на масляной основе]

Вспомогательное вещество
Триэтилгексаноил 21,4 масс.%
Вазелин 3,5 масс.%
Магнитный порошок 11 65 масс.%
Поверхностно-активное вещество
Глицерилстеарат 1,1 масс.%
Полиглицерил-10 лаурат 0,7 масс.%
Эмульгирующее вещество
Цетанол 1,8 масс.%
Сорбитанстеарата 1,8 масс.%
Смягчающее вещество, консервант и другие остальное

[0103] [Лосьон]

Ионтофорезный компонент 13
L-аскорбил-2-фосфат натрия 0,1 масс.%
Цитрат натрия 0,08 масс.%
Лимонная кислота 0,02 масс.%
Бутиленгликоль 5 масс.%
Глицерин 3 масс.%
Дипропиленгликоль 2 масс.% 2 масс.%
Вода, загуститель, консервант и и т.д. остальное

[0104] <Оценивание>

В начальный момент испытания и момент завершения испытания (после истечения 4-х недель), эластичность кожи измеряли с помощью устройства для измерения упруго-эластичных свойств кожи («Cutometer (зарегистрированная торговая марка)», выпускаемый Courage+Khazaka). Измерение повторяли 5 раз в отношении каждого из участков лечения щеки и участков контроля щеки, и 5 значений измерений усреднялись. Следует отметить, что эластичность кожи измеряли после того, как места замера привыкали к температуре окружающей среды 22±2°C, относительной влажности 50±3% RH, выставляя места в окружающую среду непрерывно в течение 10 минут.

[0105] В Таблице 1 представлены значения эластичности кожи на момент начала испытания и на момент завершения испытания, и разница между значениями эластичности кожи для каждого субъекта. На Фигуре 3 представлен график, показывающий среднее значение эластичности кожи испытуемых на момент начала испытания и среднее значение эластичности кожи испытуемых на момент завершения испытания. Вертикальная ось на Фигуре 3 представляет среднее значение эластичности кожи.

[0106] Как видно из Таблицы 1 и Фигуры 3, эластичность кожа участка лечения увеличилась после испытания практически у всех субъектов. Кроме того, было показано, что эластичность кожи, как правило, имеет тенденцию к увеличению с течением времени. Эластичность кожи в момент завершения испытания была увеличена в среднем на 14,5% по сравнению с эластичностью кожи на момент начала испытания. Повышение эластичности кожи является статистически значимым на уровне 1%.

[0107] Для сравнения, эластичность кожи участка контроля увеличилась только у половины субъектов; однако, не наблюдалась тенденция к повышению эластичности кожи со временем. Эластичность кожи на момент завершения испытания увеличилась на 0,4% в среднем, по сравнению с эластичностью кожи на момент начала испытания. Однако, не было признано, что увеличение значения эластичности кожи имеет статистически значимую разницу. Из приведенных выше результатов установлено, что косметический эффект, т.е., увеличение эластичности кожи, был получен способом косметического ухода.

[0108] [Таблица 1]

Участок лечения Участок контроля
ID субъекта испытания В начале испытания После завершения испытания Разница между значениями эластичности кожи В начале испытания После завершения испытания Разница между значениями эластичности кожи
1 0,272 0,340 0,068 0,282 0,278 -0,004
2 0,286 0,298 0,012 0,317 0,272 -0,045
3 0,302 0,320 0,018 0,284 0,292 0,008
4 0,262 0,312 0,050 0,296 0,230 -0,066
5 0,298 0,384 0,086 0,290 0,356 0,066
6 0,290 0,338 0,048 0,284 0,256 -0,028
7 0,268 0,326 0,058 0,246 0,272 0,026
8 0,314 0,306 -0,008 0,288 0,340 0,052
Среднее значение 0,287 0,328 0,042 0,286 0,287 0,001

[0109] (Пример 2)

Обратимся к Фигурам 4-13, будет описан пример прибора для косметического ухода, который используется в способе косметического ухода. Как показано на Фигуре 4, прибор 7 для косметического ухода имеет практически стержнеобразный участок 71 корпуса, головку 72 притяжения, расположенную на одном из концов участка 71 корпуса и рабочий электрод 41, расположенный на другом конце участка 71 корпуса. Головка 72 притяжения имеет поверхность 720 генерации магнитной силы для притягивания и удаления вещества 1 косметической маски на водной основе, нанесенного на кожу 2, магнитной силой, как показано на Фигуре 6 и Фигуре 7. Как показано на Фигуре 13, прибор 7 для косметического ухода образован в такой конструкции так, что ионтофорезный ток может быть подан на контактный участок, к котором рабочий электрод 41 остается в контакте с кожей 2. Как показано на Фигуре 7, участок 71 корпуса вмещает блок 733 электропитания для подачи энергии к рабочему электроду 41 и блок 73 управления для управления током, подаваемым на контактный участок.

[0110] Теперь прибор 7 для косметического ухода будет ниже описан более конкретно. Как показано на Фигурах 4-6, участок 71 корпуса 7 прибора для косметического ухода содержит головку 72 притяжения и противоэлектрод 42, который сформирован в такой конструкции, что путь циркулирующего тока может быть сформирован между блоком 733 электропитания и человеческим телом, вместе с рабочим электродом 41, на одном конце. На другом конце, участок 71 корпуса содержит рабочий электрод 41. Следует отметить, что, в дальнейшем, в продольном направлении участка 71 корпуса сторона, на которой предусмотрен рабочий электрод 41, иногда обозначается как передняя сторона, и сторона, на которой предусмотрена головка 72 притяжения, иногда обозначается как задняя сторона. Кроме того, когда прибор 7 для косметического ухода рассматривается в направлении вперед-назад, сторона, на которой расположена поверхность 720 генерации магнитной силы, иногда обозначается как нижняя сторона, и сторона, противоположная нижней стороне, иногда обозначается как верхняя сторона. Кроме того, в направлении, перпендикулярном как направлению вперед-назад, так и направлению верх-низ, иногда обозначается как боковое направление. Эти выражения для направлений предназначены для удобства и не имеют ни малейшего отношения к действительным направлениям прибора 7 для косметического ухода при использовании.

[0111] Как показано на Фигуре 4 и Фигуре 7 участок 71 корпуса являет практически дугообразную форму, если смотреть с боковой стороны; более конкретно, имеет изогнутую форму, в которой почти средний участок в направлении вперед-назад (в продольном направлении) выступает вверх по сравнению с обоими концами. Оба конца в направлении вперед-назад участка 71 корпуса имеют каждый практически дугообразную наружную форму, если смотреть в направлении верх-низ, как показано на Фигуре 5 и Фигуре 6. Участок 71 корпуса выполнена таким образом, что средний участок в продольном направлении уже, чем оба конца, как видно в направлении верх-низ.

[0112] Как показано на Фигуре 4, головка 72 притяжения, предусмотренная на заднем конце участка 71 корпуса, имеет выпуклый участок 721, выпирающий вниз от участка 71 корпуса. Выпуклый участок 721 имеет поверхность 720 генерации магнитной силы на своей верхней поверхности.

[0113] Как показано на Фигуре 7 выпуклый участок 721 имеет поверхность 720 генерации магнитной силы, образуемую плоской поверхностью и боковой стенкой 722 головки, проходящую от внешней наружной кромки поверхности 720 генерации магнитной силы. Как показано на Фигуре 6 поверхность 720 генерации магнитной силы имеет практически овальную форму, если смотреть с нижней стороны, и длинная ось овала размещается вдоль направления вперед-назад (в продольном направлении). Как показано на Фигуре 7 боковая стенка 722 головки формируется таким образом, что стенка постепенно распространяется вверх от внешней наружной кромки поверхности 720 генерации магнитной силы. Поверхность 720 генерации магнитной силы и боковая стенка 722 головки соединены посредством слегка изогнутой поверхности.

[0114] Как показано на Фигуре 7, выпуклый участок 721 головки 72 притяжения вмещает практически цилиндрический постоянный магнит 723. Постоянный магнит 723 расположен в выпуклом участке 721 таким образом, что одна из лицевых поверхностей полюса магнита входит в контакт с внутренней поверхностью стенки поверхности 720 генерации магнитной силы. Другая лицевая поверхность полюса магнита постоянного магнита 723 покрыта материалом 724 перекладины, изготовленным из мягкого магнитного материала. Таким образом, прибор 7 для косметического ухода сконструирован в большей степени для приложения магнитной силы, создаваемой постоянным магнитом 723 и направленной вниз.

[0115] Следует отметить, что постоянный магнит 723 этого примера является неодимовым магнитом, намагниченным в осевом направлении. Так как используется неодимовый магнит, плотность магнитного потока, который измеряли в точке ниже поверхности 720 генерации магнитной силы, находящейся на расстояние 20 мм от центрального участка поверхности 720, составила 43 мТл.

[0116] Как показано на Фигуре 7, на участке 71 корпуса находится противоэлектрод 42 на противоположной стороне (верхней стороне) от поверхности 720 генерации магнитной силы. Как показано на Фигуре 6, рабочий электрод 41 расположен таким образом, что поверхность электрода обращена к стороне, на которой предусмотрена поверхность 720 генерации магнитной силы (нижней стороне). Рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 каждый сформированы таким образом, что ширина в поперечном направлении, меньше, чем максимальная ширина участка 71 корпуса.

[0117] Как показано на Фигуре 7, участок 71 корпуса вмещает блок 733 электропитания, блок 73 управления, светодиодный индикатор 713 и вибродвигатель 714. Блок 733 электропитания расположен между центром в продольном направлении и рабочим электродом 41 на участке 71 корпуса, и сконструирован таким образом, чтобы вместить батарею 733a в пространстве внутри участка 71 корпуса. Как показано на Фигуре 6 и Фигуре 7, батарея 733a хранится внутри участка 71 корпуса с помощью части съемной крышки 733b, предусмотренной на участке 71 корпуса.

[0118] Блок 73 управления расположен близко к головке 72 притяжения от центра участка 71 корпуса в продольном направлении. Как показано на Фигуре 5 и Фигуре 7, светодиодный индикатор 713 расположен практически в центре участка 71 корпуса в продольном направлении. Светодиодный индикатор 713 сконструирован с возможностью излучения света вверх, когда ионтофорезный ток течет от рабочего электрода 41 к коже 2. Вибродвигатель 714 предоставляется внутри участка 71 корпуса в конце близко к рабочему электроду 41. Вибродвигатель 714 сконструирован с возможностью приводиться в действие, когда ионтофорезный ток течет от рабочего электрода 41 к коже 2 и генерировать вибрирование.

[0119] Теперь обратимся к Фигуре 8, будет описываться электрическое соединение между отдельными секциями в приборе 7 для косметического ухода. Блок 733 электропитания соединен с каждым: с управляющим микропроцессором 730 и секцией 731 подачи напряжения в блоке 73 управления, со светодиодным индикатором 713 и вибродвигателем 714, подает питание для работы в каждую из этих секций.

[0120] Блок 73 управления содержит управляющий микропроцессор 730, секцию 731 подачи напряжения и секцию 732 возврата тока. Блок 73 управления соединен с каждым: блоком 733 электропитания, рабочим электродом 41, противоэлектродом 42, светодиодным индикатором 713 и вибродвигателем 714, и сконструирован таким образом, что операциями этих секций можно управлять. Управляющий микропроцессор 730 обладает функцией ввода и вывода сигналов для управления работой каждой секции. Секция 731 подачи напряжения обладает функцией подачи напряжения между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42. Секция 732 возврата тока обладает функцией принятия тока, протекающего через человеческое тело от рабочего электрода 41 или противоэлектрода 42 и возврата тока на блок 733 электропитания.

[0121] Управляющий микропроцессор 730 и секция 731 подачи напряжения соединены друг с другом так, что могут передавать сигнал регулировки напряжения и сигнал выбора значения тока, описываемые далее. Секция 732 возврата тока расположена между секцией 731 подачи напряжения и секцией 731c заземления, которая соединена с отрицательным полюсом блока 733 электропитания. Секция 732 возврата тока соединена с АЦП (аналого-цифровым преобразователем) 730a, как описывается далее, управляющего микропроцессора 730. Таким образом, блок 73 управления сконструирован так, что разность потенциалов в секции 732 возврата тока может быть введена в управляющий микропроцессор 730.

[0122] Управляющий микропроцессор 730 содержит АЦП 730a, секцию 730b вычислений, секцию 730c вывода сигнала и таймер 730d задержки. АЦП 730a обладает функцией оцифровки разности потенциалов в секции 732 возврата тока. Секция 730b вычислений обладает функцией определения того, находятся ли рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 в контакте с человеческим телом. Секция 730c вывода сигнала обладает функцией управления током, который подается от рабочего электрода 41 на поверхность кожи 21, на которой требуется получить косметический эффект.

[0123] АЦП 730a соединен с секцией 732 возврата тока блока 73 управления и выполнен с возможностью оцифровывания разности потенциалов между потенциалом секции 732 возврата тока и потенциалом секции 731c заземления (в дальнейшем в этом документе потенциал секции 731c заземления будет называться «нулевым потенциалом»). Значение разности потенциалов, оцифрованное АЦП 730a, отправляется в секцию 730b вычислений в управляющем микропроцессоре 730.

[0124] В секции 730b вычислений, значение разности потенциалов, введенное через АЦП 730a, сравнивается с заданным пороговым значением. Секция 730b вычислений сконструирована так, что если значение разности потенциалов меньше, чем заданное пороговое значение, секция 730b вычислений определяет, что, по меньшей мере, либо рабочий электрод 41, либо противоэлектрод 42 не контактирует с человеческим телом; в то время как если значение разности потенциалов равно заданному пороговому значению или больше, секция 730b вычислений определяет, что рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 оба находятся в контакте с человеческим телом. Кроме того, секция 730b вычислений сконструирована так, что секция 730b может управлять выходным сигналом секции 730c вывода сигнала, основываясь как на результатах определения, так и на заданной последовательности операций, показанной на Фигуре 9 и Фигуре 10. Следует отметить что в дальнейшем последовательность операций описывается более конкретно.

[0125] Секция 730c вывода сигнала выполнена с возможностью приема управляющего сигнала от секции 730b вычислений и последующего вывода сигнала регулировки напряжения и сигнала выбора значения тока на секцию 731 подачи напряжения. Сигнал регулировки напряжения вводится в схему 731a инвертирования полярности, описываемую в дальнейшем, в секции 731 подачи напряжения и управляет включением-выключением и полярностью напряжения, которое подается между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42. Сигнал выбора значения тока вводится в схему 731b постоянной силы тока, описываемую в дальнейшем, в секции 731 подачи напряжения и управляет значением тока, протекающего между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42.

[0126] Секция 730c вывода сигнала также соединена со светодиодным индикатором 713 и вибродвигателем 714. Секция 730c вывода сигнала сконструирована так, что, если секция 730b вычислений определяет, что рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 оба находятся в контакте с человеческим телом, секция 730c вывода сигнала выводит отдельные сигналы для испускания светодиодным индикатором 713 и приведения в действие вибродвигателя 714.

[0127] Таймер 730d задержки приводится в действие секцией 730b вычислений, если секция 730b вычислений определяет, что, по меньшей мере, либо рабочий электрод 41, либо противоэлектрод 42 не контактирует с человеческим телом. Таймер 730d задержки обладает функцией остановки операции секции 730b вычислений на заданное время. Благодаря этой функции, в приборе 7 для косметического ухода, операции отдельных секций останавливаются в соответствии с остановкой операции секции 730b вычислений на заданное время от запуска таймера 730d задержки. Таймер 730d задержки выполнен с возможностью перезапуска секции 730b вычислений после прохождения заданного времени.

[0128] Секция 731 подачи напряжения содержит схему 731a инвертирования полярности и схему 731b постоянной силы тока, которые соединены между собой. Схема 731a инвертирования полярности и секция 730c вывода сигнала управляющего микропроцессора 730 соединены между собой. Схема 731a инвертирования полярности соединена с каждым: рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42. Таким образом, схема 731a инвертирования полярности сконструирована так, что разностью потенциалов между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42 можно управлять на основе сигнала регулировки напряжения, выводимого из секции 730c вывода сигнала.

[0129] Схема 731b постоянной силы тока обладает функций поддерживания постоянного тока, протекающего между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42. Схем 731b постоянной силы тока и секция 730c вывода сигнала управляющего микропроцессора 730 соединены между собой. Схема 731b постоянной силы тока сконструирована так, что ток, протекающий между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42, может быть установлен на двух уровнях, на основании сигнала выбора значения тока, выводимого секцией 730c вывода сигнала. В этом примере, текущее значение тока устанавливается на двух уровнях: уровне ионофореза и уровне ухода за кожей, который ниже, чем уровень ионтофореза. Следует отметить, что, уровень ионтофореза применяется во время операций на этапе S8 ионтофореза и этапе S9 импульса сброса; в то время как уровень ухода за кожей применяется в ходе операции на этапе S11 по уходу за кожей.

[0130] Секция 732 возврата тока имеет резистор 732a, подсоединенный между секцией 731 подачи напряжения и секцией 731c заземления. Благодаря этому ток, отводимый из секции 731 подачи напряжения, протекает через резистор 732a к секции 731c заземления и проходит через секцию 731c заземления к отрицательному полюсу блока 733 электропитания. Точка между секцией 731 подачи напряжения и резистором 732a в секции 732 возврата тока подсоединена к АЦП 730a управляющего микропроцессора 730. Благодаря этому АЦП 730a сконструирован так, что вводится разность потенциалов между потенциалом точки между секцией 731 подачи напряжения и резистором 732a и нулевым потенциалом.

[0131] Теперь обратимся к Фигуре 9 и Фигуре 10, будет описана технологическая схема прибора 7 для косметического ухода. Когда от блока 733 электропитания на прибор 7 для косметического ухода подается питание, выполняется (этап S1) инициализация управляющего микропроцессора 730. В это время управляющий микропроцессор 730 выводит сигнал выбора значения тока на схему 731b постоянной силы тока, чтобы установить значение тока на уровне ионтофореза.

[0132] После этого управляющий микропроцессор 730 включает таймер 730d задержки 730d и выполняет этап S2 ожидания истечения заданного времени. Обратите внимание, что заданное время может быть соответствующим образом установлено в пределах диапазона от 50 до 1000 миллисекунд таймером 730d задержки в этом примере.

[0133] После этапа S2, управляющий микропроцессор 730 выполняет этап S3 для подачи питания для работы от блока 733 электропитания на секцию 731 подачи напряжения; в то же время сигнал регулировки напряжения выводится из секции 730c вывода сигнала. Благодаря этой операции, хотя управляющий микропроцессор 730 управляет разностью потенциалов между двумя электродами, таким образом, что потенциал рабочего электрода 41 меньше, чем потенциал противоэлектрода 42, и один раз подает импульсное напряжение между двумя электродами. Таким образом, выполняется этап S4 подачи импульсного напряжения между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42. В этом примере было указано значение импульсного напряжения на этапе S4 равное 5В.

[0134] Затем, как показано на Фигуре 9, выполняется этап S5 измерения разности потенциалов в секции 732 возврата тока. На этапе S5, когда рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 оба находятся в контакте с кожей 2, импульсный ток, возникающий за счет импульсного напряжения, протекает от противоэлектрода 42 к рабочему электроду 41 через человеческое тело. Импульсный ток отводится из рабочего электрода 41 в блок 73 управления и создает разность потенциалов между обоими концами резистора 732a в секции 732 возврата тока, как формы волны F4, показанной на Фигуре 11. Разность потенциалов, создаваемая между обоими концами резистора 732a, другими словами, разность потенциалов между секцией 732 возврата тока и нулевым потенциалом вводится в АЦП 730a управляющего микропроцессора 730 и это значение измеряется.

[0135] Для сравнения, когда, по меньшей мере, либо рабочий электрод 41, либо противоэлектрод 42 не контактирует с кожей 2, даже если подается импульсное напряжение, ток не течет через резистор 732a, в результате чего между обоими концами резистора 732a не создается разность потенциалов. Из-за этого, когда, по меньшей мере, либо рабочий электрод 41, либо противоэлектрод 42 не контактирует с кожей 2, значение разности потенциалов становится 0 В.

[0136] После этого управляющий микропроцессор 730 выполняет этап S6 определения, находятся ли рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 в контакте с человеческим телом, основываясь на результатах сравнения разности потенциалов и заданным пороговым значением L (смотри, Фигуру 11) в секции 730b вычислений. Если разность потенциалов, полученная на этапе S5 меньше, чем пороговое значение L, управляющий микропроцессор 730 определяет, что, по меньшей мере, либо рабочий электрод 41, либо противоэлектрод 42 не контактирует с человеческим телом («Нет» на этапе S6). В этом случае управляющий микропроцессор 730 дает команду возвратиться к этапу S2 приведения в действие таймера 730d задержки. Управляющий микропроцессор 730 выполняет этапы от S2 до S6 циклически до тех пор, пока на этапе S6 опредяется, что, по меньшей мере, либо рабочий электрод 41, либо противоэлектрод 42 не контактирует с человеческим телом. Следует отметить, что, в этом примере, пороговое значение L может быть соответствующим образом установлено в диапазоне между от 50 до 200 мВ.

[0137] Для сравнения, как показано на Фигуре 11, если разность потенциалов между секцией 732 возврата тока и нулевым потенциалом равна пороговому значению L или больше на этапе S6, управляющий микропроцессор 730 определяет, что рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 оба находятся в контакте с человеческим телом («Да» на этапе S6). В этом случае, как показано на Фигуре 9, управляющий микропроцессор 730 выполняет этап S7 ввода сигнала выбора значения тока в схему 731b постоянной силы тока, чтобы установить значение тока на уровне ионтофореза. После этапа S7, управляющий микропроцессор 730 отправляет сигнал регулировки напряжения, который подает команду на подачу ионтофорезного тока от рабочего электрода 41 к коже 2, к секции 731 подачи напряжения.

[0138] Как показано на Фигуре 9, ионтофорезный ток образован последовательными повторами этапа S8 ионофореза для подачи тока одной полярности к участку, на котором рабочий электрод 41 находится в контакте с кожей 2 (F1, Фигура 2); этап S9 импульса сброса для подачи импульсного тока другой полярности на контактный участок (F2, Фигура 2); и этап S11 ухода за кожей для подачи тока, у которого попеременно меняется полярность, на контактный участок (F3, Фигур 2). В этой процедуре, форма волны ионтофорезного тока, протекающего через кожу 2 образована повторами основных форм волны от F1 до F3, как показано на Фигуре 2.

[0139] Управляющий микропроцессор 730 выводит сигнал возбуждения из секции 730c вывода сигнала на светодиодный индикатор 713 и вибродвигатель 714 до тех пор, пока ионтофорезный ток протекает через кожу 2 (этап T1, Фигура 10). Благодаря этому, светодиодный индикатор 713 и вибродвигатель 714 приводятся в действие до тех пор, пока рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 оба находятся в контакте с человеческим телом.

[0140] Для более конкретного описания, на этапе S8 ионтофореза, управляющий микропроцессор 730 управляет разностью потенциалов таким образом, что потенциал рабочего электрода 41 меньше, чем потенциал противоэлектрода 42; в то же время, импульсное напряжение подается между двумя электродами множество раз. Благодаря этому рабочий электрод 41 может подать импульсный ток отрицательной полярности с основной формой волны F1, показанной на Фигуре 2, к коже 2, множество раз.

[0141] На этапе S9 импульса сброса, управляющий микропроцессор 730 управляет разностью потенциалов таким образом, что потенциал рабочего электрода 41 больше, чем потенциал противоэлектрода 42; в то же время, импульсное напряжение подается между двумя электродами один раз. Благодаря этому рабочий электрод 41 может подать импульсный ток положительной полярности с основной формой волны F2, показанной на Фигуре 2, к коже 2.

[0142] После этапа S9 импульса сброса, управляющий микропроцессор 730 выполняет этап S10 вывода сигнала выбора значения тока на схему 731b постоянной силы тока, чтобы установить значение тока на уровень ухода за кожей, как показано на Фигуре 9.

[0143] После этапа S10, управляющий микропроцессор 730 выполняет этап S11 ухода за кожей, как показано на Фигуре 9. На этапе S11 ухода за кожей, управляющий микропроцессор 730 подает на два электрода волну в виде меандра, у которой максимум и минимум разности потенциалов рабочего электрода 41 по отношению к противоэлектроду 42 попеременно меняется. Благодаря этому рабочий электрод 41 может подать квадратно-волновой ток, в котором положительная полярность и отрицательная полярность попеременно меняются, как базовая форма волны F3, показанной на Фигуре 2, на кожу 2.

[0144] Как показано на Фигуре 10, управляющий микропроцессор 730 обладает функцией обнаружения кожи, которая осуществляет определение того находятся ли рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 в контакте с человеческим телом путем использования импульса ионтофорезного тока, протекающего через кожу 2, параллельно к этапам от S7 до S11. Другими словами, управляющий микропроцессор 730 сконструирован так, что этап T2 измерения разности потенциалов между секцией 732 возврата тока (создаваемой благодаря импульсному току) и нулевым потенциалом осуществляется посредством использования импульсного тока, протекающего через кожу 2 на этапе S8 ионтофореза, этапе S9 импульса сброса и этапе S11 ухода за кожей, аналогично этапу S5.

[0145] Как показано на Фигуре 10, управляющий микропроцессор 730 исполняет этап T3 определения состояния контакта, находятся ли рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 в контакте с человеческим телом, основываясь на результатах измерения разности потенциалов секции 732 возврата тока. Определение на этапе T3 в отношении состояния контакта, находятся ли рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 в контакте с человеческим телом, может быть сделано на основе результата измерения разности потенциалов от одиночного импульса тока или всех результатов измерений разностей потенциалов от множества импульсов тока. Кроме того, импульсный ток, который должен использоваться при определении состояния контакта, может быть соответствующим образом выбран из импульсных токов на этапе S8 ионтофореза, этапе S9 импульса сброса и этапе S11 ухода за кожей.

[0146] В этом примере, например, определение состояния контакта на этапе T3 производится заданное число раз на основе определения, постоянно ли значение разности потенциалов между обоими концами резистора 732a меньше из-за импульсного тока (F2, Фигура 2) на этапе S9 импульса сброса, чем пороговое значение L, или нет. Другими словами, если значения разности из-за импульсного тока (F2, Фигура 2) постоянно меньше, чем пороговое значение L («Да», этап T3,) за заданное число раз, управляющий микропроцессор 730 в этом примере определяет, что, по меньшей мере, либо рабочий электрод 41, либо противоэлектрод 42 не контактирует с человеческим телом. В этом случае, управляющий микропроцессор 730 прекращает подачу ионтофорезного тока и одновременно прекращает вывод сигнала возбуждения на светодиодный индикатор 713 и вибродвигатель 714 (этап T4). Управляющий микропроцессор 730 выполнен с возможностью повторения этапов от этапа S2 до этапа S6 (показано на Фигуре 9) после этапа T4.

[0147] Для сравнения, до тех пор, пока число случаев, когда значения разности потенциалов постоянно меньше, чем пороговое значение L, не достигает заданного числа раз («Нет», этап T3), управляющий микропроцессор 730 определяет, что рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 оба находятся в контакте с человеческим телом. До тех пор, пока на этапе T3 управляющий микропроцессор 730 определяет, что рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 оба находятся в контакте с человеческим телом, управляющий микропроцессор 730 циклически исполняет этапы от этапа S7 до этапа S11, показано на Фигуре 9.

[0148] Далее будет описано как использовать прибор 7 для косметического ухода.

[0149] После того, как пользователь наносит вещество 1 косметической маски на водной основе, пользователь держит участок 71 корпуса на стороне рабочего электрода 41 и подводит поверхность 720 генерации магнитной силы головки 72 притяжения ближе к коже 2, как показано на Фигуре 12. В этом случае, съемный покрывающий элемент может быть предусмотрен на поверхности 720 генерации магнитной силы заранее. Форма, материал и другие части покрывающего элемента не имеют особых ограничений до тех пор, пока элемент может покрывать поверхность 720 генерации магнитной силы и можно использовать любой тип покрывающего элемента. В этом примере, головку 72 притяжения оборачивают хлопчатобумажным полотном (не показано на фигуре).

[0150] С помощью этой операции, загрязнения 200 на коже 2 и прочее удаляются вместе с магнитным порошком 11 с поверхности 21 кожи и притягивается головкой 72 притяжения, как указано выше. После того, как вещество 1 косметической маски на водной основе удаляется с поверхности 21 кожи, водный раствор 12, содержащий ионтофорезный компонент 13, остается нанесенным на кожу 2. Следует отметить, что, используемое вещество 1 косметической маски на водной основе, притягиваемое головкой 72 притяжения, может быть удалено вместе с покрывающим элементом с поверхности 720 генерации магнитной силы и выброшены.

[0151] После удаления с кожи 2 используемого вещества 100 косметической маски на водной основе и прочего, как указано выше, пользователь сдвигает положение участка 71 корпуса, которым проводит так, что рабочий электрод 41 выступает из руки и противоэлектрод 42 вступает в контакт с рукой. Затем рабочему электроду 41 предоставляется возможность касаться поверхности кожи 21, как показано на Фигуре 13. Благодаря операции, через контактный участок рабочего электрода 41 в контакте с кожей 2, протекает ионтофорезный ток, который состоит из повторов базовых форм волны от F1 до F3, показанных на Фигуре 2. Следует отметить, что, в этом примере, на этапе S8 ионтофореза, рабочий электрод 41 служит в качестве катода; в то время как противоэлектрод 42 служит в качестве анода, и ток отрицательной полярности протекает к поверхности 21 кожи в контакте с рабочим электродом 41. Таким образом, прибор 7 для косметического ухода позволяет L-аскорбил-2-фосфат иону 131 (аниону) проникнуть в кожу.

[0152] Теперь будет описан эффект прибора 7 для косметического ухода. Прибор 7 для косметического ухода имеет головку 72 притяжения для притягивания и удаления вещества 1 косметической маски на водной основе с помощью магнитной силы. Благодаря этому, как показано на Фигуре 12, когда пользователь держит участок 71 корпуса и приближает головку 72 притяжения к поверхности 21 кожи, на которую нанесено вещество 1 косметической маски на водной основе, вещество 1 косметической маски на водной основе притягивается головкой 72 притяжения с помощью магнитной силы. В результате прибор 7 для косметического ухода может легко удалить используемое вещество 1 косметической маски на водной основе.

[0153] Как показано на Фигуре 4, прибор 7 для косметического ухода содержит рабочий электрод 41 для подачи ионтофорезного тока на контактный участок в то время, когда электрод 41 остается в контакте с кожей 2. Таким образом, когда пользователь приводит рабочий электрод 41 в контакт с кожей 2, на которую ранее было нанесен заряженный косметический компонент, и затем подает ионтофорезный ток, как указано выше, косметический компонент легко переносится в кожу. В результате прибор 7 для косметического ухода облегчает инфильтрацию косметического компонента и легко и моментально обнаруживается косметический эффект.

[0154] Прибор 7 для косметического ухода содержит как головку 72 притяжения, так и рабочий электрод 41. Таким образом, как указано выше, рабочий этап удаления загрязнения на коже 2 и остатков с веществом 1 косметической маски на водной основе и рабочий этап предоставления возможности заряженному косметическому компоненту проникнуть в кожу с помощью ионтофорезного тока могут быть осуществлены с использованием одного инструмента. В результате пользователю нет необходимости отдельно подготовлять инструменты для двух рабочих этапов и выбирать инструмент, в зависимости от использования.

[0155] Как показано на Фигуре 4, головка 72 притяжения имеет поверхность 720 генерации магнитной силы, ориентированной в направлении, практически перпендикулярном продольному направлению участка 71 корпуса (нижняя сторона). Таким образом, для пользователя легко повернуться лицом к поверхности 720 генерации магнитной силы в направлении кожи 2, на которую нанесено вещество 1 косметической маски на водной основе, только удерживая участок 71 корпуса, как показано на Фигуре 12. В результате пользователю может быть весьма удобно использовать прибор 7 для косметического ухода.

[0156] Как показано на Фигуре 7, участок 71 корпуса содержит противоэлектрод 42 на противоположной (верхней) стороне поверхности 720 генерации магнитной силы, и рабочий электрод 41, которая расположен так, чтобы быть обращенными вниз, как показано на Фигуре 6. Таким образом, когда пользователь кладет прибор 7 для косметического ухода на стол или подобное, возможность электрической проводимости между рабочим электродом 41 и противоэлектродом 42 по поверхности стола может быть уменьшена, как указано выше, с тем результатом, что потребление электроэнергии прибором 7 для косметического ухода имеет тенденцию к уменьшению. Кроме того, так как между блоком 733 электропитания и человеческим телом формируется путь циркулирующего тока, прибор 7 для косметического ухода может более эффективно подавать ионтофорезный ток на человеческое тело. В результате прибор 7 для косметического ухода может еще улучшить косметический эффект.

[0157] Как показано на Фигуре 8 и Фигуре 9, блок 73 управления имеет средство для подачи импульсного напряжения на рабочий электрод 41 для измерения значения электрической характеристики внутри блока 73 управления на основании импульсного напряжения, средство для определения того, находятся ли рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 в контакте с человеческим телом на основании значения электрической характеристики, и средство для подачи ионтофорезного тока на контактный участок, если определено, что рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 оба находятся в контакте с человеческим телом; и сконструирован так, что если определено, что, по меньшей мере, либо рабочий электрод 41, либо противоэлектрод 42 не контактирует с человеческим телом, после прохождения заданного времени, измеряемого таймером 730d задержки, измерение значения электрической характеристики и определение повторяются снова.

[0158] Таким образом, прибор 7 для косметического ухода может подавать ионтофорезный ток на контактный участок в то время, когда рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 оба находятся в контакте с человеческим телом, без включения/выключения переключателя. Благодаря этому, пользователь может получить эффект облегчения инфильтрации косметического компонента просто держа участок 71 корпуса на стороне противоэлектрода 42 и касаясь противоэлектрода 42 рукой; и одновременно приводя рабочий электрод 41 в контакт с участком, на котором требуется косметический эффект.

[0159] Прибор 7 для косметического ухода может уменьшить частоту измерения значения электрической характеристики и определения, как указано выше, при работе таймера 730d задержки указанным выше способом. В результате в приборе 7 для косметического ухода может быть уменьшено потребление электроэнергии в состоянии ожидания, другими словами в состоянии, когда, по меньшей мере, либо рабочий электрод 41, либо противоэлектрод 42 не контактирует с человеческим телом.

[0160] Как показано на Фигуре 8 и Фигуре 9, блок 73 управления содержит секцию 732 возврата тока, который принимает в ток, протекающий через человеческое тело и посылает ток и передает ток в блок 733 электропитания; и сконструирован так, что разность потенциалов между секцией 732 возврата тока и нулевым потенциалом измеряют в качестве значения электрической характеристики и если разность потенциалов равна заданному пороговому значению или более, определяется что рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 оба находятся в контакте с человеческим телом. Таким образом, конструкция схемы блока 73 управления может быть легко упрощена, как указано выше; в то же время, может быть улучшена точность в определении того, что рабочий электрод 41 и противоэлектрод 42 находятся в контакте с человеческим телом.

[0161] Как показано на Фигуре 2 и Фигуре 9, ионтофорезный ток состоит из последовательных повторов этапа S8 ионофореза для подачи тока, имеющего одну полярность (Фигура 2, F1) на контактный участок; этапа S9 импульса сброса для подачи импульсного тока (Фигура 2, F2), имеющего другую полярность, к контактному участку; и этапа S11 ухода за кожей для подачи тока (Фигура 2, F3), у которого попеременно меняется полярность, на контактный участок. Таким образом, как указано выше, ожидается, что косметический синергетический эффект может быть еще улучшен за счет прибора 7 для косметического ухода, так как проявляется эффект облегчения инфильтрации косметического компонента в кожу и эффект активации кожи 2.

[0162] Прибор 7 для косметического ухода имеет вибродвигатель 714 на краю близко к рабочему электроду 41 и сконструирован так, что вибродвигатель 714 приводится в действие когда ионтофорезный ток протекает через кожу 2. Таким образом, из-за вибрации, создаваемой вибродвигателем 714, эффекты, такие как эффект улучшения лимфотока, эффект улучшения кровообращения и эффект улучшения обмена веществ, могут быть получены на участке, на котором рабочий электрод 41 находится в контакте с кожей 2 и участке вокруг них. В результате прибор 7 для косметического ухода может внести свой вклад в дальнейшее улучшение косметического эффекта, что чувствует пользователь.

[0163] Как описано в изложенном выше, прибор 7 для косметического ухода успешно увеличивает комфорт при непрерывном выполнении этапа работы по удалению загрязнений на коже и остатков и этап работы позволяет косметическому компоненту проникать в кожу.

[0164] Следует отметить что, Пример 2 показывает пример прибора 7 для косметического ухода, имеющего головку 72 притяжения для притягивания и удаления магнитного порошка 11 магнитной силой, и также представляющего собой инструмент для ионофореза для подачи ионтофорезного тока на кожу 2. Однако этап работы по притяжению магнитного порошка 11 и этап ионофореза могут быть осуществлены с использованием отличных инструментов. Например, как показано на Фигуре 14 и Фигуре 15, этап работы по притяжению магнитного порошка 11 может быть осуществлен прибором 7b для косметического ухода, имеющим одну головку 72 притяжения, без предоставления, например, рабочего электрода 41 или блока 73 управления. Следует отметить что, из номеров ссылочных позиций, используемых на Фигуре 14 и Фигуре 15, одинаковыми номерами ссылочных позиций, используемыми в Примере 2, обозначают одинаковые структурные элементы, соответствующие тем, которые используются в Примере 2.

[0165] Как не показано на фигурах, например, ионтофорез может осуществляться прибором 7 для косметического ухода, имеющим, например, рабочий электрод 41 и блок 73 управления, без предоставления головки 72 притяжения. Форма прибора 7 для косметического ухода не ограничивается тем, что показана в Примере 2, и может быть различным образом модифицирована. Например, участок 71 корпуса может иметь сферическую или цилиндрическую форму.


СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА
СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА
СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА
СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА
СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА
СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА
СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА
СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА
СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА
СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА
СПОСОБ КОСМЕТИЧЕСКОГО УХОДА
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-3 из 3.
18.05.2018
№218.016.5090

Устройство для тренировки мышц лица

Предложен инструмент (21) для тренировки мышц лица, который содержит упругую пластину (22) и орально удерживаемую губами часть (24), расположенную в среднем положении упругой пластины (22) в ее продольном направлении. Упругодеформируемая часть содержит упругую пластину (22) и покрывающий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002652977
Дата охранного документа: 03.05.2018
23.02.2019
№219.016.c5e8

Водное средство ухода за кожей

Изобретение относится к косметической промышленности и представляет собой водное средство ухода за кожей, которое содержит от 4 до 73 мас.% воды, от 13 до 80 мас.% магнитного порошка, и загуститель, где водное средство ухода за кожей имеет вязкость 9000 мПа×с или больше, и в котором магнитный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680403
Дата охранного документа: 21.02.2019
13.06.2019
№219.017.8096

Устройство электростимуляции мышц

Изобретение относится к медицинской технике. Устройство электростимуляции мышц включает в себя основной корпус, источник питания, хранимый в основном корпусе, электродный блок, который принимает мощность из источника питания, контроллер, который управляет подачей мощности в электродный блок, и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002691312
Дата охранного документа: 11.06.2019
+ добавить свой РИД