×
20.12.2018
218.016.a9dd

Результат интеллектуальной деятельности: ФОТОДЕТЕКТОРНЫЙ СВЧ МОДУЛЬ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области радиотехники, а именно к радиофотонике, и может быть использовано при конструировании систем возбуждения антенн и активных фазированных антенных решеток (АФАР) для связи, радиолокации, радионавигации и радиоэлектронной борьбы. Фотодетекторный СВЧ модуль включает симметричный оптоволоконный разветвитель оптических СВЧ импульсов, подводимых через входное оптоволокно, СВЧ фотодиоды, оптически стыкованные с выходными оптоволокнами разветвителя, к каждому фотодиоду приложено обратное смещение, величина напряжения которого задана последовательно соединенной с фотодиодом через нагрузочное сопротивление сборкой вентильных фотоэлементов, работающих без обратного напряжения смещения и облучаемых через оптоволокна непрерывным оптическим излучением, количество вентильных фотоэлементов в одной сборке установлено не более отношения максимально допустимого обратного напряжения смещения каждого СВЧ фотодиода к рабочему напряжению, генерируемому каждым вентильным фотоэлементом, параллельно сборке вентильных фотоэлементов подсоединен конденсатор, емкость которого установлена не менее удвоенного отношения длительности импульсов к величине нагрузочного сопротивления, нагрузочные сопротивления соединены между собой последовательно, а общие выводы последовательной сборки нагрузочных сопротивлений подсоединены через СВЧ тракт к СВЧ нагрузке, причем величина каждого нагрузочного сопротивления установлена равной отношению волнового сопротивления СВЧ нагрузки к количеству СВЧ фотодиодов, установленному равным заданной выходной импульсной мощности модуля, умноженной на коэффициент заполнения импульсного оптического сигнала и деленной на суммарную мощность вентильных фотоэлементов в одной сборке. Изобретение обеспечивает повышение мощности фотодетекторного СВЧ модуля, преобразующего импульсы оптического излучения в мощные электрические импульсы, и оптимальное согласование с СВЧ нагрузкой. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области радиотехники, а именно к радиофотонике, и может быть использовано при конструировании систем возбуждения антенн и активных фазированных антенных решеток (АФАР) для связи, радиолокации, радионавигации и радиоэлектронной борьбы.

Недостатком существующих приемо-передающих модулей АФАР является их низкий КПД и связанные с этим проблемы энергопотребления и охлаждения, большие габариты и избыточная масса. Волоконно-оптические фотонные линии передачи мощных информационно-энергетических СВЧ сигналов имеют большие перспективы использования для совершенствования бортовых и стационарных радиолокационных систем на основе АФАР.

Одним из важнейших требований к АФАР является необходимость разнесения в пространстве антенного полотна АФАР (СВЧ излучатели) и аппаратурной основной части приемно-передающего модуля АФАР. Реализация этого требования с использованием обычных (радиоэлектронных) приемо-передающих модулей АФАР чрезвычайно трудна. Использование фотонных трактов на основе мощных информационно-энергетических фотодетекторных модулей для преобразования импульсного лазерного излучения позволит кардинально снизить нагрузку на антенное полотно, уменьшить его массу и габариты. При этом фотодетекторные СВЧ модули должны обеспечить высокоэффективное преобразование мощных импульсов лазерного излучения в гигагерцевом диапазоне частот.

Работа предлагаемого устройства основана на фотоэлектрическом преобразовании наносекундных и субнаносекундных оптических (лазерных) импульсов, передаваемых по оптоволокну, в мощные электрические импульсы с помощью быстродействующего мощного фотодетекторного СВЧ модуля.

Известен фотодетекторный СВЧ модуль, предназначенный для калибровки и контроля фазы каждого излучающего элемента в активной фазированной антенной решетке (см.

https://www.researchgate.net/publication/235084654_RF_Photonic_In-Situ_Real-Time_Phased_Array_Antenna_Calibration_System, W.M. Dorsey, M.G. Parent, S.A. Long, Ch.S. McDermitt, F. Bucholtz). В данном модуле используется фотонное устройство возбуждения, в состав которого входит маломощный фотодетектор, преобразующий промодулированный оптический сигнал в высокочастотный калиброванный (эталонный) электрический сигнал, способный возбудить небольшую дипольную антенну, находящуюся перед каждым излучающим элементом фазированной антенной решетки и работающую в ближней зоне.

Недостатками известного устройства служит малая (1 мВт) выходная мощность модуля, которой возбуждается небольшая дипольная антенна, передающая высокочастотный калиброванный сигнал на излучающий элемент антенной решетки, а сама дипольная антенна находится в ближней зоне каждого из элементов фазированной антенной решетки, то есть предлагаемое устройство не рассчитано для работы в дальней зоне для излучения высокочастотного сигнала в открытое пространство на большие расстояния и служит как источник высокочастотного гармонического калиброванного колебания с малой мощностью и узкой полосой пропускания.

Известен фотодетекторный СВЧ модуль (см. http://masters.donntu.org/2012/frt/samoylenko/diss/index.htm, Самойленко Д.А. «Исследование характеристик интегрированных микрополосковых активных антенн в защищенных системах связи»). В данном устройстве реализована концепция фотонной антенны, отличающейся от традиционной микроволновой антенны тем, что коаксиальный кабель заменен оптическим волокном, устройством возбуждения антенны является фотодетектор, а источником оптического сигнала - лазер. В фотодетекторе происходит преобразование амплитудно-модулированного оптического сигнала в электрический, который и возбуждает микроволновую антенну. Недостатком известного устройства, как утверждает автор, является большие потери при преобразовании, которые могут превышать 10 дБ и низкая выходная мощность СВЧ сигнала, ограниченная максимальным фототоком фотодетектора, который не превышает нескольких десятков миллиампер.

Известно устройство (см. патент US20040145026 «Photonic transmitter», Chi-Kuang Sun и др., дата публикаций 29 июля 2004 г., https://www.google.ch/patents/US20040145026), в котором «печатная» щелевая антенна соединена через секцию сопротивлений согласования, через копланарный волновод и интегрирована с фотодетектором. Недостатками известного устройства является низкая мощность, составляющая единицы милливатт.

Наиболее близким техническим решением-прототипом является фото детекторный СВЧ модуль (см. патент US2006140644, «High performance, high efficiency fiber optic link for analog and RF systems», A. Paolella, дата публикации 29 июня 2006 г., http://www.google.ch/patents/US20060140644), состоящий из фотодетектора, оптоволокна и антенны, в котором описан вариант преобразования промодулированного оптического сигнала в высокочастотный электрический сигнал с помощью одного фотодетектора и передача сигнала в антенну за счет прямого преобразования: модулированный оптический сигнал - оптоволокно - детектирование -антенна.

Недостатком известного устройства является небольшая мощность (1 мВт) устройства возбуждения, которая ограничивается мощностью одного фотодетектора, невозможностью оптимального согласования фотодетектора с антенной, что ведет к потере мощности генерируемого антенной сигнала и искажению самого сигнала.

Задача настоящего изобретения - повышение мощности фотодетекторного СВЧ модуля, преобразующего импульсы оптического излучения в мощные электрические импульсы, и оптимальное согласование с СВЧ нагрузкой.

Поставленная задача достигается тем, что фотодетекторный СВЧ модуль включает симметричный оптоволоконный разветвитель оптических СВЧ импульсов, подводимых через входное оптоволокно, и СВЧ фотодиоды, оптически стыкованные с выходными оптоволокнами разветвителя. К каждому фотодиоду приложено обратное смещение, величина напряжения которого задана подключенной к фотодиоду через нагрузочное сопротивление сборкой последовательно соединенных вентильных фотоэлементов, работающих без обратного напряжения смещения и облучаемых через оптоволокна непрерывным лазерным излучением.

Количество вентильных фотоэлементов в одной сборке установлено не более величины отношения максимально допустимого обратного напряжения смещения каждого СВЧ фотодиода к рабочему напряжению, генерируемому каждым вентильным фотоэлементом. Параллельно сборке вентильных фотоэлементов подсоединен конденсатор, емкость которого установлена не менее удвоенного отношения длительности оптических импульсов к величине нагрузочного сопротивления. Величина фототока вентильного фотоэлемента установлена равной фототоку СВЧ фотодиодов, умноженному на коэффициент заполнения СВЧ импульсов. Нагрузочные сопротивления соединены между собой последовательно, а общие выводы последовательной сборки нагрузочных сопротивлений подсоединены через СВЧ тракт к СВЧ нагрузке, например, передающей антенне, причем величина каждого нагрузочного сопротивления установлена равной отношению волнового сопротивления СВЧ нагрузки к количеству СВЧ фотодиодов. Количество СВЧ фотодиодов в модуле установлено равным заданной выходной импульсной мощности модуля, умноженной на коэффициент заполнения оптических импульсов и деленной на мощность вентильных фотоэлементов в одной сборке.

В заявленном фотодетекторном СВЧ модуле СВЧ фотодиоды и вентильные фотоэлементы могут быть выполнены на основе арсенида галлия с величиной допустимого обратного смещения 10В. Длительность оптических импульсов равна 1 не, скважность импульсов равна 8, фототок СВЧ фотодиодов равен 1А. Величина каждого нагрузочного сопротивления равна 8 Ом, волновое сопротивление СВЧ нагрузки равно 64 Ом. Рабочее напряжение вентильного фотоэлемента равно 1В, количество вентильных фотоэлементов в одной сборке равно 8, общее количество вентильных фотоэлементов равно 64, а фототок одного вентильного фотоэлемента равен 125 мА. Заданная импульсная выходная мощность устройства равна 64 Вт, а общая мощность всех вентильных фотоэлементов равна 8 Вт.При коэффициенте заполнения наносекундных оптических импульсов, равном 0,125, количество СВЧ фотодиодов равно 8.

Новизна настоящего фотодетекторного СВЧ модуля и эффективность предлагаемых технических решений состоят в следующем.

Включение в состав модуля симметричного оптоволоконного разветвителя позволяет равномерно распределить мощность импульсного наносекундного и субнаносекундного оптического излучения на несколько последовательно включенных через нагрузочные сопротивления СВЧ фотодиодов. Это позволяет увеличить мощность модуля пропорционально количеству СВЧ фотодиодов и увеличить выходное сопротивление модуля пропорционально величине и количеству нагрузочных сопротивлений, что, в свою очередь, позволяет согласовать выходное сопротивление модуля и волновое сопротивление антенной нагрузки.

Для дополнительного увеличения выходной мощности СВЧ фотодиодов к каждому из них приложено обратное смещение, величина напряжения которого задана сборкой последовательно соединенных вентильных фотоэлементов, работающих без обратного смещения.

Количество вентильных фотоэлементов в одной сборке, питающей один СВЧ фотодиод, должно быть равно отношению максимально допустимого обратного напряжения каждого фотодиода к рабочему напряжению, генерируемому каждым вентильным фотоэлементом и равно величине отношения суммарного количества всех вентильных элементов в модуле к суммарному количеству всех фотодиодов в модуле. Выполнение этого условия необходимо для предотвращения электрического пробоя СВЧ фотодиодов.

Сборка вентильных фотоэлементов подключена к каждому фотодиоду последовательно через нагрузочное сопротивление. Каждый фотоэлемент сборки облучается непрерывным оптическим излучением, генерируя электрическую мощность и заряжая параллельно подключенный к сборке конденсатор. В промежутке времени между приходом оптических импульсов электрическая энергия аккумулируется на конденсаторе и затем разряжается в течение импульса. Емкость конденсатора должна быть не менее удвоенного отношения длительности оптических СВЧ импульсов к величине нагрузочного сопротивления. При выполнении этого условия вся энергия, генерируемая сборкой фотоэлементов, будет перекачена в энергию импульсов фотодиода. При этом импульсная мощность фотодиода будет равна мощности вентильных фотоэлементов в сборке, умноженной на скважность оптических импульсов.

Для исключения «токовых» потерь величина фототока вентильного фотоэлемента установлена равной фототоку, генерируемому в СВЧ фотодиоде импульсным оптическим излучением, умноженному на коэффициент заполнения оптических импульсов.

Нагрузочные сопротивления в модуле соединены между собой последовательно, а крайние выводы последовательной сборки нагрузочных сопротивлений подсоединены через СВЧ тракт к СВЧ нагрузке. Величина каждого нагрузочного сопротивления установлена отношению волнового сопротивления СВЧ нагрузки к количеству СВЧ фотодиодов, то есть к количеству нагрузочных сопротивлений. Это позволяет осуществить согласование выходного сопротивления фотодетекторного СВЧ модуля с волновым сопротивлением антенны.

Импульсная мощность модуля равна суммарной импульсной мощности всех фотодиодов и равна суммарной постоянной мощности всех вентильных фотоэлементов, умноженной на скважность импульсного оптического сигнала. Из этого следует, что количество фотодиодов в модуле должно быть равным заданной импульсной мощности модуля, умноженной на коэффициент заполнения импульсного оптического сигнала и деленной на суммарную выходную мощность вентильных фотоэлементов в одной сборке, питающей один СВЧ фотодиод.

Настоящее техническое решение поясняется чертежами, где:

на фиг. 1 приведено схематическое изображение фотодетекторного СВЧ модуля с тремя СВЧ фотодиодами 6, 7, 8 и девятью вентильными фотоэлементами 12, 13, 14;

на фиг. 2 приведена блок-схема фотодетекторного СВЧ модуля на основе 4-х фотодетекторных блоков 23, 24, 25, 26. ФД - СВЧ фотодиоды, ФЭ - вентильные фотоэлементы, ОВР - оптоволоконный разветвитель.

Фотодетекторный СВЧ модуль, включает симметричный оптоволоконный разветвитель 1 оптических импульсов, подводимых через входное оптоволокно 2, выходные оптоволокна 3, 4, 5 разветвителя оптически стыкованы с СВЧ фотодиодами 6, 7, 8, работающими при обратном смещении (см. фиг. 1 и фиг. 2).

Величина напряжения каждого фотодиода задана подключенной к фотодиоду через нагрузочное сопротивление 9, 10, 11 сборкой последовательно соединенных вентильных фотоэлементов 12, 13, 14, работающих без обратного напряжения смещения и облучаемых через оптоволокна 15, 16, 17 непрерывным оптическим излучением (см. фиг. 1 и фиг. 2).

Количество вентильных фотоэлементов в каждой сборке установлено равным отношению максимально допустимого обратного напряжения смещения каждого СВЧ фотодиода к рабочему напряжению, генерируемому каждым вентильным фотоэлементом. Параллельно сборке вентильных фотоэлементов подсоединен конденсатор 18, емкость которого установлена не менее значения удвоенного отношения длительности импульсов к величине нагрузочного сопротивления.

Величина фототока, генерируемого в вентильных фотоэлементах 12, 13, 14 непрерывным оптическим излучением, установлена равной фототоку фотодиодов 6, 7, 8, умноженному на коэффициент заполнения оптических импульсов.

Нагрузочные сопротивления соединены между собой последовательно, а общие выводы 19, 20 последовательной сборки нагрузочных сопротивлений подсоединены через СВЧ тракт 21 к СВЧ нагрузке, например, антенне 22 (см. фиг. 1 и фиг. 2).

Величина каждого нагрузочного сопротивления 9, 10, 11 установлена равной отношению волнового сопротивления СВЧ нагрузки к количеству СВЧ фотодиодов 6, 7, 8, установленному равным заданной выходной импульсной мощности модуля, умноженной на коэффициент заполнения импульсного оптического сигнала и деленной на суммарную выходную мощность вентильных фотоэлементов 12, 13, 14 в одной сборке (см. фиг. 1 и фиг. 2).

Пример 1.

Фотодетекторный СВЧ модуль изготовлен на основе симметричного оптоволоконного разветвителя (1x8) с одним входным и 8-ю выходными оптоволокнами, оптически стыкованными с 8-ю СВЧ фотодиодами. СВЧ фотодиоды и вентильные элементы изготовлены на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs с фотоактивной областью, выполненной на основе арсенида галлия. Длительность оптических импульсов tимп=1 нс, частота следования импульсов 125 МГц, скважность импульсного оптического сигнала S=8. Величина фототока СВЧ фотодиода равна Iфд=1 А. Величина обратного допустимого напряжения фотодиодов составляет Uфд=10 В. Количество вентильных фотоэлементов (), последовательно соединенных в одной сборке, составляет =8. При величине рабочего напряжения одного вентильного фотоэлемента равной Uфэ=1 В обратное напряжение смещения, приложенного к каждому СВЧ фотодиоду составляет Uфд=8 В, а величина нагрузочного сопротивления Rн=8 Ом. Величина емкости, подсоединенной параллельно каждой сборке вентильных фотоэлементов, составляет С=250 пф. Эта емкость равна удвоенному отношению длительности оптических импульсов tимп=10-9 с к нагрузочному сопротивлению 8 Ом. Величина нагрузочного сопротивления Rн=8 Ом обеспечивает согласование сопротивления сборки из 8-ми последовательно соединенных СВЧ фотодиодов с СВЧ нагрузкой, характеризующейся величиной волнового сопротивления Ra=64 Ом. При величине выходной мощности каждого вентильного фотоэлемента равной 125 мВт и фототоке Iфэ=125 мА, суммарном количестве вентильных фотоэлементов 64 и коэффициенте заполнения импульсного оптического сигнала равном D=0,125 выходная импульсная мощность модуля составляет 64 Вт.

Пример 2.

Фотодетекторный СВЧ модуль изготовлен на основе симметричного оптоволоконного разветвителя 1×16. СВЧ фотодиоды и вентильные элементы изготовлены на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs. Длительность оптических импульсов tимп=1 нс, скважность импульсов S=5. Величина импульсного фототока СВЧ фотодиода равна Iфд=250 мА. Количество вентильных фотоэлементов в одной сборке =8. Величина рабочего напряжения Uфэ=1 В, величина обратного напряжения смещения СВЧ фотодиода Uфд=8 В, а величина нагрузочного сопротивления Rн=16 Ом. Количество СВЧ фотодиодов в устройстве Nфд=16. Величина емкости С=200 пф. Величина нагрузочного сопротивления обеспечивает согласование модуля с СВЧ нагрузкой, имеющей волновое сопротивление Ra=256 Ом. При мощности каждого вентильного фотоэлемента =50 мВт и фототоке Iфэ=50 мА, общем количестве фотоэлементов Nфэ=128 и коэффициенте заполнения импульсов D=0,2 выходная импульсная мощность модуля составляет Рм=32 Вт.

Пример 3.

Фотодетекторный СВЧ модуль изготовлен на основе оптоволоконного разветвите ля 1×8. СВЧ фотодиоды и вентильные элементы изготовлены на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs. tимп=1 нс, S=10, Iфд=1 А, С=200 пф, =6, Uфэ=1 В, Rн=6 Ом, Rа=48 Ом. =100 мВт, Iфэ=100 мА, Nфд=8, Nфэ=48, D=0,1. Импульсная мощность модуля составляет 48 Вт.


ФОТОДЕТЕКТОРНЫЙ СВЧ МОДУЛЬ
ФОТОДЕТЕКТОРНЫЙ СВЧ МОДУЛЬ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-50 из 174.
26.10.2018
№218.016.9620

Оптоволоконный фотоэлектрический свч модуль

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к радиофотонике, и может быть использовано при конструировании систем возбуждения антенн и антенных решеток для связи, радиолокации и радиоэлектронной борьбы. Оптоволоконный фотоэлектрический СВЧ модуль включает симметричный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670719
Дата охранного документа: 24.10.2018
06.12.2018
№218.016.a444

Стендовый жидкостный ракетный двигатель с непрерывной спиновой детонацией

Изобретение относится к области испытаний, в частности стендовых испытаний режимов работы ЖРД, работающих в режиме непрерывной детонации на топливной смеси, состоящей из газообразного кислорода и керосина. Изобретение представляет собой стендовый ЖРД с кольцевой камерой детонационного горения,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002674117
Дата охранного документа: 04.12.2018
07.12.2018
№218.016.a463

Устройство для импульсной деформации длинномерных трубчатых изделий

Изобретение относится к обработке металлов давлением, а именно к устройствам для магнитоимпульсной обработки металлов давлением. Устройство содержит приспособление для прижимного соединения и разъединения торцевых частей полувитков блока разъемного индуктора. При этом указанное приспособление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002674184
Дата охранного документа: 05.12.2018
09.12.2018
№218.016.a50b

Радиофотонный передающий тракт для передачи мощных широкополосных сигналов и эффективного возбуждения антенн

Изобретение относится к радиофотонике, в том числе к технике передачи мощных широкополосных радиосигналов по волоконно-оптическим линиям связи к антеннам и антенным решеткам. Техническим результатом является повышение КПД, максимально достижимой мощности, широкополосности (расширение мгновенной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002674074
Дата охранного документа: 07.12.2018
20.12.2018
№218.016.a95b

Радиофотонный широкополосный приемный тракт на основе ммшг-модулятора с подавлением собственных шумов лазера

Изобретение относится к радиофотонике, в том числе к технике приема слабых широкополосных радиосигналов, например, от антенн и антенных решеток. Заявленный радиофотонный широкополосный приемный тракт на основе ММШГ-модулятора с подавлением собственных шумов лазера содержит лазер, оптическую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675410
Дата охранного документа: 19.12.2018
20.12.2018
№218.016.a963

Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного свч модуля

Изобретение может быть использовано для создания мощных СВЧ фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного СВЧ модуля включает создание на полупроводниковой подложке...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675408
Дата охранного документа: 19.12.2018
20.12.2018
№218.016.a99f

Конструкция высокопрочных датчиков

Изобретение относится к области авиационной техники, диагностики технического состояния конструкций из полимерных композиционных, металлических и гибридных материалов с использованием волоконно-оптических акустических средств встроенного контроля. Конструкция высокопрочного датчика деформации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675411
Дата охранного документа: 19.12.2018
26.12.2018
№218.016.ab9c

Фильтрующий пакет, способ получения мембраны для него и способ изготовления противоаэрозольного фильтра противогаза

Изобретение относится к области получения противоаэрозольных фильтров из волокнистых фильтрующих материалов. Фильтрующий слой изготовлен из полиакрилонитрильных нановолокон. Нановолокна получены методом электроформования по технологии Nanospider из раствора полиакрилонитрила с концентрацией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675924
Дата охранного документа: 25.12.2018
27.12.2018
№218.016.ac66

Способ получения фильтрующего материала и фильтрующий материал

Изобретение относится к области получения высокоэффективных волокнистых фильтрующих материалов. Фильтрующий материал представляет собой трехслойную композицию, в которой один из слоев выполнен из полимерных (полиакрилонитрильных) нановолокон, полученных методом электроформования, и размещен...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676066
Дата охранного документа: 25.12.2018
29.12.2018
№218.016.ac71

Мощный импульсный свч фотодетектор

Изобретение относится к области разработки и изготовления мощных фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs, в частности к импульсным полупроводниковым сверхвысокочастотным (СВЧ) фотодетекторам. Мощный импульсный СВЧ фотодетектор лазерного излучения на основе гетероструктуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676228
Дата охранного документа: 26.12.2018
Показаны записи 41-50 из 61.
03.03.2019
№219.016.d231

Способ изготовления мощного фотодетектора

Изобретение может быть использовано для создания СВЧ-фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании фоточувствительной области и контактной площадки для бондинга вне фоточувствительной области на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680983
Дата охранного документа: 01.03.2019
10.04.2019
№219.017.0277

Способ формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя (варианты)

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости формируют фотолитографией топологию фоточувствительных областей и проводят травление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002391741
Дата охранного документа: 10.06.2010
16.05.2019
№219.017.5260

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя с антиотражающим покрытием

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя включает последовательное формирование фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры АВ с пассивирующим слоем и контактным слоем GaAs, удаление контактного слоя над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687501
Дата охранного документа: 14.05.2019
18.05.2019
№219.017.5967

Солнечный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных фотопреобразователей

Концентраторный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных солнечных элементов относится к области фотоэлектрического преобразования энергии, в частности к системам с расщеплением солнечного спектра. Модуль содержит корпус (1), имеющий фронтальную панель (2), содержащую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002426198
Дата охранного документа: 10.08.2011
29.05.2019
№219.017.689a

Концентраторный солнечный элемент

Концентраторный солнечный элемент (8) выполнен в форме в форме прямоугольника с соотношением длин сторон, находящимся в интервале от 1 до 1,5. Он содержит подложку (3), многослойную структуру (4), сформированную на подложке (3), с центральной фоточувствительной областью (12), контактный слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002407108
Дата охранного документа: 20.12.2010
09.06.2019
№219.017.7c22

Способ получения структуры многослойного фотоэлектрического преобразователя

Способ получения многослойной структуры двухпереходного фотоэлектрического преобразователя, включающий последовательное осаждение из газовой фазы на подложку p-типа GaAs тыльного потенциального барьера из триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl), арсина (AsH) и источника p-примеси, базы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002366035
Дата охранного документа: 27.08.2009
09.06.2019
№219.017.7d2a

Способ изготовления наноструктурного омического контакта фотоэлектрического преобразователя

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способ изготовления наноструктурного омического контакта проводят предварительную очистку поверхности GaSb р-типа проводимости ионно-плазменным травлением на глубину 5-30 нм с последующим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002426194
Дата охранного документа: 10.08.2011
09.06.2019
№219.017.7d72

Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия

Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002428766
Дата охранного документа: 10.09.2011
03.08.2019
№219.017.bbdf

Оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения

Изобретение относится к оптоэлектронике и фотоэнергетике и может быть использовано для создания оптоволоконных систем передачи энергии по лазерному лучу. Заявленный оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения включает оптически последовательно соединенные лазер,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002696355
Дата охранного документа: 01.08.2019
04.10.2019
№219.017.d20f

Полупроводниковая структура многопереходного фотопреобразователя

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным фотоэлектрическим преобразователям мощного оптического излучения с соединительными туннельными диодами. Полупроводниковая структура многопереходного фотопреобразователя содержит верхнюю субструктуру (1),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701873
Дата охранного документа: 02.10.2019
+ добавить свой РИД