×
09.12.2018
218.016.a521

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения технической керамики из моносульфида самария

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области получения технических керамических материалов и направлено на получение мишеней-таблеток моносульфида самария, которые используют для магнетронного метода напыления микро- и нанопленок моносульфида самария как чувствительных элементов полупроводниковых тензодатчиков. Навески металлического самария дистиллята чистотой 99,9 мол.% и серы марки «16-5» берут в соотношениях (1.15-1.2)Sm-1S, помещают в кварцевую ампулу, запаивают, затем нагревают от 100°C со скоростью 50°C в сутки до температуры 900°C. Продолжительность отжига при температуре 900°C составляет не менее 300 ч. Для изготовления керамики из центра ампулы отбирается шихта, которую перетирают, прессуют в изделие при давлении не менее 2 т/см и отжигают в танталовом тигле при температуре 1600-1700°C в течение 0.5-1 ч. Технический результат изобретения – получение технической керамики, содержащей не менее 98,5 мол.% фазы SmS, не содержащей примесей SmS.

Изобретение относится к области получения технических керамических материалов и предназначена для получения изделий из моносульфида самария, в виде мишеней-таблеток, которые используют для магнетронного метода напыления микро-, нанопленок моносульфида самария. Керамические изделия так изготавливаются в виде параллелепипедов, как n-ветвь высокотемпературных термоэлектрогенераторов.

Известны несколько способов получения моносульфида самария.

Известен способ синтеза керамики [RU №2280015, опубл. 20.07.2006] (1), которая используется в качестве мишеней при магнетронном и электронно-лучевом напылении.

Данный метод не приемлем для получения мишени из моносульфида самария. Моносульфид самарий имеет уникальные тензометрические свойства в виду электронного строения самария и электронной структуры полупроводникового соединения SmS. Загрязнение полупроводниковой фазы SmS металлическим галлием окажет существенное отрицательное воздействие на свойства пленки SmS. Металлический галлий, являясь металлом, существенно изменит электропроводность пленки. Оказываемые механические воздействия на пленку в данном случаи не будут приводит к существенным изменениям электропроводности пленки. Целевые свойства моносульфида самария, как тензометрического материала, проявляться не будут.

Присутствие галлия в образцах для термоэлектрических генераторов также приведет к негативным последствиям. Галлий, как легкоплавкий летучий металл (Тпл=29,8°С), испарится в термоэлектрической ячейке, что приведет к замыканию элементов конструкции и выводу термоэлектрической ячейки из строя.

В способе [Получение изделий из SmS для электроники/ Высоких А.С., Миодушевский П.В., Андреев П.О. // Вестник ТюмГУ. - 2011. - №5. - с. 179-185] (2) образцы содержащие SmS получены по традиционной методике из металлического самария и серы в 2 этапа при взаимодействии элементов в кварцевой ампуле и отжига шихты при температуре выше 1300°С.

Предложенный ампульным метод синтеза шихты не пригоден для получения образцов стехиометрического состава SmS. Как отмечают сами авторы, в шихте после проведения ампульного этапа синтеза остается металлический самарий в виде кусочков, и тонкой пленки на стенках ампулы. Металлический самарий имеет повышенной давление паров (при 727°C PSm=1,28⋅10-5 атм, при 927°C PSm=8,26⋅10-4 атм, при 1527°C PSm=0,88 атм. [Andreev O.V., Monina L.N., Andreev V.O., Elyishev A.V., Mitroshin O. Yu. Phase equilibria, synthesis, phase structure in the 3d-, 4f-elements sulphides systems. Textbook. Tyumen: Tyumen State University Publishing. - 2014. - 512 p.] (3), и при температуре выше 900°C начинает интенсивно возгоняться и прочно хемосорбируется на стенках кварцевой ампулы. Стенки ампулы покрываются зеркальным налетом. Возгонка самария на стенки приводит к неконтролируемой потере самария, в синтезируемом образце увеличивается содержание серы. Образец после всех температурных обработок будет являться многофазным и состоять из фаз: основной фазы SmS и примесных фаз Sm3S4, Sm2O2S.

Наиболее близким техническим решение является способ получения датчика на основе моносульфида самария [RU №2031382 опубл. 20.03.1995] (4), заключающийся в том, что образцы моносульфида самария с различным отклонением от стехиометрии синтезируются из металла (Sm) чистотой не хуже 99,98% и серы марки 'ос.ч'.

Способ имеет ряд существенных недостатков.

В ампулу помещается водород, который связывает часть серы в прочное соединение H2S (ΔHoбр(H2S)=-20,9 кДж/моль).

Ампулы с шихтой нагреваются только до 700°C и только до исчезновения паров серы. Как установлено в [Technical ceramics from samarium monosulfide for the thermal explosion and magnetron methods of production of SmS films / Bamburov V.G., Andreev О.V., Ivanov V.V., Voropai A.N., Gorshkov A.V., Polkovnikov A.A., Bobylev A.N. // Doklady Physical Chemistry. - 2017. - V. 473. - №2. - pp. 66-70] (5) взаимодействие металлического самария с серой протекает по типу диффузионной пары с образованием фаз SmS2, Sm2S3, Sm3S4, SmS, в ампуле остается металлический самарий. При 700°C в шихте содержатся практически все перечисленные фазы, что отмечают сами авторы патента: «порошок, представляющий собой смесь фаз разного состава» [4]. При ампульном этапе синтеза теряется часть металлического самария, который возгоняется на стенки ампулы и прочно сорбируется [Взаимодействие редкоземельных элементов с серой / Андреев О.В., Паршуков Н.Н., Андреева В.М. // Журн. неорг. химии. - 1994. - Т. 39. - №1. - С. 6-9] (6). Шихта нагревается до температур 1300-1450°C, что по мнению авторов патента приводит к гомогенизации образца. Действительно высокотемпературная обработка вызывает взаимодействие между сульфидами самария и металлическим самарием с образование фазы SmS. Взаимодействие протекает стадийно, через образование термодинамический устойчивой фазы Sm3S4 [5], которая как отмечают авторы патента [4] присутствует в продуктах реакции.

В процессе нагрева образца термически неустойчивые фазы, образующие шихту, диссоциируют при различных температурах. Дисульфид самария в вакууме интенсивно разлагается, начиная с 650°C с выделением паров серы. Металлический самарий так же интенсивно возгоняется, начиная с 800-850°C. Продукты диссоциации конденсируются в холодных частях тигля, образец становится не компактным. Разные части образца имеют отличающиеся химические и фазовые составы, например, обособленно образуются кристаллы термодинамически устойчивой фазы Sm3S4. Возможны потери газообразной S2, Sm из-за негерметичности танталового тигля. Не контролируемые потери происходят в виду термической диссоциации фаз и возгонки металлического самария.

Авторы практически не обсуждают присутствие в образцах Sm2O2S на образование которой указывается практически во всех работах по синтезу SmS [5, 6, 7].

Цель заявляемого предлагаемого изобретения состоит в том, чтобы разработать способ получения из веществ высокой степени чистоты металлического самария и элементарной серы на ампульном этапе синтеза шихту, содержащую более 98.5 мол.% SmS, спрессовать из данной шихты мишень в виде таблетки, отжечь изделия при температурах 1600-1700°C для получения технической керамики, содержащей не менее 98.5 мол.% фазы SmS, не содержащей примесной фазы Sm3S4, и обладающей необходимыми механических характеристиками: прочность на изгиб 1.2-1.5 МПа, прочностью на сжатие 35-40 МПа, с плотностью 4.34-5.16 г/см3 (76.5-91.0% от рентгеновской плотности).

Техническая керамика в виде мишени используется для получения пленок моносульфида самария как чувствительных элементов тензодатчика, область техники - микроэлектроника. Для испытания мишень в виде керамической таблетки диаметром 75 мм и толщиной 3,2 мм помещали в установку НаноФаб 100. Предварительно на нижнюю сторону мишени наносили алюминиевое покрытие для обеспечения электрического и теплового контакта. Испытания показали, что многократные распыления при оптимальном режиме распыления (390 В, 150 Вт) не приводят к разрушению (растрескиванию) мишени.

Указанный технический результат в предлагаемом способе достигается тем, что массу навесок серы и самария берут в соотношение химических элементов (1.15-1.2)Sm:1S. Металлический самарий дистиллят марки не ниже СМ-1 высверливанием измельчается в стружку. Стружку получают непосредственно в день взвешивания. Стружку самария хранят в полиэтиленовой или стеклянной банке, заполненной аргоном. Серу марки 'ос.ч.' «16-5» используют в виде небольших брикетов ориентировочных размеров (2-8) мм × (2-8) мм, либо гранулированную серы.

Кварцевая ампула после спаивания прожигают на горелке до оптически прозрачного состояния, что выполняется для удаления с внутренней поверхности ампулы налета, а также сорбированных газов. Ампулу высушивают в сушильном шкафу и охлаждают до комнатной температуры. После охлаждения ампулу используют для помещения навесок. Ампулу с навесками веществ сразу вакуумируют до остаточного давления менее 1 Па и запаивают.

Термическую обработку шихты, находящейся в вакуумированной и запаянной ампуле, проводят в муфельных печах. Ампулу помещают в печь и поднимают температуру до 100°C в соответствии с технологическим регламентом печи. Дальнейшее повышение температуры проводится со скорость нагрева 50°C в сутки до температуры 900°C. Ампулы выдерживают при 900°C не менее 300-350 ч. После чего ампулу охлаждают в режиме выключенного муфеля.

В составе исходной шихты имеется избыток металлического самария (1,2Sm:1S). Металлический самарий имеет повышенное парциальное давление паров металла. При температурах выше 750°C металлический самарий начинает заметно испаряться и сорбироваться на стенках ампулы, минимизируя контакт синтезируемого образца со стенками ампулы. При температурах 750-900°C в ампуле создается повышенное давление паров самария, которое приводит к смещению равновесия в сторону продуктов реакции.

В случае, если в ампулу помещают химические элементы с соотношением 1Sm:1S, то в процессе синтеза получают шихты содержащую в лучшем случаи до 80 мол.% SmS [2]. В такой шихте содержится в общем более 20 мол.% примесных фаз: Sm, Sm3S4, Sm2S3.

При составе исходной шихты 1.2S:1S и проведение синтеза в указанных в данном патенте температурных режимах получают шихту, содержащую по данным рентгенофазового анализа следующие сульфидные фазы в пересчета на 100 мол.%: 98.5 мол.% SmS, до 1.5% Sm2O2S. Фаза Sm3S4 не обнаружена даже в следовых количествах. Формируется плотная зерненная структура образца, в которой присутствуют преимущественно зерна SmS в виде агломератов фракции 15-25 мкм и более мелкие частицы 2-6 мкм, образовавшиеся в результате термической диссоциации SmS2-x.

Вещество из вскрытых ампул высыпают в фарфоровую или агатовую ступку. Отбирается только та шихта, которая находится в центре ампулы. Пленки шихты, прилипшие к стенке ампулы, не отбираются. Вещество осторожно растирают в небольшом объеме ступки до внешне однородного состояния.

Для прессования таблеток моносульфида самария используют специальные пресс-формы. Прессование в вакууме благоприятно для более полного удаления сорбционных газов. Что уменьшает вероятность образования Sm2O2S при высокотемпературной обработке таблеток. Прессование проводится при давлении до 4-4,5 т/см2. Итогом прессования является плотная таблетка из моносульфида самария с заданным диаметром 10, 20, 30, 40, 50, 75 мм, толщиной от 2 до 6 мм.

Реактор для отжига представляет собой кварцевую пробирку с патрубком, в которой находится танталовый нагреватель в форме цилиндра, тепловые экраны, обрабатываемая таблетка.

Термическая обработка проводится в генераторе токов высокой частоты. В зависимости от диаметра таблетки, диаметра танталового нагревателя необходимо подбирать генератор соответствующей мощности. Таблетки диаметром 20, 30 мм могут обрабатываться в генераторе мощностью 15 кВт. При использовании таблеток 50, 75 мм и диаметр реактора более 100 мм необходим соответствующего диаметра индуктор (более 110 мм диаметром) для генератора высокой частоты. Танталовые тигли вместимостью 60 - 80 г используются в генераторе мощностью 12-25 кВт. В общем случае масса одного образца может составлять от нескольких грамм до нескольких сотен грамм.

Таблетка загружается на специальную подставку тантал, так чтобы она находилась в центре танталового нагревателя, внешние тепловые экраны обеспечивают равномерность температурного режима. Реактор ввакуумируется до 1 Па, заполняется аргоном марки «4.4», процесс вакуумирования и заполнения реактора аргоном повторяется.

Отжиг проводят в атмосфере аргона при его избыточном давлении до нескольких паскалей. Температура отжига и продолжительность отжига является основными параметрами высокотемпературной обработки. Температура отжига влияет на химический и фазовый состав образца на структуру кристаллических зерен. Мишень отжигается при температуре 1600-1700°C в вакуумированном реакторе, в который дополнительно помещается металлический самарий. Металлический самарий добавляют во внутреннее пространство нагревателя. В процессе нагрева и последующего отжига металлический смарий возгоняется и осаждается в холодных частях реактора. Наличие в реакторе парциального давления паров самария препятствует образованию фазы Sm3S4.

Температура отжига 1600-1700°C обеспечивает спечение керамики и приобретение мишенью необходимых механических свойств (прочность на изгиб не менее 1.2-1.5 МПа, прочность на сжатие не менее 35-40 МПа).

В керамических образцах, полученных из данной шихты, фаза Sm3S4 методами физико-химического анализа не идентифицируется даже на уровне следов (10-3 мол.% Sm3S4). При соблюдении технологических условий высокотемпературной обработки образцов увеличение содержания примесной фазы Sm2O2S не происходит.

Источники информации

1. Патент RU №2280015, опубл. 20.07.2006.

2. Получений изделий из SmS для электроники / Высоких А.С., Миодушевский П.В., Андреев П.О. // Вестник ТюмГУ. - 2011. - №5. - с. 179-185.

3. Andreev O.V., Monina L.N., Andreev V.O., Elyishev A.V., Mitroshin O. Yu. Phase equilibria, synthesis, phase structure in the 3d-, 4f-elements sulphides systems. Textbook. Tyumen: Tyumen State University Publishing. - 2014. - 512 p.

4. Патент RU №2031382 опубл. 20.03.1995.

5. Technical ceramics from samarium monosulfide for the thermal explosion and magnetron methods of production of SmS films / Bamburov V.G., Andreev О.V., Ivanov V.V., Voropai A.N., Gorshkov A.V., Polkovnikov A.A., Bobylev A.N. // Doklady Physical Chemistry. - 2017. - V. 473. - №2. - pp. 66-70.

6. Взаимодействие редкоземельных элементов с серой/ Андреев О.В., Паршуков Н.Н., Андреева В.М. // Журн. неорг. химии. - 1994. - Т. 39. - №1. - С. 6-9.

7. Chemistry and Technology of Samarium Monosulfide / Andreev O.V., Ivanov V.V., Gorshkov A.V., Miodushevskiy P.V., Andreev P.O. // Eurasian Chemico-Technological Journal, 2016, vol. 18, №1, p. 55-65.

Способ получения технической керамики из моносульфида самария путем синтеза шихты из металлического самария и серы при проведении взаимодействия элементов в вакуумированной и запаянной кварцевой ампуле перетиранием шихты, ее прессования в изделие, высокотемпературной обработки изделия, отличающийся тем, что навески металлического самария дистиллята чистотой 99,9 мол.% и серы марки «16-5» берутся в соотношениях (1.15-1.2)Sm-1S, затем проводится термическая обработка ампулы с веществами в режиме нагрева от 100°С со скоростью 50°С в сутки до температуры 900°С, с продолжительностью отжига при температуре 900°С не менее 300 ч, далее для изготовления керамики из центра ампулы отбирается шихта, которую перетирают, прессуют в изделие при давлении не менее 2 т/см и отжигают в танталовом тигле при температуре 1600-1700°С в течение 0.5-1 ч.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-7 из 7.
17.02.2018
№218.016.2d37

Логическая матрица на основе мемристорной коммутационной ячейки

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов и устройств и направлено на создание устройства с высокой степенью интеграции элементов, выполняющего логические операции и содержащего матрицу высокоскоростных переключателей на основе электрически...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643650
Дата охранного документа: 02.02.2018
10.05.2018
№218.016.431a

Запоминающее устройство на основе комплементарной мемристорно-диодной ячейки

Использование: для построения надежных сверхбольших запоминающих матриц с энергонезависимой памятью, высокой степенью интеграции элементов и малым энергопотреблением. Сущность изобретения заключается в том, что запоминающее устройство на основе комплементарной мемристорно-диодной ячейки,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002649657
Дата охранного документа: 04.04.2018
10.05.2018
№218.016.4cf6

Варифокальная жидкая линза

Варифокальная жидкая линза представляет собой каплю жидкости, поглощающую излучение в объеме капли и сидящую на твердой прозрачной подложке. Перестройка фокусного расстояния капли обусловлена изменением кривизны ее свободной поверхности из-за теплового воздействия лазерного пучка на каплю....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002652522
Дата охранного документа: 26.04.2018
25.08.2018
№218.016.7eca

Способ измерения толщины тонкопленочных покрытий на теплопроводных подложках

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и касается способа измерения толщины тонкопленочного покрытия на теплопроводной подложке. Способ включает в себя нанесение на покрытие тонкого слоя прозрачной жидкости и локальный нагрев покрытия пучком лазера. В слое жидкости в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664685
Дата охранного документа: 21.08.2018
09.09.2018
№218.016.853f

Способ очистки твердой поверхности от микрочастиц

Изобретение относится к способам очистки твердых поверхностей от микрочастиц и может быть использовано для удаления микрочастиц с поверхности полупроводниковых пластин, а также в космической оптике, оптике высокого разрешения, фотонике. На загрязненную микрочастицами поверхность наносят слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666416
Дата охранного документа: 07.09.2018
21.03.2019
№219.016.ebae

Многослойная логическая матрица на основе мемристорной коммутационной ячейки

Использование: для создания сверхбольшой логической матрицы с энергонезависимой памятью и высокой степенью интеграции элементов. Сущность изобретения заключается в том, что многослойная логическая матрица на основе мемристорной коммутационной ячейки, представляющая собой электронное...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682548
Дата охранного документа: 19.03.2019
17.08.2019
№219.017.c0f4

3d запоминающая матрица на основе комплементарной мемристорно-диодной ячейки

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники. Технический результат заключается в обеспечении высокой степени интеграции элементов, малого энергопотребления и высокого быстродействия устройства. 3D запоминающая матрица на основе комплементарной мемристорно-диодной ячейки,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697623
Дата охранного документа: 15.08.2019
Показаны записи 1-3 из 3.
20.03.2015
№216.013.324e

Теплоизоляционный материал на основе магнезито-карналлитового вяжущего

Изобретение относится к производству строительных материалов и может быть использовано для изготовления теплоизоляционных, конструкционно-теплоизоляционных и конструкционных бетонов, предназначенных прежде всего для жилищного строительства. Технический результат заключается в увеличении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002544353
Дата охранного документа: 20.03.2015
09.02.2019
№219.016.b8d5

Способ получения поликристаллов четверных соединений alnags(a = sr, eu; ln = dy, ho)

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к способу получения поликристаллов четверных соединений ALnAgS (A=Sr, Eu; Ln=Dy, Но) моноклинной сингонии со структурой типа BaErAgS, которые перспективны для применения в качестве люминофоров, полупроводников и неметаллических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002679244
Дата охранного документа: 06.02.2019
18.05.2019
№219.017.58f1

Электролит для осаждения сплава висмут-галлий

Изобретение относится к области гальваностегии, в частности, к электролитическому осаждению сплава висмут-галлий. Электролит содержит, г/л: хлористый висмут 30-40, хлористый галлий 1-5, хлористый аммоний 20-30, трилон Б 35-45, выравниватель А 1,5-2,5. Технический результат - получение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002410474
Дата охранного документа: 27.01.2011
+ добавить свой РИД