×
14.09.2018
218.016.87d7

Результат интеллектуальной деятельности: ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР СВЧ СИГНАЛА НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве частотного фильтра. Сущность изобретения заключается в том, что частотный фильтр СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит магнитный элемент, представляющий собой магнонный кристалл, имеющий форму протяженного прямоугольника с заостренными по продольной оси торцами и периодическими геометрическими неоднородностями в форме треугольных элементов, период треугольных элементов выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см до 300 см, пьезоэлектрический элемент, имеющий длину меньше длины магнитного элемента, наружный электрод пьезоэлектрического элемента, выполненный сплошным, а электрод, прилегающий к поверхности магнитного элемента, имеет форму встречно-штыревого преобразователя с периодом Т, выбранным из условия Т=2Р, где Р - период треугольных элементов. Технический результат – создание частотного фильтра СВЧ сигнала с управлением частотным диапазоном фильтра и шириной полосы частот, уменьшение размеров до микроразмерной области и упрощение конструкции. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах и может быть использовано в качестве частотного фильтра.

Функциональные элементы на магнитостатических волнах, в которых происходят процессы переноса магнитного момента или спина электрона вместо переноса заряда, открывают новые возможности для применения спиновых волн при построении элементной базы приборов обработки, передачи и хранения информации [Никитов С.А., и др. Магноника - новое направление спинтроники и спинволновой электроники//УФН, Т. 185, №10, с. 1099-1128 (2015)].

Известен невзаимный перестраиваемый полосовой фильтр (WO 2014052913 А1, Northeastern University, 03.04.2014), включающий в себя преобразователь, содержащий параллельно соединенные проводящие линии и ферритовый слой, так что параллельные края ферритового слоя наклонены под ненулевым углом Θ относительно параллельных сопряженных микрополосковых линий микрополоскового преобразователя. Благодаря такой конструкции отраженная от боковых граней ферритовой пленки поверхностная волна преобразуется обратно в объемную, не образуя стоячую волну, и, следовательно, не попадает в выходной сигнал. Таким образом, осуществляется невзаимная фильтрация спиновых волн, что позволяет подавить побочные моды, образующиеся из-за пространственного резонанса во взаимных фильтрах, но вносит значительные потери, что и является недостатком данного устройства.

Известен СВЧ фильтр, содержащий электромагнит, в зазоре которого расположен ферритовый резонатор на диэлектрической подложке с нанесенными на поверхность подложки входной и выходной микрополосковыми линиями (RU 2393594 С1, СГУ, Саратов, 27.06.2010). Недостатком данного устройства является относительно широкополосный режим работы и управление только центральной частотой амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) при изменении внешнего поля подмагничивания, которое необходимо для функционирования устройства.

Известен частотный фильтр на основе магнонного кристалла, используемый для управления частотой спиновых волн (WO 2009145579 А2, Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency, Seoul National University Industry Foundation, 03.12.2009). Устройство состоит из волновода на основе тонкой магнитной пленки. Волновод имеет три секции, одна из которых представляет собой периодическую структуру - магнонный кристалл, образованный путем периодического изменения ширины либо толщины ферромагнитной пленки. Недостатком данного устройства является отсутствие возможности управления свойствами спектра спиновых волн путем изменения управляющих параметров.

Известен СВЧ-фильтр (RU 167504 U1, СГУ, Саратов, 10.01.2017). Он содержит слой железоиттриевого граната (ЖИГ) на подложке из галлий-гадолиниевого граната и сегнетоэлектрический слой, расположенный со стороны, противоположной подложке. Согласно решению отношение ширины слоя ЖИГ к его толщине не превышает 350, а поперечные размеры и диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрического слоя выбираются такими, чтобы в рабочем диапазоне частот в сегнетоэлектрическом слое распространялись только младшие поперечные моды ТЕ-волны. Управление как шириной полосы пропускания, так и ее центральной частотой осуществляется вариацией величин внешнего магнитного и электрического полей, а также фазовыми и групповыми скоростями отдельных мод волн. Недостаток данного устройства - отсутствие возможности контроля полосы непропускания и частотной области. Кроме того, изменение полярности приложенного напряжения не позволяет измененить направление смещения полосы непропускания и частотной области.

Наиболее близким к заявляемому является устройство на магнитостатических волнах (US 7528688 (В2), UNIV OAKLAND, USA, 05.05.2009 - прототип). Представляет слоистую структуру на подложке из галлий-гадолиниевого граната, на которой расположена пленка из ЖИГ, которая нагружена пьезоэлектрическим слоем. Данный тип структуры может быть использован в качестве микроволновых резонаторов, полосовых фильтров и линий задержки. Недостатком данных устройств являются большие толщины пленок ЖИГ и вследствие этого необходимость приложения больших величин внешнего магнитного поля и получения широких полос пропускания порядка 500 МГц.

Проблема, на решение которой направлено изобретение, состоит в усовершенствовании конструкции спин-волнового фильтра, управляемого как магнитным, так и электрическим полем.

Патентуемый частотный фильтр СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит подложку, размещенные на подложке магнитный элемент, выполненный из пленки железоиттриевого граната, пьезоэлектрический элемент с металлическими электродами, образованный на поверхности магнитного элемента, входной и выходной преобразователи магнитостатических волн.

Отличие состоит в том, что магнитный элемент, представляющий собой магнонный кристалл, имеет форму протяженного прямоугольника с заостренными по продольной оси торцами и периодическими геометрическими неоднородностями в форме треугольных элементов, размещенных на противолежащих сторонах прямоугольника. Период треугольных элементов выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1, в котором затухание магнитостатической волны минимальное.

Пьезоэлектрический элемент имеет длину, меньшую длины магнитного элемента, а входной и выходной преобразователи магнитостатических волн размещены на свободной поверхности магнитного элемента со стороны заостренных торцов, при этом наружный электрод пьезоэлектрического элемента выполнен сплошным, а электрод, прилегающий к поверхности магнитного элемента, имеет форму встречно-штыревого преобразователя с периодом Т, выбранным из условия Т = 2Р, где Р -период треугольных элементов.

Фильтр может характеризоваться тем, что глубина треугольных элементов П2 определяется из условия h.2=w0/5, w0 - ширина магнонного кристалла, а также тем, что треугольные элементы имеют период Р =250 мкм, а глубину - h2 =200 мкм.

Фильтр может характеризоваться и тем, что подложка выполнена из неферромагнитного галлий-гадолиниевого граната, а кроме того, тем, что входной и выходной преобразователи магнитостатических волн представляют собой микрополосковые элементы.

Фильтр может характеризоваться также тем, что пьезоэлектрический элемент выполнен из поляризированной по толщине пластины керамики цирконата-титаната свинца, при этом металлические электроды выполнены из никеля.

Технический результат - создание частотного фильтра СВЧ сигнала с управлением частотным диапазоном фильтра и шириной полосы частот посредством воздействия статическим электрическим и магнитным полями при уменьшении размеров до микроразмерной области и упрощении конструкции.

Изобретение поясняется чертежами, где:

фиг. 1 представлена конструкция устройства;

фиг. 2 - конструкция, вид сверху;

фиг. 3 - то же, что на фиг.2, неоднородности, укрупнено;

фиг. 4 - результат исследования распространения волны в фильтре;

фиг. 5 - частотные зависимости коэффициента передачи S21 при различных значениях приложенного внешнего электрического поля. Позициями на чертежах обозначены:

1 - подложка из пленки галлий гадолиниевого граната (ГГГ);

2 - входная микрополосковая антенна;

3, 4 -металлические электроды встречно-штыревого преобразователя;

5 - наружный электрод пьезоэлектрического элемента;

6 - пьезоэлектрический элемент;

7 - магнонный кристалл - магнитный элемент, выполненный из пленки ЖИГ; 71 - треугольные элементы на противолежащих сторонах элемента 7;

8 - выходная микрополосковая антенна.

Устройство (см. фиг. 1-3) содержит подложку 1 из пленки галлий-гадолиниевого граната (ГГГ) с размерами ШхДхТ=1300×4000×500(мкм). На поверхности подложки 1 сформирован магнонный кристалл 7 на основе пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ) толщиной 7,7 мкм и намагниченностью насыщения М0=139Гс. На пленке расположены входная 2 и выходная 8 микрополосковые антенны шириной 30 мкм, обеспечивающие возбуждение и прием магнитостатических волн. Входная антенна 2 расположена на одном конце магнонного кристалла 7, а выходная антенна 8 расположена на втором конце магнонного кристалла 7. На поверхности магнонного кристалла 7, между входной 2 и выходной 8 антеннами расположен пьезоэлектрический элемент 6 в виде пленки цирконата титаната свинца (ЦТС) с размерами (ШхДхТ) 500 мкм × 3000 мкм × 400 мкм. На верхней части пьезоэлектрического элемента 6 образован сплошной металлический электрод 5 из хрома, обеспечивающий заземление.

На нижней части пьезоэлектрического элемента 6, на поверхности магнонного кристалла 7 расположены металлические электроды 3 и 4 из никеля, которые с помощью лазерной резки выполнены в виде встречно-штыревой системы для подачи разных по знаку значений напряжения (см. фиг. 2, 3). Ширина магнонного кристалла w0 - 1000 мкм, длина 6 мм. Внешнее магнитное поле H0 направлено касательно вдоль оси х (см. фиг. 1). Магнонный кристалл 7 может быть образован лазерным скрайбированием или другим известным методом из пленки ЖИГ шириной W0 путем выполнения периодических неоднородностей в форме треугольных элементов 71 на противолежащих сторонах элемента 7. Период Р треугольных элементов 71 выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1, в котором затухание магнитостатической волны минимальное.

Принцип работы данного фильтра заключается в том, что входной микроволновый СВЧ сигнал, частота которого должна лежать в диапазоне, определяемом величиной внешнего постоянного магнитного поля, подается на входную микрополосковую антенну 2. Далее микроволновый сигнал преобразуется в поверхностную магнитостатическую волну (ПМСВ), распространяющуюся вдоль длины магнонного кристалла 7. Периодическая решетка треугольных элементов 71 на макете фильтра имеет период Р =250 мкм и глубину h2 =200 мкм (см. фиг. 2 и 3) и обеспечивает эффективное создание запрещенной зоны Брэгга.

Электрическая перестройка частоты возможна благодаря магнитоэлектрическому (МЭ) взаимодействию в структуре, которое заключается в следующем. Электрическое поле вызывает деформацию пьезоэлектрического элемента 6 вследствие обратного пьезоэффекта. Деформация передается магнонному кристаллу 7, который механически связан с пьезоэлектрическим элементом 6. Вследствие указанного пьезомагнитного эффекта изменяется внутреннее магнитное поле в магнонном кристалле 7, приводящее к изменению дисперсионной характеристики волнового процесса в структуре. Это позволяет реализовать двойное управление свойствами волны и соответственно, характеристиками устройства. Управление осуществляется путем воздействия на характеристики магнонного кристалла 7 и элемента 6 при изменении приложенных к ним соответственно внешнего магнитного и электрического полей. Как показано на фиг.2, электроды 3 и 4 образуют встречно-штыревую систему преобразователя, и период Т этой системы связан с периодом треугольных элементов 71 боковой поверхности 7 магнонного кристалла Р, как Т =2Р. При этом каждый электрод встречно-штыревой системы имеет ширину W =250 мкм, совпадающую с основанием треугольного элемента 71 и глубину h1 =800 мкм (см. фиг. 3). Вследствие этого обеспечивается более эффективное управление спиновыми волнами, распространяющимися в предложенном устройстве. Ввиду конечной ширины W0 магнонного кристалла 7 при распространении ПМСВ реализуется многомодовый режим распространения.

На фиг. 4 представлены результаты экспериментального исследования распространения волны в фильтре. Методом Мандельштам-Бриллюэновского рассеяния света (МБРС) проведено исследование особенностей распространения поверхностной магнитостатической волны (ПМСВ) в изготовленном макете на частоте входного сигнала 2,519 ГГц (а) и 2,55 ГГц (б). Представлена карта распределения интенсивности I магнитостатической волны. Основная роль в формировании пространственной картины распределения интенсивности играет межмодовое взаимодействие волн и их рассеяние на границах магнонного кристалла. Эти механизмы приводят к быстрому пространственному затуханию ПМСВ и образованию широкой запрещенной зоны. При увеличении частоты наблюдается перераспределение интенсивности ПМСВ от края магнонного кристалла до его продольной оси. Эффективность рассеяния ПМСВ на периодических неоднородностях магнонного кристалла 7 уменьшается, и при распространении волны профиль поперечного распределения интенсивности I (x,z) приближается к распределению в виде sin2(πz/w0), где W0 - ширина магнонного кристалла 7, для основной моды. В этом случае образуется брэгговская запрещенная зона.

На фиг. 5 представлены частотные зависимости коэффициента передачи S21 при различных значениях приложенного внешнего электрического поля Е: кривая 9 - в случае Е<0; кривая 10 - в случае Е =0; кривая 11 - в случае Е>0.

С помощью векторного анализатора цепей была получена амплитудно-частотная характеристика патентуемого фильтра. Коэффициент передачи S21 в частотной области запрещенной зоны показан кривой 10. Частотный сдвиг запрещенной зоны может быть как положительным, если прикладываемое поле Е>0 (кривая 11), так и отрицательным -если прикладываемое поле Е<0 (кривая 9). Таким образом, имеет место двойное управление в предложенном фильтре.

Таким образом, приведенные результаты обосновывают достижение технического результата. За счет конечной ширины образованного магнонного кристалла, частотный фильтр на магнитостатических волнах на основе слоистой структуры работает в многомодовом режиме. Это позволяет расширить функциональные возможности телекоммуникационных систем с большой плотностью информационного сигнала и использовать как частотный фильтр с двойным управлением как функциональный элемент магнонной сети.


ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР СВЧ СИГНАЛА НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР СВЧ СИГНАЛА НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР СВЧ СИГНАЛА НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 61-70 из 91.
19.04.2019
№219.017.2b89

Широкополосный детектор терагерцевого излучения (варианты)

Изобретение относится к области тонкопленочной СВЧ микроэлектроники и антенной техники, в том числе массивам антенн и метаматериалам. Широкополосный детектор терагерцевого излучения состоит из распределенного абсорбера в виде матрицы антенн в конфигурации метаматериала, микроболометров,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002684897
Дата охранного документа: 16.04.2019
01.05.2019
№219.017.47d3

Способ определения параметров плазменного травления пластин

Способ определения параметров плазменного травления материалов в процессе обработки изделий включает измерение параметров модельного образца в виде структуры, образованной первой и второй акустическими линиями задержки (АЛЗ), содержащими входные и выходные электроакустические преобразователи,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002686579
Дата охранного документа: 29.04.2019
01.05.2019
№219.017.482a

Управляемый ответвитель свч сигнала на магнитостатических волнах

Изобретение относится к радиотехнике. Ответвитель СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит подложку из галлий-гадолиниевого граната с размещенными на ней с зазором двумя микроволноводами в форме параллельных удлиненных полосок равной ширины из пленок железо-иттриевого граната (ЖИГ)....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002686584
Дата охранного документа: 29.04.2019
29.05.2019
№219.017.626d

Твердотельный источник электромагнитного излучения

Изобретение предназначено для генерации когерентного и некогерентного электромагнитного излучения, в том числе и в диапазоне терагерцевых частот. Твердотельный источник электромагнитного излучения содержит рабочий слой, выполненный из электрически проводящего материала и расположенный на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002688096
Дата охранного документа: 20.05.2019
01.06.2019
№219.017.7288

Логическое устройство на основе фазовращателя свч сигнала на магнитостатических волнах

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве фазовращателя. Устройство содержит, размещенный на подложке микроволновод из пленки железоиттриевого граната (ЖИГ), имеющий раздвоенную среднюю часть, размещенные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690020
Дата охранного документа: 30.05.2019
13.06.2019
№219.017.8169

Устройство для приема электромагнитного поля в море

Изобретение относится к радиотехнике и предназначено для приема электромагнитных полей сверхнизких и крайне низких частот (СНЧ и КНЧ) естественного и искусственного происхождения в морской среде. Сущность: устройство содержит электродный датчик электрического поля в виде первого и второго...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002691165
Дата охранного документа: 11.06.2019
20.06.2019
№219.017.8dbd

Демультиплексор на магнитостатических волнах

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к приборам СВЧ на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве демультиплексора. Демультиплексор содержит подложку, с размещенными на ней первым и вторым протяженными микроволноводами из железоиттриевого граната, входную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002691981
Дата охранного документа: 19.06.2019
10.07.2019
№219.017.a9ad

Логический элемент инвертор-повторитель на магнитостатических волнах

Изобретение относится к логическим элементам на магнитостатических волнах. Технический результат - создание логического устройства типа инвертор/повторитель на поверхностных магнитостатических волнах с возможностью управления режимами работы. Для этого предложен логический элемент, который...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002694020
Дата охранного документа: 08.07.2019
03.08.2019
№219.017.bc4a

Способ неразрушающего контроля качества сверхбольших интегральных схем по значению критического напряжения питания

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для обеспечения качества и надежности сверхбольших интегральных схем (СБИС). Сущность: измеряют критическое напряжение питания при нормальной и повышенной температуре. СБИС предварительно программируют тестирующей программой для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002696360
Дата охранного документа: 01.08.2019
21.08.2019
№219.017.c1be

Функциональный элемент магноники

Изобретение относится к СВЧ технике и может быть использовано при конструировании приборов на магнитостатических волнах в гигагерцовом диапазоне частот. Функциональный элемент магноники содержит немагнитную подложку, размещенную на ней ферромагнитную пленку из железоиттриевого граната (ЖИГ),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697724
Дата охранного документа: 19.08.2019
Показаны записи 31-33 из 33.
16.05.2023
№223.018.5df5

Мажоритарный элемент на спиновых волнах

Использование: для построения высоконадежных помехоустойчивых телекоммуникационных систем. Сущность изобретения заключается в том, что мажоритарный элемент на спиновых волнах содержит структуру, выполненную в виде пластины из диэлектрика, с нанесенным на одну сторону слоем магнитоактивной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002758000
Дата охранного документа: 25.10.2021
16.05.2023
№223.018.5df6

Мажоритарный элемент на спиновых волнах

Использование: для построения высоконадежных помехоустойчивых телекоммуникационных систем. Сущность изобретения заключается в том, что мажоритарный элемент на спиновых волнах содержит структуру, выполненную в виде пластины из диэлектрика, с нанесенным на одну сторону слоем магнитоактивной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002758000
Дата охранного документа: 25.10.2021
06.06.2023
№223.018.791e

Осциллятор для генератора терагерцового излучения

Изобретение относится к прикладной физике и может быть использовано в измерительной технике для генерации и приема излучения в диапазоне частот 0.1-5 ТГц. Осциллятор для генератора терагерцового излучения включает гетероструктуру на основе слоев антиферромагнитного диэлектрика и платины,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002742569
Дата охранного документа: 08.02.2021
+ добавить свой РИД