×
14.09.2018
218.016.87d7

Результат интеллектуальной деятельности: ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР СВЧ СИГНАЛА НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве частотного фильтра. Сущность изобретения заключается в том, что частотный фильтр СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит магнитный элемент, представляющий собой магнонный кристалл, имеющий форму протяженного прямоугольника с заостренными по продольной оси торцами и периодическими геометрическими неоднородностями в форме треугольных элементов, период треугольных элементов выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см до 300 см, пьезоэлектрический элемент, имеющий длину меньше длины магнитного элемента, наружный электрод пьезоэлектрического элемента, выполненный сплошным, а электрод, прилегающий к поверхности магнитного элемента, имеет форму встречно-штыревого преобразователя с периодом Т, выбранным из условия Т=2Р, где Р - период треугольных элементов. Технический результат – создание частотного фильтра СВЧ сигнала с управлением частотным диапазоном фильтра и шириной полосы частот, уменьшение размеров до микроразмерной области и упрощение конструкции. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах и может быть использовано в качестве частотного фильтра.

Функциональные элементы на магнитостатических волнах, в которых происходят процессы переноса магнитного момента или спина электрона вместо переноса заряда, открывают новые возможности для применения спиновых волн при построении элементной базы приборов обработки, передачи и хранения информации [Никитов С.А., и др. Магноника - новое направление спинтроники и спинволновой электроники//УФН, Т. 185, №10, с. 1099-1128 (2015)].

Известен невзаимный перестраиваемый полосовой фильтр (WO 2014052913 А1, Northeastern University, 03.04.2014), включающий в себя преобразователь, содержащий параллельно соединенные проводящие линии и ферритовый слой, так что параллельные края ферритового слоя наклонены под ненулевым углом Θ относительно параллельных сопряженных микрополосковых линий микрополоскового преобразователя. Благодаря такой конструкции отраженная от боковых граней ферритовой пленки поверхностная волна преобразуется обратно в объемную, не образуя стоячую волну, и, следовательно, не попадает в выходной сигнал. Таким образом, осуществляется невзаимная фильтрация спиновых волн, что позволяет подавить побочные моды, образующиеся из-за пространственного резонанса во взаимных фильтрах, но вносит значительные потери, что и является недостатком данного устройства.

Известен СВЧ фильтр, содержащий электромагнит, в зазоре которого расположен ферритовый резонатор на диэлектрической подложке с нанесенными на поверхность подложки входной и выходной микрополосковыми линиями (RU 2393594 С1, СГУ, Саратов, 27.06.2010). Недостатком данного устройства является относительно широкополосный режим работы и управление только центральной частотой амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) при изменении внешнего поля подмагничивания, которое необходимо для функционирования устройства.

Известен частотный фильтр на основе магнонного кристалла, используемый для управления частотой спиновых волн (WO 2009145579 А2, Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency, Seoul National University Industry Foundation, 03.12.2009). Устройство состоит из волновода на основе тонкой магнитной пленки. Волновод имеет три секции, одна из которых представляет собой периодическую структуру - магнонный кристалл, образованный путем периодического изменения ширины либо толщины ферромагнитной пленки. Недостатком данного устройства является отсутствие возможности управления свойствами спектра спиновых волн путем изменения управляющих параметров.

Известен СВЧ-фильтр (RU 167504 U1, СГУ, Саратов, 10.01.2017). Он содержит слой железоиттриевого граната (ЖИГ) на подложке из галлий-гадолиниевого граната и сегнетоэлектрический слой, расположенный со стороны, противоположной подложке. Согласно решению отношение ширины слоя ЖИГ к его толщине не превышает 350, а поперечные размеры и диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрического слоя выбираются такими, чтобы в рабочем диапазоне частот в сегнетоэлектрическом слое распространялись только младшие поперечные моды ТЕ-волны. Управление как шириной полосы пропускания, так и ее центральной частотой осуществляется вариацией величин внешнего магнитного и электрического полей, а также фазовыми и групповыми скоростями отдельных мод волн. Недостаток данного устройства - отсутствие возможности контроля полосы непропускания и частотной области. Кроме того, изменение полярности приложенного напряжения не позволяет измененить направление смещения полосы непропускания и частотной области.

Наиболее близким к заявляемому является устройство на магнитостатических волнах (US 7528688 (В2), UNIV OAKLAND, USA, 05.05.2009 - прототип). Представляет слоистую структуру на подложке из галлий-гадолиниевого граната, на которой расположена пленка из ЖИГ, которая нагружена пьезоэлектрическим слоем. Данный тип структуры может быть использован в качестве микроволновых резонаторов, полосовых фильтров и линий задержки. Недостатком данных устройств являются большие толщины пленок ЖИГ и вследствие этого необходимость приложения больших величин внешнего магнитного поля и получения широких полос пропускания порядка 500 МГц.

Проблема, на решение которой направлено изобретение, состоит в усовершенствовании конструкции спин-волнового фильтра, управляемого как магнитным, так и электрическим полем.

Патентуемый частотный фильтр СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит подложку, размещенные на подложке магнитный элемент, выполненный из пленки железоиттриевого граната, пьезоэлектрический элемент с металлическими электродами, образованный на поверхности магнитного элемента, входной и выходной преобразователи магнитостатических волн.

Отличие состоит в том, что магнитный элемент, представляющий собой магнонный кристалл, имеет форму протяженного прямоугольника с заостренными по продольной оси торцами и периодическими геометрическими неоднородностями в форме треугольных элементов, размещенных на противолежащих сторонах прямоугольника. Период треугольных элементов выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1, в котором затухание магнитостатической волны минимальное.

Пьезоэлектрический элемент имеет длину, меньшую длины магнитного элемента, а входной и выходной преобразователи магнитостатических волн размещены на свободной поверхности магнитного элемента со стороны заостренных торцов, при этом наружный электрод пьезоэлектрического элемента выполнен сплошным, а электрод, прилегающий к поверхности магнитного элемента, имеет форму встречно-штыревого преобразователя с периодом Т, выбранным из условия Т = 2Р, где Р -период треугольных элементов.

Фильтр может характеризоваться тем, что глубина треугольных элементов П2 определяется из условия h.2=w0/5, w0 - ширина магнонного кристалла, а также тем, что треугольные элементы имеют период Р =250 мкм, а глубину - h2 =200 мкм.

Фильтр может характеризоваться и тем, что подложка выполнена из неферромагнитного галлий-гадолиниевого граната, а кроме того, тем, что входной и выходной преобразователи магнитостатических волн представляют собой микрополосковые элементы.

Фильтр может характеризоваться также тем, что пьезоэлектрический элемент выполнен из поляризированной по толщине пластины керамики цирконата-титаната свинца, при этом металлические электроды выполнены из никеля.

Технический результат - создание частотного фильтра СВЧ сигнала с управлением частотным диапазоном фильтра и шириной полосы частот посредством воздействия статическим электрическим и магнитным полями при уменьшении размеров до микроразмерной области и упрощении конструкции.

Изобретение поясняется чертежами, где:

фиг. 1 представлена конструкция устройства;

фиг. 2 - конструкция, вид сверху;

фиг. 3 - то же, что на фиг.2, неоднородности, укрупнено;

фиг. 4 - результат исследования распространения волны в фильтре;

фиг. 5 - частотные зависимости коэффициента передачи S21 при различных значениях приложенного внешнего электрического поля. Позициями на чертежах обозначены:

1 - подложка из пленки галлий гадолиниевого граната (ГГГ);

2 - входная микрополосковая антенна;

3, 4 -металлические электроды встречно-штыревого преобразователя;

5 - наружный электрод пьезоэлектрического элемента;

6 - пьезоэлектрический элемент;

7 - магнонный кристалл - магнитный элемент, выполненный из пленки ЖИГ; 71 - треугольные элементы на противолежащих сторонах элемента 7;

8 - выходная микрополосковая антенна.

Устройство (см. фиг. 1-3) содержит подложку 1 из пленки галлий-гадолиниевого граната (ГГГ) с размерами ШхДхТ=1300×4000×500(мкм). На поверхности подложки 1 сформирован магнонный кристалл 7 на основе пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ) толщиной 7,7 мкм и намагниченностью насыщения М0=139Гс. На пленке расположены входная 2 и выходная 8 микрополосковые антенны шириной 30 мкм, обеспечивающие возбуждение и прием магнитостатических волн. Входная антенна 2 расположена на одном конце магнонного кристалла 7, а выходная антенна 8 расположена на втором конце магнонного кристалла 7. На поверхности магнонного кристалла 7, между входной 2 и выходной 8 антеннами расположен пьезоэлектрический элемент 6 в виде пленки цирконата титаната свинца (ЦТС) с размерами (ШхДхТ) 500 мкм × 3000 мкм × 400 мкм. На верхней части пьезоэлектрического элемента 6 образован сплошной металлический электрод 5 из хрома, обеспечивающий заземление.

На нижней части пьезоэлектрического элемента 6, на поверхности магнонного кристалла 7 расположены металлические электроды 3 и 4 из никеля, которые с помощью лазерной резки выполнены в виде встречно-штыревой системы для подачи разных по знаку значений напряжения (см. фиг. 2, 3). Ширина магнонного кристалла w0 - 1000 мкм, длина 6 мм. Внешнее магнитное поле H0 направлено касательно вдоль оси х (см. фиг. 1). Магнонный кристалл 7 может быть образован лазерным скрайбированием или другим известным методом из пленки ЖИГ шириной W0 путем выполнения периодических неоднородностей в форме треугольных элементов 71 на противолежащих сторонах элемента 7. Период Р треугольных элементов 71 выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1, в котором затухание магнитостатической волны минимальное.

Принцип работы данного фильтра заключается в том, что входной микроволновый СВЧ сигнал, частота которого должна лежать в диапазоне, определяемом величиной внешнего постоянного магнитного поля, подается на входную микрополосковую антенну 2. Далее микроволновый сигнал преобразуется в поверхностную магнитостатическую волну (ПМСВ), распространяющуюся вдоль длины магнонного кристалла 7. Периодическая решетка треугольных элементов 71 на макете фильтра имеет период Р =250 мкм и глубину h2 =200 мкм (см. фиг. 2 и 3) и обеспечивает эффективное создание запрещенной зоны Брэгга.

Электрическая перестройка частоты возможна благодаря магнитоэлектрическому (МЭ) взаимодействию в структуре, которое заключается в следующем. Электрическое поле вызывает деформацию пьезоэлектрического элемента 6 вследствие обратного пьезоэффекта. Деформация передается магнонному кристаллу 7, который механически связан с пьезоэлектрическим элементом 6. Вследствие указанного пьезомагнитного эффекта изменяется внутреннее магнитное поле в магнонном кристалле 7, приводящее к изменению дисперсионной характеристики волнового процесса в структуре. Это позволяет реализовать двойное управление свойствами волны и соответственно, характеристиками устройства. Управление осуществляется путем воздействия на характеристики магнонного кристалла 7 и элемента 6 при изменении приложенных к ним соответственно внешнего магнитного и электрического полей. Как показано на фиг.2, электроды 3 и 4 образуют встречно-штыревую систему преобразователя, и период Т этой системы связан с периодом треугольных элементов 71 боковой поверхности 7 магнонного кристалла Р, как Т =2Р. При этом каждый электрод встречно-штыревой системы имеет ширину W =250 мкм, совпадающую с основанием треугольного элемента 71 и глубину h1 =800 мкм (см. фиг. 3). Вследствие этого обеспечивается более эффективное управление спиновыми волнами, распространяющимися в предложенном устройстве. Ввиду конечной ширины W0 магнонного кристалла 7 при распространении ПМСВ реализуется многомодовый режим распространения.

На фиг. 4 представлены результаты экспериментального исследования распространения волны в фильтре. Методом Мандельштам-Бриллюэновского рассеяния света (МБРС) проведено исследование особенностей распространения поверхностной магнитостатической волны (ПМСВ) в изготовленном макете на частоте входного сигнала 2,519 ГГц (а) и 2,55 ГГц (б). Представлена карта распределения интенсивности I магнитостатической волны. Основная роль в формировании пространственной картины распределения интенсивности играет межмодовое взаимодействие волн и их рассеяние на границах магнонного кристалла. Эти механизмы приводят к быстрому пространственному затуханию ПМСВ и образованию широкой запрещенной зоны. При увеличении частоты наблюдается перераспределение интенсивности ПМСВ от края магнонного кристалла до его продольной оси. Эффективность рассеяния ПМСВ на периодических неоднородностях магнонного кристалла 7 уменьшается, и при распространении волны профиль поперечного распределения интенсивности I (x,z) приближается к распределению в виде sin2(πz/w0), где W0 - ширина магнонного кристалла 7, для основной моды. В этом случае образуется брэгговская запрещенная зона.

На фиг. 5 представлены частотные зависимости коэффициента передачи S21 при различных значениях приложенного внешнего электрического поля Е: кривая 9 - в случае Е<0; кривая 10 - в случае Е =0; кривая 11 - в случае Е>0.

С помощью векторного анализатора цепей была получена амплитудно-частотная характеристика патентуемого фильтра. Коэффициент передачи S21 в частотной области запрещенной зоны показан кривой 10. Частотный сдвиг запрещенной зоны может быть как положительным, если прикладываемое поле Е>0 (кривая 11), так и отрицательным -если прикладываемое поле Е<0 (кривая 9). Таким образом, имеет место двойное управление в предложенном фильтре.

Таким образом, приведенные результаты обосновывают достижение технического результата. За счет конечной ширины образованного магнонного кристалла, частотный фильтр на магнитостатических волнах на основе слоистой структуры работает в многомодовом режиме. Это позволяет расширить функциональные возможности телекоммуникационных систем с большой плотностью информационного сигнала и использовать как частотный фильтр с двойным управлением как функциональный элемент магнонной сети.


ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР СВЧ СИГНАЛА НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР СВЧ СИГНАЛА НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР СВЧ СИГНАЛА НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-20 из 91.
27.03.2014
№216.012.af24

Малогабаритный фазовращатель свч-диапазона

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ-электронике для радиотехнической аппаратуры наземного, воздушного, космического базирования. Технический результат - снижение потерь мощности СВЧ-сигнала и увеличение верхнего диапазона частот....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510551
Дата охранного документа: 27.03.2014
10.04.2014
№216.012.b12e

Способ получения атомно-тонких монокристаллических пленок

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения атомно-тонких монокристаллических пленок различных слоистых материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения атомно-тонких монокристаллических пленок включает фиксацию исходных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511073
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.04.2014
№216.012.b381

Электрические контакты для сверхпроводникового интегрального приемника

Изобретение относится к области разработки новых элементов и устройств сверхпроводниковой электроники и создания на их основе сверхчувствительных приемных устройств с высоким спектральным разрешением и может быть использовано при создании бортовых и наземных систем, предназначенных для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511669
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.07.2014
№216.012.dc8d

Способ и устройство для количественного определения содержания восков и воскоподобных веществ в рафинированных растительных маслах

Настоящее изобретение относится к способу количественного определения содержания восков и воскоподобных веществ в рафинированных растительных маслах, при котором в кювете размещают пробу горячего растительного масла, производят одновременно облучение пробы и изменение ее температуры, пробу...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522239
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.de5d

Перестраиваемый криогенный генератор гетеродина субтерагерцового диапазона на основе распределенного туннельного перехода для интегральных приемных систем

Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике и может быть использовано при создании терагерцовых спектрометров, предназначенных для радиоастрономии, исследования атмосферы Земли, медицинской диагностики, а также для систем контроля и обеспечения безопасности. Техническим результатом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522711
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.07.2014
№216.012.defb

Способ распознавания и классификации формы объектов в лабиринтных доменных структурах

Изобретение относится к средствам анализа цифровых изображений. Техническим результатом является обеспечение классификации объектов по геометрическим признакам в лабиринтных структурах. В способе определяют количество объектов на изображении структуры, в качестве морфологических признаков...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522869
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.07.2014
№216.012.e259

Способ и устройство для измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для измерения температуры активной области светоизлучающих диодов. Заявлен cпособ измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов (СИД), при котором инжекционный ток подают в виде последовательности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002523731
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.11.2014
№216.013.08f3

Мультисенсорная акустическая решетка для аналитических приборов "электронный нос" и "электронный язык"

Изобретение относится к аналитическому приборостроению и может быть использовано для физико-химического анализа жидких и газообразных сред. Достигаемый технический результат - повышение избирательности мод колебаний при увеличении числа датчиков возбуждаемых мод. Мультиплексорная акустическая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533692
Дата охранного документа: 20.11.2014
20.04.2015
№216.013.453d

Способ измерения изменения температуры объекта относительно заданной температуры

Изобретение относится к области термометрии и может быть использовано для измерения и мониторинга малых изменений температуры. Заявлен способ измерения температуры объекта с помощью чувствительного элемента (ЧЭ), представляющего собой стандартный двухвходовой резонатор на поверхностных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002549223
Дата охранного документа: 20.04.2015
27.04.2015
№216.013.4706

Фотоэлектрический преобразователь с наноструктурными покрытиями

Использование: для преобразования солнечной энергии в электричество. Сущность изобретения заключается в том, что фотоэлектрический преобразователь содержит воронкообразные сквозные отверстия с просветляющим покрытием и толстопленочное покрытие (с обратной стороны), содержащее сферические...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002549686
Дата охранного документа: 27.04.2015
Показаны записи 11-20 из 33.
25.08.2017
№217.015.b401

Генератор плазмонных импульсов терагерцовой частоты

Изобретение относится к технике генерации импульсов терагерцовой частоты. Генератор плазмонных импульсов терагерцовой частоты включает спазер в режиме пассивной модуляции добротности на основе активной среды, помещенной в резонансную структуру, образованную в тонкой пленке металла, размещенной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613808
Дата охранного документа: 21.03.2017
25.08.2017
№217.015.bf73

Функциональный элемент на магнитостатических спиновых волнах

Изобретение относится к устройствам СВЧ-электроники и может быть использовано при конструировании нано- и микроэлектронных элементов для обработки сигналов. Элемент на магнитостатических спиновых волнах (МСВ) имеет две пары микрополосковых преобразователей, которые образуют два параллельных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617143
Дата охранного документа: 21.04.2017
26.08.2017
№217.015.d9f3

Трехканальный направленный ответвитель свч сигнала на магнитостатических волнах

Использование: для создания частотно-избирательного ответвителя мощности. Сущность изобретения заключается в том, что направленный ответвитель на магнитостатических волнах содержит размещенную на подложке из галлий-гадолиниевого граната микроволноводную структуру из пленки железо-иттриевого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623666
Дата охранного документа: 28.06.2017
09.06.2018
№218.016.5e0e

Боевая часть

Изобретение относится к области вооружения, а именно к разработке боевых частей для боеприпасов (снарядов, гранат, мин) и ракет. Боевая часть состоит из корпуса, взрывателя, заряда и поражающих элементов, расположенных между корпусом и зарядом. При этом поражающие элементы изготовлены из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002656258
Дата охранного документа: 04.06.2018
20.06.2018
№218.016.64cf

Свч фотонный кристалл

Использование: для измерений с использованием СВЧ техники. Сущность изобретения заключается в том, что СВЧ фотонный кристалл выполнен в виде прямоугольного волновода, содержащего четные и нечетные элементы, периодически чередующиеся в направлении распространения электромагнитного излучения,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658113
Дата охранного документа: 19.06.2018
14.09.2018
№218.016.87df

Нелинейный делитель мощности свч сигнала на спиновых волнах

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве частотно-избирательного делителя мощности с нелинейным эффектом. Делитель мощности СВЧ сигнала содержит единый входной порт, первый и второй выходные порты....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666969
Дата охранного документа: 13.09.2018
29.03.2019
№219.016.f57d

Модулятор свч на поверхностных магнитостатических волнах

Изобретение направлено на обеспечение управления уровнем режекции СВЧ-сигнала в полосе частот без необходимости обеспечения протекания управляющего постоянного тока по металлической пленке. Технический результат - возможность управления уровнем режекции СВЧ-сигнала в полосе частот без...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002454788
Дата охранного документа: 27.06.2012
01.05.2019
№219.017.482a

Управляемый ответвитель свч сигнала на магнитостатических волнах

Изобретение относится к радиотехнике. Ответвитель СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит подложку из галлий-гадолиниевого граната с размещенными на ней с зазором двумя микроволноводами в форме параллельных удлиненных полосок равной ширины из пленок железо-иттриевого граната (ЖИГ)....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002686584
Дата охранного документа: 29.04.2019
01.06.2019
№219.017.7288

Логическое устройство на основе фазовращателя свч сигнала на магнитостатических волнах

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве фазовращателя. Устройство содержит, размещенный на подложке микроволновод из пленки железоиттриевого граната (ЖИГ), имеющий раздвоенную среднюю часть, размещенные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690020
Дата охранного документа: 30.05.2019
20.06.2019
№219.017.8dbd

Демультиплексор на магнитостатических волнах

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к приборам СВЧ на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве демультиплексора. Демультиплексор содержит подложку, с размещенными на ней первым и вторым протяженными микроволноводами из железоиттриевого граната, входную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002691981
Дата охранного документа: 19.06.2019
+ добавить свой РИД