×
09.08.2018
218.016.796f

Результат интеллектуальной деятельности: ГЕНЕРАТОР АМПЛИТУДНО-МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к радиотехнике. Технический результат состоит в повышении мощности генерации амплитудно-модулированных сигналов (ГАМС). Для этого на управляющие переходы мощных силовых транзисторов подаются сигналы двух различных частот, например несущая 500 кГц и модулирующая 50 Гц (полезный сигнал). Предлагаемый ГАМС состоит из источника постоянного напряжения, четырех силовых транзисторов, собранных по мостовой схеме, колебательного резонансного контура, нагрузки и блока управления (БУ). БУ состоит из двух частей. Первая - управляет двумя транзисторами левого плеча моста, а вторая часть БУ - формирует управляющие сигналы для транзисторов правого плеча, путем суммирования двух сигналов с различными частотами (несущей и модулирующей). 3 ил.

Предлагаемое изобретение относится к электротехнике, а именно электронике и радиотехнике. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей генераторов амплитудно-моделированного (AM) выходного напряжения.

Сущность изобретения состоит в том, что в генераторе AM применен новый способ управления ключами мостовой схемы с помощью двух блоков подачи управляющих импульсов.

Известны усилители амплитудно-модулированных колебаний («Транзисторные генераторы гармонических колебаний в ключевом режиме», В.Б. Козырев и др. М.: Радио и связь, 1985 г., с. 172-178). Такой усилитель содержит высокочастотный двухтактный генератор и широтно-импульсный модулятор. Выходной каскад модулятора осуществляет усиление широтно-импульсного модулированного (ШИМ) сигнала и его обратное преобразование при помощи фильтра низкой частоты.

Наряду с достоинством таких усилителей известны и их недостатки, связанные с необходимостью подавления продуктов ШИМ, для него используются многоканальные схемы.

Аналогом является изобретение «Передатчик амплитудно-модулированных сигналов» по а.с. N 1665517 А1, кл. Н04В 1/04, опубл. 23.07.91, Бюл. N 27. Такой передатчик содержит два ключевых двухтактных усилителя, широтно-импульсный модулятор, возбудитель, полосовой фильтр (колебательную систему) силовой источник питания и два элемента совпадения.

Два ключевых двухтактных усилителя этого передатчика образуют мостовую схему резонансного инвертора. На входы первого ключевого двухтактного усилителя поступают управляющие противофазные сигналы типа «меандр» от возбудителя непрерывно, а на выходы второго ключевого двухтактного усилителя от возбудителя поступают «пачки» импульсов, при этом длительность «пачки» определяется широтно-импульсным модулятором и формируется с помощью двух схем совпадения. В результате этого к входу выходного полосового фильтра прикладываются радиоимпульсы, длительность которых определяется широтно-импульсным модулятором. Благодаря сокращению числа преобразований в таком передатчике может быть достигнут высокий КПД.

Однако этот передатчик не лишен известных недостатков, связанных с возможностью прохождения «сквозных» токов через транзисторы, а также необходимостью подавления тактовой частоты и ее продуктов.

В качестве прототипа была принята схема, описанная в патенте №2123760 «Передатчик амплитудно-модулированных сигналов», дата публикации 20.12.1998 г.

Данный передатчик содержит два ключевых двухтактных усилителя с четырьмя коммутирующими приборами, собранными по схеме моста, колебательную систему (резонансный контур или П-образный фильтр), силовой источник питания, широтно-импульсный модулятор, возбудитель, а также два индуктивных накопителя энергии. В качестве коммутирующих приборов ключевых двухтактных усилителей в данном передатчике могут использоваться генераторные лампы L1 … L4 или транзисторы. При этом в левом и правом плечах моста они включены встречно.

Прототип работает следующим образом.

С выхода возбудителя сигналы типа «меандр» несущей частоты передатчика поступают на вход широтно-импульсного модулятора, на второй вход которого поступает модулирующий сигнал низкой частоты. Широтно-импульсный модулятор преобразует поступающий сигнал в последовательность импульсов, длительность которых пропорциональна мгновенному значению входного напряжения низкой частоты, а частота равна несущей частоте передатчика. С выходов широтно-импульсного модулятора эти сигналы поступают на коммутирующие приборы первого ключевого двухтактного усилителя, в результате чего от силового источника питания осуществляется подзарядка индуктивных накопителей энергии. С других выходов сигналы типа «меандр» поступают на коммутирующие приборы второго ключевого двухтактного усилителя.

Формирование амплитудно-модулированного сигнала в таком передатчике осуществляется путем периодической подзарядки двух индуктивных накопителей энергии в течение части полупериода высокочастотных колебаний и передачей энергии колебательной системе в течение последующего полупериода. Удержание тока индуктивных накопителей энергии в течение паузы, когда подзарядка не производится, поочередно выполняется коммутирующими приборами, которые одновременно осуществляют передачу энергии колебательной системе.

Однако этот передатчик не лишен известных недостатков, связанных с необходимостью применения 2-х силовых дросселей и диодов.

Нами предложена схема генератора амплитудно-модулированных сигналов, не имеющая этих недостатков, более простая и способная работать практически на любую мощность.

Фиг. 1 представляет собой структурно-функциональную схему генератора AM колебаний. Она содержит:

- силовой источник питания 1;- ключевые силовые транзисторы 2-5;

- первый блок управления 6 транзисторами 2,4, который представляет собой генератор прямоугольного напряжения с несущей частотой ƒ1;

- второй блок управления 7 транзисторами 3, 5 источник модулирующего напряжения (сигнала низкой частоты) с частотой ƒ2;

- сумматор с усилителем 8 для получения частоты ƒ312;

- колебательную систему (резонансный LC контур);

- нагрузку 9.

Транзисторы 2,5 соединены по мостовой схеме, причем транзисторы 2,4 и 3,5 составляют соответственно левое и правое плечи. К диагонали постоянного напряжения этого моста подключен силовой источник питания 1, а в диагональ переменного напряжения включен резонансный контур LC с нагрузкой 9.

Транзисторы в плечах включены последовательно и однонаправленно. При таком включении транзисторов есть возможность протекания «сквозных» токов, но в предлагаемой схеме она исключена, так как, во-первых, вторая пара транзисторов включается только после запирания транзисторов предыдущей пары. Во-вторых, благодаря использованию датчиков тока блокируются сигналы управления блоков 6,7.

Кроме того, блоки управления 6,7 этими транзисторами генерируют прямоугольные импульсы управления с фиксированной шириной, причем длительность их всегда и гарантированно меньше, чем половина периода колебаний во избежание появления сквозных токов в транзисторных плечах моста.

Блок управления 6 левого плеча транзисторов 2 и 4 является ведущим по отношению к блоку 7, который синхронизируется от него. Таким образом, включение и запирание транзисторов 2, 5 происходит одновременно. В другую половину периода колебаний тока в диагонали переменного напряжения также одновременно происходит коммутация транзисторов 3,4.

Таким образом, в результате попарно-перекрестной коммутации транзисторов в плечах моста на входе резонансной колебательной системы с нагрузкой 9 возникает 2-х полярное, прямоугольное по форме напряжение. С помощью резонансного LC- контура в нагрузке 9 выделяется 1 -я гармоника этого прямоугольного по форме напряжения.

На фиг. 2 представлены эпюры, поясняющие работу генератора. На данной фигуре прямоугольное входное напряжение на резонансном LC- контуре (по форме повторяющее управляющие сигналы транзисторов 2,3 и 4, 5) и синусоидальное выходное напряжение на нагрузке 9. Напряжение на нагрузке представляет собой синусоиду, что и требуется при «симметричной» работе 2-х плеч транзисторного моста, то есть когда частоты их коммутации одинаковы, благодаря синхронизации работы блоков управления 6 и 7.

Для получения модулированной синусоиды в нагрузке 9 необходимо в схему ввести блок 8, который вместе с блоком управления 7 обеспечивает отпирание транзисторов 3 и 5. Как было сказано выше, несущая частота во много раз больше частоты источника модулирующего напряжения 8. Таким образом, на импульсы сигналов управления несущей частоты наложен сигнал медленно меняющегося модулирующего напряжения. При повышении этого напряжения уменьшается длительность протекания тока в транзисторах 3 и 5, что приводит к уменьшению синусоидального напряжения в нагрузке. Этим обеспечивается неодновременное отпирание транзисторов 3 и 5 по отношению к транзисторам 2 и 4. Принцип амплитудной модуляции изложен в частности в работе «Основы радиоэлектроники: Учеб. Пособие. / Ю.И. Волощенко и др.; под ред. Г.Д. Петрухина. - М.: Изд-во МАИ, 1993, - С. 242-249». Согласно ему, два параллельно (или последовательно) соединенных источника гармонического напряжения ƒ1 и ƒ2 дают на нагрузке напряжение с частотами

ƒ312 при условии, что частота ƒ1 >> ƒ2 (в 100 и более раз). Как правило, используется частота ƒ3, где ƒ1 - частота несущего сигнала, ƒ2 - частота модулирующего сигнала, ƒ3 - частота сигнала на выходе сумматора.

На фиг. 3 представлены две эпюры напряжения: верхняя кривая - модулированное по ширине импульса прямоугольное входное напряжение на резонансном LC- контуре, а нижняя - модулированное синусоидальное выходное напряжение на нагрузке 9. Верхняя кривая представляет собой прямоугольное напряжение с переменной длительностью каждого импульса, так как из-за «несимметричного» управления транзисторов 2,4 левого плеча моста и 3,5 правого плеча происходит наложение промежутков их открытого состояния. На диаграмме видно, что в тот момент времени, когда импульсы тока левого и правого плеч моста находятся в противофазе и напряжение на резонансном LC- контуре равно нулю. Как было отмечено выше, если прямоугольное напряжение подать на вход резонансного LC- контура, то на нагрузке 9 будет выделяться его первая гармоника, причем, чем больше длительность прямоугольного импульса, тем будет больше амплитуда выделенной гармоники напряжения на нагрузке. Таким образом, в нагрузке 9 напряжение будет иметь форму синусоиды частотой ƒ3, но «составленную» из гармоник несущей частоты ƒ1. Здесь следует отметить тот факт, что на колебательный контур LC подаются импульсы с высокими частотами ƒ1 и ƒ3, поэтому габариты контура весьма малы. Таким образом, обеспечиваются условия для создания генератора с выходным амплитудно-модулированным сигналом с повышенным КПД: силовые транзисторы генерируют прямоугольные импульсы с крутыми фронтами, так как транзисторы работают в ключевом режиме. Резонансный фильтр выделяет первую гармонику для формирования амплитудно-модулированного сигнала низкой частоты.

Новизна заявляемой схемы заключается в том, что нет необходимости в использовании силовых дросселей и диодов. Дроссели накапливают энергию через коммутирующие устройства (генераторные лампы или силовые транзисторы), а диоды направляют разрядный ток дросселей в колебательный контур с нагрузкой, отсекая его путь в источник питания. Именно из-за необходимости использования этих громоздких элементов в схеме прототипа КПД ее не может быть высоким. В предлагаемой схеме энергия потерь определяется только силовыми транзисторами, работающими в ключевом режиме.

Генератор амплитудно-модулированных сигналов, содержащий силовой источник питания, ключевые силовые транзисторы, включенные по мостовой схеме, первый и второй блок управления этими транзисторами, источник модулирующего управления напряжения, колебательную систему - резонансный индуктивно-емкостный контур с нагрузкой, причем мостовая схема собрана так, что левое плечо, состоящее из 2-х последовательно включенных транзисторов, коммутируемых первым блоком управления, а правое плечо, состоящее также из 2-х последовательно включенных транзисторов, коммутируется вторым блоком управления, а к диагонали постоянного напряжения моста подключен силовой источник питания, а в диагональ переменного напряжения моста включен резонансный индуктивно-емкостный контур с нагрузкой, подключенной параллельно конденсатору этого контура, отличающийся тем, что транзисторы моста соединены однонаправленно, а резонансный колебательный контур настроен на высокую несущую частоту сигналов.
ГЕНЕРАТОР АМПЛИТУДНО-МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ
ГЕНЕРАТОР АМПЛИТУДНО-МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ
ГЕНЕРАТОР АМПЛИТУДНО-МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-8 из 8.
13.01.2017
№217.015.8c6a

Способ для отбора пленок нефти и нефтепродуктов с поверхности воды и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области аналитических исследований пленок из нефти и нефтепродуктов и может применяться для определения состава нефти и нефтепродуктов в природных водоемах. Устройство выполнено в виде полого цилиндра 1 с пробкой 6 из инертного материала и наконечника 4, в котором...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604843
Дата охранного документа: 10.12.2016
10.05.2018
№218.016.3b94

Адаптивная система с эталонной моделью для управления летательным аппаратом

Адаптивная система с эталонной моделью для управления летательным аппаратом, содержащая два сумматора, три блока умножения, три интегратора, корректирующее звено, блок сравнения, блок алгоритмов самонастройки, эталонную модель, датчики угла поворота, угловой скорости и линейного ускорения,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002647405
Дата охранного документа: 15.03.2018
11.06.2018
№218.016.613e

Способ получения пленок теллурида кадмия магнетронным распылением на постоянном токе

Изобретение относится к способу получения тонких пленок теллурида кадмия. Способ включает предварительный подогрев поверхности распыляемой мишени из теллурида кадмия до заданной температуры и ее магнетронное распыление на постоянном токе. Поверхность мишени предварительно нагревают до...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002657275
Дата охранного документа: 09.06.2018
20.12.2018
№218.016.a9b8

Способ изготовления базовых слоев гибких фотоэлектрических преобразователей на основе cdte в квазизамкнутом объеме

Изобретение относится к технологиям формирования базовых слоев тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе CdTe. Способ изготовления в квазизамкнутом объеме базовых слоев гибких фотоэлектрических преобразователей на основе CdTe, в котором расстояние от зоны испарения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675403
Дата охранного документа: 19.12.2018
09.02.2019
№219.016.b8e3

Устройство для отбора пленок нефти и нефтепродуктов с поверхности воды

Изобретение относится к области аналитических исследований пленок из нефти и нефтепродуктов, в частности к методам отбора проб для последующих анализов и контроля поверхностной концентрации. Устройство для отбора пленок нефти и нефтепродуктов с поверхности воды содержит пробоотборник,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002679232
Дата охранного документа: 06.02.2019
28.06.2019
№219.017.998c

Силовой преобразователь

Изобретение – силовой преобразователь (СП) относится к устройствам, способным работать в условиях, когда нагрузка, подключенная к его выходу, может изменяться в очень больших пределах (практически от короткого замыкания до холостого хода). При проведении некоторых технологических процессов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002692687
Дата охранного документа: 26.06.2019
08.11.2019
№219.017.df21

Стенд для испытаний и калибровки датчиков массового расхода воздуха автомобилей

Изобретение относится к области эксплуатации машин и может быть использовано при испытаниях и калибровке датчиков массового расхода воздуха автомобилей, оборудованных микропроцессорной системой управления двигателем внутреннего сгорания. Стенд для испытаний и калибровки датчиков массового...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002705324
Дата охранного документа: 06.11.2019
04.05.2020
№220.018.1aeb

Способ получения мицеллярных комплексов меди (ii) с использованием неионогенных поверхностно-активных веществ (пав)

Изобретение относится к коллоидным системам и растворам. Получаемые предложенным способом мицеллярные комплексы могут быть использованы в рецептуре косметических профилактических средств, обладающих фунгицидным и антисептическим действием, в приготовлении составов с фунгицидным и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002720516
Дата охранного документа: 30.04.2020
Показаны записи 1-3 из 3.
27.08.2016
№216.015.4db4

Генератор импульсов переменной амплитуды

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в электронных устройствах для формирования импульсов напряжения. Достигаемый технический результат - возможность получения импульсов напряжения с заданными параметрами в широком диапазоне по амплитуде от нуля до...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002595614
Дата охранного документа: 27.08.2016
10.05.2018
№218.016.3a39

Генератор импульсов переменной амплитуды

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в электротехнических и электронных устройствах для формирования импульсов напряжения, а также может применяться в измерительной технике для наладки различных цифровых устройств. Технический результат заключается в получении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002647700
Дата охранного документа: 16.03.2018
28.06.2019
№219.017.998c

Силовой преобразователь

Изобретение – силовой преобразователь (СП) относится к устройствам, способным работать в условиях, когда нагрузка, подключенная к его выходу, может изменяться в очень больших пределах (практически от короткого замыкания до холостого хода). При проведении некоторых технологических процессов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002692687
Дата охранного документа: 26.06.2019
+ добавить свой РИД