×
09.08.2018
218.016.7861

Результат интеллектуальной деятельности: ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ С ОТРЕМОНТИРОВАННЫМ ГОРЯЧИМ ПИКСЕЛЕМ И СПОСОБ РЕМОНТА ГОРЯЧЕГО ПИКСЕЛЯ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002663270
Дата охранного документа
03.08.2018
Аннотация: Изобретение относится к жидкокристаллической панели отображения с отремонтированным горячим пикселем и способу ремонта горячего пикселя. Жидкокристаллическая панель отображения содержит подложку матрицы, которая содержит пиксель после ремонта. Пиксель содержит блок основного пикселя и блок субпикселя, которые принимают сигналы данных, управляемые первой шиной сканирования, чтобы иметь одинаковое напряжение; блок совместного использования заряда. Блок субпикселя содержит горячие пиксели в субпикселе после ремонта, электрод стока тонкопленочного транзистора отсоединен от антенны, антенна отсоединена от электрода субпикселя, антенна электрически соединена с электродом основного пикселя, электрод субпикселя электрически соединен с общей шиной; и блок совместного использования заряда отсоединен от блока основного пикселя и блока субпикселя. Технический результат – повышение качества изображения. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 6 ил.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

1. Область техники

[1] Изобретение относится к области технологии жидкокристаллических дисплеев, и, в частности, к способу ремонта горячего пикселя жидкокристаллической панели отображения и жидкокристаллической панели отображения с отремонтированным горячим пикселем.

2. Описание предшествующего уровня техники

[2] Жидкокристаллический дисплей (LCD) представляет собой плоское сверхтонкое устройство отображения, состоящее из нескольких цветных или черно-белых пикселей, расположенных перед световой или отражающей пластиной. Благодаря таким преимуществам, как низкое энергопотребление, высокая четкость, небольшой размер и легкий вес, жидкокристаллический дисплей широко распространен и является основным направлением устройств отображения. В настоящее время среди жидкокристаллических дисплеев преобладают жидкокристаллические дисплеи на тонкопленочных транзисторах (TFT), жидкокристаллическая панель отображения является основным компонентом жидкокристаллического дисплея.

[3] Жидкокристаллическая панель отображения может состоять из подложки матрицы тонкопленочного транзистора, подложки цветного фильтра и жидкокристаллического слоя. Многочисленные пиксельные блоки расположены на подложке матрицы тонкопленочного транзистора в форме матрицы, причем каждый пиксельный блок, по меньшей мере, содержит тонкопленочный транзистор и пиксельный электрод, собранные в соответствии с тонкопленочным транзистором. Тонкопленочный транзистор соединен с шиной сканирования и шиной передачи данных в качестве переключающего компонента, который запускает пиксельные блоки, напряжение сигналов данных загружается на соответствующий пиксельный электрод с помощью управления сигналами сканирования для реализации отображения информации изображения. В противном случае часть пиксельного электрода может покрывать шину сканирования или общую шину подложки, часть внахлест рассматривается как емкость памяти Cst, использующая для стабилизации напряжения сигналов данных, загружаемых на пиксельные электроды, для обеспечения качества отображения изображений.

[4] Блок совместного использования заряда применяется в пикселе жидкокристаллической панели отображения, чтобы улучшить качество отображения под широким углом, что означает, что цвета вида сбоку или вида спереди идентичны. Фиг. 1 представляет собой схематический структурный вид существующего блока совместного использования заряда. Как показано на фиг. 1, поскольку принимается способ совместного использования заряда, пиксель содержит блок основного пикселя, блок субпикселя и блок совместного использования заряда. Блок основного пикселя содержит электрод основного пикселя Р1 и первый тонкопленочный транзистор Т1, электрод затвора первого тонкопленочного транзистора Т1 электрически соединен с первой шиной сканирования S1, электрод истока первого тонкопленочного транзистора Т1 электрически соединен с шиной передачи данных D, электрод стока первого тонкопленочного транзистора Т1 электрически соединен с электродом основного пикселя Р1; блок субпикселя содержит электрод субпикселя Р2 и второй тонкопленочный транзистор Т2, электрод затвора второго тонкопленочного транзистора Т2 электрически соединен с первой шиной сканирования S1, электрод истока второго тонкопленочного транзистора Т2 соединен с шиной передачи данных D, электрод стока второго тонкопленочного транзистора Т2 соединен с электродом субпикселя Р2 с помощью антенны L, антенна L проходит через электрод основного пикселя Р1; блок совместного использования заряда содержит третий тонкопленочный транзистор Т3, электрод затвора третьего тонкопленочного транзистора Т3 электрически соединен со второй шиной сканирования S2, электрод стока третьего тонкопленочного транзистора Т3 соединен с электродом субпикселя Р2, первая зарядная емкость Ccs1 сформирована между электродом истока и электродом основного пикселя Р1, в то же время вторая зарядная емкость Ccs2 формируется между электродом истока и соответствующей общей шиной СОМ. Эквивалентная принципиальная схема блока совместного использования заряда показана на фиг. 2. Cgs1 - паразитная емкость блока основного пикселя, Cst1 - емкость памяти блока основного пикселя, C1c1 - жидкокристаллическая емкость блока основного пикселя; Cgs2 - паразитная емкость блока субпикселя, Cst2 - емкость памяти блока субпикселя, С1с2 - жидкокристаллическая емкость блока субпикселя.

[5] Основным принципом технологии совместного использования заряда является: во-первых, когда первая шина сканирования S1 передает сигналы сканирования, электроды истока и электрод стока первого тонкопленочного транзистора Т1 и второго тонкопленочного транзистора Т2 соединены, что приводит к тому, что напряжения электрода основного пикселя Р1 и электрода второго пикселя Р2 достигают того же потенциала, на который влияют сигналы данных, передаваемые от шины передачи данных D; затем, когда вторая шина сканирования S2 передает сигналы сканирования, электроды стока и электроды истока первого тонкопленочного транзистора Т1 и второго тонкопленочного транзистора Т2 отсекаются, в то же время, электрод стока и электрод истока третьего тонкопленочного транзистора Т3 соединены, что приводит к тому, что заряды на электроде субпикселя Р2 передаются на общую шину СОМ путем второй емкости заряда Ccs2, которая может генерировать разницу в напряжении электрода субпикселя Р2 и электрода основного пикселя Р1, и жидкий кристалл блока субпикселя и жидкий кристалл блока основного пикселя отклоняются под разными углами, что может обеспечить много доменное отображение и смещение изменения цвета под широким углом.

[6] Процесс изготовления жидкокристаллической панели отображения включает производство и транспортировку, в ходе всего процесса может сформироваться большое количество частиц, некоторые из частиц будут «выметены» установками для промывки, а некоторые из частиц останутся на жидкокристаллической панели отображения (со стороны матрицы стороны CF, подложки матрицы или подложки цветной пленки), частицы, оставшиеся на жидкокристаллической панели отображения, могут привести к образованию горячих пикселей, горячих (мертвых) шин, точечных горячих пикселей и тусклых горячих (мертвых) шин, когда жидкокристаллическая панель отображения зажжена, появление которых не допустимо на жидкокристаллической панели отображения. Поэтому жидкокристаллическая панель отображения будет отремонтирована YAG-лазером, который может удалить частицы, или горячие пиксели будут исправлены на мертвые пиксели. Чтобы гарантировать качество жидкокристаллической панели отображения и восприятия глазами, горячие пиксели не допустимы, и необходимость исправления горячих пикселей на мертвые пиксели не подвергается сомнению.

[7] В соответствии с блоком совместного использования заряда, показанным на фиг. 1, когда горячие пиксели появляются в блоке субпикселя, традиционный способ исправления горячих пикселей блока субпикселя на мертвые пиксели заключается в следующем: со ссылкой на схематический вид на фиг. 3, сначала разрезается соединение электрода стока второго тонкопленочного транзистора Т2 и антенны L и разрезается соединительная линия электрода стока и электрода истока третьего тонкопленочного транзистора Т3 (обозначенного х на фиг. 3), затем сваривается электрод субпикселя Р2 и общая линия СОМ, чтобы получилось короткое замыкание (как L0, показанное на фиг. 3), которое может исправить дефектный блок субпикселя на мертвый пиксель и повысить производительность жидкокристаллических панелей отображения. В способе потенциал антенны L в блоке субпикселя после ремонта и общей шины СОМ эквивалентены, и антенна L проходит через электрод основного пикселя Р1, что может увеличить емкость памяти Cst1 блока основного пикселя.

[8] В блоке пикселя может быть создано напряжение сквозной перемычки ΔV после непрерывного открывания и закрывания тонкопленочного транзистора. Если говорить конкретно, то в соответствии с блоком основного пикселя в предыдущем пикселе, напряжение сквозной перемычки , где Vgh - включающее напряжение первого тонкопленочного транзистора Т1, Vg1 - запирающее напряжение первого тонкопленочного транзистора Т1. На фиг. 4 показана осциллограмма сигналов напряжения, принимаемых блоком пикселя, Vd на чертеже представляет собой форму сигнала напряжения, управляемого сигналами данных, Vg представляет собой форму сигнала напряжения, управляемого сигналами сканирования, Vp представляет собой форму сигналов фактического напряжения, принимаемых электродом пикселя, Vcom представляет собой общий сигнал напряжения. Как показано на фиг. 4, учитывая наличие напряжения сквозной перемычки, напряжение Vp полностью заряженного электрода пикселя меньше, чем управляющее напряжение Vd при обстоятельствах независимых от положительного полупериода или отрицательного полупериода управляющего напряжения Vd сигналов данных, а другое значение является точно ΔV, и абсолютные значения другого значения Vp и Vcom в положительном полупериоде и в отрицательном полупериоде одинаковые. Следовательно, для блока основного пикселя, когда емкость памяти Cst1 увеличивается, ΔV уменьшается в соответствии с формулой ΔV выше, когда поддерживается общее напряжение Vcom, увеличивается другое значение Vp и Vcom (изображения тусклые, но частота высокая, тусклый свет едва ли воспринимается) в положительном полупериоде управляющего напряжения Vd сигнала передачи данных; другое значение Vp и Vcom уменьшается (изображения яркие) в отрицательном полупериоде управляющего напряжения Vd сигнала передачи данных. Окончательный вид будет едва различимым световым пятном. Поэтому после ремонта блока субпикселя следует избегать влияния на емкость памяти Cst1 блока основного пикселя.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[9] Ссылаясь на недостаток традиционного способа, изобретение предусматривает способ ремонта горячего пикселя жидкокристаллической панели отображения и жидкокристаллическую панель отображения с отремонтированным горячим пикселем, после ремонта блока субпикселя блока совместного использования заряда емкость памяти блока основного пикселя остается прежней, что может не влиять на напряжение сквозной перемычки блока основного пикселя и обеспечивать качество изображений жидкокристаллической панели отображения.

[10] Для достижения вышеуказанной цели изобретение использует следующее техническое предложение:

[11] Жидкокристаллическая панель отображения с отремонтированным горячим пикселем содержит подложку матрицы, причем подложка матрицы содержит, по меньшей мере, один пиксель, который отремонтирован, пиксель содержит:

[12] шину передачи данных;

[13] первую шину сканирования и вторую шину сканирования;

[14] общую шину;

[15] блок основного пикселя и блок субпикселя, которые управляются сигналами сканирования первой шины сканирования и соответственно принимают сигналы данных от шин передачи данных, что приводит к тому, что они имеют одинаковое напряжение; блок основного пикселя, по меньшей мере, содержит электрод основного пикселя, блок субпикселя, по меньшей мере, содержит электрод субпикселя и второй тонкопленочный транзистор, электрод стока второго тонкопленочного транзистора соединен с электродом субпикселя посредством антенны, антенна проходит через электрод основного пикселя;

[16] блок совместного использования заряда, который управляется сигналами сканирования второй шины сканирования и изменяет напряжение блока субпикселя, делая его отличным от блока основного пикселя по напряжению;

[17] блок субпикселя представляет собой блок пикселя с мертвыми пикселями после ремонта горячих пикселей, в блоке субпикселя после исправления на мертвые пиксели отсоединяют электрод стока второго тонкопленочного транзистора и антенну, антенна и электрод субпикселя отсоединены, антенна электрически соединена с электродом основного пикселя, электрод субпикселя электрически соединен с общей шиной; и блок совместного использования заряда отсоединен соответственно от блока основного пикселя и блока субпикселя.

[18] Отсоединение - это изоляция двух компонентов путем резки.

[19] Антенна электрически соединена с электродом основного пикселя путем первого ремонтного провода, электрод субпикселя электрически соединен с общей шиной путем второго ремонтного провода.

[20] Блок основного пикселя также содержит первый тонкопленочный транзистор, электрод затвора первого тонкопленочного транзистора электрически соединен с первой шиной сканирования, электрод истока первого тонкопленочного транзистора электрически соединен с шиной передачи данных, электрод стока первого тонкопленочного транзистора электрически соединен с электродом основного пикселя.

[21] Электрод затвора второго тонкопленочного транзистора электрически соединен с первой шиной сканирования, электрод истока второго тонкопленочного транзистора соединен с шиной передачи данных.

[22] Блок совместного использования заряда содержит третий тонкопленочный транзистор, после ремонта блока субпикселя, электрод стока третьего тонкопленочного транзистора и электрод субпикселя отсоединены, а электрод истока третьего тонкопленочного транзистора отсоединен соответственно от электрода основного пикселя и общей шины.

[23] Способ ремонта горячего пикселя жидкокристаллической панели отображения содержит последовательности: отсоединение и изоляция электрода стока второго тонкопленочного транзистора и антенны, антенны и электрода субпикселя, блока совместного использования заряда и блока основного пикселя, а также блока субпикселя путем лазерной резки; электрическое соединение антенны и электрода основного пикселя, электрода субпикселя и общей шины путем лазерной сварки.

[24] Антенна электрически соединена с электродом основного пикселя, а электрод субпикселя электрически соединен с общей шиной с помощью ремонтного провода лазерной сварки.

[25] По сравнению с традиционным способом, согласно способу ремонта горячего пикселя жидкокристаллической панели отображения, предусмотренному примерными вариантами осуществления изобретения, при ремонте блока субпикселя блока совместного использования заряда два края антенны, проходящие через электрод основного пикселя, отсоединены и изолированы, и антенна электрически соединена с электродом основного пикселя. В жидкокристаллической панели отображения после ремонта указанным способом не будет формироваться емкость памяти между антенной и электродом основного пикселя, емкость памяти блока основного пикселя не будет увеличена, что может помочь избежать влияния напряжения сквозной перемычки блока основного пикселя и обеспечить качество изображений жидкокристаллической панели отображения.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

[26] Фиг. 1 - схематический структурный вид блока совместного использования заряда.

[27] Фиг. 2 - эквивалентная принципиальная схема блока совместного использования заряда на фиг. 1.

[28] Фиг. 3 - схематический вид ремонта горячего пикселя в блоке субпикселя традиционным способом.

[29] Фиг. 4 - осциллограмма сигналов напряжения, принятых блоком пикселя.

[30] Фиг. 5 - схематический вид ремонта горячего пикселя в блоке субпикселя в соответствии с примерным вариантом осуществления изобретения.

[31] Фиг. 6 - эквивалентная принципиальная схема блока субпикселя после ремонта горячего пикселя в соответствии с примерным вариантом осуществления изобретения.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[32] Для дальнейшего описания цели, предложения и результата изобретения схематический структурный вид и эквивалентная принципиальная схема пикселя 2G1D (в пикселе, блок пикселя электрически соединен с двумя шинами сканирования и шиной передачи данных) на подложке матрицы тонкопленочного транзистора большой жидкокристаллической панели отображения традиционного способа упоминаются для подробной иллюстрации принципа, исполнения и лучшего результата способа согласно изобретению по сравнению с традиционным способом. Следует отметить, что изобретение объясняется в соответствии с пикселем 2G1D, но без определенного предела. Блоки пикселей, разработанные разными производителями, могут быть разнообразными, например, пиксель 1G2D (в пикселе, блок пикселя электрически соединен с шиной сканирования и двумя шинами передачи данных), поэтому для специалистов в данной области различные модификации и варианты, выполненные в соответствии с концепцией изобретения, включены в сущность и объем прилагаемой формулы изобретения, которая должна соответствовать самой широкой интерпретации.

[33] Жидкокристаллическая панель отображения в соответствии с примерным вариантом осуществления содержит подложку матрицы тонкопленочного транзистора, несколько блоков совместного использования заряда расположены на подложке матрицы в форме матрицы. Со ссылкой на схематический структурный вид блока совместного использования заряда на фиг. 1 и эквивалентную принципиальную схему пикселя на фиг. 2. Пиксель содержит шину передачи данных D, первую шину сканирования S1, вторую шину сканирования S2, общую шину СОМ, блок основного пикселя, блок субпикселя и блок совместного использования заряда.

[34] Блок основного пикселя и блок субпикселя управляются сигналами сканирования первой шины сканирования S1 и принимают соответственно сигналы данных от шины передачи данных D, что приводит к тому, что они имеют одинаковое напряжение. В частности, блок основного пикселя содержит электрод основного пикселя Р1 и первый тонкопленочный транзистор Т1, электрод затвора первого тонкопленочного транзистора Т1 электрически соединен с первой шиной сканирования S1, электрод истока первого тонкопленочного транзистора Т1 электрически соединен с шиной передачи данных D, электрод стока первого тонкопленочного транзистора Т1 соединен с электродом основного пикселя Р1. Блок субпикселя содержит электрод субпикселя Р2 и второй тонкопленочный транзистор Т2, электрод затвора второго тонкопленочного транзистора Т2 электрически соединен с первой шиной сканирования S1, электрод истока второго тонкопленочного транзистора Т2 электрически соединен с шиной передачи данных D, электрод стока второго тонкопленочного транзистора Т2 электрически соединен с электродом субпикселя Р2 с помощью антенны L, антенна L проходит через электрод основного пикселя Р1.

[35] Блок совместного использования заряда управляется сигналами сканирования второй шины сканирования S2 и изменяет напряжение блока субпикселя, делая его отличным от блока основного пикселя по напряжению. В частности, блок совместного использования заряда содержит третий тонкопленочный транзистор Т3, электрод затвора третьего тонкопленочного транзистора Т3 электрически соединен со второй шиной сканирования S2, электрод стока третьего тонкопленочного транзистора Т3 электрически соединен с электродом субпикселя Р2, первая зарядная емкость Ccs1 сформирована между электродом истока и электродом основного пикселя Р1, в то же время вторая зарядная емкость Ccs2 формируется между электродом истока и соответствующей общей шиной СОМ.

[36] На эквивалентной принципиальной схеме фиг. 2 Cgs1 - паразитная емкость блока основного пикселя, Cst1 - емкость памяти блока основного пикселя, C1c1 - жидкокристаллическая емкость блока основного пикселя; Cgs2 - паразитная емкость блока субпикселя, Cst2 - емкость памяти блока субпикселя, С1с2 - жидкокристаллическая емкость блока субпикселя.

[37] Как показано в описании предшествующего уровня техники, процесс изготовления жидкокристаллической панели отображения включает производство и транспортировку, в ходе всего процесса может сформироваться большое количество частиц, некоторые из частиц будут «выметены» установками для промывки, а некоторые из частиц останутся на жидкокристаллической панели отображения (со стороны матрицы стороны CF, подложки матрицы или подложки цветной пленки), частицы, оставшиеся на жидкокристаллической панели отображения, могут привести к образованию горячих пикселей, горячих (мертвых) шин, точечных горячих пикселей и тусклых горячих (мертвых) шин, когда жидкокристаллическая панель отображения зажжена.

[38] Когда частицы появляются на блоке субпикселя блока совместного использования заряда, указанного выше, далее предлагается способ ремонта горячего пикселя в соответствии с примерным вариантом осуществления изобретения.

[39] Со ссылкой на схематический структурный вид пикселя на фиг. 5 и эквивалентную принципиальную схему пикселя на фиг. 6, процесс включает:

[40] 1. резку и изоляцию соединения электрода стока второго тонкопленочного транзистора Т2 и антенны L (обозначено х на фиг.), резку и изоляцию антенны L и электрода субпикселя Р2 (обозначено х на фиг. ) с помощью лазера.

[41] 2. резку и изоляцию электрода стока и электрода истока третьего тонкопленочного транзистора Т3 (обозначено х на фиг. ) с помощью лазера, что может привести к отсоединению электрода стока третьего тонкопленочного транзистора Т3 и электрода субпикселя Р2, и электрод истока третьего тонкопленочного транзистора Т3 отсоединен от электрода основного пикселя Р1 и общей шины СОМ.

[42] 3. соединение антенны L с электродом основного пикселя Р1 через первый ремонтный провод L1 путем лазерной сварки.

[43] 4. соединение электрода субпикселя Р2 с общей шиной СОМ через второй ремонтный провод L2 путем лазерной сварки.

[44] Жидкокристаллическая панель отображения с отремонтированным горячим пикселем может быть получена в соответствии с ранее указанным методом. По меньшей мере, один пиксель в жидкокристаллической панели отображения ремонтируется способом, описанным выше. Кроме того, мертвые пиксели могут быть сформированы после ремонта, но количество мертвых пикселей должно оставаться в допустимых пределах, слишком много мертвых пикселей может ухудшить уровень жидкокристаллической панели отображения или отключить жидкокристаллическую панель отображения.

[45] Таким образом, по сравнению с традиционным способом, согласно способу ремонта горячего пикселя жидкокристаллической панели отображения, предусмотренному примерным вариантом осуществления изобретения, при ремонте горячего пикселя блока субпикселя блока совместного использования заряда два края антенны, проходящие через электрод основного пикселя, отсоединены и изолированы, и антенна электрически соединена с электродом основного пикселя. В жидкокристаллической панели отображения после ремонта указанным способом не будет формироваться емкость памяти между антенной и электродом основного пикселя, емкость памяти блока основного пикселя не будет увеличена, что может помочь избежать влияния напряжения сквозной перемычки блока основного пикселя и обеспечить качество изображений жидкокристаллической панели отображения.

[46] Для иллюстрации в документе термин «первый», «второй» или подобное используется только для отделения одного движения или вещества от другого, что не обязательно ограничивает заявку до конкретного порядка или отношения. Кроме того, термин «содержит», «включает» или подобное не подразумевает исчерпывание примеров, он указывает на то, что все другое описание процесса, способа или цели подразумевается в самом широком разумном смысле. Предложение с фразами «содержит» не обязательно ограничивает объем формулы изобретения конкретным вариантом осуществления, и ссылка на особенно предпочтительные примерные варианты осуществления изобретения не подразумевает ограничения по изобретению, и такое ограничение не предполагается.

[47] Предшествующее описание предпочтительного варианта осуществления изобретения было представлено в целях иллюстрации и описания. Для специалистов в данной области различные модификации и варианты могут быть сделаны в соответствии с концепцией изобретения, и поэтому изобретение не должно ограничиваться раскрытым вариантом осуществления.


ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ С ОТРЕМОНТИРОВАННЫМ ГОРЯЧИМ ПИКСЕЛЕМ И СПОСОБ РЕМОНТА ГОРЯЧЕГО ПИКСЕЛЯ
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ С ОТРЕМОНТИРОВАННЫМ ГОРЯЧИМ ПИКСЕЛЕМ И СПОСОБ РЕМОНТА ГОРЯЧЕГО ПИКСЕЛЯ
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ С ОТРЕМОНТИРОВАННЫМ ГОРЯЧИМ ПИКСЕЛЕМ И СПОСОБ РЕМОНТА ГОРЯЧЕГО ПИКСЕЛЯ
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ С ОТРЕМОНТИРОВАННЫМ ГОРЯЧИМ ПИКСЕЛЕМ И СПОСОБ РЕМОНТА ГОРЯЧЕГО ПИКСЕЛЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 71-80 из 117.
09.08.2018
№218.016.7964

Печатная плата и способ ее проектирования

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться при проектировании печатной платы с несколькими отверстиями для винтов. Технический результат состоит в повышении точности проектирования печатных плат. Для этого способ включает этапы: последовательное расположение верхней стороны,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663185
Дата охранного документа: 02.08.2018
09.08.2018
№218.016.79b9

Подложка матрицы, панель жидкокристаллического дисплея и способ управления ими

Изобретение относится к подложке матрицы, панели жидкокристаллического дисплея и способу управления панели жидкокристаллического дисплея. Подложка матрицы включает множество пиксельных блоков, каждый из которых включает электрод основной области, электрод вторичной области и конденсатор обмена,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663081
Дата охранного документа: 01.08.2018
19.08.2018
№218.016.7d77

Жидкокристаллическое устройство и способ его изготовления

Изобретение относится к технологиям изготовления жидкокристаллических дисплеев. Жидкокристаллическое устройство включает подложку массива тонкопленочных транзисторов, ЦФ-подложку и слой жидкого кристалла. Подложка массива тонкопленочных транзисторов включает первый электродный слой и первый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664289
Дата охранного документа: 16.08.2018
22.08.2018
№218.016.7e46

Подложка матрицы и жидкокристаллическое устройство отображения

Изобретение относится к подложке матрицы и жидкокристаллическому устройству отображения. Подложка матрицы представляет собой прямоугольную подложку, протяженную вдоль направления оси x и направления оси y, а направление оси x и направление оси y перпендикулярны друг другу. Указанная подложка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664286
Дата охранного документа: 20.08.2018
25.08.2018
№218.016.7ed0

Жидкокристаллическое устройство отображения, жидкокристаллический дисплей и способ затемнения такого дисплея

Изобретение относится к жидкокристаллическим устройствам отображения и процессу затемнения. Жидкокристаллический дисплей содержит нижнюю подложку, снабженную нижним общим электродом, линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором. Электрод затвора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664677
Дата охранного документа: 21.08.2018
29.08.2018
№218.016.80a6

Способ контроля конструкции с мдп-структурой в тонкопленочных транзисторах и система для осуществления контроля

Изобретение относится к области техники жидкокристаллических дисплеев, в частности к контролю конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах) и его системе. Раскрыт способ контроля конструкции с МДП-структурой (структурой металл...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002665263
Дата охранного документа: 28.08.2018
29.08.2018
№218.016.80c7

Конструкция модуля подсветки

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является повышение надежности устройства. Конструкция модуля подсветки включает панель дисплея, множество оптических пленок, световодную пластину и отражающий лист, уложенные последовательно, и защитный клей, расположенный на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002665047
Дата охранного документа: 28.08.2018
13.09.2018
№218.016.8774

Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов и способ ее изготовления, и жидкокристаллический дисплей

Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает область расположения электродов пикселей, область расположения электродов данных, прозрачный слой электродов пикселей, сформированный в области расположения электродов пикселей, первый металлический слой, первый диэлектрический слой, слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666815
Дата охранного документа: 12.09.2018
16.09.2018
№218.016.885d

Жидкокристаллический дисплей с сенсорной функцией и реализованный в нем способ обнаружения касания

Изобретение относится к жидкокристаллическим дисплеям с сенсорной функцией и реализованному в нем способу обнаружения касания. Технический результат заключается в уменьшении взаимного влияния сигналов отображения и сенсорных сигналов для того, чтобы повысить качество отображения и эффективность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002667050
Дата охранного документа: 13.09.2018
16.09.2018
№218.016.8877

Способ преобразования и система преобразования трехцветных данных в четырехцветные данные

Изобретение относится к области технологии отображения. Технический результат – улучшение насыщенности цвета изображения, отображаемого устройством отображения. Способ преобразования трехцветных данных в четырехцветные данные включает преобразование входных RGB данных в промежуточные RGBW...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002667043
Дата охранного документа: 13.09.2018
Показаны записи 1-1 из 1.
23.11.2018
№218.016.9fe4

Тонкопленочный транзистор

Тонкопленочный транзистор (100) содержит затвор (10), исток (30) и сток (50). Исток и сток расположены параллельно над затвором. Исток содержит первый край (32). Сток содержит второй край (52). Первый край расположен напротив второго края. Канал (70) образован между первым краем и вторым краем....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672979
Дата охранного документа: 21.11.2018
+ добавить свой РИД