×
06.07.2018
218.016.6ccf

Результат интеллектуальной деятельности: Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002660121
Дата охранного документа
05.07.2018
Аннотация: Изобретение относится к способам, предназначенным для позиционирования, размещения и монтажа частей интегральной схемы в корпусе, а именно прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл, и может быть использовано в ракетно-космическом и наземном приборостроении. Технический результат – повышение точности и качества монтажа многокристальных сборок. Это достигается тем, что в способе прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем с установкой кристалла на кристалл последовательно позиционируют полупроводниковые кристаллы ручным методом с помощью графических цифровых линеек. Обеспечивается повышение точности и качества монтажа многокристальных сборок. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к способам, предназначенным для позиционирования, размещения и монтажа частей интегральной схемы в корпусе, а именно прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл, и может быть использовано в ракетно-космическом приборостроении.

Из уровня техники известен способ изготовления вертикальных контактных структур на полупроводниковых пластинах или печатных платах (см. RU 2600514 C1, 20.10.2016) (1), который может быть использован при высокоплотном монтаже полупроводниковых кристаллов на различные платы с большим количеством контактных межсоединений, а также при 3D-монтаже кристалла на кристалл. Изобретение обеспечивает монтаж кристаллов за счет изготовления вертикальных контактных структур. Таким образом, при изготовлении многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл трудоемкость монтажа кристаллов уменьшатся, но увеличивается сложность изготовления корпуса интегральной схемы (ИС), что является недостатком способа (1).

Из уровня техники также известен, выбранный в качестве наиболее близкого аналога, способ монтажа полупроводниковых кристаллов, и устройство для его осуществления (см. WO 2009096454, 06.08.2000) (2), в котором выравнивание и монтаж полупроводникового чипа производится по специальным меткам на корпусе, при сохранении соотношения между отдельными кристаллами, остальные кристаллы притягивают вакуумным инструментом и позиционируют на корпусе, второй уровень кристаллов позиционируется по первому также при сохранении расстояния между кристаллами.

Недостатком выбранного в качестве наиболее близкого аналога способа (2) является то, при упрощении монтажа кристаллов за счет предварительно нанесенных меток усложняется предварительная подготовка корпуса, одновременно снижается универсальность использования корпуса для дальнейшего применения, а также снижается качество и точность позиционирования кристаллов, поскольку они зависят от точности предварительной разметки.

Техническим результатом заявленного изобретения является повышение точности и качества монтажа многокристальных сборок.

Технический результат достигается за счет создания способа прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл, который включает градуировку графических цифровых линеек устройства для установки кристаллов в корпус при помощи линейки с точностью шкалы до 10 мкм, установку ширины первой пары графических цифровых линеек, равной необходимому расстоянию между колодцем корпуса ИС и кристаллом, установку ширины второй пары последующих пар графических цифровых линеек, количество которых соответствует количеству уровней кристаллов многокристальной сборки, равной необходимому смещению последующего уровня кристаллов относительно предыдущего по осям Х и У соответственно, установку корпуса с нанесенным адгезивом с совмещением его сторон с наружными частями графической цифровой линейки при помощи блока из двух видеокамер, позволяющего просматривать монтируемую интегральную схему с двух сторон, далее осуществляют подъем кристалла с помощью пластикового или резинового инструмента за лицевую часть кристалла в ручном режиме, выравнивают кристалл с помощью блока камер по внутренней стороне графических цифровых линеек, выполняют монтаж кристалла на адгезив, аналогично выполняют монтаж оставшихся кристаллов первого уровня, производят полимеризацию адгезива, наносят адгезив на лицевую часть уже установленных кристаллов первого уровня, в ручном режиме производят подъем следующего кристалла для второго уровня, выполняя все действия так же, как для кристалла первого уровня, при этом кристалл выравнивают с помощью графических линеек относительно сторон кристалла первого уровня, установленного ранее, выполняют монтаж кристалла, аналогично устанавливают оставшиеся кристаллы второго уровня и последующих уровней, проводя после монтажа каждого уровня полимеризацию адгезива.

В частном варианте выполнения подъем кристалла за лицевую часть осуществляют из происпособления, в котором все кристаллы, необходимые для сборки, размещены в одной плоскости, которое устанавливается на устройство для установки кристаллов перед монтажом.

Заявленный способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) проиллюстрирован следующими изображениями.

Фиг.1 - блок-схема способа прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС).

Фиг.2 - схема позиционирования полупроводниковых кристаллов и корпуса.

Фиг.3 - общий вид многокристальной сборки интегральной схемы.

На фиг.1-3:

1 - контактные площадки корпуса,

2 - графические цифровые линейки,

3 - обратная сторона кристалла (один из четырех углов).

Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл осуществляется следующим образом: производят предварительный запуск устройства для установки кристаллов в корпус и компьютера, подключают блок из двух видеокамер, позволяющий просматривать монтируемую интегральную схему с двух сторон, создают две графические цифровые линейки по осям Х и У. При помощи ГОСТированной линейки с градацией шкалы до 10 мкм и камеры установки устанавливают ширину первой пары графических цифровых линеек, равную необходимому расстоянию от края колодца корпуса до кристалла и ширину второй пары и последующих пар графических цифровых линеек, количество которых соответствует количеству уровней кристаллов многокристальной сборки, равной расстоянию сдвига одного уровня кристаллов относительно другого (по осям Х и У соответственно).

Далее устанавливают на устройство металлокерамический корпус с нанесенным адгезивом и кристаллы в приспособлении, в котором все кристаллы, необходимые для сборки, размещены в одной плоскости. Выравнивают корпус на рабочем столике установки с помощью наружного края первой пары графических цифровых линеек и блока видеокамер, осуществляют подъем кристаллов с помощью пластикового или резинового инструмента за лицевую часть кристалла, в ручном режиме производят подъем первого кристалла, подводят блок камеры под кристалл. На экране будет виден угол кристалла с обратной стороны. С помощью двух камер установки необходимо совместить углы колодца корпуса с углами кристалла, используя соответственно первую пару графических цифровых линеек для отступа кристалла от стороны колодца корпуса. Опираясь на первую пару графических цифровых линеек, выравнивают стороны кристалла относительно сторон колодца корпуса, выполняют монтаж кристалла на адгезив, аналогично выполняют монтаж нижних оставшихся кристаллов (если их более 1-го), производят полимеризацию адгезива, наносят адгезив на лицевую часть уже установленных кристаллов первого уровня.

Для монтажа кристаллов второго уровня в ручном режиме производят подъем следующего кристалла, выполняют все действия аналогично описанным ранее, только на данном этапе кристалл выравнивают с помощью второй пары графических цифровых линеек 5 относительно сторон кристалла первого уровня, установленного ранее. Выполняют монтаж кристалла, аналогично устанавливают оставшиеся кристаллы второго уровня и последующих уровней. Проводят после монтажа каждого уровня полимеризацию адгезива, выключают установку.

Для проведения экспериментальных исследований использовался металлокерамический корпус (все открытые металлизированные поверхности и металлические части основания корпуса имеют антикоррозионное золотое покрытие) и 16 крупных полупроводниковых кристаллов (кремний, арсенид галлия), кристаллы устанавливались в четыре уровня, соответственно по четыре кристалла на каждый уровень. Для установки кристаллов использовались две пары графических цифровых линеек, так как расстояние между колодцем корпуса и первым уровнем кристаллов (1500 мкм), а также между кристаллами разного уровня (350 мкм) было различно. Таким образом, величины пар графических цифровых линеек устанавливались равными 1500 и 350 мкм. Операции способа осуществлялись в соответствии с блок-схемой (фиг.1).

При монтаже способом кристалл на кристалл необходимо устанавливать кристаллы с прецизионным смещением по 2-м сторонам, соблюдая параллельность всех сторон, в обратном случае на последующей операции микросварки возникнут сложности, в худшем случае – электрод сварочной установки вообще не сможет произвести микросварку.

Данное изобретение позволяет производить высокоточный монтаж кристаллов в крупные металлокерамические корпуса, а также позволяет вести монтаж кристаллов на уже установленный кристалл (более 2-х кристаллов).

В результате была собрана интегральная специализированная микросхема, на которой в дальнейшем было выполнено 1600 микросоединений алюминиевой проволокой.

Таким образом, заявленное изобретение является универсальным решением и позволяет с высокой точностью производить монтаж кристаллов разных размеров как друг на друга, так и точно позиционировать отдельные кристаллы относительно колодца корпуса в ручном режиме.

Результаты монтажа данным способом подтвердили качество и точность посадки кристаллов, тем самым положительно оценив эффективность и целесообразность применения заявленного изобретения для создания радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники, а также в тех областях техники, где предъявляются высокие требования к качеству сборки, не ограничиваясь данной областью применения.


Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем
Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем
Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 99.
29.05.2018
№218.016.55ba

Способ интеграции систем и/или средств обеспечения навигационной и мониторинговой информацией и аппаратно-программный комплекс - центр компетенций

Группа изобретений относится к системам получения и обработки информации космических аппаратов навигационного и мониторингового назначения. Способ интеграции систем и/или средств обеспечения навигационной и мониторинговой информацией предусматривает формирование облачной среды вычислений,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654237
Дата охранного документа: 17.05.2018
09.06.2018
№218.016.5c91

Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов

Изобретение относится к области технологии дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов. Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов согласно изобретению...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002656126
Дата охранного документа: 31.05.2018
09.06.2018
№218.016.5d06

Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра

Изобретение может быть использовано при создании и изготовлении микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы методом химического травления с использованием масок. Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра основан на формировании...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002656109
Дата охранного документа: 31.05.2018
20.06.2018
№218.016.64f0

Установка для поглощения электромагнитного излучения

Изобретение относится к области вспомогательных средств радиоэлектронного оборудования и, дополнительно, может быть использовано в качестве низкопотенциального источника тепловой энергии. Заявлена установка для поглощения рассеиваемого электромагнитного излучения, которая содержит средства...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658145
Дата охранного документа: 19.06.2018
20.06.2018
№218.016.64f6

Способ контроля микрорельефа увлажнённого грунта

Изобретение относится к средствам дистанционного зондирования. Способ контроля рельефа увлажненной поверхности предусматривает съемку поверхности в первом и втором диапазонах электромагнитного излучения, одним из которых является инфракрасный диапазон, идентификацию диагностируемых особенностей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658143
Дата охранного документа: 19.06.2018
28.06.2018
№218.016.6826

Способ зональной регистрации абонентского терминала сети персональной спутниковой связи

Изобретение относится к регистрации абонентского терминала сети персональной спутниковой связи. Технический результат - сокращение энергетических потерь при регистрации терминала сети персональной спутниковой связи и экономия ресурсов служебного канала бортового ретрансляционного комплекса...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658879
Дата охранного документа: 25.06.2018
01.07.2018
№218.016.692b

Модернизированная спутниковая навигационная система глонасс

Предлагаемое изобретение относится к области спутниковых навигационных систем и направлено на совершенствование существующей спутниковой навигационной системы ГЛОНАСС. В модернизированной спутниковой навигационной системе ГЛОНАСС, состоящей из существующей группировки N1 базовых навигационных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659351
Дата охранного документа: 29.06.2018
06.07.2018
№218.016.6ccb

Способ выбора низкоорбитального спутника-ретранслятора для регистрации абонентским терминалом в системе персональной спутниковой связи

Изобретение относится к космической технике, конкретно к области создания и функционирования систем персональной спутниковой связи с применением низкоорбитальных спутников-ретрансляторов. Технический результат состоит в снижении количества жестких эстафетных передач и уменьшении количества...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660114
Дата охранного документа: 05.07.2018
06.07.2018
№218.016.6ce1

Способ формирования группового навигационного сигнала глонасс

Изобретение относится к системам формирования сигнала спутниковой радионавигационной системы ГЛОНАСС, а именно к средствам управления передачей и её коррекцией. Техническим результатом является уменьшение погрешностей формирования сигнала посредством цифрового формирования групповых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660126
Дата охранного документа: 05.07.2018
06.07.2018
№218.016.6d07

Глобальная многофункциональная инфокоммуникационная спутниковая система

Изобретение относится к области космической связи и может быть использовано для построения эффективной глобальной многофункциональной инфокоммуникационной спутниковой системы. Технический результат состоит в обеспечении глобальности спутниковой связи и передачи данных с использованием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660113
Дата охранного документа: 05.07.2018
Показаны записи 1-3 из 3.
27.11.2014
№216.013.0a39

Способ исправления дефектов узлов многослойных печатных плат с высокоинтегрированной элементной базой

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники, в частности к способу исправления дефектов и проведения ремонта узлов многослойных печатных плат (МПП), и может быть использовано при доработке разводки проводников МПП (разрыв и прокладка новых цепей). Технический результат - повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534025
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.12.2014
№216.013.15b4

Способ очистки, активации и осветления серебряных покрытий в газоразрядной плазме

Заявленное изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники, а также может использоваться в других областях техники для очистки, активации и осветления различных изделий с серебряным покрытием. Способ очистки, активации и осветления серебряных покрытий в газоразрядной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536980
Дата охранного документа: 27.12.2014
10.02.2015
№216.013.26ff

Способ плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники и может быть использовано для плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла. В способе плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла производят предварительную протирку изделий спиртом со всех...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541436
Дата охранного документа: 10.02.2015
+ добавить свой РИД