Результат интеллектуальной деятельности: ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ТОКОВ

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве устройств усиления широкополосных сигналов.

В современных аналоговых микросхемах находят широкое применение дифференциальные усилители токов (ДУТ), выполненные на основе двух токовых зеркал [1-19]. Данное схемотехническое решение является основой многих подклассов операционных усилителей, стабилизаторов напряжения, компараторов и т.п. [20].

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является дифференциальный усилитель тока (входной каскад операционного усилителя (ОУ) по патенту US 8.130.038, fig. 2, а также схема ДУТ по патенту US 7.701.290, fig. 6). Он содержит (фиг. 1) первый 1 и второй 2 токовые входы, связанные с соответствующими выходами дифференциального источника сигнала 3, согласованного с первой 4 шиной источника питания, первый 5 вспомогательный транзистор, затвор которого соединен со стоком и подключен к первому 1 токовому входу, второй 6 вспомогательный транзистор, затвор которого соединен со стоком и подключен ко второму 2 токовому входу, первый 7 выходной транзистор, сток которого соединен с первым 8 токовым выходом устройства, а исток подключен ко второй 9 шине источника питания, второй 10 выходной транзистор, сток которого подключен ко второму 11 токовому выходу устройства, а исток соединен со второй 9 шиной источника питания.

Существенный недостаток известного ДУТ состоит в том, что он имеет невысокий дифференциальный коэффициент усиления по току, который на практике определяется отношением площадей первого 5 вспомогательного и первого 7 выходного транзисторов (второго 6 вспомогательного и второго 10 выходного транзисторов). Как следствие, на базе известного ДУТ не реализуются, например, операционные усилители с повышенным коэффициентом усиления.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении коэффициента усиления по току ДУТ при сохранении у него опции rail-to-rail.

Поставленная задача достигается тем, что в дифференциальном усилителе фиг. 1, содержащем первый 1 и второй 2 токовые входы, связанные с соответствующими выходами дифференциального источника сигнала 3, согласованного с первой 4 шиной источника питания, первый 5 вспомогательный транзистор, затвор которого соединен со стоком и подключен к первому 1 токовому входу, второй 6 вспомогательный транзистор, затвор которого соединен со стоком и подключен ко второму 2 токовому входу, первый 7 выходной транзистор, сток которого соединен с первым 8 токовым выходом устройства, а исток подключен ко второй 9 шине источника питания, второй 10 выходной транзистор, сток которого подключен ко второму 11 токовому выходу устройства, а исток соединен со второй 9 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 12, второй 13, третий 14 и четвертый 15 дополнительные транзисторы, затвор первого 12 дополнительного транзистора соединен с первым 1 токовым входом устройства, затвор второго 13 дополнительного транзистора соединен со вторым 2 токовым входом устройства, стоки первого 12 и второго 13 дополнительных транзисторов согласованы с первой 4 шиной источника питания, сток третьего 14 дополнительного транзистора соединен с затвором первого 7 выходного транзистора и истоком первого 5 вспомогательного транзистора, сток четвертого 15 дополнительного транзистора соединен с затвором второго 10 выходного транзистора и истоком второго 6 вспомогательного транзистора, причем истоки первого 12 и второго 13 дополнительных транзисторов подключены к затворам третьего 14 и четвертого 15 дополнительных транзисторов, а истоки третьего 14 и четвертого 15 дополнительных транзисторов связаны со второй 9 шиной источника питания.

На чертеже фиг. 1 показана схема ДУТ-прототипа, а на чертеже фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 и п. 2 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 3, соответствующем п.3 и 4 формулы изобретения, показана схема включения заявляемого ДУТ с конкретным выполнением дифференциального источника сигнала 3.

На чертеже фиг. 4 приведена схема включения ДУТ-прототипа в структуре операционного усилителя с опцией rail-to-rail, для которой было проведено сравнительное (с фиг. 3) компьютерное моделирование разомкнутого коэффициента усиления.

На чертеже фиг. 5 показаны результаты сравнительного моделирования амплитудно-частотной характеристики схемы ОУ с ДУ-прототипом (фиг. 4) и схемы ОУ с заявляемым ДУТ (фиг. 3). Моделирование осуществлялось в среде Cadence на моделях транзисторов XFab для случая, когда сравниваемые ОУ имели 100% отрицательную обратную связь, а также для разомкнутого включения ОУ.

На чертеже фиг. 6 приведена зависимость напряжения смещения нуля (V_os) ОУ фиг. 3 на основе предлагаемого ДУТ от температуры (-140С÷+120С).

Дифференциальный усилитель токов фиг. 2 содержит первый 1 и второй 2 токовые входы, связанные с соответствующими выходами дифференциального источника сигнала 3, согласованного с первой 4 шиной источника питания, первый 5 вспомогательный транзистор, затвор которого соединен со стоком и подключен к первому 1 токовому входу, второй 6 вспомогательный транзистор, затвор которого соединен со стоком и подключен ко второму 2 токовому входу, первый 7 выходной транзистор, сток которого соединен с первым 8 токовым выходом устройства, а исток подключен ко второй 9 шине источника питания, второй 10 выходной транзистор, сток которого подключен ко второму 11 токовому выходу устройства, а исток соединен со второй 9 шиной источника питания. В схему введены первый 12, второй 13, третий 14 и четвертый 15 дополнительные транзисторы, затвор первого 12 дополнительного транзистора соединен с первым 1 токовым входом устройства, затвор второго 13 дополнительного транзистора соединен со вторым 2 токовым входом устройства, стоки первого 12 и второго 13 дополнительных транзисторов согласованы с первой 4 шиной источника питания, сток третьего 14 дополнительного транзистора соединен с затвором первого 7 выходного транзистора и истоком первого 5 вспомогательного транзистора, сток четвертого 15 дополнительного транзистора соединен с затвором второго 10 выходного транзистора и истоком второго 6 вспомогательного транзистора, причем истоки первого 12 и второго 13 дополнительных транзисторов подключены к затворам третьего 14 и четвертого 15 дополнительных транзисторов, а истоки третьего 14 и четвертого 15 дополнительных транзисторов связаны со второй 9 шиной источника питания.

В частном случае в качестве дифференциального источника сигнала 3 в схеме фиг. 2 могут использоваться дифференциальные датчики тока, а также классические дифференциальные каскады со входами 17 и 18, применяемые, например, в операционных усилителях и стабилизаторах напряжения и т.п.

На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, истоки первого 12 и второго 13 дополнительных транзисторов связаны со второй 9 шиной источника питания через токостабилизирующий двухполюсник 16. В частном случае, в качестве токостабилизирующего двухполюсника могут применяться резисторы, источники опорного тока, а также полевые транзисторы с объединенными выводами стока и затвора (фиг. 3).

На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, первый 8 токовый выход устройства подключен ко входу дополнительного токового зеркала 19, согласованного с первой 4 шиной источника питания, выход которого подключен ко второму 11 токовому выходу устройства.

Кроме этого, на чертеже фиг.3, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, второй 11 токовый выход устройства соединен со входом дополнительного буферного усилителя 20, выход которого 21 является дополнительным потенциальным выходом устройства.

На чертеже фиг. 3 первый 8 токовый выход устройства подключен ко входу дополнительного токового зеркала 19 через цепь согласования потенциалов 22, способствующую уменьшению нулевого уровня ОУ.

В схеме фиг. 3 дифференциальный источник сигнала 3 реализован в частном случае на полевых транзисторах 23, 24, 25, 26, затворы которых являются входами 27, 28, 29 и 30 мультидифференциального операционного усилителя на основе заявляемого ДУТ.

Рассмотрим работу ДУТ в схеме фиг. 3.

Особенность ДУТ фиг. 3 состоит в том, что в нем обеспечивается стабилизация статического режима за счет введения отрицательной обратной связи по синфазному сигналу, который выделяется на входах 1 и 2. В результате в схеме фиг. 3 при идентичных полевых транзисторах устанавливаются следующие уровни статических токов стоков первого 5 и второго 6 вспомогательных транзисторов, третьего 14 и четвертого 15 дополнительных транзисторов, а также первого 7 и второго 10 выходных транзисторов:

I_с5=I_с6=I₀, I_c14=I_c15=I₀, I_с7=I_с10=I₀,

где I₀ - статический ток первого 1 и второго 2 токовых входов, который задается дифференциальным источником сигнала 3.

Повышенный коэффициент усиления по току в схеме рис. 3 реализуется благодаря высокому значению эквивалентного сопротивления на первом 1 и втором 2 токовых входах:

где S₁₄, S₁₅ - крутизна стокозатворной характеристики соответствующих полевых транзисторов (14, 15),

μ₁₄, μ₁₅ ^_ коэффициенты внутренней обратной связи соответствующих транзисторов (14, 15), характеризующие влияние напряжения на стоке на напряжение затвор-исток (μ=ΔU_зи/ΔU_сз при I_и=const).

Как следствие, коэффициент усиления по току предлагаемого ДУТ существенно возрастает

Если считать, что μ₁₄≈μ₁₅≈10^-2, то при S₇=S₁₄, S₁₀=S₁₅ из (3), (4) получаем, что теоретическое значение K_i1≈K_i2≈100. Заметим, что в ДУ-прототипе K_i=l.

Как показывает эксперимент (фиг. 5), предлагаемый дифференциальный усилитель токов имеет (в сравнении с прототипом) на 30 дБ более высокий коэффициент усиления, а также характеризуется повышенной верхней граничной частотой при 100% обратной связи, которая в 8 раз выше аналогичного параметра ДУТ-прототипа.

Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с известным техническим решением.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Патент US 6.008.667, fig. 1.

2. Патентная заявка US 2008/0278232, fig. 1, fig. 3.

3. Патент US 6.429.735.

4. Патентная заявка US 2005/0017809.

5. Патент US 7.405.622, fig. 3.

6. Патентная заявка US 2006/0226908.

7. Патентная заявка US 2008/0079491, fig. 1.

8. Патентная заявка US 2004/0189386.

9. Патентная заявка US 2004/0174216, fig. 1.

10. Патентная заявка US 2003/0206060, fig. 1.

11. Патент US 6.794.940, fig. 9.

12. Патент US 5.831.480.

13. Патентная заявка US 2006/0226877, fig. 3.

14. Патентная заявка US 2010/0301917, fig. 3.

15. Патент US 8.130.038.

16. Патентная заявка US 2003/0076163, fig. 2.

17. Патентная заявка US 2003/0132803, fig. 4.

18. Патент US 7.183.852, fig. 3.

19. Патентная заявка US 2009/0237163.

20. Эннс В.И., Кобзев Ю.М. Проектирование аналоговых КМОП-микросхем. Краткий справочник разработчика /Под редакцией канд. техн. наук В.И. Эннса. - М.: Горячая линия-Телеком. - 2005. - 454 с.-С. 207. - Рис. 3.82