×
04.04.2018
218.016.36be

Результат интеллектуальной деятельности: СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области сцинтилляционных γ-спектрометров, точнее к спектрометрам энергий на основе сцинтилляторов NaI:Tl, CsI:Tl, CsI:Na, LaCl:Ce и других, характеризующихся многокомпонентными световыми вспышками с сильной зависимостью постоянных времени высвечивания от температуры кристалла. Для исключения влияния упомянутой зависимости на быстродействие спектрометра в широком температурном диапазоне в состав спектрометра, процессор детекторных импульсов которого может содержать схему укорачивания с компенсацией полюса нулем, вводятся дополнительные аналогичные схемы укорачивания с постоянными времени со стороны входов попарно равными постоянным времени подлежащих укорачиванию экспоненциальных составляющих первичного электрического импульса на выходе оптически сочлененного со сцинтиллятором фотосенсора, при этом постоянные времени со стороны выходов упомянутых схем выбираются большими, чем постоянная времени спада ближайшей более быстрой компоненты для предотвращения образования выброса противоположной полярности, а постоянные времени со стороны входа схем укорачивания, настроенных на экспоненциальные компоненты первичного сигнала, автоматически изменяются при изменении рабочей температуры в соответствии с законами температурного изменения компонент высвечивания сцинтиллятора. 13 ил.

Настоящее изобретение относится к области сцинтилляционных γ-спектрометров, точнее к спектрометрам энергий на основе сцинтилляторов NaI:Tl, CsI:Tl, CsI:Na, LaCl3:Ce и других, характеризующихся многокомпонентными световыми вспышками.

Принцип действия любого сцинтилляционного γ-спектрометра состоит в преобразовании энергий поглощенных в сцинтилляторе гамма-квантов в относительно короткие световые вспышки с пропорциональным числом фотонов; сборе фотонов сцинтилляций на чувствительной поверхности фотосенсоров, конвертирующих световые импульсы в электрические импульсы тока; усилении и преобразовании импульсов тока в пропорциональные импульсы напряжения, жесткой привязки базовой линии спектрометра к нулю (устранение дрейфа и флуктуаций исходного уровня); придании детекторным импульсам заданной формы (с помощью аналогового или цифрового формирователя); выявлении и отбраковке импульсов, чьи амплитуды искажены взаимными наложениями во времени и коррекции просчетов (коррекции мертвого времени); преобразовании амплитуд отобранных импульсов в цифровые коды, сортировке этих кодов и построении аппаратурных энергетических спектров измеряемых излучений; компенсации температурных вариаций световыхода сцинтиллятора. Пики в аппаратурном спектре отражают энергии зарегистрированных γ-квантов, а их площади - содержание нуклида в пробе.

Классический сцинтилляционный γ-спектрометр (фиг. 1) [Belousov М.Р. и др. Портативный сцинтилляционный гамма-спектрометр СТАРК-01. Аналитика и контроль V. 15 (2011) №4. с. 429-438] содержит: детектирующий модуль 1, состоящий из оптически соединенных неорганического сцинтиллятора (чаще всего NaI:T1) и вакуумного фотоэлектронного умножителя (РМТ), а также высоковольтного источника питания фотоумножителя (High voltage source) и датчика температуры сцинтиллятора (для использования при температурной стабилизации шкалы спектрометра); линейный усилитель 2; процессор детекторных импульсов 3, включающий в себя схему дифференцирования с "компенсацией полюса нулем" (P-Z-differentiator); стабилизатор базовой линии (Base-line stabilizer), две или три секции активных интеграторов (Active integrators), аналого-цифровой преобразователь (Analogue-to-digital convenor - ADC), устройство таймирования (временной привязки) к спектрометрическим импульсам (Timing circuit), инспектор наложенных импульсов (Pile-up inspector) и корректор "мертвого" времени спектрометра (Dead time corrector); контроллер с интерфейсом 4 (Controller & Interface) для управления процессором детекторных импульсов и двусторонней связи с компьютером.

Структуры сцинтилляционных спектрометров могут незначительно отличаться от показанной на фиг. 1. Так вместо вакуумного фотоэлектронного умножителя (РМТ) могут применяться полупроводниковые фотосенсоры - кремниевые фотодиоды (PhD), лавинные фотодиоды (APhD) или кремниевые фотоумножители (SiPM). PhD не имеют внутреннего усиления числа образованных носителей электрического заряда (электронов и дырок), а усиление в APhD лежит в пределах 50-100 раз (для РМТ и SiPM усиление может достигать 106 раз). Если вместо РМТ применяются PhD или APhD, то между выходом фотосенсора и входом линейного усилителя включают низкошумящий зарядочувствительный предусилитель (ChA) для компенсации отсутствия или малого собственного усиления этих фотосенсоров. Применение ChA в иных случаях крайне нежелательно, т.к. из-за длинных фронтов импульсов, образующихся при интегрировании импульса тока зарядочувствительным предусилителем, точная временная привязка к ним всегда затруднительна.

Сцинтилляционные вспышки имеют вид одной или суммы нескольких спадающих во времени экспонент с крутым (0,1÷10 нс) фронтом и относительно медленным спадом [Акимов Ю.К. Фотонные методы регистрации излучений. Дубна: ОИЯИ, 2014 г. 323 с.]. Постоянная времени спада световой вспышки называется постоянной времени высвечивания сцинтиллятора τd. Для практически применяемых неорганических сцинтилляторов τd лежит в пределах от 15 нс до нескольких мкс.

Важнейшей характеристикой спектрометра является энергетическое разрешение, определяемое как ширина пика полного поглощения γ-квантов с энергией Eγ на половине высоты (Full Width on Half Maximum - FWHM), а также относительное энергетическое разрешение η=FWHM/Eγ. Сцинтилляционные γ-спектрометры принято характеризовать и сравнивать между собой по относительному энергетическому разрешению на линии источника 137Cs с энергией Eγ=662 кэВ. Энергетическое разрешение сцинтилляционного спектрометра с РМТ и SiPM имеет две главные составляющие [Moszynski М. et al. Temperature dependences of LaBr3(Ce), LaCl3(Ce) and NaI(T1) scintillators. Nucl. Instr. & Meth. in Phys. Res. A 568 (2006) 739-751]: собственное энергетическое разрешение ηint (неоднородности сцинтилляционного кристалла) и статистическая составляющая ηst (вероятностный характер преобразования энергий γ-квантов в числа носителей электрических зарядов). Полное энергетическое разрешение ηtot получается квадратичным суммированием этих составляющих:

Первая составляющая (ηint) определяется материалом кристалла сцинтиллятора и технологией его выращивания. Вторая, и преобладающая, статистическая составляющая во многом зависит от того, как построен электронный тракт спектрометра. Значение ηst дается формулой (2):

где N - число первичных носителей электрического заряда (фотоэлектронов).

где LY - световыход сцинтиллятора, т.е. число испущенных фотонов света на 1 кэВ энергии поглощенного γ-кванта или заряженной частицы (LY≈35 для NaI:T1); QE - квантовая эффективность фотокатода РМТ или кристалла SiPM (QE=0,25÷0,43 для фотоумножителей Hamamatsu в области длин волн высвечивания NaI.T1).

В спектрометрах энергий ионизирующих излучений электрической величиной, линейно связанной с поглощенной в рабочем веществе детектора энергией γ-кванта, является амплитуда импульса оптимальной (с точки зрения светосбора и быстродействия) формы, измеряемая с помощью аналого-цифрового преобразователя (ADC). Относительные флуктуации амплитуд на входе ADC будут тем меньше, чем больше фотонов световых вспышек и, соответственно, первичных электронов фотосенсора вносят свой вклад в формирование этих амплитуд. Следовательно, первое требование к сформированным импульсам - время Tpeak достижения ими амплитудного (пикового) значения должно быть достаточно большим, чтобы сцинтилляционные вспышки к этому моменту затухали до уровня, например, 5÷10% (сбор 95÷90% фотонов).

Второе требование к сформированным импульсам вытекает из статистического характера распределения γ-квантов или заряженных частиц во времени и необходимости применения спектрометра в интенсивных полях излучения. Чем выше интенсивность излучения (число γ-квантов в единицу времени) и чем длиннее сформированные импульсы, тем вероятнее их взаимное перекрытие во времени и, следовательно, искажение их амплитуд. Важнейшим параметром спектрометра, характеризующим его быстродействие, является микроскопическое мертвое время TD [Игнатьев О.В. Сравнение возможностей аналоговых и цифровых спектрометров рентгеновского излучения с полупроводниковыми детекторами. Аналитика и контроль (2006) №3-4, с. 223-232]. Оно определяется как сумма минимально возможных интервалов времени между моментами возникновения данного спектрометрического импульса, предыдущего и последующего, при которой не происходит искажение из-за наложений амплитуды Vmax данного импульса. Для идеально спроектированного спектрометра с время-инвариантным формированием сигналов TD просто равно сумме времен достижения максимума Tpeak и спада импульса TF, т.е. полной длительности Tw сформированного детекторного сигнала (фиг. 2). Длительность спадающей части сформированных детекторных импульсов TF обычно измеряется как время от момента максимума Tpeak до достижения уровня 1% или 0,1% Vmax.

Зависимость скорости накопления кодов амплитуд Ro "очищенных" от наложений импульсов от интенсивности Ri детектируемых сцинтиллятором γ-квантов дается формулой (4):

На фиг. 3 показана зависимость (4) для спектрометра со сцинтиллятором NaI:T1 при условиях: τd=225 ns; Tpeak=5,92 τd; Tw≈16τd (квазигауссово формирование на 3-х активных интеграторах с τintd). Отметим, что с ростом статистической загрузки по входу спектрометра свыше Ri≥Rmax происходит уменьшение скорости накопления спектра из-за уменьшения числа неискаженных взаимными наложениями спектрометрических импульсов.

Таким образом, свойства сцинтилляционного γ-спектрометра будут оптимальными с точки зрения энергетического разрешения и быстродействия, если сформированные детекторные импульсы будут достигать максимума при t=Tpeak после спада сцинтилляционной вспышки до уровня 5÷10%, а время спада TF будет удовлетворять условию (5):

Эти требования достаточно легко удовлетворяются на практике, если имеется одна постоянная высвечивания сцинтиллятора τd, достаточно стабильная при изменении температуры. Спектрометр со структурой на фиг. 1 предназначен для применения именно в этих условиях - сцинтилляторы LaBr3:Ce и YAlO3:Ce, примененные в работах [Belousov М.Р. и др. Портативный сцинтилляционный гамма-спектрометр СТАРК-01. Аналитика и контроль V.15 (2011) №4. с. 429-438; Belousov М.Р. et al. Scintillation spectrometer SBL-1 for the x-ray densitometer of radioactive technological solutions. Analytics and Control V. 17 (2013) №1, P. 21-26] действительно имеют по одной стабильной постоянной высвечивания τd (16 нс для LaBr3:Ce и 25 нс для YAlO3:Ce).

Многие из применяемых в коммерческих спектрометрах сцинтилляторов, например NaI:T1, CsI:T1, LaCl3:Ce и другие, имеют две и более компонент высвечивания. Характерной особенностью является то, что чем медленнее компонента высвечивания, тем в большей степени ее постоянная времени зависит от температуры. Рассмотрим свойства спектрометра со старейшим и наиболее широко применяемым сцинтиллятором NaI:T1 в условиях широкого диапазона изменения температуры окружающей среды.

До относительно недавнего времени было общепринято, что сцинтиллятор NaI:T1 имеет одну стабильную постоянную времени высвечивания τd=230 нс [Knoll G.F. Radiation Detection and Measurement. 3-rd Edition. New York, 1999 John Wiley & Sons, Inc. 802 p.; Акимов Ю.К. Фотонные методы регистрации излучений. Дубна: ОИЯИ, 2014 г. 323 с.]. Соответственно, при проектировании спектрометров с этим сцинтиллятором их структура и настройки создавались исходя из этого значения τd [Drndarevic V. et al. Amplifier with time-invariant trapezoidal shaping and shape-sensitive pileup rejector for high-rate spectroscopy. IEEE Trans, on Nucl. See. (1989) v. 36, №1, p. 1326-1329; Dudin S.V. et al. A fast signal processor for Nal(TI) detectors. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. A 352 (1995) 610-613]. В первой работе достигнута статистическая загрузка по входу Ri≥3×105 1/с при Tpeak≈345 нс TD≈575 нс, а во второй - Ri≥106 1/с при Tpeak≈225 нс TD≈1250 нс.

В работе [Moszynski М. et al. Temperature dependences of LaBr3(Ce), LaCl3(Ce) and NaI(T1) scintillators. Nucl. Instr. & Meth. in Phys. Res. A 568 (2006) 739-751] показано, что для сцинтиллятора NaI:T1 характерны как минимум две компоненты высвечивания с очень сильными зависимостями их параметров от температуры. На фиг. 4 приведены температурные зависимости интенсивностей, а на фиг. 5 - постоянных времени высвечивания. Из приведенных зависимостей следуют выводы:

1. При построении быстродействующего спектрометра необходимо учитывать медленную компоненту высвечивания. Ее вклад в энергию световой вспышки при комнатной температуре около 20%, а постоянная времени τds почти в 5 раз больше, чем постоянная времени основной, быстрой компоненты τdf≈225 нс.

2. Влияние медленной компоненты возрастает с понижением температуры ниже комнатной.

Реальная форма импульса тока фотокатода для сцинтиллятора NaI.T1 (без учета статистических флуктуаций и без учета сверхбыстрой компоненты, наличие которой не подтверждено другими работами) показана на фиг. 6. Там же приведена нормированная на единицу временная зависимость числа испущенных фотонов света (образованных в веществе фотокатода электронов), позволяющая оценить требуемое значение Tpeak, при котором 90 или 95% фотонов вспышки внесут свой вклад в значение Vmax сформированного детекторного импульса. Из графика временной зависимости числа испущенных фотонов можно сделать вывод о том, что момент измерения амплитуды должен удовлетворять условию (6):

Сигнал, полученный после интегрирования импульса тока фотосенсора 3-мя активными интеграторами (иногда ограничиваются 2-мя) с постоянной интегрирования τintdf=225 нс, показан на фиг. 7. Параметры этого импульса таковы: Tpeak=1,22τds; Tw≈TD=4,5τds; Tw/Tpeak≈3,68 (идеальный гауссиан характеризуется Tw/Tpeak≈2,0). В случае отсутствия медленной компоненты высвечивания сформированный импульс был бы гораздо более симметричным, а микроскопическое мертвое время гораздо меньше: Tpeak=1,20τds; Tw≈TD=3,0τds; Tw/Tpeak≈2,5. Именно для этих параметров рассчитана передаточная характеристика спектрометра, показанная на фиг. 3. Задача получения более коротких сформированных детекторных импульсов, при том что условие (6) выполнено и, соответственно, увеличение быстродействия спектрометра частично решается стандартным образом - укорачиванием показанного на фиг. 6. двухкомпонентного экспоненциального импульса с помощью показанной на фиг. 1 схемы дифференцирования с "компенсацией полюса нулем" (P-Z-differentiator). При этом, в силу того что импульс состоит из двух компонент, на выходе дифференциатора невозможно получить однокомпонентный однополярный импульс с произвольно малой постоянной времени спада. Сцинтилляционная вспышка LF(t) при наличии двух компонент высвечивания в первом приближении описывается выражением (7):

где Eγ - энергия, оставленная γ-квантом в веществе сцинтиллятора;

LY - световыход сцинтиллятора, фотонов на кэВ поглощенной энергии;

Af и As - относительные интенсивности быстрой и медленной компонент;

τdf и τds - постоянные времени высвечивания быстрой и медленной компонент.

Импульс тока I(t) на фотокатоде фотоэлектронного умножителя (или иного фотосенсора) описывается такой же по виду функцией с соответствующими коэффициентами:

где QE - квантовая эффективность фотосенсора.

Если бы импульс тока (или напряжения) представлял собой одну экспоненту, например медленную Is(t), и описывался бы второй частью выражения (8), то выбрав соответствующим образом параметры дифференциатора, на его выходе получали бы экспоненциальный импульс с уменьшенной в любое число раз постоянной времени τout=R1⋅R2C/(R1+R2). Действительно, применив преобразование Лапласа, имеем изображение импульса на входе P-Z-дифференциатора:

где p - комплексная переменная преобразования Лапласа.

Передаточная функция P-Z-дифференциатора в операторном виде дается выражением (10):

где m - коэффициент, показывающий во сколько раз уменьшается τin.

Коэффициент m, для показанной на фиг. 1 реализации дифференциатора, равен:

Если выбрать R1C=τinds, то при перемножении (9) и (10) и сокращении скобок в знаменателе (9) и в числителе (10) вновь получается операторная функция, описывающая экспоненциальный сигнал, но уже с постоянной времени τout, которая в m раз меньше исходной τds. В этом и состоит компенсация полюса (знаменателя) изображения сигнала нулем (числителем) передаточной функции дифференциатора.

В случае, когда импульс представляет собой суперпозицию 2-х и более экспонент, попытка выполнить "короткое" дифференцирование, когда τout≤τdf, приводит лишь к образованию у сигналов выбросов противоположной полярности из-за того, что параметры дифференциатора не согласованы с постоянной времени быстрой экспоненты. Образующийся выброс увеличивает длительность сформированных детекторных импульсов Tw, а быстродействие спектрометра падает. На фиг. 8 показано действие дифференциатора с компенсацией полюса нулем на обе компоненты и на импульс в целом, являющемся их суперпозицией. Строго униполярный импульс получается для m=1,195. При этом отрицательный выброс с амплитудой ≈1% от Vmax, образующийся у быстрой компоненты, компенсируется укороченной медленной компонентой. Более сильное укорачивание (m>1,195) приводит к увеличению выброса у быстрой компоненты, образованию отрицательного выброса у суммарного импульса и, следовательно, увеличению его длительности. После интегрирования 3-мя активными интеграторами с τintdf=225 нс формируется квазигауссов импульс с параметрами: Tpeak=1,2τds; Tw=TD=3,0τds; Tw/TPeak≈2,5. Такие же параметры достигаются в случае, когда исходный импульс имеет только одну, быструю, компоненту. Если исходный импульс тока состоит из большего числа компонент, например 3-х, как в случае сцинтиллятора CsI:T1 [Grodzicka М. et al. Characterization of CsI:T1 at a wide temperature range (-40°C to+22°C). Nucl. Instr. & Meth. in Phys. Res. A 707 (2013) 73-79], где τ1=730 нс (47,5%), τ2=3,1 мкс (30%), τ3=16 мкс (22.5%), то однократное укорачивание исходного импульса с компенсацией полюса нулем оказывается неэффективным. Для сбора 95% фотонов необходимо обеспечить Tpeak=1,5τ3, а допустимое значение степени укорачивания без образования выброса составляет величину m=1,25. 3-кратное активное интегрирование с τint=1,5τ2 дает квазигауссовы импульсы с нужным значением Tpeak (1,5τ3) и неважной симметрией - отношение Tw/Tpeak≈3,1. Это значительно хуже, чем в случае интегрирования 2-компонентных сигналов от NaI:T1 (здесь Tw/Tpeak≈2,70).

Другой недостаток классического сцинтилляционного спектрометра-прототипа [Belousov М.Р. и др. Портативный сцинтилляционный гамма-спектрометр СТАРК-01. Аналитика и контроль V. 15 (2011) №4. с. 429-438] с кристаллами, имеющими несколько компонент высвечивания, связан со значительным изменением под действием температуры постоянных времени высвечивания компонент сцинтилляций (см. фиг. 5, например). На фиг. 9 на основании данных работы [Moszynski М. et al. Temperature dependences of LaBr3(Ce), LaCl3(Ce) and NaI(T1) scintillators. Nucl. Instr. & Meth. in Phys. Res. A 568 (2006) 739-751] представлено изменение сформированного детекторного импульса при понижении температуры от комнатной до -22°C (типичная ситуация для портативных γ-спектрометров в полевых условиях, где допустимый нижний предел температуры может быть -25°C).

Можно видеть, что длительность сформированного детекторного импульса Tw, а соответственно и микроскопическое мертвое время TD увеличиваются в 2 раза, т.е. с понижением температуры в такое же число раз падает быстродействие спектрометра. Это критически много.

Недостатками сцинтилляционного спектрометра - прототипа [Belousov М.Р. и др. Портативный сцинтилляционный гамма-спектрометр СТАРК-01. Аналитика и контроль V. 15 (2011) №4. с. 429-438] являются следующие:

1. При двух и более компонентах высвечивания сцинтиллятора существуют ограничения в допустимой степени укорачивания детекторных импульсов - может быть укорочена только самая медленная компонента и после укорачивания она остается более медленной, чем предыдущая, более быстрая компонента.

2. Из-за сильной температурной зависимости постоянных времени высвечивания компонент сцинтилляционной вспышки оптимальное укорачивание первичных детекторных импульсов возможно только в узком температурном интервале.

Задачей изобретения является создание гамма-спектрометра со сцинтилляторами, имеющими несколько компонент высвечивания, в котором энергия сцинтилляционных вспышек максимально полно трансформируется в амплитуды электрических импульсов, чья длительность минимальна для достижения предельного быстродействия и стабильна в широком диапазоне изменения рабочей температуры.

Указанная задача решается тем, что в состав спектрометра, процессор детекторных импульсов которого может содержать схему укорачивания с компенсацией полюса нулем, вводятся дополнительные аналогичные схемы укорачивания с постоянными времени со стороны входов, попарно равными постоянным времени подлежащих укорачиванию экспоненциальных составляющих первичного электрического импульса на выходе оптически сочлененного со сцинтиллятором фотосенсора, при этом постоянные времени со стороны выходов упомянутых схем выбираются большими, чем постоянная времени спада ближайшей более быстрой компоненты для предотвращения образования выброса противоположной полярности, а постоянные времени со стороны входа схем укорачивания, настроенных на экспоненциальные компоненты первичного сигнала, автоматически изменяются при изменении рабочей температуры в соответствии с законами температурного изменения компонент высвечивания сцинтиллятора.

Реализация спектрометра показана на фиг. 10, где приведена одна из возможных конструкций. Заявляемый спектрометр содержит последовательно включенные: детектирующий модуль 1, состоящий из оптически соединенных неорганического сцинтиллятора с двумя или более постоянными высвечивания и вакуумного (РМТ) или полупроводникового (SiPM) фотоэлектронного умножителя, а также высоковольтного источника питания фотоумножителя (high voltage source) и датчика температуры сцинтиллятора; линейный усилитель 2; модуль дифференцирования 3, содержащий как минимум один дифференциатор с "компенсацией полюса нулем", чья постоянная времени со стороны входа согласована с постоянной времени высвечивания наиболее медленной компоненты сцинтилляционной вспышки и изменяется в функции от температуры сцинтиллятора синхронно с изменением от температуры упомянутой постоянной высвечивания, а постоянная времени со стороны выхода превышает постоянную времени высвечивания ближайшей более быстрой компоненты; процессор детекторных импульсов 4, включающий в себя дифференциатор с "компенсацией полюса нулем", согласованный по входу с одной из быстрых компонент высвечивания сцинтиллятора, стабилизатор базовой линии, две или три секции активных интеграторов, аналого-цифровой преобразователь, устройство таймирования спектрометрических импульсов, инспектор наложенных импульсов и корректор "мертвого" времени спектрометра; контроллер с интерфейсом 5 для управления процессором детекторных импульсов и двусторонней связи с компьютером.

Главные отличия заявляемого сцинтилляционного γ-спектрометра, показанного на фиг. 10 от спектрометра-прототипа на фиг. 1, состоят в следующем:

1. Введен модуль дифференцирования 3, содержащий один или несколько дифференциаторов с "компенсацией полюса нулем". Общее число дифференциаторов, включая имеющийся в процессоре детекторных импульсов 4, равно числу экспоненциальных составляющих первичного электрического сигнала, подлежащих укорачиванию. Входные постоянные времени каждого из дифференциаторов попарно согласуются с постоянными времени подлежащих укорачиванию компонент первичного электрического импульса, а выходные постоянные времени должны превышать постоянную времени ближайшей более быстрой компоненты импульса.

2. Постоянные времени со стороны входа дифференциаторов, предназначенных для укорачивания медленных компонент импульса, изменяются синхронно и в том же направлении с изменением температуры, что и соответствующие им постоянные времени высвечивания сцинтиллятора. Для этого используется имеющийся в детектирующем модуле датчик температуры сцинтилляционного кристалла и хранящиеся в контроллере 5 таблицы температурных зависимостей величин медленных постоянных высвечивания.

Укорачивание многокомпонентных детекторных импульсов на примере сцинтиллятора NaI:T1 иллюстрируется на фиг. 11.

"P-Z"-дифференциатор 3 на фиг. 10 настроен на медленную компоненту высвечивания сцинтиллятора NaI:T1, т.е. τin1ds=1,1 мкс. При комнатной температуре его "выходная" постоянная времени τout1ds/1,195, как было описано выше. Начальная часть импульса на его выходе и составляющих его компонент показана на фиг. 11а (повторяет фиг. 8). Второй "P-Z"-дифференциатор, размещенный в данном случае в процессоре детекторных импульсов 4, согласуется с быстрой компонентой высвечивания, т.е. τin2df=0,225 мкс. Условием получения униполярного импульса с минимальной длительностью на выходе этого дифференциатора является τout2df/1,25. Форма импульса на выходе второго "P-Z"-дифференциатора и составляющих его двух компонент приведены на фиг. 11b. Сравнение графиков показывает, что униполярный импульс вновь получается взаимной компенсацией дважды укороченной униполярной медленной компоненты и отрицательной части дважды укороченной быстрой компоненты, чей переход через ноль после второго укорачивания с коэффициентом n=1.25 происходит раньше. Результат - получение более короткого униполярного импульса с эффективной постоянной времени τeffdf. С очень высокой степенью точности можно утверждать, что τeffdf/n=225/1,25=180 нс.

Возможность получения таким путем более коротких и строго униполярных импульсов доказывается математически строго.

Окончательно сформированный детекторный импульс (два "P-Z"-дифференцирования и 3 стадии активного интегрирования) имеет параметры: микроскопическое мертвое время TD=Tw=2,9τds; время достижения максимума Tpeak=1,15; Tw/Tpeak≈2,5.

При уменьшении температуры окружающей среды, благодаря введенным подстройкам "входных" постоянных времени τin1 и первого τin2 "P-Z"-дифференциаторов по показаниям датчика температуры сцинтилляционного кристалла, обеспечивается постоянство формы сформированных детекторных импульсов на входе аналого-цифрового преобразователя. На фиг. 12 показано влияние температуры сцинтиллятора NaI:T1 (Т=-20°C) на форму квазигауссова импульса в следующих условиях: τds=1,6 мкс, As=0,6, τdf=450 нс, Af=0,4 при условиях, когда автоматически подстраиваются постоянные времени обоих дифференциаторов (сплошные линии) и в случае автоподстройки лишь τin1 (пунктирная линия).

Сравнивая данные фиг. 9 и фиг. 12, можно видеть, что температурная автоподстройка постоянной времени только "медленного" дифференциатора 3 на фиг. 10 не обеспечивает полной инвариантности формы импульсов к температурным изменениям постоянных высвечивания сцинтиллятора. Введение в структуру спектрометра второго "P-Z"-дифференциатора с температурной автоподстройкой входной постоянной времени оправдано даже в случае, когда при нормальных условиях форма и длительность импульсов после однократного укорачивания могут считается удовлетворительными.

Одна из возможных технических реализаций "P-Z"-дифференциатора с управляемой в функции от температуры постоянной времени со стороны входа показана на фиг. 13.

Показанный на схеме "a" резистор Radj выполняет роль переменного делителя импульсного напряжения, поступающего на Ri. При нахождении движка Radj в крайнем верхнем положении τin=CdRi. При нахождении движка Radj в крайнем нижнем положении τin=∝, т.е. "Р-Z"-дифференциатор превращается в обычный CR-дифференциатор и на его выходе получается униполярный импульс только в одном случае - когда на входе действует бесконечная по времени "ступень" напряжения. На практике всегда стремятся выполнять условие Radj>>Ri. Этим обеспечивается постоянство "выходной" постоянной времени, определяемой произведением Cd на сопротивление в точке соединения Ri, Ro и Cd. Буферный каскад изолирует дифференциатор от влияния последующих электронных схем.

Схема "b" совершенно аналогична рассмотренной. Роль резистора Radj здесь выполняет линейный усилитель с программно-управляемым усилением (выпускаются в виде микросхем). При указанных пределах изменения усиления эффективное значение τin может с определенным шагом меняться в пределах τin_eff=CdRi/(0,2÷5).

Технический результат применения заявляемого сцинтилляционного гамма-спектрометра состоит в том, что увеличивается быстродействие и расширяется температурный диапазон применения спектрометров со сцинтилляционными кристаллами, имеющими две и более компонент высвечивания со значительной температурной зависимостью постоянных высвечивания.

Перечень фигур графических изображений.

Фиг. 1. Обобщенная структура классического сцинтилляционного γ-спектрометра

Фиг. 2. Определение микроскопического мертвого времени TD. Стрелками показаны моменты возникновения γ-квантов, инициировавших сформированные детекторные импульсы

Фиг. 3. Передаточная характеристика спектрометра со сцинтиллятором NaI:T1

Фиг. 4. Температурные зависимости интенсивностей компонент высвечивания NaI:T1. Fast - быстрая (основная) компонента; superfast - сверхбыстрая компонента; slow - медленная

Фиг. 5. Температурные зависимости постоянных времени высвечивания NaI:T1

Фиг. 6. Форма вспышки NaI:T1 и нормализованная зависимость числа испущенных фотонов от времени. Время в единицах медленной постоянной высвечивания τds=1,1 мкс

Фиг. 7. Сформированный детекторный импульс на выходе 3-го активного интегратора

Фиг. 8. Действие дифференциатора, согласованного с параметрами медленной компоненты на составляющие импульса и на импульс в целом. Показаны основания импульсов. Быстрая компонента описывается 2-мя экспонентами

Фиг. 9. Температурное изменение сформированного импульса с укороченной в 1,195 раза медленной компонентой для спектрометра с кристаллом NaI:T1: τds увеличивается при понижении температуры до -22°C с 1,1 до 1,6 мкс, относительная интенсивность As возрастает с 20 до 40% при снижении относительной интенсивности быстрой компоненты с 80 до 60%

Фиг. 10. Структура заявляемого сцинтилляционного γ-спектрометра

Фиг. 11. Начальные части импульсов после первого (a) и второго (b) укорачиваний. Укороченная быстрая компонента описывается 2-мя экспонентами

Фиг. 12. Нормализованные по амплитуде квазигауссовы импульсы спектрометра с кристаллом NaI:T1 и автоподстройкой входных постоянных времени "P-Z"-дифференциаторов при двух значениях температуры. Сплошная линия - автоподстройка двух дифференциаторов, пунктирная - автоподстройка дифференциатора медленной компоненты

Фиг. 13. "P-Z"-дифференциаторы: стандартная схема с ручной подстройкой "входной" постоянной времени (а) и дифференциатор с программным управлением "входной" постоянной времени (b). Aadj - линейный усилитель с программно-управляемым усилением

Сцинтилляционный спектрометр ионизирующих излучений, содержащий сцинтилляционный кристалл с несколькими компонентами высвечивания, например CsI:T1 или NaI:T1; датчик температуры сцинтилляционного кристалла и находящийся в оптическом контакте со сцинтилляционным кристаллом фотосенсор с внутренним усилением, выход которого соединен с низкоомным входом электронного канала, включающего линейный усилитель, процессор детекторных импульсов и контроллер с интерфейсом внешних устройств, отличающийся тем, что между выходом линейного усилителя и аналоговым входом процессора детекторных импульсов включены одна или несколько дифференцирующих цепей "с компенсацией полюса нулем", постоянные времени которых со стороны входов равны попарно постоянным времени высвечивания сцинтиллятора, а постоянные времени со стороны выходов упомянутых схем выбираются большими, чем постоянная времени спада ближайшей более быстрой компоненты, при этом дифференцирующие цепи, настроенные по входам на постоянные высвечивания сцинтиллятора с существенной зависимостью от температуры сцинтиллятора, снабжены устройствами автоматической подстройки по командам контроллера постоянных времени со стороны входа к температурным изменениям упомянутых постоянных времени высвечивания.
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ ГАММА-СПЕКТРОМЕТР
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 81-90 из 107.
10.04.2016
№216.015.2e56

Способ бесконтактного измерения отклонений от номинального значения внутренних размеров металлических изделий и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технике неразрушающего контроля изделий, а именно к устройствам для бесконтактного измерения отклонений от номинального значения внутренних размеров металлических изделий с использованием электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, и может быть применено в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002579644
Дата охранного документа: 10.04.2016
10.04.2016
№216.015.2eb1

Способ получения изделий типа стакан из немерных концов труб

Изобретение относится к области металлургии, а точнее к методам утилизации немерных концов труб, предпочтительно из нержавеющей стали. Способ включает разделку исходной трубы на мерные и немерные отрезки. При этом немерные отрезки дополнительно нарезают на заготовки определенной длины....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002580257
Дата охранного документа: 10.04.2016
10.04.2016
№216.015.2f33

Оправка для калибрования внутреннего канала труб

Изобретение относится к обработке металлов давлением и используется в производстве труб при изготовлении особо точных труб по внутреннему диаметру. Оправка имеет рабочую часть и расположенную за ней калибрующую часть в виде цилиндрического участка. Уменьшение интенсивности внеконтактной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002580262
Дата охранного документа: 10.04.2016
10.04.2016
№216.015.31e9

Мобильная волновая электростанция

Изобретение относится к гидроэнергетике и может быть использовано для выработки электроэнергии от движения волн в больших водоемах, морях или океанах. Мобильная волновая электростанция содержит плавающую платформу с размещенной на ней волноприемной камерой, соединенной с воздуховодом и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002580251
Дата охранного документа: 10.04.2016
20.04.2016
№216.015.3341

Способ и устройство определения плотности и/или поверхностного натяжения образца металлического сплава

Изобретение относится к технической физике, а именно к определению физико-химических параметров металлических сплавов методом геометрии «большой капли», т.е. путем измерения параметров неподвижно лежащей на подложке эллипсовидной капли образца сплава посредством фотометрической объемометрии....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582156
Дата охранного документа: 20.04.2016
10.05.2016
№216.015.3c99

Способ определения интенсивности структурной перестройки расплавов жаропрочных сплавов

Использование: для определения свойств многокомпонентных сложнолегированных жаропрочных расплавов, основанного на изучении крутильных колебаний цилиндрического тигля с расплавом. Сущность изобретения заключается в том, что определяют температурные зависимости свойств образца расплава с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002583343
Дата охранного документа: 10.05.2016
20.05.2016
№216.015.3e9c

Материал для конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sios на кремниевой подложке

Изобретение относится к люминесцентным материалам для конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона, предназначенным для создания функциональных элементов фотонных приборов нового поколения, а также для контроля жесткого ультрафиолетового излучения в вакуумных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002584205
Дата охранного документа: 20.05.2016
20.05.2016
№216.015.4194

Конструкция фотоэлектрического модуля космического базирования

Изобретение относится к области гелиоэнергетики и касается конструкции фотоэлектрического модуля космического базирования. Фотоэлектрический модуль включает в себя нижнее защитное покрытие, на котором с помощью полимерной пленки закреплены кремниевые солнечные элементы с антиотражающим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002584184
Дата охранного документа: 20.05.2016
27.05.2016
№216.015.42d0

Имплантированное ионами цинка кварцевое стекло

Изобретение относится к кварцевым стеклам, имплантированным ионами цинка, и может быть использовано при создании компонентов микро-(нано-) и оптоэлектронных устройств, в частности микроминиатюрных источников света для планарных тонкопленочных волноводных систем и оптических интегральных схем....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585009
Дата охранного документа: 27.05.2016
20.08.2016
№216.015.4bab

Детектор заряженных частиц с тонким сцинтиллятором

Изобретение относится к области детекторов заряженных частиц на основе твердотельных органических сцинтилляторов. Детектор заряженных частиц с тонким сцинтиллятором в виде пластины содержит полупроводниковый фотосенсор в качестве преобразователя инициированных заряженными частицами световых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594991
Дата охранного документа: 20.08.2016
Показаны записи 81-90 из 159.
10.11.2014
№216.013.0454

Способ термолучевой обработки вещества тл-осл твердотельного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия

Изобретение относится к способу обработки рабочих веществ твердотельных детекторов ионизирующих излучений, основанных на явлениях термостимулированной люминесценции (ТЛ) и оптически стимулированной люминесценции (ОСЛ). Способ термолучевой обработки вещества твердотельного детектора ионизирующих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532506
Дата охранного документа: 10.11.2014
10.11.2014
№216.013.04d9

Минитеплоцентраль для выравнивания графика нагрузки в электрических сетях

Изобретение относится к электроэнергетике. Минитеплоцентраль содержит замкнутый контур низкокипящего рабочего тела, состоящий из теплообменника, турбины, конденсатора и циркуляционного насоса, причем к его теплообменнику подключен гидравлический теплоаккумулятор, оснащенный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532639
Дата охранного документа: 10.11.2014
20.11.2014
№216.013.05de

Способ синтеза 2-додецил-5-(2,3,7,8-бис-(9н,10н-антрацен-9,10-диил)пирен-1-ил)тиофена - мономолекулярного оптического сенсора для обнаружения нитроароматических соединений

Изобретение относится к способу получения 2-додецил-5-(2,3,7,8-бис-(9H,10H-антрацен-9,10-диил)пирен-1-ил)тиофена, который заключается во взаимодействии 1-бромпирена с 2-додецил-5-трибутилстаннилтиофеном по реакции Стилле с получением первого полупродукта 5-(пирен-1-ил)-2-додецилтиофена, с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532903
Дата охранного документа: 20.11.2014
20.11.2014
№216.013.05f1

Способ определения меди в природных и питьевых водах

Изобретение относится к способу определения меди в природных и питьевых водах. Способ включает концентрирование меди на сорбционном материале, помещенном в патрон, путем пропускания через него анализируемой пробы, элюирование меди азотной кислотой и определение меди методами атомной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532922
Дата охранного документа: 20.11.2014
20.11.2014
№216.013.0866

Резистивный материал

Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (AgSe)·(CuSe)·(AsSe)·(GeSe), где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533551
Дата охранного документа: 20.11.2014
20.11.2014
№216.013.08ac

Устройство для раскатки и раздачи труб

Изобретение относится к области обработки металлов давлением, а именно к трубопрофильному производству. Корпус устройства имеет присоединительную и рабочую части, центральный осевой канал, рабочие ролики, цилиндр и шток с возвратной пружиной. Цилиндр и шток имеют конические участки, являющиеся...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533621
Дата охранного документа: 20.11.2014
27.11.2014
№216.013.09b0

Раствор для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок сульфида индия

Изобретение относится к технологии получения изделий оптоэлектроники и солнечной энергетики, а именно к раствору для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок сульфида индия(III). Раствор содержит соль индия(III), винную кислоту, тиоацетамид, гидроксиламин солянокислый при следующих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533888
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0acd

Способ получения конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sio на кремниевой подложке

Изобретение относится к способу получения люминесцентного материала - конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния SiO на кремниевой подложке, предназначенного для создания функциональных элементов фотонных приборов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534173
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c6e

Система аккумулирования возобновляемой энергии

Изобретение относится к получению спирта. Система аккумулирования возобновляемой энергии представляет собой блок источников возобновляемой энергии, подключенный к технологической схеме получения спирта. Блок источников возобновляемой энергии обеспечивает тепловую и электрическую энергию для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534590
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0e08

Способ совместного определения ионов cu(ii), pb(ii), fe(iii) и bi(iii) методом капиллярного зонного электрофореза

Изобретение относится к области аналитической химии и может быть использовано для одновременного определения содержания ионов Cu(II), Pb(II), Fe(III) и Bi(III) в различных матрицах. Техническим результатом изобретения является расширение перечня определяемых компонентов, разработка простого,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535009
Дата охранного документа: 10.12.2014
+ добавить свой РИД