×
04.04.2018
218.016.3665

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения кремния с изотопическим составом Si, Si

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к технологии трансмутационного легирования полупроводниковых материалов, в частности к получению кремния с определенным изотопическим составом, который может быть использован для создания квантовых битов информации на ядерных спинах атомов фосфора, полученных трансмутацией отдельных атомов такого кремния. Для этого монокристалл кремния облучается тепловыми нейтронами. После облучения кремний будет состоять только из изотопов Si, Si и фосфора Р. Использование такого кремния позволит увеличить время релаксации спинов атомов фосфора с нескольких миллисекунд до нескольких часов при температуре 4К, или до 40 минут при комнатной температуре. Этого времени более чем достаточно для использования подобных квантовых битов для вычислений, при этом открывается возможность использования в лабораториях, не оборудованных охлаждающими установками.

Изобретение относится к технологии трансмутационного легирования полупроводниковых материалов, в частности к получению кремния с определенным изотопическим составом, который может быть использован для создания квантовых битов информации на ядерных спинах атомов фосфора, полученных трансмутацией отдельных атомов такого кремния. Такие квантовые биты можно использовать при комнатной температуре и время релаксации спина атома составляет более получаса, что делает их очень хорошими кандидатами на роль квантовой памяти для квантового компьютера.

Для трансмутационного легирования уже готового монокристаллического кремния, выращенного методом Чохральского, с содержанием изотопов (30Si - 2%, 29Si - 5%, 28Si - 92%) используются потоки нейтронов в камере реактора. Разница будет заключаться только в равномерности потока, движении подложки в камере, количестве доз облучения и величине облучаемой энергии.

В патенте РФ 2193610 для изменения электрофизических параметров используют изменение во времени потока нейтронов в камере реактора. Такой способ также не позволяет получать определенный изотопический состав атомов кремния, к тому же для равномерного облучения необходимо дополнительное передвижение слитка кремния по камере реактора.

В статье (Room-TemperatureQuantumBitStorageExceeding 39 MinutesUsingIonizedDonorsinSilicon-28 DOI: 10.1126/science.1239584) для получения квантовых битов информации использовали кремний, состоящий из изотопов 30Si. Данный кремний был получен при помощи масс-сепаратора, разделяющего изотопы по весу. Но такая технология очень дорого стоит для промышленного использования. Предложенный нами способ проще в изготовлении и при этом дает схожие результаты.

Известен патент США 4119441. В нем трансмутационно легируют кремний атомами фосфора для изменения удельного профиля сопротивления в веществе. Он основан на переходе . Но данный способ не позволяет управлять изотопическим составом вещества, он лишь частично переводит одни изотопы в другие.

Задача изобретения заключается в получении кремния с определенным изотопическим составом, на основе которого можно получать квантовые биты информации на атомных спинах фосфора, полученные путем трансмутационного легирования исходных атомов кремния.

В основу изобретения положена задача создания кремния, состоящего преимущественно из изотопов 28Si и 30Si, которые имеют нулевой ядерный спин, сам по себе кремний содержит порядка 93% изотопов 28Si (Spin=0), 5% изотопа 29Si (Spin=1/2), 2% изотопа 30Si (Spin=0).

Сущность изобретения состоит в последующем друг за другом облучении кремния тепловыми нейтронами с энергией от 8.5 до 16.9 MeV. Этого можно достичь, используя генератор Pu-(alpha)-Be, который обладает определенным спектром по энергии излучаемых нейтронов, схожим для выполнения поставленной задачи. К тому же им можно более равномерно облучить слиток кремния, чем в камере реактора, в котором для этого его приходится передвигать по всей камере и вращать. С его помощью можно снизить количество изотопов 29Si путем трансмутации их в 30Si.

При захвате изотопом 29Si нейтрона с энергией 8.5 MeV и выше происходит трансмутация . Для трансмутации минимальная пороговая энергия нейтронов должна равняться 10.6 MeV. При энергии выше 16.9 MeV будет протекать нежелательная для нас реакция перехода , при которой будут появляться из основной массы вещества, создающие шум изотопы.

Изотоп кремния 29Si имеет ненулевой спин ядра, который оказывает шумовое воздействие на ядерные спины фосфора, уменьшая их время релаксации. Одновременно с этим будет проходить легирование атомами фосфора , таким образом можно избавиться от шумовых изотопов и увеличить количество изотопов, пригодных для трансмутации их в фосфор. Превращения в этом случае не будет.

Создание квантовых битов в кремнии основывается на трансмутации отдельных изотопов кремния, при этом неконтролируемо меняется и количество других изотопов в кремнии относительно друг друга. В данном патенте предлагается не просто изменить пропорциональное соотношение изотопов в веществе, а полностью трасмутировать отдельные атомы конкретного типа изотопа в другой изотоп для получения преимуществ в использовании данного вещества для квантовых вычислений.

Использование такого кремния позволит увеличить время релаксации спинов атомов фосфора с нескольких миллисекунд при температуре 4К до нескольких часов при температуре 4К, или до 40 минут при комнатной температуре. Этого времени более чем достаточно для использования подобных квантовых битов для вычислений, при этом открывается возможность использования в лабораториях, не оборудованных охлаждающими установками.

После получения нужного кремния, легированного фосфором путем трансмутационного легирования и отжига образовавшихся вакансий, можно приступать к квантовым вычислениям на квантовых битах (спинах атомов фосфора). Благодаря эффекту спинового эха можно следить за состоянием спина ядра фосфора(направлением спина), а с помощью электромагнитного импульса осуществлять изменение состояний спина. Направления спина ядра фосфора по направлению поля может обозначать логический ноль, а против - логическую единицу.

Источники информации

1. Патент РФ 2193610.

2. Room-Temperature Quantum Bit Storage Exceeding 39 Minutes Using Ionized Donors in Silicon-28 DOI: 10.1126/science.1239584.

3. Патент US 411944.

Способ получения кремния с определенным изотопическим составом Si, Si путем нейтронного трансмутационного легирования, отличающийся тем, что облучение кремния проводят нейтронами с энергией от 8,5 до 16,9 MeV.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 68.
07.09.2018
№218.016.8398

Способ формирования фоторезистивной пленки из раствора на поверхности подложки

Изобретение может быть использовано для формирования фоторезистивных пленок, однородных по толщине и пригодных для проведения операций фотолитографии для формирования интегральных микросхем, МЭМС и СВЧ-структур на подложках, в том числе со сложным рельефом, где перепад высот существенно больше...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666175
Дата охранного документа: 06.09.2018
07.09.2018
№218.016.83a4

Пьезоэлектрический полимерный датчик матричного типа

Изобретение относится к сенсорэлектронике. Использование: для создания пьезоэлектрических полимерных датчиков. Сущность изобретения заключается в том, что полимерный датчик матричного типа представляет собой полимерную пленку, содержащую поливинилиденфторид и металлизацию с обеих сторон пленки,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666178
Дата охранного документа: 06.09.2018
07.09.2018
№218.016.849b

Способ изменения радиуса кривизны поверхности пластины для минимизации механических напряжений

Задачей настоящего изобретения является расширение способов изменения кривизны поверхности за счет расширения способов получения используемых пленок, типов используемых пленок, возможности варьирования толщины пленок. Суть настоящего изобретения состоит в том, что изменяют кривизну поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666173
Дата охранного документа: 06.09.2018
13.09.2018
№218.016.86fe

Матричный автоэмиссионный катод и способ его изготовления

Изобретение относится к приборам твердотельной и вакуумной электроники, в частности к автоэмиссионным элементам на основе системы Si-SiC-графен, используемых в качестве катодов: к диодам, к триодам и к устройствам на их основе. Технический результат - повышение тока автоэмиссии и временной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666784
Дата охранного документа: 12.09.2018
11.10.2018
№218.016.9020

Устройство для защиты автоматизированных систем от утечки информации по каналам побочных электромагнитных излучений

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано для защиты информации, обрабатываемой средствами вычислительной техники от утечки по каналам побочных электромагнитных излучений. Технический результат заключается в электромагнитной совместимости и повышении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002669065
Дата охранного документа: 08.10.2018
21.10.2018
№218.016.94c5

Способ измерения механических напряжений в мэмс структурах

Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кристаллов интегральных схем (ИС) и дискретных полупроводниковых приборов. Суть настоящего изобретения состоит в измерении механических напряжений в МЭМС структурах,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670240
Дата охранного документа: 19.10.2018
01.11.2018
№218.016.9831

Устройство и способ дозирования заданного объема жидкости

Изобретение может быть использовано для дозирования и нанесения жидкостей и растворов, в том числе коллоидных с повышенной точностью и воспроизводимостью дозируемого объема, как розливом для заполнения контейнеров, так и аэрозольным распылением на поверхности. Содержит устройство и способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671182
Дата охранного документа: 29.10.2018
01.11.2018
№218.016.9932

Устройство для беспроводной чрескожной передачи оптической энергии для питания имплантируемых медицинских приборов

Изобретение относится к области медицинской техники и может быть использовано для беспроводного дистанционного питания имплантируемых медицинских приборов. Устройство содержит внешний передающий модуль, включающий источник энергии, источник оптического излучения, снабженный отражающим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671418
Дата охранного документа: 31.10.2018
15.12.2018
№218.016.a78a

Искусственная мышца для сердечной ткани

Изобретение относится к медицинской технике, натотехнологиям, биомедицинским, биомеханическим протезам, может быть применено в робототехнике и актюаторах (приводах). Для создания искусственной мышцы (ИМ), выполняющей механическую функцию поврежденной сердечной ткани, наиболее подходящими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675062
Дата охранного документа: 14.12.2018
14.02.2019
№219.016.ba16

Способ и устройство для определения локального механического напряжения в пленке на подложке

Изобретение относится к способам измерения механических свойств материалов, в том числе механических напряжений, с использованием оптических приборов для анализа напряжений. В ходе реализации способа определяют локальное механическое напряжение в пленке на подложке и двухосный модуль упругости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002679760
Дата охранного документа: 12.02.2019
Показаны записи 11-14 из 14.
19.01.2018
№218.016.0b19

Устройство для защиты от несанкционированного прослушивания разговоров в помещении

Изобретение относится к области телефонной связи. Техническим результатом является повышение эффективности защиты речевой информации от утечки по техническим каналам. Упомянутый технический результат достигается тем, что в устройстве для защиты от несанкционированного прослушивания разговоров в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632188
Дата охранного документа: 04.10.2017
20.01.2018
№218.016.180e

Способ извлечения галлия из порошковых галлийсодержащих отходов

Изобретение относится к области металлургии редких металлов, а более конкретно к способам извлечения галлия из твердых порошкообразных галлийсодержащих материалов. Порошкообразные галлийсодержащие отходы подвергают варке в каустической щелочи при температуре 350-400°С, затем растворяют в вводе,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635585
Дата охранного документа: 14.11.2017
20.01.2018
№218.016.1972

Биоприпой для лазерной сварки биологических тканей

Изобретение относится к медицине и касается биоприпоя для лазерной сварки биологических тканей. Биоприпой содержит водную дисперсионную основу белка альбумина. При этом в его состав введены однослойные углеродные нанотрубки и медицинский краситель индоцианин зеленый при следующем соотношении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636222
Дата охранного документа: 21.11.2017
04.04.2018
№218.016.354f

Способ снижения радиолокационной заметности летательных аппаратов, оборудованных газотурбинными двигателями

Изобретение относится к технике радиосвязи, радиолокации и радиоэлектронной борьбы и может быть использовано в авиационной и космической технике. Способ снижения радиолокационной заметности летательных аппаратов, оборудованных газотурбинными двигателями, заключается в том, что перед элементами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645910
Дата охранного документа: 28.02.2018
+ добавить свой РИД