×
20.01.2018
218.016.1332

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий в вакууме. Устройство содержит плоскую мишень, установленную на основании, первую магнитную систему, расположенную внутри корпуса с первым каналом водяного охлаждения, источник питания электрического разряда и источник ионов газа. Основание установлено на корпусе. Источник ионов газа содержит внутренний полюсный наконечник с первой стенкой, внешний полюсный наконечник со второй стенкой, кольцевой анод со вторым каналом водяного охлаждения, плиту с третьим каналом водяного охлаждения, вторую магнитную систему и высоковольтный источник питания. Первая стенка и вторая стенка расположены напротив друг друга и образуют выходную апертуру, расположенную со стороны плоской мишени, а внутренний полюсный наконечник и внешний полюсный наконечник охватывают корпус с внешней стороны и отделены от него изолятором. В результате снижается рабочее давление и повышается качество наносимых покрытий. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области вакуумно-плазменной техники, а более конкретно к устройствам, предназначенным, прежде всего, для нанесения на изделия функциональных покрытий, применяемых в микро- и наноэлектронике.

Известно устройство для нанесения покрытий в вакууме, содержащее плоскую мишень, выполненную из металла, установленную на основании и закрепленную на нем с помощью прижима, содержащее также первую магнитную систему, расположенную внутри корпуса с первым каналом водяного охлаждения, при этом основание установлено на корпусе, содержащее также источник питания электрического разряда, отрицательным полюсом соединенный с корпусом, а положительным полюсом соединенный с заземляющим проводником, при этом мишень, основание, первая магнитная система и корпус расположены коаксиально вертикальной оси [RU 2401882].

Технический результат изобретения заключается в снижении рабочего давления и повышении качества наносимых покрытий.

Указанный технический результат достигается тем, что в устройство для нанесения покрытий в вакууме, содержащее плоскую мишень, выполненную из металла, установленную на основании и закрепленную на нем с помощью прижима, содержащее также первую магнитную систему, расположенную внутри корпуса с первым каналом водяного охлаждения, при этом основание установлено на корпусе, содержащее также источник питания электрического разряда, отрицательным полюсом соединенный с корпусом, а положительным полюсом соединенный с заземляющим проводником, при этом мишень, основание, первая магнитная система и корпус расположены коаксиально вертикальной оси, введен источник ионов газа, расположенный коаксиально вертикальной оси, содержащий внутренний полюсный наконечник, включающий первую стенку, содержащий также внешний полюсный наконечник, включающий вторую стенку, при этом первая стенка и вторая стенка расположены напротив друг друга и образуют выходную апертуру, расположенную со стороны плоской мишени, при этом внутренний полюсный наконечник и внешний полюсный наконечник охватывают корпус с внешней стороны и отделены от него изолятором, содержащий также кольцевой анод со вторым каналом водяного охлаждения, плиту с третьим каналом водяного охлаждения, вторую магнитную систему, коаксиально расположенные вокруг корпуса, содержащий также высоковольтный источник питания, положительным полюсом соединенный с кольцевым анодом, а отрицательным полюсом соединенный с заземляющим проводником, причем первый канал водяного охлаждения расположен в первой магнитной системе.

Существует вариант, в котором первая стенка и вторая стенка выходной апертуры расположены параллельно вертикальной оси.

Существует также вариант, в котором первая стенка и вторая стенка выходной апертуры наклонены в сторону мишени и образуют с вертикальной осью угол.

На фиг. 1 изображено устройство для нанесения покрытий в вакууме, разрез.

На фиг. 2 изображено устройство для нанесения покрытий в вакууме, вид сверху.

На фиг. 3 изображено устройство для нанесения покрытий в вакууме с апертурой, расположенной под углом 8 к вертикальной оси, разрез. Угол 5 показан условно по отношению к оси, параллельной вертикальной оси.

На фиг. 4 изображено устройство для нанесения покрытий в вакууме с апертурой, расположенной под углом 5 к вертикальной оси, вид сверху.

Устройство для нанесения покрытий в вакууме содержит плоскую мишень 1, выполненную из металла, например из титана. Мишень 1 установлена на основании 2, выполненном из материала с высокой теплопроводностью, например из меди. Мишень 1 закреплена на основании 2 с помощью прижима 3, изготовленного из немагнитной стали, например из аустенитной коррозионно-стойкой стали. Устройство для нанесения покрытий в вакууме содержит также первую магнитную систему 4. Первая магнитная система 4 расположена внутри корпуса 5, изготовленного из немагнитной стали, например, из аустенитной коррозионно-стойкой стали и снабженного первым каналом водяного охлаждения 6. Этот канал подключен к источнику воды (не показан), в качестве которого можно использовать, например, охладитель с двойным контуром охлаждения. Основание 2 закреплено на корпусе 5. Устройство для нанесения покрытий в вакууме содержит также источник питания электрического разряда 7, отрицательным полюсом соединенный с корпусом 5, а положительным полюсом соединенный с заземляющим проводником 8. В качестве источника питания 7 можно использовать блок питания стабилизированного напряжения или тока с отрицательной полярностью выходного напряжения. В этом блоке имеется гальванически изолированный от корпуса выходной силовой разъем. Мишень 1, основание 2, первая магнитная система 4 и корпус 5 расположены коаксиально вертикальной оси 9. В качестве отличительных признаков в устройство для нанесения покрытий в вакууме введен источник ионов газа 10, расположенный коаксиально вертикальной оси 9. Этот источник, содержащий внутренний полюсный наконечник 11, включающий первую стенку 12, содержит также внешний полюсный наконечник 13, включающий вторую стенку 14. При этом первая стенка 12 и вторая стенка 14 расположены напротив друг друга и образуют выходную апертуру 15, расположенную со стороны плоской мишени 1. Внутренний полюсный наконечник 11 и внешний полюсный наконечник 13 могут быть изготовлены из немагнитной стали, например из аустенитной коррозионно-стойкой стали. Внутренний полюсный наконечник 11 и внешний полюсный наконечник 13 охватывают корпус 5 с внешней стороны и отделены от него изолятором 16, выполненного, например, из фторопласта. Источник ионов газа 10 содержит также кольцевой анод 17 со вторым каналом водяного охлаждения 18. Этот канал подключен к источнику воды (не показан), в качестве которого можно использовать, например, охладитель с двойным контуром охлаждения. В качестве материала кольцевого анода 17 можно использовать аустенитную коррозионно-стойкую сталь. Источник ионов газа 10 содержит также плиту 19 с третьим каналом водяного охлаждения 20. Этот канал подключен к источнику воды (не показан), в качестве которого можно использовать, например, охладитель с двойным контуром охлаждения. Источник ионов газа 10 содержит также вторую магнитную систему 21, коаксиально расположенную вокруг корпуса 5. В качестве второй магнитной системы можно использовать кольцевой постоянный магнит, изготовленный, например, из сплава на основе системы неодим-железо-бор. Источник ионов газа 10 содержит также высоковольтный источник питания 22, положительным полюсом соединенный с кольцевым анодом 17, а отрицательным полюсом соединенный с заземляющим проводником 8. В качестве источника питания 22 можно использовать блок питания стабилизированного напряжения или тока с положительной полярностью выходного напряжения. В блоке имеется гальванически изолированный от корпуса выходной высоковольтный разъем. В одном из вариантов первая магнитная система 4 состоит из постоянного центрального магнита 24, периферийного постоянного магнита 25, изготовленных, например, из сплава на основе системы неодим-железо-бор и установленных на магнитопроводе 23, изготовленном из электротехнической стали.

В одном из вариантов первая стенка 12 и вторая стенка 14 выходной апертуры 15 расположены параллельно вертикальной оси 9.

В другом варианте стенка 12 и вторая стенка 14 выходной апертуры 15 наклонены в сторону мишени 1 и образуют с вертикальной осью 9 угол 5. Угол 8 может быть в диапазоне от 0 до 15 градусов.

Устройство для нанесения покрытий в вакууме работает следующим образом.

В вакуумной камере (не показана), в которой установлено устройство для нанесения покрытий в вакууме, создается остаточное давление с помощью средств откачки (не показаны). Затем в вакуумную камеру подается рабочий газ, например аргон, до рабочего давления порядка 0,1 Па. При подаче на кольцевой анод 17 положительного потенциала от высоковольтного источника питания 22 между кольцевым анодом 17 и внутренним 11 и внешним 13 полюсными наконечниками зажигается электрический разряд при вакууметрическом давлении рабочего газа, например, аргона. В области горения разряда, образованной при пересечении силовых линий магнитного и электрического полей (не показана), происходят генерация ионов рабочего газа и их ускорение через выходную апертуру 15 по направлению к поверхности обрабатываемого изделия (установлено в вакуумной камере, не показано). Происходит обработка поверхности изделия потоком ускоренных ионов газа, результатом которой является ее нагрев и очистка от загрязнений. Далее, при подаче на корпус 5 отрицательного потенциала от источника питания 7 между корпусом 5 и внутренним 11 и внешним 13 полюсными наконечниками зажигается электрический разряд при вакууметрическом давлении рабочего газа, например аргона. В области горения разряда, образованной при пересечении силовых линий магнитного и электрического полей (не показана), происходит генерация ионов, которые, двигаясь по направлению к мишени 1, распыляют атомы материала на ее поверхности. Полученные атомы материала мишени 1 вылетают через прижим 3 по направлению к поверхности обрабатываемого изделия (установлено в вакуумной камере, не показана). Происходит одновременная обработка поверхности изделия потоками ускоренных ионов рабочего газа и атомов материала мишени.

То, что в устройство для нанесения покрытий в вакууме введен источник ионов газа 10, расположенный коаксиально вертикальной оси 9, содержащий внутренний полюсный наконечник 11, включающий первую стенку 12, содержащий также внешний полюсный наконечник 13, включающий вторую стенку 14, при этом первая стенка 12 и вторая стенка 14 расположены напротив друг друга и образуют выходную апертуру 15, расположенную со стороны плоской мишени 1, при этом внутренний полюсный наконечник 11 и внешний полюсный наконечник 13 охватывают корпус 5 с внешней стороны и отделены от него изолятором 16, содержащим также кольцевой анод 17 со вторым каналом водяного охлаждения 18, плиту 19 с третьим каналом водяного охлаждения 20, вторую магнитную систему 21, коаксиально расположенные вокруг корпуса 5, содержащий также высоковольтный источник питания 22, положительным полюсом соединенный с кольцевым анодом 17, а отрицательным полюсом соединенный с заземляющим проводником 8, позволяет сохранять работоспособность устройства при рабочих давлениях ниже 0,1 Па. При этом на поверхности обрабатываемого изделия синтезируются высококачественные плотные (без пор) покрытия с мелкозернистой структурой.

То, что первая стенка 12 и вторая стенка 14 выходной апертуры 15 расположены параллельно вертикальной оси 9, позволяет обрабатывать поверхность изделия потоком ионов рабочего газа с повышенными параметрами качества.

То, что первая стенка 12 и вторая стенка 14 выходной апертуры 15 наклонены в сторону мишени 1 и образуют с вертикальной осью 9 угол 8, позволяет обрабатывать поверхность изделия сходящимся потоком ионов рабочего газа с повышенными параметрами качества.


УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 18.
20.01.2013
№216.012.1b29

Способ квалиметрии расстройств функции тазовых органов у детей

Изобретение относится к медицине, в частности к урологии, и может быть использовано для диагностики дисфункций тазовых органов у детей. Производят подсчет баллов по «таблице оценки симптомов расстройств мочеиспускания и дефекаций», которая состоит из двух частей, в первой из которых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472447
Дата охранного документа: 20.01.2013
20.05.2013
№216.012.4106

Плазменное устройство нанесения многослойных пленочных покрытий

Изобретение относится к плазменному оборудованию для многослойного нанесения пленочных покрытий при изготовлении приборов электронной техники. Устройство содержит технологическую вакуумную камеру (1) со средствами откачки и систему напуска и дозирования технологического газа, два или больше...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002482216
Дата охранного документа: 20.05.2013
27.05.2013
№216.012.4604

Плазменный реактор с магнитной системой

Изобретение относится к устройствам технологического оборудования и может быть использовано в технологии производства электронных компонент. Плазменный реактор с магнитной системой отличается тем, что электроды емкостного возбуждения выполнены в виде двух полых цилиндров, расположенных внутри...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483501
Дата охранного документа: 27.05.2013
10.06.2016
№216.015.4732

Способ лечения детей с гиперактивным мочевым пузырем

Изобретение относится к медицине, в частности к педиатрии и урологии, и касается лечения гиперактивного мочевого пузыря у детей. Способ включает введение препаратов, увеличивающих объем мочевого пузыря, а также введение десмопрессина (минирина) в течение 3-х месяцев. Дополнительно определяют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585727
Дата охранного документа: 10.06.2016
25.08.2017
№217.015.9a76

Способ лечения нейрогенной дисфункции мочевого пузыря

Изобретение относится к медицине, в частности к урологии, и может быть использовано при лечении нейрогенной дисфункции мочевого пузыря. Перед стимулирующей БОС-терапией осуществляют воздействие импульсным лазером. Лазер размещают над лонным сращением. Лазерное воздействие осуществляют с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002609738
Дата охранного документа: 02.02.2017
25.08.2017
№217.015.c748

Способ реабилитации пациентов с патологией опорно-двигательного аппарата и центральной нервной системы

Изобретение относится к медицине и может быть использовано для реабилитации пациентов с патологией опорно-двигательного аппарата и центральной нервной системы. Проводят лечебные занятия в виде физических упражнений, перед которыми у пациента формируют мотивационную компоненту на реализацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618897
Дата охранного документа: 11.05.2017
13.02.2018
№218.016.227c

Плазменно-дуговое устройство формирования покрытий

Изобретение относится к плазменно- дуговому устройству для формирования покрытий и может быть эффективно использовано при формировании защитных и биосовместимых слоев дентальных и ортопедических имплантатов, при изготовлении технологических слоев электролитических ячеек тонкопленочных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642237
Дата охранного документа: 24.01.2018
16.06.2018
№218.016.6321

Устройство для формирования многокомпонентных и многослойных покрытий

Изобретение относится к устройству для формирования многокомпонентных и многослойных покрытий и может быть использовано в автомобилестроении, в медицине при создании защитных и биосовместимых слоев дентальных и ортопедических имплантатов, для изготовления тонкопленочных интегральных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002657671
Дата охранного документа: 14.06.2018
21.10.2018
№218.016.947b

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур относится к области технологических устройств для травления технологических материалов в области производства изделий электронной техники и может быть использован, например, для проведения высокоаспектных процессов травления кремния в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670249
Дата охранного документа: 19.10.2018
31.01.2019
№219.016.b560

Реактор для плазмохимического травления полупроводниковых структур

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к реакторам высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что реактор для плазмохимического...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678506
Дата охранного документа: 29.01.2019
Показаны записи 1-10 из 23.
20.01.2013
№216.012.1b29

Способ квалиметрии расстройств функции тазовых органов у детей

Изобретение относится к медицине, в частности к урологии, и может быть использовано для диагностики дисфункций тазовых органов у детей. Производят подсчет баллов по «таблице оценки симптомов расстройств мочеиспускания и дефекаций», которая состоит из двух частей, в первой из которых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472447
Дата охранного документа: 20.01.2013
20.05.2013
№216.012.4106

Плазменное устройство нанесения многослойных пленочных покрытий

Изобретение относится к плазменному оборудованию для многослойного нанесения пленочных покрытий при изготовлении приборов электронной техники. Устройство содержит технологическую вакуумную камеру (1) со средствами откачки и систему напуска и дозирования технологического газа, два или больше...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002482216
Дата охранного документа: 20.05.2013
27.05.2013
№216.012.4604

Плазменный реактор с магнитной системой

Изобретение относится к устройствам технологического оборудования и может быть использовано в технологии производства электронных компонент. Плазменный реактор с магнитной системой отличается тем, что электроды емкостного возбуждения выполнены в виде двух полых цилиндров, расположенных внутри...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483501
Дата охранного документа: 27.05.2013
10.06.2016
№216.015.4732

Способ лечения детей с гиперактивным мочевым пузырем

Изобретение относится к медицине, в частности к педиатрии и урологии, и касается лечения гиперактивного мочевого пузыря у детей. Способ включает введение препаратов, увеличивающих объем мочевого пузыря, а также введение десмопрессина (минирина) в течение 3-х месяцев. Дополнительно определяют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585727
Дата охранного документа: 10.06.2016
25.08.2017
№217.015.9a76

Способ лечения нейрогенной дисфункции мочевого пузыря

Изобретение относится к медицине, в частности к урологии, и может быть использовано при лечении нейрогенной дисфункции мочевого пузыря. Перед стимулирующей БОС-терапией осуществляют воздействие импульсным лазером. Лазер размещают над лонным сращением. Лазерное воздействие осуществляют с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002609738
Дата охранного документа: 02.02.2017
25.08.2017
№217.015.c748

Способ реабилитации пациентов с патологией опорно-двигательного аппарата и центральной нервной системы

Изобретение относится к медицине и может быть использовано для реабилитации пациентов с патологией опорно-двигательного аппарата и центральной нервной системы. Проводят лечебные занятия в виде физических упражнений, перед которыми у пациента формируют мотивационную компоненту на реализацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618897
Дата охранного документа: 11.05.2017
13.02.2018
№218.016.227c

Плазменно-дуговое устройство формирования покрытий

Изобретение относится к плазменно- дуговому устройству для формирования покрытий и может быть эффективно использовано при формировании защитных и биосовместимых слоев дентальных и ортопедических имплантатов, при изготовлении технологических слоев электролитических ячеек тонкопленочных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642237
Дата охранного документа: 24.01.2018
29.05.2018
№218.016.5539

Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек

Суть настоящего изобретения состоит в процессе формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек. Способ основан на применении перспективной «аддитивной технологии», то есть топологические элементы функционального слоя создаются на локальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654313
Дата охранного документа: 17.05.2018
16.06.2018
№218.016.6321

Устройство для формирования многокомпонентных и многослойных покрытий

Изобретение относится к устройству для формирования многокомпонентных и многослойных покрытий и может быть использовано в автомобилестроении, в медицине при создании защитных и биосовместимых слоев дентальных и ортопедических имплантатов, для изготовления тонкопленочных интегральных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002657671
Дата охранного документа: 14.06.2018
21.10.2018
№218.016.947b

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур относится к области технологических устройств для травления технологических материалов в области производства изделий электронной техники и может быть использован, например, для проведения высокоаспектных процессов травления кремния в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670249
Дата охранного документа: 19.10.2018
+ добавить свой РИД