×
29.12.2017
217.015.f98d

Результат интеллектуальной деятельности: УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБЛУЧЕНИЯ ОБРАЗЦОВ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОНАМИ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к устройству для облучения образцов материалов электронами. Заявленное устройство состоит из герметичной камеры, представляющей собой цилиндрический корпус с патрубками, разделенный изолятором на две части, внутри которой расположены держатель образца, соединенный со средствами охлаждения, термопар, соединенных с вакуумным токовводом, расположенным на торцевой крышке камеры. На входе камеры установлена диафрагма для точной подачи электронов на образец. Техническим результатом является возможность проведения облучения образцов материалов потоком электронов от внешнего источника (ускорителя электронов). 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Область техники

Изобретение относится к вакуумной технике, технике ускорителей и может быть использовано в области исследования взаимодействия электронов с материалами (металлами и их сплавами), а так же в области исследования влияния электронно-индуцированных дефектов структуры на свойства материалов.

Уровень техники

Устройства для облучения образцов материалов широко известны. Они, как правило, выполнены в различных конструктивных решениях и имеют однотипные по назначению элементы: ускоритель, пучок электронов которого проходит через диафрагму и попадает на образец материала, соединенного с различного рода измерительной аппаратурой (см., например, а.с. №1492321).

Известно устройство для облучения электронами рулонированных материалов (текстильных полотен, полимерных плёнок) (авторское свидетельство SU 812151). Данное устройство содержит ускоритель электронов, радиационную защиту и транспортную систему для подачи материала в зону облучения и вывода из неё. Для уменьшения габаритов и повышения качества облучаемого материала транспортная система выполнена в виде вращающегося барабана, установленного на подшипниковых опорах в кольцевой цилиндрической полости, образованной блоками радиационной защиты, коаксиально с этой полостью. На обечайке барабана имеются отверстия, конфигурация которых соответствует заданной форме локального облучения, а источник облучения расположен в барабане.

Данное устройство адаптировано только для облучения предметов, имеющих плоскую форму, обладающих достаточной гибкостью, и не может быть использовано для облучения образцов небольших размеров.

Известно устройство для облучения ускоренными электронами (авторское свидетельство SU 1828380), содержащее ускоритель электронов, из которого ускоренный пучок электронов по вакуумному электронопроводу попадает на вход импульсного электромагнита, к обмотке которого подключён генератор биполярных импульсов тока и генератор тока развертки, и, далее, в вакуумную камеру с окнами, на которых размещены электромагниты. Поле этих магнитов обеспечивают вход электронов в облучаемый объект под углом, близким к 90°.

Недостатком данного устройства является то, что электронно-оптические свойства магнитного поля зависят от величины зазора между полюсами электромагнитов и ширины выпускного окна, что затрудняет получение достаточно однородного поля облучения.

Вышеописанные устройства разработаны под конкретный источник электронов, который является одной из составных частей устройства и взаимосвязан с его другими узлами, и не подлежит замене в случае выхода из строя.

Наиболее близкого по технической сущности аналога к заявляемому изобретению не выявлено, поскольку устройства для облучения образцов материалов разрабатываются индивидуально под имеющийся в наличии ускоритель электронов и каждую конкретную научную задачу.

Раскрытие сущности изобретения

Техническим результатом изобретения является создание автономного универсального устройства, позволяющего проводить облучение образцов материалов (металлов и их сплавов) потоком электронов от внешнего источника (ускорителя электронов).

Для достижения этого результата предложено устройство для облучения образцов материалов электронами, состоящее из герметичной камеры, выполненной в виде цилиндрического корпуса с патрубками, разделённого изолятором на две части, на входе которой установлена диафрагма, внутри которой расположены водоохлаждаемый держатель образцов, соединённый со средствами охлаждения, и установленными на нем средствами измерения температуры, электрически связанными с вакуумным токовводом, расположенным на торцевой крышке камеры, при этом корпус камеры соединён с патрубком вакуумной откачки и патрубком для установки датчика измерения давления.

Кроме того:

- в диафрагме выполнено отверстие, конфигурация которого соответствует заданной форме локального облучения,

- средства охлаждения выполнены в виде трубок подачи и вывода воды, выведенных через торцевую крышку камеры наружу,

- средства измерения температуры выполнены в виде термопар.

Краткое описание чертежей

На чертеже схематично представлено устройство для облучения образцов материалов электронами.

Устройство содержит камеру 1, разделённую изолятором 6 на две части, внутри которой расположен водоохлаждаемый держатель образцов 2. На входе герметичной камеры расположена диафрагма 3 для формирования пучка электронов нужной конфигурации, отверстие которой соответствует заданной форме локального облучения, в частности отверстие выполнено в виде квадрата размером 22*22 мм, в котором все углы скруглены четвертью окружности с радиусом 3 мм. Камера 1 снабжена патрубком для вакуумной откачки 4 и патрубком 5 для присоединения датчика давления, например манометра. Кроме того, на торцевой крышке камеры 1 расположен вакуумный токоввод 8, к которому присоединены термопары 9.

Держатель образцов 2 охлаждается водой, которая поступает и отводится по трубкам водоохлаждения 7 за пределы камеры 1.

Габаритные размеры реально изготовленного образца устройства составляют 115*180*540 мм.

Осуществление изобретения

Устройство для облучения образцов материалов электронами работает следующим образом.

Устройство в сборе присоединяется к выходному фланцу любого линейного ускорителя электронов со стороны диафрагмы 3, таким образом, чтобы пучок электронов располагался осесимметрично с камерой 1. Устройство подключается к системе проточного водоснабжения посредством трубок водоохлаждения 7, соединенных с полым держателем образцов 2.

В держатель образцов 2 закрепляется исследуемый образец материала 10. Затем из камеры откачивается воздух и создаётся вакуум не хуже 10-5 Па, предотвращающий загрязнение поверхности образца посторонними веществами. Для этих целей можно использовать имеющуюся в присоединённом источнике электронов (ускорителе электронов) систему откачки, либо присоединить дополнительную систему откачки, используя патрубок для вакуумной откачки 4. Измерение остаточного давления в камере может производиться манометром, присоединенным к патрубку 5. Для измерения температуры образца используются установленные на нем термопары 9 (до 6 штук), сигнал с которых поступает на вакуумный токоввод 8 и контролируется дополнительно присоединённой к нему измерительной аппаратурой (на чертеже не показана).

Из линейного ускорителя электронов на исследуемый образец 10 подавался пучок электронов с интенсивностью 1-1015 эл/с⋅см2 и происходило его облучение. В ходе проведения облучения возможно измерение токовых характеристик пучка путем присоединения измерительной аппаратуры к части устройства электрически изолированной от камеры взаимодействия изолятором 6, например, торцевой крышке камеры 1 или трубкам водоохлаждения 7.

Камера 1 изготавливается из коррозионностойкой стали и предназначена для размещения в ней всех составных частей устройства. Водоохлаждаемый держатель образцов 2 изготовлен из меди и предназначен для размещения на нём образцов материалов; за счет проходящих через держатель трубок 7 с проточным водоснабжением происходит интенсивное охлаждение образца в процессе его облучения электронами и поддержания заданной температуры образца.

Диафрагма 3 выполнена из коррозионностойкой стали и предназначена для ограничения падающего потока электронов за счет того, что электроны либо не проникают через толщу материала (30 мм), либо существенно снижают свою энергию проходя через диафрагму. Таким образом, электроны с необходимой энергией проходят только в отверстие в центре диафрагмы, конфигурация которого соответствует заданной форме локального облучения. Это позволяет точно контролировать поток электронов, падающий на образец и профиль их распределения. Размеры диафрагмы могут быть рассчитаны под конкретные исследования.

Патрубок для вакуумной откачки 4 имеет фланцевое соединение для присоединения к нему системы откачки воздуха.

Патрубок 5 предназначен для закрепления на нём манометра, позволяющего контролировать давление внутри камеры.

Изолятор изготавливается из вакуумплотного керамического электроизолирующего материала и разделяет камеру на две части. Он предназначен для разделения электрических сигналов в процессе измерения зарядовых характеристик падающих электронов (отдельно для держателя для образцов и отдельно для диафрагмы). Электрическое разделение герметической камеры и водоохлаждаемого держателя образцов позволяет контролировать потоки электронов на различные части устройства. Для измерения электрических сигналов стандартная измерительная аппаратура (на фигуре не показана) присоединяется к любому токопроводящему элементу каждой части в отдельности.

Вакуумный токоввод 8 предназначен для подсоединения к нему термопар (до 6 штук) и измерительной аппаратуры. Таким образом, осуществляется непрерывное измерение температуры образца материала.

В ходе практического применения устройства были облучены образцы вольфрама. В качестве источника электронов был использован линейный ускоритель электронов со следующими параметрами: средняя энергия электронов 10 МэВ, импульсный ток 400 мА, длительность импульса 4-7 мксек, частота 10-50 Гц. Облучение происходило в непрерывном режиме в течение 29 ч при температуре образцов в диапазоне 50-150°C. В результате были получены образцы вольфрама, облученные потоком электронов 5*1013 эл/с⋅см2 до дозы 5*10 эл/с⋅см2. Для измерения температуры образцов в ходе облучения использовались 2 хромель-алюмелевые термопары. Для измерения токовых характеристик был использован осциллограф, измерявший падение напряжения на сопротивлении 50 Ом при прохождении через него импульсного тока, создаваемого в электрической цепи при попадании пучка электронов в держатель для образцов.

Таким образом, устройство для облучения образцов материалов электронами для последующего изучения его внутренней структуры позволяет повысить точность попадания потока электронов на исследуемый образец, контролировать количественные значения потока электронов, температуры образца и давления внутри камеры.

Преимуществом устройства является его автономность и универсальность, т.е. возможность присоединения к любому источнику электронов с помощью фланцевого соединения. Кроме того, имеется возможность подключения к устройству независимой системы вакуумной откачки, а также дополнительных измерительных устройств.


УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБЛУЧЕНИЯ ОБРАЗЦОВ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОНАМИ
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБЛУЧЕНИЯ ОБРАЗЦОВ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОНАМИ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 91-100 из 259.
20.11.2015
№216.013.8ffe

Способ разложения карбонатов

Изобретение может быть использовано в химической, горнодобывающей промышленности. Способ разложения карбонатов включает измельчение исходного сырья, разложение карбонатов за счет подвода внешней энергии, отвод конверсионного газа, охлаждение целевого продукта. В качестве карбонатов используют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568478
Дата охранного документа: 20.11.2015
20.12.2015
№216.013.9a64

Реактор конверсии метана

Изобретение относится к установкам получения водорода, водород-метановой смеси, синтез-газа, содержащего в основном Н и СО, для производства водорода, спиртов, аммиака, диметилового эфира, этилена, для процессов Фишера-Тропша и может быть использовано в химической промышленности для переработки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571149
Дата охранного документа: 20.12.2015
20.01.2016
№216.013.a3ee

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к области термоэлектрического приборостроения и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических устройств, основанных на эффекте Пельтье или Зеебека, прежде всего термоэлектрических генераторов электрической энергии, а также холодильных термоэлектрических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002573608
Дата охранного документа: 20.01.2016
10.02.2016
№216.014.c33e

Способ изготовления защитного диэлектрического слоя

Изобретение относится к способам получения тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе оксида европия(III), и может быть использовано для защиты функционального слоя EuO. Способ изготовления защитного диэлектрического слоя EuO для полупроводниковой пленки, полученной на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574554
Дата охранного документа: 10.02.2016
20.03.2016
№216.014.c8df

Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа молибдена-99

Изобретение относится к реакторной технологии получения радиоизотопа молибден-99 (Мо), являющегося основой для создания радиоизотопных генераторов технеция-99m (Tc). В заявленном способе производство радиоизотопа молибден-99 по реакции Мо(n,γ)Мо, осуществляемой в потоке тепловых нейтронов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002578039
Дата охранного документа: 20.03.2016
27.03.2016
№216.014.c8fb

Микротвэл ядерного реактора

Изобретение относится к области ядерной энергетики, в частности к микросферическому топливу с керамическими защитными покрытиями, и может быть использовано в ядерных реакторах, применяемых как для транспорта, так и в стационарных энергоустановках, в частности в сверхвысокотемпературных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002578680
Дата охранного документа: 27.03.2016
20.03.2016
№216.014.c9f3

Способ защиты от окисления биполярных пластин и коллекторов тока электролизеров и топливных элементов с твердым полимерным электролитом

Изобретение относится к способу защиты от окисления биполярных пластин топливных элементов и коллекторов тока электролизеров с твердым полимерным электролитом (ТПЭ), заключающемуся в предварительной обработке металлической подложки, нанесении на обработанную металлическую подложку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002577860
Дата охранного документа: 20.03.2016
20.04.2016
№216.015.3472

Способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов

Использование: для изготовления сверхпроводниковых датчиков излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов, включающий формирование отдельных секций из сверхпроводящих нанопроводов, образующих рисунок в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581405
Дата охранного документа: 20.04.2016
20.04.2016
№216.015.3605

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее получения

Изобретение относится к твердотельной электронике. Изобретение заключается в том, что на изоляторе формируют поверхностный слой полупроводника. В изоляторе на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника, меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при облучении внешним...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581443
Дата охранного документа: 20.04.2016
27.04.2016
№216.015.3891

Способ измерения профиля стационарных мегаваттных пучков ионов и атомов в инжекторах

Изобретение относится к диагностике профилей (распределения плотности тока по сечению пучка) пучков ионов и атомов в мегаваттных квазистационарных (десятки и сотни секунд) инжекторах, предназначенных для нагрева плазмы и поддержания тока в термоядерных установках типа токамак. Способ измерения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582490
Дата охранного документа: 27.04.2016
Показаны записи 91-100 из 150.
20.11.2015
№216.013.8fd1

Подводная ядерная термоэлектрическая установка

Изобретение относится к ядерным термоэлектрическим установкам. Для достижения этого результата предложена подводная ядерная термоэлектрическая установка, содержащая расположенные в газоплотной защитной оболочке легководный ядерный реактор и блоки термоэлектрические (БТЭ), равномерно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568433
Дата охранного документа: 20.11.2015
20.11.2015
№216.013.8ffe

Способ разложения карбонатов

Изобретение может быть использовано в химической, горнодобывающей промышленности. Способ разложения карбонатов включает измельчение исходного сырья, разложение карбонатов за счет подвода внешней энергии, отвод конверсионного газа, охлаждение целевого продукта. В качестве карбонатов используют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568478
Дата охранного документа: 20.11.2015
20.12.2015
№216.013.9a64

Реактор конверсии метана

Изобретение относится к установкам получения водорода, водород-метановой смеси, синтез-газа, содержащего в основном Н и СО, для производства водорода, спиртов, аммиака, диметилового эфира, этилена, для процессов Фишера-Тропша и может быть использовано в химической промышленности для переработки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571149
Дата охранного документа: 20.12.2015
20.01.2016
№216.013.a3ee

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к области термоэлектрического приборостроения и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических устройств, основанных на эффекте Пельтье или Зеебека, прежде всего термоэлектрических генераторов электрической энергии, а также холодильных термоэлектрических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002573608
Дата охранного документа: 20.01.2016
10.02.2016
№216.014.c33e

Способ изготовления защитного диэлектрического слоя

Изобретение относится к способам получения тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе оксида европия(III), и может быть использовано для защиты функционального слоя EuO. Способ изготовления защитного диэлектрического слоя EuO для полупроводниковой пленки, полученной на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574554
Дата охранного документа: 10.02.2016
20.03.2016
№216.014.c8df

Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа молибдена-99

Изобретение относится к реакторной технологии получения радиоизотопа молибден-99 (Мо), являющегося основой для создания радиоизотопных генераторов технеция-99m (Tc). В заявленном способе производство радиоизотопа молибден-99 по реакции Мо(n,γ)Мо, осуществляемой в потоке тепловых нейтронов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002578039
Дата охранного документа: 20.03.2016
27.03.2016
№216.014.c8fb

Микротвэл ядерного реактора

Изобретение относится к области ядерной энергетики, в частности к микросферическому топливу с керамическими защитными покрытиями, и может быть использовано в ядерных реакторах, применяемых как для транспорта, так и в стационарных энергоустановках, в частности в сверхвысокотемпературных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002578680
Дата охранного документа: 27.03.2016
20.03.2016
№216.014.c9f3

Способ защиты от окисления биполярных пластин и коллекторов тока электролизеров и топливных элементов с твердым полимерным электролитом

Изобретение относится к способу защиты от окисления биполярных пластин топливных элементов и коллекторов тока электролизеров с твердым полимерным электролитом (ТПЭ), заключающемуся в предварительной обработке металлической подложки, нанесении на обработанную металлическую подложку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002577860
Дата охранного документа: 20.03.2016
20.04.2016
№216.015.3472

Способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов

Использование: для изготовления сверхпроводниковых датчиков излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов, включающий формирование отдельных секций из сверхпроводящих нанопроводов, образующих рисунок в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581405
Дата охранного документа: 20.04.2016
20.04.2016
№216.015.3605

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее получения

Изобретение относится к твердотельной электронике. Изобретение заключается в том, что на изоляторе формируют поверхностный слой полупроводника. В изоляторе на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника, меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при облучении внешним...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581443
Дата охранного документа: 20.04.2016
+ добавить свой РИД