×
26.08.2017
217.015.eadf

Результат интеллектуальной деятельности: ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР, ПОДЛОЖКА МАТРИЦЫ И ПАНЕЛЬ ДИСПЛЕЯ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002627934
Дата охранного документа
14.08.2017
Аннотация: Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, подложке матрицы и панели дисплея. Тонкопленочный транзистор ТПТ включает затвор, первый изолирующий слой, расположенный над затвором, второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой, исток и сток, расположенные между первым изолирующим слоем и вторым изолирующим слоем, слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, причем слой омического контакта включает отверстие, проходящее через слой омического контакта посредством зазора между истоком и стоком, чтобы открыть полупроводниковый слой, и второй изолирующий слой соединяется с полупроводниковым слоем через это отверстие, и проводящий слой, расположенный над вторым изолирующим слоем. Проводящий слой и затвор электрически связаны друг с другом, так что когда ТПТ находится в состоянии включения, ток включения, генерируемый в проводящих каналах полупроводникового слоя, увеличивается. Когда ТПТ находится в состоянии отключения, ток отключения, генерируемый в проводящих каналах, уменьшается. Таким образом, отношение тока включения к току отключения увеличивается. 3 н. и 12 з.п.ф-лы, 6 ил.

1. ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

[0001] Настоящее раскрытие относится к технологии изготовления дисплеев и, более конкретно, к тонкопленочному транзистору (ТПТ), подложке матрицы и панели дисплея.

2. ОПИСАНИЕ УРОВНЯ ТЕХНИКИ

[0002] ТПТ, которые работают как переключающие элементы панелей дисплея, являются полупроводниковыми устройствами, использующими ток между затвором, истоком и стоком. ТПТ включает затвор, изолирующий слой, полупроводниковый слой, исток и сток, расположенные по очереди. Электроны являются носителями для обеспечения проводящих функций в проводящих каналах ТПТ.

[0003] Принцип работы ТПТ описан ниже. Когда затвор увеличивает напряжение, электроны спариваются вблизи затвора. Концентрация электронов возрастает, чтобы сформировать предварительный проводящий канал между истоком и стоком. Предварительный проводящий канал расположен ниже истока и стока. Во время работы ток между истоком и стоком должен проходить через полупроводниковый слой, чтобы достичь предварительного проводящего канала. Сопротивление полупроводникового слоя больше. В отключенном состоянии вблизи истока и стока формируется обратный канал, накапливающий электроны, так что имеет место ток утечки, который приводит к увеличению тока, когда ТПТ находится в отключенном состоянии, и отношение тока включения/отключения (Ion/Ioff) уменьшается.

РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0004] Цель изобретения заключается в том, чтобы предложить ТПТ, подложку матрицы и панель дисплея. В состоянии включения сопротивление проводящего канала уменьшено, и ток переключения увеличен. В отключенном состоянии концентрация электронов проводящего канала уменьшена, и ток отключения уменьшен, чтобы увеличить отношение Ion/Ioff.

[0005] В одном аспекте тонкопленочный транзистор (ТПТ) включает: затвор; первый изолирующий слой, расположенный над затвором; второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем; полупроводниковый слой, исток и сток, расположенные между первым изолирующим слоем и вторым изолирующим слоем; и проводящий слой, расположенный над вторым изолирующим слоем, при этом проводящий слой и затвор электрически связаны друг с другом, так что когда ТПТ находится в состоянии включения, ток включения, генерируемый в проводящих каналах полупроводникового слоя, увеличивается, и когда ТПТ находится в состоянии отключения, ток отключения, генерируемый в проводящих каналах полупроводникового слоя, уменьшается.

[0006] При этом первое отверстие расположено над затвором, причем первое отверстие проходит через первый изолирующий слой и второй изолирующий слой, чтобы открыть затвор, и проводящий слой соединяется с затвором через первое отверстие.

[0007] При этом проводящим слоем является пленка из оксида индия-олова (ITO) или слой металла.

[0008] При этом полупроводниковый слой расположен над первым изолирующим слоем, исток и сток расположены над полупроводниковым слоем, ТПТ также включает слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, слой омического контакта включает второе отверстие, проходящее через слой омического контакта через зазор между истоком и стоком, чтобы открыть полупроводниковый слой, и второй изолирующий слой соединяется с полупроводниковым слоем через второе отверстие.

[0009] При этом исток и сток расположены над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой расположен над истоком и стоком, ТПТ также включает слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, слой омического контакта включает второе отверстие, проходящее через слой омического контакта через зазор между истоком и стоком, чтобы открыть первый изолирующий слой, и полупроводниковый слой соединяется с первым изолирующим слоем через второе отверстие.

[0010] В еще одном аспекте подложка матрицы включает: подложку и некоторое число ТПТ, расположенных на подложке, причем ТПТ включает: затвор; первый изолирующий слой, расположенный над затвором; второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем; полупроводниковый слой, исток и сток, расположенные между первым изолирующим слоем и вторым изолирующим слоем; и проводящий слой, расположенный над вторым изолирующим слоем, причем проводящий слой и затвор электрически связаны друг с другом, так что когда ТПТ находится в состоянии включения, ток включения, генерируемый в проводящих каналах полупроводникового слоя, увеличивается, и когда ТПТ находится в состоянии отключения, ток отключения, генерируемый в проводящих каналах полупроводникового слоя, уменьшается.

[0011] При этом первое отверстие расположено над затвором, и первое отверстие проходит через первый изолирующий слой и второй изолирующий слой, чтобы открыть затвор, и проводящий слой соединяется с затвором через первое отверстие.

[0012] При этом проводящим слоем является пленка ITO или металлический слой.

[0013] При этом полупроводниковый слой расположен над первым изолирующим слоем, исток и сток расположены над полупроводниковым слоем, ТПТ также включает слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, слой омического контакта включает второе отверстие, проходящее через слой омического контакта через зазор между истоком и стоком, чтобы открыть полупроводниковый слой, и второй изолирующий слой соединяется с полупроводниковым слоем через второе отверстие.

[0014] При этом исток и сток расположены над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой расположен над истоком и стоком, ТПТ также включает слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, слой омического контакта включает второе отверстие, проходящее через слой омического контакта через зазор между истоком и стоком, чтобы открыть первый изолирующий слой, и полупроводниковый слой соединяется с первым изолирующим слоем через второе отверстие.

[0015] В еще одном аспекте панель дисплея включает: подложку матрицы и подложку из цветной пленки, расположенную напротив подложки матрицы, подложка матрицы включает подложку и некоторое число ТПТ, расположенных на подложке, ТПТ включает: затвор;

[0016] первый из олирующий слой, расположенный над затвором; второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем; полупроводниковый слой, исток и сток, расположенные между первым изолирующим слоем и вторым изолирующим слоем; и проводящий слой, расположенный над вторым изолирующим слоем, при этом проводящий слой и затвор электрически связаны друг с другом, так что когда ТПТ находится в состоянии включения, ток включения, генерируемый в проводящих каналах полупроводникового слоя, увеличивается, и когда ТПТ находится в состоянии отключения, ток отключения, генерируемый в проводящих каналах полупроводникового слоя, уменьшается.

[0017] При этом первое отверстие расположен над затвором, первое отверстие проходит через первый изолирующий слой и второй изолирующий слой чтобы открыть затвор, и проводящий слой соединяется с затвором через первое отверстие.

[0018] При этом проводящий слой является пленка ITO или металлический слой.

[0019] При этом полупроводниковый слой расположен над первым изолирующим слоем, исток и сток расположены над полупроводниковым слоем, ТПТ также включает слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, слой омического контакта включает второе отверстие, проходящее через слой омического контакта через зазор между истоком и стоком, чтобы открыть полупроводниковый слой, и второй изолирующий слой соединяется с полупроводниковым слоем через второе отверстие.

[0020] При этом исток и сток расположены над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой расположен над истоком и стоком, ТПТ также включает слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, слой омического контакта включает второе отверстие, проходящее через слой омического контакта через зазор между истоком и стоком, чтобы открыть первый изолирующий слои, и полупроводниковый слои соединяется с первым изолирующим слоем через второе отверстие.

[0021] В свете вышеизложенного, ТПТ включает затвор, первый изолирующий слой, полупроводниковый слой, исток, сток, второй изолирующий слой и проводящий слой. Первый изолирующий слой расположен над затвором. Второй изолирующий слой расположен над первым изолирующим слоем. Полупроводниковый слой, исток и сток расположены между первым изолирующим слоем и вторым изолирующим слоем. Проводящий слой расположен над вторым изолирующим слоем, чтобы быть электрически связанным с затвором. При такой конфигурации затвор и проводящий слой принимают сигналы включения и сигналы отключения одновременно. Затвор и проводящий слой формируют два соответственных проводящих канала в полупроводниковом слое после получения сигналов включения. Сопротивление проводящих каналов уменьшено, так что ток включения увеличивается. Затвор и проводящий слой одновременно отталкивают электроны в проводящем канале после получения сигналов отключения, чтобы уменьшить ток отключения, т.е., чтобы уменьшить утечку тока. Как таковое, отношение Ion/Ioff увеличивается.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

[0022] Фиг. 1 - схематический вид ТПТ в соответствии с одним вариантом осуществления.

[0023] Фиг. 2 - схематический вид ТПТ с Фиг. 1 в состоянии включения.

[0024] Фиг. 3 - схематический вид ТПТ с Фиг. 1 в состоянии отключения.

[0025] Фиг. 4 - схематический вид ТПТ в соответствии с еще одним вариантом осуществления.

[0026] Фиг. 5 - схематический вид подложки матрицы в соответствии с одним вариантом осуществления.

[0027] Фиг. 6 - схематический вид панели дисплея в соответствии с одним вариантом осуществления

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

[0028] Варианты осуществления изобретения теперь будут описаны более подробно со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых показаны варианты осуществления изобретения.

[0029] На Фиг. 1 представлен схематический вид ТПТ в соответствии с одним вариантом осуществления. Как показано на Фиг. 1, ТПТ 10 включает затвор 11, первый изолирующий слой 12, полупроводниковый слой 13, исток 14, сток 15, второй изолирующий слой 16 и проводящий слой 17. Первый изолирующий слой 12 расположен над затвором 11. Второй изолирующий слой 16 расположен над первым изолирующим слоем 12. Полупроводниковый слой 13, исток 14 и сток 15 расположены между первым изолирующим слоем 12 и вторым изолирующим слоем 16. Проводящий слой 17 расположен над вторым изолирующим слоем 16, и проводящий слой 17 и затвор 11 электрически связаны друг с другом. Таким образом, когда ТПТ 10 находится в состоянии включения, ток включения, генерируемый в проводящем канале полупроводникового слоя 13 увеличивается. Когда ТПТ 10 находится в состоянии отключения, ток отключения в проводящем канале полупроводникового слоя 13 уменьшается.

[0030] В одном варианте осуществления первое отверстие 110 расположено над затвором 11. Первое отверстие 110 проходит через первый изолирующий слой 12 и второй изолирующий слой 16, чтобы открыть затвор 11. Проводящий слой 17 соединяется с затвором 11 через первое отверстие 110. Проводящий слой 17 может быть пленкой из оксида индия-олова (ITO) или металлическим слоем. Проводящий слой 17 может быть выполнен из другого проводящего материала только в том случае, если затвор 11 и проводящий слой 17 электрически связаны друг с другом.

[0031] В одном варианте осуществления полупроводниковый слой 13 расположен над первым изолирующим слоем 12. Исток 14 и сток 15 расположены над полупроводниковым слоем 13. Помимо этого, исток 14 и сток 15 расположены на двух боковых сторонах полупроводникового слоя 13. ТПТ 10 также включает слой омического контакта 18, расположенный между полупроводниковым слоем 13 и истоком 14, стоком 15. Помимо этого, слой омического контакта 18 включает второе отверстие 111, проходящее через слой омического контакта 18 через зазор между истоком 14 и стоком 15, чтобы открыть полупроводниковый слой 13. Второй изолирующий слой 16 соединяется с полупроводниковым слоем 13 через второе отверстие 111.

[0032] Принцип работы ТПТ 10 будет описан ниже.

[0033] На Фиг. 2 представлен схематический вид ТПТ с Фиг. 1 в состоянии включения. На Фиг. 3 представлен схематический вид ТПТ с Фиг. 1 в состоянии отключения. Как показано на Фиг. 2, ТПТ 10 находится в состоянии включения, когда на затвор 11 ТПТ 10 поступают сигналы включения, т.е., высокое напряжение. Исток 14 и сток 15 электрически соединены посредством полупроводникового слоя 13. Электроны являются носителями для активации функции электропроводности. В одном варианте осуществления, так как проводящий слой 17 и затвор 11 соединены посредством первого отверстия 110, сигналы включения поступают на затвор 11 и проводящий слой 17 одновременно. В этот момент проводящие каналы 133, 134 формируются, соответственно, на одной стороне 131 полупроводникового слоя 13 рядом с затвором 11 и на другой стороне 132 полупроводникового слоя 13 рядом с проводящим слоем 17. Ток передается между истоком 14 и стоком 15 через проводящие каналы 133, 134.

[0034] Как показано на Фиг. 3, ТПТ 10 находится в состоянии отключения, когда на затвор 11 ТПТ 10 поступают сигналы отключения. В этот момент исток 14 и сток 15 электрически изолированы. Конкретнее, проводящий слой 17 принимает сигналы отключения одновременно. В этот момент электроны в проводящих каналах 133, 134 отталкиваются затвором 11 и проводящим слоем 17, так что между истоком 14 и стоком 15 тока нет.

[0035] В свете вышеизложенного, два проводящих канала 133, 134 формируются, когда ТПТ 10 находится в состоянии включения. Сопротивление проводящих каналов уменьшено, так что ток включения увеличивается. В состоянии отключения электроны в проводящих каналах 133, 134 отталкиваются затвором 11 и проводящим слоем 17. Ток отключения уменьшается. То есть, утечка тока также уменьшается. Таким образом, отношение тока включения к току отключения увеличивается.

[0036] На Фиг. 4 представлен схематический вид ТПТ в соответствии с еще одним вариантом осуществления. Как показано на Фиг. 4, ТПТ 40 включает затвор 41, первый изолирующий слой 42, полупроводниковый слой 43, исток 44, сток 45, второй изолирующий слой 46, проводящий слой 47 и слой омического контакта 48. Различие между ТПТ 40 и ТПТ 10 с Фиг. 1 будет описано ниже. Исток 44 и сток 45 расположены над первым изолирующим слоем 42. Полупроводниковый слой 43 расположен над истоком 44 и стоком 45. Слой омического контакта 48 расположен между полупроводниковым слоем 43 и истоком 44, стоком 45. Помимо этого, слой омического контакта 48 включает второе отверстие 441, проходящее через слой омического контакта 48 посредством зазора между истоком 44 и стоком 45, чтобы открыть первый изолирующий слой 42. Полупроводниковый слой 43 соединяется с первым изолирующим слоем 42 через второе отверстие 441.

[0037] Принцип работы ТПТ 40 по существу соответствует принципу работы ТПТ 10 из первого варианта осуществления.

[0038] На Фиг. 5 представлен схематический вид подложки матрицы в соответствии с одним вариантом осуществления. Как показано на Фиг. 5, подложка матрицы 50 включает подложку 51 и некоторое число ТПТ 52, расположенных на подложке 51. ТПТ 52 могут быть вышеупомянутыми ТПТ 10 или ТПТ 40.

[0039] На Фиг. 6 представлен схематический вид панели дисплея в соответствии с одним вариантом осуществления. Как показано на Фиг. 6, панель дисплея 60 включает подложку матрицы 61 и подложку из цветной пленки 62, расположенную напротив подложки матрицы 61, и слой жидкого кристалла 63 между подложкой матрицы 61 и подложкой из цветной пленки 62. Подложка матрицы 61 и подложка из цветной пленки 62 совместно регулируют выравнивание жидкого кристалла 631 в слое жидкого кристалла 63, чтобы управлять пучками света, проходящими через слой жидкого кристалла 63, для получения требуемых изображений. В этом варианте осуществления подложкой матрицы 61 является вышеупомянутая подложка матрицы 50.

[0040] В свете вышеизложенного, путем добавления одного проводящего слоя над вторым изолирующим слоем могут формироваться два проводящих канала, когда ТПТ находится в состоянии включения. Сопротивление проводящих каналов уменьшено, так что ток включения увеличивается. В состоянии отключения электроны в проводящих каналах отталкиваются затвором и проводящим слоем. Ток отключения уменьшается. То есть, ток утечки также уменьшается. Таким образом, отношение тока включения к току отключения увеличивается.

[0041] Мы полагаем, что данные варианты осуществления и их преимущества будут поняты из вышеприведенного описания, и будет очевидно, что в них могут быть внесены разные изменения, но без нарушения сущности и объема изобретения или без ущерба для всех его материальных преимуществ, при этом описанные выше примеры являются просто предпочтительными примерами вариантов осуществления изобретения.


ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР, ПОДЛОЖКА МАТРИЦЫ И ПАНЕЛЬ ДИСПЛЕЯ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР, ПОДЛОЖКА МАТРИЦЫ И ПАНЕЛЬ ДИСПЛЕЯ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР, ПОДЛОЖКА МАТРИЦЫ И ПАНЕЛЬ ДИСПЛЕЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 71-80 из 117.
09.08.2018
№218.016.7964

Печатная плата и способ ее проектирования

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться при проектировании печатной платы с несколькими отверстиями для винтов. Технический результат состоит в повышении точности проектирования печатных плат. Для этого способ включает этапы: последовательное расположение верхней стороны,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663185
Дата охранного документа: 02.08.2018
09.08.2018
№218.016.79b9

Подложка матрицы, панель жидкокристаллического дисплея и способ управления ими

Изобретение относится к подложке матрицы, панели жидкокристаллического дисплея и способу управления панели жидкокристаллического дисплея. Подложка матрицы включает множество пиксельных блоков, каждый из которых включает электрод основной области, электрод вторичной области и конденсатор обмена,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663081
Дата охранного документа: 01.08.2018
19.08.2018
№218.016.7d77

Жидкокристаллическое устройство и способ его изготовления

Изобретение относится к технологиям изготовления жидкокристаллических дисплеев. Жидкокристаллическое устройство включает подложку массива тонкопленочных транзисторов, ЦФ-подложку и слой жидкого кристалла. Подложка массива тонкопленочных транзисторов включает первый электродный слой и первый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664289
Дата охранного документа: 16.08.2018
22.08.2018
№218.016.7e46

Подложка матрицы и жидкокристаллическое устройство отображения

Изобретение относится к подложке матрицы и жидкокристаллическому устройству отображения. Подложка матрицы представляет собой прямоугольную подложку, протяженную вдоль направления оси x и направления оси y, а направление оси x и направление оси y перпендикулярны друг другу. Указанная подложка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664286
Дата охранного документа: 20.08.2018
25.08.2018
№218.016.7ed0

Жидкокристаллическое устройство отображения, жидкокристаллический дисплей и способ затемнения такого дисплея

Изобретение относится к жидкокристаллическим устройствам отображения и процессу затемнения. Жидкокристаллический дисплей содержит нижнюю подложку, снабженную нижним общим электродом, линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором. Электрод затвора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664677
Дата охранного документа: 21.08.2018
29.08.2018
№218.016.80a6

Способ контроля конструкции с мдп-структурой в тонкопленочных транзисторах и система для осуществления контроля

Изобретение относится к области техники жидкокристаллических дисплеев, в частности к контролю конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах) и его системе. Раскрыт способ контроля конструкции с МДП-структурой (структурой металл...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002665263
Дата охранного документа: 28.08.2018
29.08.2018
№218.016.80c7

Конструкция модуля подсветки

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является повышение надежности устройства. Конструкция модуля подсветки включает панель дисплея, множество оптических пленок, световодную пластину и отражающий лист, уложенные последовательно, и защитный клей, расположенный на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002665047
Дата охранного документа: 28.08.2018
13.09.2018
№218.016.8774

Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов и способ ее изготовления, и жидкокристаллический дисплей

Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает область расположения электродов пикселей, область расположения электродов данных, прозрачный слой электродов пикселей, сформированный в области расположения электродов пикселей, первый металлический слой, первый диэлектрический слой, слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666815
Дата охранного документа: 12.09.2018
16.09.2018
№218.016.885d

Жидкокристаллический дисплей с сенсорной функцией и реализованный в нем способ обнаружения касания

Изобретение относится к жидкокристаллическим дисплеям с сенсорной функцией и реализованному в нем способу обнаружения касания. Технический результат заключается в уменьшении взаимного влияния сигналов отображения и сенсорных сигналов для того, чтобы повысить качество отображения и эффективность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002667050
Дата охранного документа: 13.09.2018
16.09.2018
№218.016.8877

Способ преобразования и система преобразования трехцветных данных в четырехцветные данные

Изобретение относится к области технологии отображения. Технический результат – улучшение насыщенности цвета изображения, отображаемого устройством отображения. Способ преобразования трехцветных данных в четырехцветные данные включает преобразование входных RGB данных в промежуточные RGBW...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002667043
Дата охранного документа: 13.09.2018
Показаны записи 31-39 из 39.
20.01.2018
№218.016.14d2

Схема возбуждения и способ возбуждения жидкокристаллической панели и жидкокристаллического дисплея

Изобретение относится к схеме возбуждения жидкокристаллической панели. Технический результат заключается в снижении расхода энергии панели ЖК-дисплея и уменьшении числа применяемых ИС возбуждения истока. Схема возбуждения включает m×n ТПТ пикселей, драйвер затвора, драйвер истока, m линий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635068
Дата охранного документа: 08.11.2017
20.01.2018
№218.016.1983

Жидкокристаллическая панель, способ возбуждения и жидкокристаллическое устройство

Изобретение относится к технологии изготовления жидкокристаллических дисплеев и, более конкретно, к жидкокристаллической панели, способу возбуждения и жидкокристаллическому дисплею. Жидкокристаллическая панель включает некоторое множество пикселей, расположенных в форме матрицы, некоторое...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636266
Дата охранного документа: 21.11.2017
13.02.2018
№218.016.203e

Панель дисплея и ее структура линий разветвления по выходу

Изобретение относится к технологии производства дисплеев. Панель дисплея включает область отображения и область связи. Область отображения включает некоторое число линий сигнала, а область связи включает контактную площадку. Структура линий разветвления по выходу включает некоторое число линий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641636
Дата охранного документа: 18.01.2018
13.02.2018
№218.016.2228

Тонкая пленка низкотемпературного поликристаллического кремния, способ изготовления такой тонкой пленки и транзистор, изготовленный из такой тонкой пленки

Изобретение предлагает способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния, включающий этап выращивания слоя аморфного кремния, этап первоначального выращивания слоя оксида кремния на слое аморфного кремния, затем формирование некоторого множества вогнутых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642140
Дата охранного документа: 24.01.2018
17.02.2018
№218.016.2aa4

Объединяемая жидкокристаллическая панель, способ ее сборки и сборный телеэкран, включающий такую панель

Изобретение относится к объединяемой жидкокристаллической панели и к способу сборки объединяемой жидкокристаллической панели, а также к сборному телеэкрану, включающему объединяемую жидкокристаллическую панель. Объединяемая жидкокристаллическая панель включает модуль подсветки и некоторое число...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642891
Дата охранного документа: 29.01.2018
17.02.2018
№218.016.2d9a

Формирователь сд-подсветки и жидкокристаллическое устройство

Формирователь ЖК-подсветки включает инвертор для преобразования входного напряжения в необходимое выходное напряжение и для подачи выходного напряжения на по меньшей мере одну цепочку светодиодов, повторитель соединен с отрицательным концом цепочки светодиодов, и модуль опорного напряжения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643784
Дата охранного документа: 06.02.2018
04.04.2018
№218.016.3225

Способ возбуждения и управляющая схема для панели жидкокристаллического дисплея

Изобретение относится к области жидкокристаллических дисплеев. Технический результат заключается в уменьшении числа проводящих дорожек на панели жидкокристаллического дисплея. Технический результат достигается за счет генерации начального импульсного сигнала, который имеет первый передний...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645289
Дата охранного документа: 19.02.2018
04.04.2018
№218.016.3292

Устройство настенного монтажа

Устройство настенного монтажа включает каретку, присоединенную к панели дисплея, крепежную раму, монтируемую на стену, и блок рельсовых направляющих, выполненных между кареткой и крепежной рамой. Блок рельсовых направляющих включает первую рельсовую направляющую и вторую рельсовую направляющую,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645525
Дата охранного документа: 21.02.2018
18.05.2018
№218.016.521f

Индикаторная панель с тремя затворами

Изобретение относится к средствам для отображения информации. Индикаторная панель с тремя затворами содержит: множество пиксельных блоков, каждый из которых включает три субпиксельных блока для отображения разных цветов, причем каждый субпиксельный блок снабжен тонкопленочным транзистором,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002653128
Дата охранного документа: 07.05.2018
+ добавить свой РИД