×
26.08.2017
217.015.e9f2

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002628111
Дата охранного документа
15.08.2017
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления тонкопленочных чип-резисторов, резистивных матриц, а также гибридных интегральных схем с резисторами в производстве радиоэлектронной аппаратуры различного назначения. Техническим результатом является повышение надежности резисторов за счет увеличения до максимально возможной поверхности контактирования проводникового и резистивного слоев по их периметру в области контактных площадок резисторов и расположения контактных площадок резисторов на обеих поверхностях подложки. Способ изготовления включает травление окон в диэлектрическом слое заготовки из лакофольгового диэлектрика до слоя медной фольги, осаждение в эти окна гальванической меди, вакуумное напыление на диэлектрический слой подложки резистивных и проводникового слоев, формирование из них в области окон в диэлектрическом слое заготовки резистивных элементов и контактных площадок к ним, которые представляют собой многослойную структуру из медной фольги, гальванической и вакуумной меди, внутри которой осуществляется электрический контакт проводникового и резистивного слоев по всему периметру. 3 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к технологии изготовления чип-резисторов, резистивных матриц и гибких интегральных схем на основе лакофольговых диэлектриков и может быть использовано в электронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике.

Известен способ изготовления прецизионных чип-резисторов (Патент РФ №2402088 «Способ изготовления прецизионных чип-резисторов по гибридной технологии», опубликовано: 20.10.2010), содержащий последовательное формирование на изоляционной подложке на основе толстопленочной технологии электродных контактов, а на основе тонкопленочной технологии - резистивного слоя с последующим ломанием изоляционной подложки на чипы. Недостатком аналога является большое количество технологических операций как по тонкопленочной, так и по толстопленочной технологии, что делает трудоемкой его техническую реализацию.

В Патенте РФ №2330343 «Тонкопленочный резистор» (опубликовано: 27.07.2008) предложена конструкция и технология изготовления контакта, позволяющая снизить пиковые значения мощности рассеяния и тем самым повысить устойчивость резистора к параметрическим и катастрофическим отказам. Эта технология выбрана нами за прототип.

Отличительной особенностью прототипа является увеличение толщины резистивного слоя под контактом и в приграничной к контакту зоне резистора на длину не менее тройной толщины резистивного слоя (образование ступеньки). Таким образом, утолщение резистивного слоя под контактом и в приграничной к контакту зоне резистивного элемента позволяет снизить пиковые значения мощности рассеяния и повысить тем самым устойчивость резистора к параметрическим и катастрофическим отказам. Однако следует отметить, что предложенная технология изготовления прототипа влечет за собой усложнение процесса изготовления и увеличение затрат на производство.

Недостаток известных способов изготовления пленочных резисторов состоит в том, что электрический контакт резистивного и проводникового слоев происходит не по всему периметру резистивного слоя.

В предлагаемом способе изготовления чип-резистора контакт проводникового и резистивного слоев происходит по всему периметру поверхности резистивного слоя в области контактных площадок резистора, что повышает надежность резисторов и уменьшает возможность параметрических и катастрофических отказов.

Основной задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является повышение надежности чип-резисторов в процессе эксплуатации, снижение весогабаритных характеристик.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение надежности резисторов за счет увеличения до максимально возможной поверхности контактирования резистивного элемента по его периметру в области контактных площадок резисторов и расположения контактных площадок резисторов на обеих поверхностях подложки.

Предлагаемый способ иллюстрируется фигурами 1, 2 и 3, где:

Фиг. 1 - технологический процесс изготовления тонкопленочных чип-резисторов;

Фиг. 2 - 3D-модель чип-резистора, а) фронтальное изображение чип-резистора, б) сечение контактной площадки чип-резистора;

Фиг. 3 - структурный разрез контактной площадки чип-резистора.

Указанный технический результат достигается тем, что предлагаемый способ изготовления тонкопленочных чип-резисторов, основанный на использовании лакофольговых диэлектриков (Фиг. 1), включает травление окон в диэлектрическом слое заготовки (а) до слоя медной фольги (б), осаждение в эти окна гальванической меди (в) вакуумное напыление на диэлектрическую сторону заготовки вначале резистивного слоя с формированием резистивного элемента, а затем медного проводникового слоя с формированием контактных площадок резистора (г, д), которые представляют собой (Фиг. 2, 3) многослойную структуру из медной фольги подложки, гальванической и вакуумной меди, внутри которой осуществляется электрический контакт с резистивным элементом, обеспечивая максимально возможную площадь контактирования контактных площадок и резистивного элемента по его периметру.

Сущность предложенного способа изготовления чип-резисторов и резистивных матриц на основе лакофольговых диэлектриков заключается в следующем.

В качестве подложки для нанесения резистивных и проводникового слоев применяют лакофольговый диэлектрик, например, марки ФДИ-АП ЫУО.037.042 ТУ с толщиной диэлектрического слоя из полиимида 30 мкм и толщиной медной фольги 35 мкм. В диэлектрическом слое подложки вытравливают окна до медной фольги в местах расположения контактных площадок резисторов. Далее осаждают в эти окна гальваническую медь до уровня поверхности диэлектрического слоя.

На его поверхность вакуумным напылением наносят резистивный слой, формируют из него резистивный элемент, затем напыляют слой из меди и формируют из медной фольги подложки, гальванически и вакуумно-осажденной меди контактные площадки резистора (Фиг. 3).

Пример осуществления способа изготовления чип-резисторов и резистивных матриц на основе лакофольговых диэлектриков.

На Фиг. 1 показана последовательность технологических операций по изготовлению гибкой тонкопленочной гибридной интегральной схемы с чип-резисторами по заявленному способу. В диэлектрическом слое заготовки из лакофольгового диэлектрика, марки ФДИ-АП ЫУО.037.042 ТУ (или другого аналогичного), методом фотолитографии или другим способом формируют окна на толщину диэлектрического слоя до проводникового слоя из медной фольги в местах расположения контактных площадок чип-резисторов. Затем в эти окна осаждают гальваническую медь на толщину диэлектрического слоя заготовки. На полученную структуру напыляют на вакуумной установке резистивный слой и формируют из него методом фотолитографии, ионного травления или через маски резистивный элемент. Далее на диэлектрическую часть заготовки со сформированными резистивными элементами напыляют проводниковый слой вакуумной меди и формируют из него контактные площадки резисторов. Из медной фольги заготовки формируют контактные площадки с противоположной стороны диэлектрического слоя. Проводниковые элементы платы покрывают защитным антикоррозионным слоем (золото, хим. олово или другими материалами) и производят подгонку резисторов. При установке чип-резисторов вне герметичных объемов на резистивный элемент наносят слой изоляционного лака типа УР-231 (Фиг. 1, е).

Изготовленные данным способом чип-резисторы можно устанавливать на печатные платы из органических и керамических материалов. Также данная технология применима для изготовления тонкопленочных гибридных интегральных схем и резистивных матриц.

Способ изготовления тонкопленочных чип-резисторов, основанный на использовании лакофольговых диэлектриков, отличающийся тем, что в диэлектрическом полимерном слое подложки вытравливают окна до слоя медной фольги, осаждают в эти окна гальваническую медь до уровня поверхности полимерного слоя, методом вакуумного напыления наносят на диэлектрический слой подложки резистивный слой с формированием резистивного элемента, а затем медный проводниковый слой с формированием контактных площадок резистора, которые представляют собой многослойную проводниковую структуру, внутри которой находится резистивный слой, контактирующий по всему периметру с проводниковым слоем.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-30 из 45.
20.01.2018
№218.016.0fbf

Способ и устройство автоматизированной проверки работоспособности и диагностики неисправностей радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области технической диагностики, в частности к способам и устройствам контроля работоспособности и диагностики неисправностей радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) цифровых, аналоговых, цифроаналоговых электронных модулей РЭА, в частности радиолокационной станции (РЛС)....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633530
Дата охранного документа: 13.10.2017
20.01.2018
№218.016.1038

Антенное переключающее устройство (апу)

Антенное переключающее устройство (АПУ) относится к антенной технике и может быть использовано в приемопередающих модулях (ППМ) активных фазированных антенных решеток. Устройство содержит передающий, приемный и приемопередающий участки линии передачи, Т-образное разветвление с четвертьволновым...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633654
Дата охранного документа: 16.10.2017
20.01.2018
№218.016.16c2

Способ формирования и обработки радиолокационных модифицированных фазоманипулированных сигналов

Изобретение относится к области радиолокации и предназначено для формирования и обработки радиолокационных модифицированных фазоманипулированных (ФМ) сигналов в радиолокационных станциях. Техническим результатом является формирование модифицированного ФМ-сигнала, имеющего минимальные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635875
Дата охранного документа: 16.11.2017
17.02.2018
№218.016.2bbb

Способ улучшения характеристик нелинейного радиолокатора

Настоящее изобретение относится к области нелинейной радиолокации и может быть использовано при разработке нелинейных радиолокаторов (НРЛ), осуществляющих поиск объектов, имеющих в своем составе нелинейные элементы (НЭ). Техническим результатом предлагаемого изобретения является улучшение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643199
Дата охранного документа: 31.01.2018
04.04.2018
№218.016.31ac

Способ сетевой обработки информации в автоматизированной системе обработки и обмена радиолокационной информацией

Изобретение относится к радиолокации и может быть использовано в автоматизированных системах управления, построенных на принципах сетевой информационной структуры, в части, касающейся передачи и обмена радиолокационной информацией (РЛИ), в автоматизированной системе обработки и обмена...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645154
Дата охранного документа: 16.02.2018
18.05.2018
№218.016.50d1

Устройство первичной обработки радиолокационной информации

Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для цифровой обработки радиолокационных сигналов и управления аппаратурой в составе радиолокационного комплекса. Достигаемый технический результат - улучшение технических характеристик, а именно повышение производительности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002653293
Дата охранного документа: 07.05.2018
09.06.2018
№218.016.5b5d

Способ закалки тонкостенных длинномерных деталей из стали 12х2нвфа в управляемом потоке воздуха

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано в машиностроительной и радиотехнической промышленности. Техническим результатом изобретения является упрощение и сокращение процесса закалки и улучшение экологии. Для достижения технического результата длинномерные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002655875
Дата охранного документа: 29.05.2018
20.06.2018
№218.016.648f

Способ построения компактных делителей мощности свч сигналов

Изобретение относится к области сверхвысокочастотной радиотехники, в частности к делителям мощности. Способ построения компактных делителей мощности сверхвысокочастотных сигналов основан на объединении транснаправленных ответвителей в делитель, собираемый по квазицепочечной схеме с учетом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658093
Дата охранного документа: 19.06.2018
25.06.2018
№218.016.6640

Мобильный радиолокационный комплекс для обнаружения средств поражения и противодействия этим средствам

Изобретение относится к радиолокации и может быть использовано для обнаружения средств поражения и противодействия им. Достигаемым техническим результатом является расширение функциональных возможностей мобильной трехкоординатной радиолокационной станции (РЛС) обнаружения. Указанный результат...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658640
Дата охранного документа: 22.06.2018
25.06.2018
№218.016.678c

Способ и устройство определения модуля скорости баллистического объекта с использованием выборки квадратов дальности

Изобретение относится к радиолокации и может быть использовано преимущественно в наземных радиолокационных станциях (РЛС) кругового и секторного обзора. Достигаемый технический результат - повышение точности определения модуля скорости баллистического объекта (БО) в РЛС с грубыми измерениями...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658317
Дата охранного документа: 20.06.2018
Показаны записи 21-25 из 25.
20.01.2018
№218.016.0fbf

Способ и устройство автоматизированной проверки работоспособности и диагностики неисправностей радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области технической диагностики, в частности к способам и устройствам контроля работоспособности и диагностики неисправностей радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) цифровых, аналоговых, цифроаналоговых электронных модулей РЭА, в частности радиолокационной станции (РЛС)....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633530
Дата охранного документа: 13.10.2017
20.01.2018
№218.016.1038

Антенное переключающее устройство (апу)

Антенное переключающее устройство (АПУ) относится к антенной технике и может быть использовано в приемопередающих модулях (ППМ) активных фазированных антенных решеток. Устройство содержит передающий, приемный и приемопередающий участки линии передачи, Т-образное разветвление с четвертьволновым...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633654
Дата охранного документа: 16.10.2017
20.01.2018
№218.016.16c2

Способ формирования и обработки радиолокационных модифицированных фазоманипулированных сигналов

Изобретение относится к области радиолокации и предназначено для формирования и обработки радиолокационных модифицированных фазоманипулированных (ФМ) сигналов в радиолокационных станциях. Техническим результатом является формирование модифицированного ФМ-сигнала, имеющего минимальные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635875
Дата охранного документа: 16.11.2017
17.02.2018
№218.016.2bbb

Способ улучшения характеристик нелинейного радиолокатора

Настоящее изобретение относится к области нелинейной радиолокации и может быть использовано при разработке нелинейных радиолокаторов (НРЛ), осуществляющих поиск объектов, имеющих в своем составе нелинейные элементы (НЭ). Техническим результатом предлагаемого изобретения является улучшение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643199
Дата охранного документа: 31.01.2018
04.04.2018
№218.016.31ac

Способ сетевой обработки информации в автоматизированной системе обработки и обмена радиолокационной информацией

Изобретение относится к радиолокации и может быть использовано в автоматизированных системах управления, построенных на принципах сетевой информационной структуры, в части, касающейся передачи и обмена радиолокационной информацией (РЛИ), в автоматизированной системе обработки и обмена...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645154
Дата охранного документа: 16.02.2018
+ добавить свой РИД