×
26.08.2017
217.015.dc7b

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится метрологии, в частности к технике измерения тепловых параметров светодиодов. Через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока I, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону, с частотой модуляции Ω и глубиной модуляции ; во время действия импульсов греющего тока измеряют напряжение на светодиоде и центральную длину волны излучения светодиода с известным температурным коэффициентом Κ, по результатам измерения определяют амплитуду первой гармоники греющей мощности Р(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники центральной длины волны излучения светодиода , а также сдвиг фазы между ними ϕ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, измеряют среднюю за период модуляции мощность оптического излучения светодиода, и модуль теплового импеданса находят по формуле а фазу ϕ(Ω) теплового импеданса светодиода определяют как разность фаз между первой гармоникой центральной длины волны излучения светодиода и первой гармоникой греющей мощности. Технический результат - повышение точности измерения теплового импеданса. 2 ил.

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых изделий и может быть использовано на выходном и входном контроле качества изготовления светодиодов.

Известен способ измерения теплового сопротивления полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что на контролируемый диод подают импульсы греющей мощности фиксированной длительности и амплитуды, а в промежутках между импульсами измеряют изменение температурочувствительного параметра (ТЧП), например, прямого напряжения UТЧП диода при пропускании через него малого измерительного тока (ГОСТ 19656, 18-84. Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления).

Недостатком способа является низкая точность, обусловленная большой погрешностью измерения импульсного напряжения UТЧП(t) из-за влияния переходных тепловых и электрических процессов при переключении полупроводникового диода из режима разогрева в режим измерения (Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М: Сов. радио, 1980. - С. 51).

Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению (прототипом) является способ измерения теплового импеданса светоизлучающих диодов (Пат. RU 2556315 РФ МПК G01R 31/00. Способ измерения теплового импеданса светодиодов / Сергеев В.А., Смирнов В.И. - Заявка 2013101864/28, заявл. 15.01.2013, опубл. 10.07.2015, бюл. №19), состоящий в том, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока Iгр, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону с глубиной модуляции а; в промежутках между импульсами греющего тока через светодиод пропускают малый постоянный начальный ток, по результатам измерения напряжения на диоде во время действия импульсов греющего тока и в промежутках между ними определяют амплитуду первой гармоники мощности Pm1(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра с известным отрицательным температурным коэффициентом KTU - прямого напряжения на светодиоде при протекании через него малого постоянного начального тока, и сдвиг фазы между ними ϕ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, дополнительно измеряют среднюю мощностьоптического излучения светодиода и модуль теплового импеданса находят по формуле

а фаза ϕΤ(Ω) теплового импеданса светодиода будет равна сдвинутой на 180° разности фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой мощности.

Недостатком известного способа является большая погрешность измерения ТЧП из-за переходных процессов при переключении светодиодов из режима нагрева рабочим током в режим измерения. По этой причине верхняя частота частотного диапазона измерения теплового импеданса СИД известным способом ограничена длительностью этих переходных процессов и не превышает 1 кГц.

Технический результат - повышение точности измерения теплового импеданса и повышение верхней частоты диапазона измерения

Технический результат достигается тем, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока Iгр, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону с частотой модуляции Ω и глубиной модуляции а; во время действия импульсов греющего тока измеряют напряжение на светодиоде и центральную длину волны излучения светодиода с известным температурным коэффициентом K, по результатам измерения определяют амплитуду первой гармоники мощности Рm1(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники центральной длины волны излучения светодиода, а также сдвиг фазы между ними ϕ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, измеряют среднюю за период модуляции мощностьоптического излучения светодиода и модуль теплового импеданса находят по формуле

а фазу ϕT (Ω) теплового импеданса светодиода определяют как разность фаз между первой гармоникой центральной длины волны излучения светодиода и первой гармоникой мощности.

Повышение точности измерения модуля теплового импеданса светодиода достигается за счет того, что в качестве ТЧП используется центральная длина волны излучения светодиода, которая, как известно (Шуберт, Ф. Светодиоды / Ф. Шуберт; пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. - 496 с.) линейно возрастает с увеличением температуры с постоянным температурным коэффициентом. Температурный коэффициент K обусловлен фундаментальными свойствами полупроводникового материала гетероструктуры и слабо зависит от параметров режима работы светодиода. При этом на изменение этого параметра переходные электрические процессы никакого влияния не оказывают. ШИМ модуляция тока через светодиод по гармоническому закону с заданной глубиной модуляции обеспечивает изменение мощности, потребляемой светодиодом, по закону, близкому к гармоническому, где - постоянная составляющая (среднее значение) греющей мощности, Uд - напряжение на диоде при протекании через него греющего тока заданной амплитуды, Рm1=Im1Uд - первая гармоника греющей мощности, Im1=аIгр - первая гармоника греющего тока. Через некоторое время, превышающее три постоянных времени переход-корпус светодиода, в светодиоде установится регулярный режим и температура р-n-перехода светодиода будет пульсировать относительно некоторого квазистационарного значения, где - установившееся среднее значение температуры перехода, - переменная составляющая температуры перехода светодиода, изменяющаяся по закону, близкому к гармоническому: , ϕT - сдвиг фаз между изменением греющей мощности и изменением температуры. Центральная длина волны излучения будет «отслеживать» измерение температуры именно активной области (гетероперехода) светодиода и будет изменяться также по закону, близкому к гармоническому: , где - центральная длина излучения при средней температуре перехода; , - первая гармоника переменной составляющей изменения центральной длины волны излучения.

Современные средства измерения центральной длины излучения узкополосных оптических сигналов имеют быстродействие порядка 3-5 мкс (см., например, Ульянов, А.В. Методы и средства оперативного контроля параметров спектра узкополосного оптического излучения /А.В. Ульянов, В.А. Сергеев, Рогов В.Н. // Автоматизация процессов управления. - 2015. - №4. - С. 75-80). При этом случайная погрешность, обусловленная шумами фотоприемников, уменьшается в результате фильтрации полезного сигнала при определении первой гармоники. Следует отметить также, что измерение центральной длины производится в те же моменты времени, в которые производится измерение напряжения на светодиоде, что позволяет упростить реализацию способа в конкретных устройствах.

Предлагаемый способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема которого показана на фиг. 1. Эпюры напряжений и сигналов, поясняющие сущность способа и алгоритм работы устройства, приведены на фиг. 2.

Устройство содержит контакты 1 для подключения контролируемого светодиода, генератор греющих импульсов тока 2, устройство управления 3, управляемый аналого-цифровой преобразователь (АЦП) 4, делитель светового потока 5, управляемый измеритель 6 центральной длины волны излучения с цифровым выходом, измеритель оптической мощности 7 с цифровым выходом и вычислитель 8 с индикатором.

Устройство работает следующим образом. После установки светодиода в контактную колодку 1 напротив входного отверстия делителя светового потока 5, после подачи команды «Запуск» на устройство управления 3 по сигналам этого устройства генератор импульсов 2 начинает вырабатывать последовательность греющих импульсов тока заданной амплитуды Im и постоянной частоты ƒсл, которые подаются в контролируемый светодиод. Моменты времени tk=kТсл начала k-го импульса и его длительность τuku0(1+asinΩtk) определяются управляющими импульсами UУ1 (фиг. 2, а) и UУ2 (фиг. 2, б) устройства управления; в результате светодиод будет разогреваться последовательностью импульсов греющего тока Iгр, широтно-импульсно модулированной по гармоническому закону с частотой модуляции Ω и глубиной модуляции а (фиг. 2, в). Через некоторое время, превышающее три постоянных времени переход-корпус светодиода, в светодиоде установится регулярный режим и температура р-n-перехода светодиода будет пульсировать относительно некоторого квазистационарного значения (фиг. 2, г), изменяющегося по гармоническому закону. Напряжение на светодиоде во время протекания импульсов тока (фиг. 2, д) по сигналам UУ3 устройства управления 3 в моменты времени, где Δtот1 некоторое фиксированное время задержки (фиг. 2, е), управляемым АЦП 6 преобразуется в цифровой код. Цифровые отсчеты напряжения светодиода Uд(k) передаются в оперативную память вычислителя 8, где формируется массив значений прямого напряжения светодиода {Uд(k)}. В эти же моменты времени измеритель 6 центральной длины волны излучения преобразует в цифровой код ТЧП - центральную длину волны излучения светодиода (фиг. 2, ж). Цифровые отсчеты λ(k) передаются в оперативную память вычислителя 8, где формируется массив значений ТЧП - {λ(k)}. Значениесредней оптической мощности (фиг. 2, з) с выхода измерителя оптической мощности 7 по сигналу устройства управления передается в вычислитель 8 за несколько тактов до окончания измерения.

Вычислитель 8 вычисляет значения импульсной мощности для каждого k-го греющего импульса тока, путем умножения Uд(t) на значение амплитуды греющих импульсов тока Im:Pm(k)=Im⋅Uд(k) и формирует массив значений импульсной мощности {Рт(к)}. По массивам данных {Pm(k)} и {λ(k)} методом дискретного преобразования Фурье вычислитель 8 определяет амплитуду и фазу гармоник греющей мощности (Рm1 и ϕP) и ТЧП (и ϕT) соответственно и далее вычисляет модуль и фазу теплового импеданса полупроводникового диода по формулам:

ϕ=ϕTP. (3б)

Результат вычисления высвечивается на индикаторе.

Для повышения точности преобразование измеряемых величин осуществляют в течение нескольких (3÷5) периодов модуляции греющей мощности и получают N=(3÷5)ТМсл цифровых отсчетов измеряемых величин.


СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-50 из 111.
20.01.2016
№216.013.a0c0

Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных мдп-транзисторов

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества. Способ заключается в том, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572794
Дата охранного документа: 20.01.2016
10.02.2016
№216.014.c2a9

Вибровискозиметрический датчик

Изобретение относится к области определения вибрационным методом сдвиговой вязкости небольших объемов жидкости в локальной области при одновременном измерении ее температуры. Вибровискозиметрический датчик содержит миниатюрный индуктивный датчик текущего положения миниатюрного зонда,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574862
Дата охранного документа: 10.02.2016
20.03.2016
№216.014.cd45

Способ получения монокристаллических алмазных эпитаксиальных пленок большой площади

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке технологии алмазных электронных приборов увеличенной площади. Способ включает закрепление на подложке монокристаллических алмазных пластин с ориентацией поверхности (100) и последующее нанесение на пластины...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002577355
Дата охранного документа: 20.03.2016
10.05.2016
№216.015.3c63

Способ определения оптимального содержания депрессорной присадки в смазочных композициях

Изобретение относится к области исследования материалов и может быть использовано для исследования вязкостно-температурных свойств жидкости и количественной оценки интенсивности и динамики структурных превращений в процессе подбора состава смазочных композиций моторных масел на стадии их...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002583921
Дата охранного документа: 10.05.2016
20.08.2016
№216.015.4c43

Регулируемая свч линия задержки на поверхностных магнитостатических волнах

Использование: для обработки сигналов в широкополосных СВЧ системах различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что регулируемая СВЧ линия задержки на магнитостатических волнах, содержит установленную неподвижно на основании диэлектрическую подложку с расположенными на ней...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594382
Дата охранного документа: 20.08.2016
20.08.2016
№216.015.4c59

Устройство для измерения скорости жидкости

Изобретение относится к электроизмерениям и может быть использовано для измерения скорости электропроводной жидкости и ее флуктуаций. Устройство для измерения скорости жидкости содержит измеритель электрического сопротивления и два подключенных к нему электрода, один из которых закреплен...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594989
Дата охранного документа: 20.08.2016
10.08.2016
№216.015.54c6

Способ изготовления устройств с тонкопленочными сверхпроводниковыми переходами

Использование: для изготовления сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов. Сущность изобретения заключается в том, что наносят без разрыва вакуума трехслойную структуру сверхпроводник - изолятор - нормальный металл (СИН контакт); наносят резист, проводят экспозицию,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002593647
Дата охранного документа: 10.08.2016
25.08.2017
№217.015.992e

Способ измерения переходной тепловой характеристики светоизлучающего диода

Изобретение относится к оптоэлектронной измерительной технике и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых светоизлучающих диодов на различных этапах их разработки и производства, на входном контроле предприятий-производителей светотехнических изделий с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002609815
Дата охранного документа: 06.02.2017
25.08.2017
№217.015.9f31

Акустокалориметрический сенсор для сигнализации изменений газового состава замкнутых помещений

Использование: для создания сенсора изменения состава атмосферы в замкнутых объемах. Сущность изобретения заключается в том, что газовый сенсор содержит температуропроводную подложку из кристаллического материала с плоскопараллельными поверхностями, на рабочей поверхности которой размещен...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002606347
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.b07a

Способ создания в исследуемых объектах локальных электрических и магнитных полей

Изобретение относится к электромагнетизму и может быть использовано для одновременного исследования магнитного, электронного и кристаллического микросостояния объектов. Способ создания в исследуемых объектах локальных электрических и магнитных полей содержит этапы, на которых осуществляют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613332
Дата охранного документа: 16.03.2017
Показаны записи 41-50 из 74.
10.08.2016
№216.015.54c6

Способ изготовления устройств с тонкопленочными сверхпроводниковыми переходами

Использование: для изготовления сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов. Сущность изобретения заключается в том, что наносят без разрыва вакуума трехслойную структуру сверхпроводник - изолятор - нормальный металл (СИН контакт); наносят резист, проводят экспозицию,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002593647
Дата охранного документа: 10.08.2016
25.08.2017
№217.015.992e

Способ измерения переходной тепловой характеристики светоизлучающего диода

Изобретение относится к оптоэлектронной измерительной технике и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых светоизлучающих диодов на различных этапах их разработки и производства, на входном контроле предприятий-производителей светотехнических изделий с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002609815
Дата охранного документа: 06.02.2017
25.08.2017
№217.015.9f31

Акустокалориметрический сенсор для сигнализации изменений газового состава замкнутых помещений

Использование: для создания сенсора изменения состава атмосферы в замкнутых объемах. Сущность изобретения заключается в том, что газовый сенсор содержит температуропроводную подложку из кристаллического материала с плоскопараллельными поверхностями, на рабочей поверхности которой размещен...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002606347
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.b07a

Способ создания в исследуемых объектах локальных электрических и магнитных полей

Изобретение относится к электромагнетизму и может быть использовано для одновременного исследования магнитного, электронного и кристаллического микросостояния объектов. Способ создания в исследуемых объектах локальных электрических и магнитных полей содержит этапы, на которых осуществляют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613332
Дата охранного документа: 16.03.2017
25.08.2017
№217.015.b08e

Способ измерения вертикального распределения скорости звука в воде

Изобретение относится к гидроакустической метрологии, в частности к способам измерения вертикального распределения скорости звука в воде. Способ предполагает излучение широкополосного импульса, прием отраженных сигналов на приемопередающую антенну с узкой характеристикой направленности,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613485
Дата охранного документа: 16.03.2017
25.08.2017
№217.015.b09d

Способ измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных схем

Использование: для контроля тепловых свойств цифровых интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ заключается в разогреве цифровой интегральной схемы ступенчатой электрической греющей мощностью известной величины и в измерении в определенные моменты времени в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613481
Дата охранного документа: 16.03.2017
25.08.2017
№217.015.b7d2

Генератор свч шумовых колебаний

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при разработке аппаратуры миллиметрового диапазона волн различного назначения. Технический результат - повышение средней частоты спектра генерации шумовых колебаний в миллиметровом диапазоне волн. Генератор СВЧ шумовых колебаний...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614925
Дата охранного документа: 30.03.2017
25.08.2017
№217.015.b800

Оптическая система электропитания электронных устройств

Изобретение относится к системам питания электронных устройств с помощью оптического излучения и может найти применение в измерительных устройствах с гальванической развязкой области измерений и области отображения информации, например в высоковольтных или взрывоопасных устройствах. Оптическая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615017
Дата охранного документа: 03.04.2017
25.08.2017
№217.015.be44

Способ определения напряжения локализации тока в мощных вч и свч биполярных транзисторах

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества. Способ согласно изобретению основан на использовании эффекта увеличения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002616871
Дата охранного документа: 18.04.2017
25.08.2017
№217.015.bf73

Функциональный элемент на магнитостатических спиновых волнах

Изобретение относится к устройствам СВЧ-электроники и может быть использовано при конструировании нано- и микроэлектронных элементов для обработки сигналов. Элемент на магнитостатических спиновых волнах (МСВ) имеет две пары микрополосковых преобразователей, которые образуют два параллельных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617143
Дата охранного документа: 21.04.2017
+ добавить свой РИД