×
25.08.2017
217.015.c5e6

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ СОЗДАНИЯ РЕГЕНЕРИРУЕМОГО БИОСЕНСОРА НА ОСНОВЕ КОМПЛЕКСА ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА С АФФИННЫМИ МОЛЕКУЛАМИ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Использование: для создания регенеруемого биосенсора. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя изготовление подложки биосенсора с массивом нанопроволок, формирующих фотонный кристалл, подготовку поверхности подложки для модификации аффинными молекулами, активацию поверхности аффинными молекулами, специфичными к целевым аналитам, присутствие целевых аналитов выявляют добавлением специфичных к ним детектирующих молекул, несущих на себе флуоресцентную метку, выбранную таким образом, чтобы максимум флуоресценции метки совпадал по длине волны с резонансной модой фотонного кристалла, приводя к увеличению интенсивности флуоресценции метки на этой длине волны, после чего поверхность биосенсора регенерируют для повторных использований. Технический результат: обеспечение возможности многократного использования биосенсора. 13 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области медицины и нанотехнологии, в частности к способу создания регенеруемого биосенсора для высокочувствительной детекции биологических аналитов. Способ создания регенерируемого нанопроволочного биосенсора может применяться для производства высокочувствительных планарных биосенсоров нового типа, совместимых со стандартными флуоресцентными ридерами. Нанопроволочный биосенсор представляет собой фотонный кристалл, на поверхности которого иммобилизованы аффинные молекулы, способные специфически связываться с биологическими аналитами. Детекция аналитов с помощью биосенсора основана на формировании на поверхности нанопроволочного массива диагностического комплекса, который состоит из распознающей аффинной молекулы, аналита и детектирующей молекулы, связанной с флуоресцентной меткой. Повышение чувствительности детекции с помощью биосенсора по сравнению с известными методами основано на усилении фотолюминесцентного сигнала метки, длина волны фотолюминесценции которой находится в области резонанса фотонного кристалла. Основные требования, которым должен удовлетворять биосенсор, - это эффективное усиление фотолюминесцентного сигнала метки, а также возможность его регенерации для последующих циклов анализа.

Известен способ, включающий применение массива нанопроволок для усиления сигнала флуоресценции в биосенсоре с диэлектрической поверхностью (патент US 20080246961). Недостатком данного способа является то, что массив нанопроволок неупорядочен и помещается сверху на поверхность биосенсора, которая может представлять собой, в том числе, одномерный фотонный кристалл, который не обладает высокими показателями добротности. Кроме того, неупорядоченный массив нанопроволок, помещенный на поверхность биосенсора, препятствует свободному распространению аналита по поверхности биосенсора и эффективному связыванию целевых аналитов; возможность регенерации поверхности биосенсора также отсутствует.

Известен также способ усиления сигнала флуоресценции в биосенсоре с помощью двумерного фотонного кристалла (патент US 7768640). В данном способе фотонный кристалл формируется массивом упорядоченных отверстий на поверхности биосенсора. Аналит, содержащий флуоресцентные метки с длиной волны флуоресценции, попадающей в область резонанса фотонного кристалла, помещается на поверхность биосенсора. Для детектирования используется сигнал флуоресцирующих меток, усиленный фотонным кристаллом на длине волны резонанса за счет эффектов ближнего поля и сильного когерентного рассеяния. Этот способ выбран в качестве прототипа предложенного решения.

Основным недостатком приведенного выше способа является затрудненное проникновение аналита в глубину сенсора, а именно, в отверстия, формирующие фотонный кристалл (имеющие диаметр порядка 100 нм), что приводит к падению чувствительности биосенсора. Еще одним недостатком, следующим из формы подложки, является невозможность регенерации поверхности биосенсора для повторного использования вследствие затрудненного проникновения регенерирующего раствора вглубь фотонной структуры.

Технический результат изобретения заключается в увеличении чувствительности детекции биологических аналитов, а также в расширении возможности применения биосенсоров на основе фотонных кристаллов в лабораторной и клинической практике благодаря возможности многократного использования биосенсора, за счет регенерации его аналитической поверхности.

Указанный технический результат достигается тем, что в способе создания регенерируемого биосенсора фотонный кристалл формируют в виде подложки, несущей на себе двумерный упорядоченный массив нанопроволок; поверхность подложки готовят для модификации аффинными молекулами, проводят активацию аффинными молекулами, специфичными к целевым аналитам, далее, присутствие целевых аналитов выявляют добавлением специфичных к ним детектирующих молекул, несущих на себе флуоресцентную метку выбранную таким образом, чтобы максимум флуоресценции метки совпадал по длине волны с резонансной модой фотонного кристалла, приводя к увеличению интенсивности флуоресценции метки на этой длине волны, после чего поверхность биосенсора регенерируют для повторных использований.

Существует также вариант, в котором в качестве материала исходной подложки используют пластины кремния, SiO2. Si3N4, SiC.

Существует вариант, в котором нанопроволоки, формирующие фотонный кристалл, получают в результате травления подложки.

Возможен вариант, в котором нанопроволоки, формирующие фотонный кристалл, выращивают на поверхности подложки.

Возможен также вариант, в котором нанопроволоки, имеющие диаметр от 50 до 500 нм и высоту от 100 до 800 нм, располагают в узлах двумерной гексагональной решетки.

Существует вариант, в котором в массиве нанопроволок удаляют одну или несколько нанопроволок, что формирует дефект, внутри которого локализуется резонансная мода излучения.

Существует вариант, в котором поверхность подложки окисляют химически в растворах, содержащих перекись водорода и серную кислоту для создания поверхностной пленки SiO2.

Существует вариант, в котором поверхность подложки окисляют термически, нагревая до температур от 400 до 1000°С для создания поверхностной пленки SiO2.

Возможен вариант, в котором после окисления проводят силанизацию поверхностного слоя молекулами (3-аминопропил)триэтоксисилана, позволяющими модифицировать поверхность нанопроволочных структур функциональными группами -NH2, и обрабатывают молекулами янтарного ангидрида - линкерами, создающими на поверхности группы -СООН.

Возможен вариант, в котором после силанизации поверхностного слоя на поверхности биосенсора иммобилизуют распознающие аффинные молекулы, способные с высокой специфичностью связывать целевой аналит.

Возможен также вариант, в котором для детекции целевого аналита на поверхности биосенсора формируют иммуноферментный комплекс, который состоит из аффинной молекулы, целевого аналита и специфичной к нему детектирующей молекулы, несущей на себе флуоресцентную метку.

Существует также вариант, в котором в качестве флуоресцентной метки используют органические красители.

Существует также вариант, в котором в качестве флуоресцентной метки используют полупроводниковые нанокристаллы.

Возможен также вариант, в котором после проведения измерений проводят регенерацию поверхности биосенсора, для повторного использования с помощью обработки регенерирующим и нейтрализующим растворами.

На фиг. 1 изображена схема изготовления поверхности подложки биосенсора, где: 1 - создание никелевой маски методом электронно-лучевой литографии; 2 - травление подложки методом реактивного ионного травления для получения массива нанопроволок; 3 - окисление поверхности; 4 - силанизация и модификация поверхности группами -СООН; 5 - иммобилизация распознающих аффинных молекул на поверхности.

На фиг. 2 изображена схема рабочего цикла биосенсора, где: 1 - блокировка неактивированной части подложки; 2 - нанесение биологического аналита; 3 - нанесение детектирующих молекул, несущих флуоресцентную метку; 4 - анализ флуоресцентного сигнала; 5 - возбуждение флуоресценции; 6 - регенерация поверхности подложки.

На фиг. 3 схематично изображен массив нанопроволок, формирующих фотонный кристалл с линейным дефектом в центре

Фотонный кристалл формируется массивом упорядоченных нанопроволок на подложке методом плазменного травления кремниевых пластин по маске, нанесенной с помощью электронно-лучевой литографии. Далее окисляют поверхность кремниевых пластин с массивами нанопроволок для создания поверхностной пленки SiO2 (возможен вариант, в котором качестве материала для изготовления подложки используется пластина со слоем SiO2 на поверхности, в таком случае стадия окисления поверхности не производится), проводят силанизацию этого поверхностного слоя молекулами (3-аминопропил)триэтоксисилана, позволяющими модифицировать поверхность нанопроволочных структур функциональными группами -NH2, и обрабатывают молекулами янтарного ангидрида - линкерами, создающими на поверхности группы -СООН, необходимые для последующей иммобилизации аффинных молекул. Ковалентная иммобилизация аффинных молекул осуществляется путем образования пептидной связи между поверхностными -СООН группами и -NH2, входящими в состав аффинных молекул.

Для детекции аналита при помощи биосенсора на поверхности сенсора формируют диагностический комплекс, состоящий из распознающей аффинной молекулы, аналита и детектирующей флуоресцентной метки. В качестве флуоресцентной метки могут быть использованы конъюгаты аффинных молекул, химически связанные с флуорофором - флуоресцентным нанокристаллом или органическим флуоресцентным красителем с длиной волны максимума флуоресценции в видимом или ИК-диапазоне. При этом максимум люминесценции метки должен совпадать по длине волны с резонансной модой фотонного кристалла для достижения усиления люминесценции. Для проведения анализа сигнала поверхность образца освещают с помощью источника излучения, спектр которого перекрывается со спектром поглощения используемых флуоресцентных меток, и производят измерение интенсивности излучения на длине волны резонанса фотонного кристалла.

После проведения анализа может быть проведена регенерация поверхности биосенсора для его повторного использования. Регенерация включает последовательную обработку биосенсора регенерирующим раствором, разрушающим диагностический комплекс на поверхности биосенсора, последующую обработку поверхности нейтрализующим раствором (для предотвращения инактивации распознающих аффинных молекул) и финальную отмывку высвободившихся компонентов комплекса раствором с физиологическим значением pH.

Приведены примеры конкретной реализации предлагаемого способа.

Пример 1

Перед проведением литографических процедур производится подготовка кремниевых пластин КДБ (100). Подготовка кремниевых пластин производится в следующей технологической последовательности: обработка пластины в HF в течение 10 минут для удаления естественного приповерхностного слоя оксида кремния, промывание пластины деионизованной водой в течение 5 мин, высушивание пластины на спин-коатере при 3000 об/мин в течение 1 мин. Нанесение резистов для проведения электронно-лучевой литографии производится методом спин-коатинга. Для этого выполняются следующие процедуры: подложка помещается на держатель и включается вакуумный прижим по обратной стороне подложки, на вращающуюся подложку при скорости 600 об/мин наносится резист PMGI SF3, скорость оборотов увеличивается до 3500 об/мин и подложка вращается на протяжении 1 мин для удаления избытка резиста, пластина с нанесенным резистом отжигается при 185°С на протяжении 30 сек. Подложка с нанесенным первым слоем резиста помещается на держатель, и включается вакуумный прижим по обратной стороне подложки; на вращающуюся подложку при скорости 600 об/мин наносится резист РММА 950 А2, включается вращение подложки с резистом при 6000 об/мин. на протяжении 1 мин, производится повторный отжиг подложки при 185°С на протяжении 60 сек. Контроль однородности полученного покрытия производится при помощи оптического микроскопа. Перед выполнением литографии в ПО прибора создается топология образца в негативном изображении. Каждая подложка биосенсора представляет собой шесть аналитических лунок диаметром 7 мм. Каждая аналитическая лунка представляет собой массив вертикальных нанопроволок высотой 800 нм и диаметром 150 нм, ориентированных в узлах гексагональной решетки с параметром 350 нм, имеющим дефект в виде ряда отсутствующих проволок в центре. Контроль качества проявления резистов проводится при помощи растрового электронного микроскопа, совмещенного с установкой электронно-лучевой литографии.

Для проведения реактивного ионного травления (РИТ) на пластину предварительно наносят стойкую в условиях РИТ позитивную маску из никеля. Для этого производят следующие процедуры: пластина с проявленным слоем резиста крепится на держателе и переносится в камеру, производится вакуумирование системы, производится термическое напыление слоя никеля толщиной 10 нм; после металлизации пластина помещается в ацетон на 60 мин для удаления металла в не защищенной резистом области (процесс "lift-off") и очистки пластины от остатка резиста РММА, для удаления остатков резиста PMGI пластина помещается в N,N-диметилформамид на 60 мин. По завершении процесса получают кремниевую пластину с нанесенной никелевой маской.

Реактивное ионное травление массива нанопроволок производится по следующей технологической последовательности: пластина с никелевой маской переносится в загрузочный шлюз установки реактивного плазменного травления SPTS LPX ICP, шлюз вакуумируется и запускается процесс травления фотонных кристаллов (Аргон 15 sccm; Кислород 10 sccm; SF6 85 sccm; мощность 180 Вт 10 мин). Контроль качества изготовленных массивов нанопроволок производится на растровом электронном микроскопе.

После проведения РИТ полученные кремниевые пластины очищают от загрязнений путем выдерживания в изопропиловом спирте в течение 2 часов при слабом встряхивании, затем поверхность пластин промывают двукратным погружением в свежую порцию метилового спирта. Окончательную очистку проводят путем выдерживания в деионизованной воде в течение 2 часов при слабом встряхивании.

Производится подготовка окисляющего раствора. Для этого смешивают серную кислоту, перекись водорода и деионизованную воду в объемном соотношении 1:3:6. Полученный раствор перемешивают в течение 2 минут со скоростью 600 об/мин и далее помещают в холодильную камеру при температуре +4°С.

Предварительно очищенную кремневую пластину с массивом нанопроволок погружают в раствор-окислитель и проводят окисление при слабом перемешивании течение 30 минут.

По завершении процедуры окисленную пластину промывают, опустив в деионизованную воду, при слабом перемешивании в течении 30 минут. Далее отработанную воду заменяют на новую, и процедуру отмывки повторяют.

Для функционализации поверхности окисленных нанопроволок аминогруппами производят следующую процедуру. В 15 мл н-гексана помещают (3-аминопропил)триэтоксисилан (APTES) к количестве, эквивалентном 5 мкл на каждый квадратный сантиметр поверхности; полученный раствор перемешивают на вортексе в течение 10 минут. Далее окисленную кремневую пластину помещают в полученный раствор и производят перемешивание на лабораторном шейкере в течение 12 часов.

По завершении процедуры пластину выдерживают в чистом хлороформе в течение 15 минут, далее операцию повторяют 2 раза с заменой хлороформа.

Окончательную функционализацию поверхности кремниевых нанопроволок проводят следующим образом. Готовят раствор янтарного ангидрида (ЯА) в N,N-диметилформамиде в количестве, эквивалентном введенному ранее APTES. В полученный раствор помещают кремниевую пластину, прошедшую стадию обработки APTES, и производят перемешивание реакционного раствора на шейкере в течение 30 мин.

Обработанную пластину выдерживают в чистом хлороформе в течение 15 минут, далее операцию повторяют 2 раза заменой хлороформа.

Для иммобилизации распознающих аффинных молекул на поверхности нанопроволок проводят следующие процедуры: на поверхность пластины площадью 1 см2 наносят по 100 мкл водного раствора активирующих агентов 1-Этил-3-(3-диметиламинопропил)карбодиимида и сульфо-N-гидроксисукцинимида (EDC + Sulfo-NHS) с концентрацией 1-50 мг/мл и инкубируют при комнатной температуре в течение 20 минут, по окончании активации пластину отмывают от избытка активирующих агентов с помощью натрий-фосфатного буфера, рН 7,2). Для этого пластину помещают в емкость, заполненную PBS, и инкубируют в течение 5 минут в режиме покачивания на шейкере. Процедуру отмывки повторяют 3 раза, затем на поверхность пластины наносят по 100 мкл раствора распознающих аффинных молекул, растворенных предварительно в PBS до концентрации 0,000001-1 мг/мл. Реакцию инкубируют в течение ночи на +4°С, на следующий день массивы троекратно отмывают от избытка несвязавшихся аффинных молекул с помощью натрий-фосфатного буфера, рН 7,2 и инкубируют в блокирующем растворе (фосфатно-солевой буфер, рН 7,4 (PBS) с добавлением 0.5% бычьего сывороточного альбумина, BSA) в течение 2 часов при комнатной температуре.

Пример 2

Процесс проводят аналогично описанному в примере 1, однако процесс окисления пластин кремния производят термически в печи в атмосфере кислорода при температуре 800°С в течение 10 минут, плавно повышая температуру с комнатной до 800°С в течение 5 минут, также плавно понижая после проведения процедуры окисления.

Пример 3

Процесс проводят аналогично описанному в примере 1, однако дефект фотонного кристалла представляет собой от 1 до 11 отсутствующих проволок в центральном ряду. Получают локализацию излучения меток в данной области.

Пример 4

Процесс проводят аналогично описанному в примере 1, однако после измерения флуоресцентного сигнала меток проводят регенерацию биосенсора для его последующего использования по следующей процедуре. Готовят 500 мл 0,1 М буферного раствора Tris-HCl (нейтрализующий раствор). Для этого в мерную колбу на 500 мл помещают 6,05 г Trizma® base BioUltra, добавляют 400 мл воды степени чистоты MilliQ. Перемешивают до полного растворения кристаллов и титруют раствор 0,1 М HCl до рН 8,5. Доводят объем водой до 500 мл. Готовят 500 мл 0,1 М буферного раствора глицин-HCl, рН 2,8 (регенерирующий раствор). Для этого в мерную колбу на 500 мл помещают 2.85 г глицина, добавляют 400 мл воды степени чистоты MilliQ. Перемешивают до полного растворения кристаллов и далее титруют раствор 0,1 М HCl до рН 2,8. Доводят объем водой до 500 мл. На поверхность биосенсора, с иммобилизованным на его поверхности диагностическим комплексом, наносят 200 мкл регенерирующего раствора, инкубируют в течение 5-10 минут в режиме покачивания на шейкере. Удаляют регенерирующий раствор и наносят 200 мкл нейтрализующего раствора. Инкубируют в течение 5 минут в режиме покачивания на шейкере. Удаляют нейтрализующий буфер и наносят 200 мкл PBS, инкубируют в течение 5 минут в режиме покачивания. Повторяют процедуру отмывки 3 раза. Для оценки степени регенерации измеряют флуоресценцию сенсора при длине волны испускания флуорофоров, входящих в состав иммунодиагностического комплекса.

Таким образом, из описания видно, что данный способ расширит возможности применения биосенсоров на основе фотонных кристаллов в лабораторной и клинической практике благодаря возможности многократного использования, за счет регенерации аналитической поверхности, а также повысит аналитическую чувствительность детекции биологических аналитов.


СПОСОБ СОЗДАНИЯ РЕГЕНЕРИРУЕМОГО БИОСЕНСОРА НА ОСНОВЕ КОМПЛЕКСА ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА С АФФИННЫМИ МОЛЕКУЛАМИ
СПОСОБ СОЗДАНИЯ РЕГЕНЕРИРУЕМОГО БИОСЕНСОРА НА ОСНОВЕ КОМПЛЕКСА ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА С АФФИННЫМИ МОЛЕКУЛАМИ
СПОСОБ СОЗДАНИЯ РЕГЕНЕРИРУЕМОГО БИОСЕНСОРА НА ОСНОВЕ КОМПЛЕКСА ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА С АФФИННЫМИ МОЛЕКУЛАМИ
СПОСОБ СОЗДАНИЯ РЕГЕНЕРИРУЕМОГО БИОСЕНСОРА НА ОСНОВЕ КОМПЛЕКСА ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА С АФФИННЫМИ МОЛЕКУЛАМИ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-30 из 41.
10.05.2015
№216.013.49b7

Способ высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида с в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального времени

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в атомной энергетике, охране окружающей среды для высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида C в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550378
Дата охранного документа: 10.05.2015
27.05.2015
№216.013.4ebd

Электролюминесцентное устройство

Изобретение относится к электролюминесцентному устройству. Устройство включает дырочный инжектирующий слой, дырочный транспортный слой, электронный блокирующий слой, активный люминесцентный слой на основе люминесцентного вещества, дырочно-блокирующий слой, электронный транспортный слой,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002551675
Дата охранного документа: 27.05.2015
27.05.2015
№216.013.4f08

Способ изготовления трубных заготовок из металлических порошков

Изобретение относится к порошковой металлургии. Металлический порошок засыпают в матрицу. Засыпку порошка уплотняют и формируют центральное отверстие в уплотненной засыпке путем высоковольтного разряда под вакуумом с остаточным давлением 6-10 Па. Затем проводят очистку поверхности полученной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002551750
Дата охранного документа: 27.05.2015
10.07.2015
№216.013.5faf

Ядерный реактор на быстрых нейтронах

Изобретение относится к ядерной технике, а именно к конструкции отражателей нейтронов быстрых ядерных реакторов. В ядерном реакторе активная зона окружена свинцовым отражателем нейтронов. В прилегающей части к активной зоне отражателя находится свинец, в котором более 90% изотопа Pb, а в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556036
Дата охранного документа: 10.07.2015
20.08.2015
№216.013.71c9

Способ создания наноразмерной диагностической метки на основе конъюгатов наночастиц и однодоменных антител

Изобретение относится к медицине и касается способа создания наноразмерной диагностической метки на основе конъюгатов наночастиц и однодоменных антител, может применяться для производства диагностикумов новых поколений. Способ включает подготовку поверхности наночастиц при помощи производных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002560699
Дата охранного документа: 20.08.2015
20.06.2016
№217.015.0477

Интерферометр для измерения линейных перемещений сканера зондового микроскопа

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для измерения линейных перемещений по трем взаимоортогональным осям. Интерферометр содержит одночастотный лазер, коллиматор для ввода излучения в транспортное волокно, коллиматор, вводящий излучение в оптическую схему,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587686
Дата охранного документа: 20.06.2016
20.04.2016
№216.015.3383

Полупроводниковый лазер на основе эпитаксиальной гетероструктуры

Использование: для полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком. Сущность изобретения заключается в том, что конструкция полупроводникового лазера на основе гетероструктуры, содержащая лазерный кристалл, теплоотвод со стороны эпитаксиальных слоев гетероструктуры,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582302
Дата охранного документа: 20.04.2016
20.04.2016
№216.015.369d

Мощный сверхвысокочастотный транзистор на основе нитрида галлия

Изобретение относится к приборам твердотельной электроники и, в частности, к конструкции мощных транзисторов для СВЧ применений. Предлагается мощный сверхвысокочастотный транзистор на основе нитрида галлия, состоящий из подложки, гетероэпитаксиальной структуры на основе соединений нитрида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581726
Дата охранного документа: 20.04.2016
12.01.2017
№217.015.5cca

Способ нелинейного трехмерного многораундового преобразования данных rdozen

Изобретение относится к защите компьютерной информации. Технический результат - повышение криптостойкости и быстродействия нелинейного преобразования. Способ нелинейного трехмерного многораундового преобразования данных, в котором второй и третий раунды преобразования выполняются аналогично...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591015
Дата охранного документа: 10.07.2016
12.01.2017
№217.015.5d17

Многовыходной указатель старшей единицы

Изобретение относится к области вычислительной техники и используется, в частности, для арбитража в системах обработки информации при организации передачи данных между устройствами. Технический результат - расширение функциональных возможностей в части формирования K указателей старших единиц в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591017
Дата охранного документа: 10.07.2016
Показаны записи 21-30 из 47.
10.05.2015
№216.013.49b7

Способ высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида с в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального времени

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в атомной энергетике, охране окружающей среды для высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида C в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550378
Дата охранного документа: 10.05.2015
27.05.2015
№216.013.4ebd

Электролюминесцентное устройство

Изобретение относится к электролюминесцентному устройству. Устройство включает дырочный инжектирующий слой, дырочный транспортный слой, электронный блокирующий слой, активный люминесцентный слой на основе люминесцентного вещества, дырочно-блокирующий слой, электронный транспортный слой,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002551675
Дата охранного документа: 27.05.2015
27.05.2015
№216.013.4f08

Способ изготовления трубных заготовок из металлических порошков

Изобретение относится к порошковой металлургии. Металлический порошок засыпают в матрицу. Засыпку порошка уплотняют и формируют центральное отверстие в уплотненной засыпке путем высоковольтного разряда под вакуумом с остаточным давлением 6-10 Па. Затем проводят очистку поверхности полученной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002551750
Дата охранного документа: 27.05.2015
10.07.2015
№216.013.5faf

Ядерный реактор на быстрых нейтронах

Изобретение относится к ядерной технике, а именно к конструкции отражателей нейтронов быстрых ядерных реакторов. В ядерном реакторе активная зона окружена свинцовым отражателем нейтронов. В прилегающей части к активной зоне отражателя находится свинец, в котором более 90% изотопа Pb, а в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556036
Дата охранного документа: 10.07.2015
20.08.2015
№216.013.71c9

Способ создания наноразмерной диагностической метки на основе конъюгатов наночастиц и однодоменных антител

Изобретение относится к медицине и касается способа создания наноразмерной диагностической метки на основе конъюгатов наночастиц и однодоменных антител, может применяться для производства диагностикумов новых поколений. Способ включает подготовку поверхности наночастиц при помощи производных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002560699
Дата охранного документа: 20.08.2015
20.06.2016
№217.015.0477

Интерферометр для измерения линейных перемещений сканера зондового микроскопа

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для измерения линейных перемещений по трем взаимоортогональным осям. Интерферометр содержит одночастотный лазер, коллиматор для ввода излучения в транспортное волокно, коллиматор, вводящий излучение в оптическую схему,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587686
Дата охранного документа: 20.06.2016
20.04.2016
№216.015.3383

Полупроводниковый лазер на основе эпитаксиальной гетероструктуры

Использование: для полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком. Сущность изобретения заключается в том, что конструкция полупроводникового лазера на основе гетероструктуры, содержащая лазерный кристалл, теплоотвод со стороны эпитаксиальных слоев гетероструктуры,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582302
Дата охранного документа: 20.04.2016
20.04.2016
№216.015.369d

Мощный сверхвысокочастотный транзистор на основе нитрида галлия

Изобретение относится к приборам твердотельной электроники и, в частности, к конструкции мощных транзисторов для СВЧ применений. Предлагается мощный сверхвысокочастотный транзистор на основе нитрида галлия, состоящий из подложки, гетероэпитаксиальной структуры на основе соединений нитрида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581726
Дата охранного документа: 20.04.2016
12.01.2017
№217.015.5cca

Способ нелинейного трехмерного многораундового преобразования данных rdozen

Изобретение относится к защите компьютерной информации. Технический результат - повышение криптостойкости и быстродействия нелинейного преобразования. Способ нелинейного трехмерного многораундового преобразования данных, в котором второй и третий раунды преобразования выполняются аналогично...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591015
Дата охранного документа: 10.07.2016
12.01.2017
№217.015.5d17

Многовыходной указатель старшей единицы

Изобретение относится к области вычислительной техники и используется, в частности, для арбитража в системах обработки информации при организации передачи данных между устройствами. Технический результат - расширение функциональных возможностей в части формирования K указателей старших единиц в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591017
Дата охранного документа: 10.07.2016
+ добавить свой РИД