×
25.08.2017
217.015.b97c

Результат интеллектуальной деятельности: Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к плазменным технологиям, в частности к способам измерения поглощенной мощности в СВЧ-разрядах. При реализации предложенного способа измерения мощности, поглощаемой единицей объема СВЧ-разряда, получают СВЧ-разряд в водородсодержащем газе, фотографируют плазму СВЧ-разряда через светофильтр, выделяющий линию серии Бальмера, по интенсивности оптического излучения определяют границу плазмы разряда, вычисляют занимаемый плазмой объем, а также поглощаемую плазмой полную мощность. Мощность, поглощаемую единицей объема СВЧ-разряда, вычисляют как отношение полной поглощенной плазмой мощности к занимаемому плазмой объему. Техническим результатом изобретения является повышение точности измерений. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии осаждения алмазных пленок из газовой фазы CVD (chemical vaper deposition) методом и может быть использовано, например, для проведения сравнения различных CVD реакторов и выбора реактора с наилучшими характеристиками.

Алмазные пленки, полученные CVD методом, находят применение в различных областях науки и техники. В частности, толстые поликристаллические алмазные пленки (пластины) используются в качестве выходных окон мощных СВЧ генераторов, а также в качестве высокоэффективных отводов тепла. Монокристаллические алмазные пленки могут использоваться для изготовления мощных полупроводниковых приборов. Нанокристаллические алмазные пленки применяются в качестве покрытий с предельно низкой шероховатостью, что важно в трибологических и механических приложениях. Еще одна сфера применения таких пленок - эмиттеры для плоских дисплеев и автоэмиссионные катоды в вакуумной электронике. При этом существенным для применения являются не только уникальные свойства алмазных пленок, но и скорость их роста, важная с точки зрения экономической рентабельности. По мере развития науки и техники предъявляются все более жесткие требования к характеристикам создаваемых алмазных пленок, к удешевлению и оптимизации процесса их производства.

Необходимым условием для получения алмазных пленок в углеродсодержащей газовой среде является наличие атомарного водорода вблизи поверхности, на которой осаждается пленка. Скорость роста алмазных пленок в CVD реакторах зависит от концентрации атомарного водорода, которая определяется величиной поглощаемой мощности в единице объема плазмы (K.W. Hemawan, Т.А. Grotjohn, D.K. Reinhard, J. Asmussen, Improved microwave plasma cavity reactor for diamond synthesis at high-pressure and high power density / Diam. Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 1446-1452.) Поглощаемая мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда определяется как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы. Полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность можно измерить с высокой точностью. Основная ошибка в определении поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда связана с неоднозначным определением объема плазмы.

Известно несколько способов определения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в CVD реакторах. Наиболее распространенным является способ определения поглощенной мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда с помощью фотографии, которую используют для определения объема плазмы СВЧ разряда. Фотографию масштабируют, используя какой-нибудь пространственный масштаб в области разряда. После этого предлагают правило, по которому выбирают границу плазмы. Затем, учитывая аксиальную симметрию плазмы, вычисляется ее объем.

Так, например, известен способ определения поглощаемой мощности в единице объема плазмы в водородсодержащем газе (диссертация Nadira Derkaoui " des plasmas micro-ondes haute de puissance en H2-CH4 et H2-CH4-B2H6 pour le de diamant", 2012), заключающийся в том, что проводят измерение интенсивности линии излучения аргона, добавленного для диагностики, с длиной волны 750.4 нм вдоль оси симметрии разряда. Затем делают предположение, что поглощаемая мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда распределена в пространстве так же, как интенсивность линии аргона. Далее величину поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда вычисляют усреднением неоднородного пространственного распределения интенсивности линии аргона. В этом способе никак не оценивается ошибка измерений. По нашим оценкам ошибка измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда этим способом превышает 100%.

Измерение поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда можно осуществить способом, предложенным в статье Hemawan K.W., Grotjohn Т.А., Rein-hard D.K., Asmussen J. Improved microwave plasma cavity reactor for diamond synthesis at high-pressure and high power density / Diam. Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 1446-1452, который выбран в качестве прототипа. Способ-прототип заключается в том, что поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда определяют как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда. Объем плазмы СВЧ разряда определяют по масштабированным фотографиям светимости разряда во всем оптическом диапазоне спектра. Границу области разряда, по которой вычисляют объем плазмы СВЧ разряда, определяют по яркому центральному ядру плазмы.

Недостатком способа прототипа является использование интегральной светимости разряда, в том числе и не водородсодержащих линий излучения, для измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда, так как не очевидна ее связь с областью пространства, где происходит поглощение энергии, а также определение границы разряда по переходу между центральной ярко светящейся областью и остальным оптическим свечением разряда. В этом способе авторы тоже не приводят ошибку измерений. По нашим оценкам ошибка измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда этим способом также превышает 100%.

Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является разработка способа, позволяющего повысить точность измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе.

Технический результат в разработанном способе достигается тем, что измеряют полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность, фотографируют плазму СВЧ разряда, определяют границу плазмы СВЧ разряда по интенсивности оптического излучения для нахождения ее объема, вычисляют поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда.

Новым в разработанном способе является то, что фотографируют плазму СВЧ разряда цифровой зеркальной камерой через оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα, применяют линейное преобразование интенсивности оптического излучения для каждого пикселя фотографии плазмы СВЧ разряда при обработке информации, используют распределение интенсивности оптического излучения для определения границы объема плазмы СВЧ разряда, выбирая уровень интенсивности не более 15% от максимального значения.

В первом частном случае реализации способа (по п. 2) новым является то, что фотографируют плазму СВЧ разряда с ее изображения, сформированного вспомогательным объективом на матовом экране.

Во втором частном случае реализации способа (по п. 3) новым является то, что фотографию плазмы СВЧ разряда сохраняют в формате RAW.

Способ поясняется следующими чертежами.

На фиг. 1 приведена схема измерений для общей реализации разработанного способа по п. 1: 1 - резонатор, внутри которого создается плазма; 2 - плазма СВЧ разряда; 3 - оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα; 4 - цифровая зеркальная камера.

На фиг. 2 приведена схема измерений для реализации способа по п. 2: 1 - резонатор, внутри которого создается плазма; 2 - плазма СВЧ разряда; 3 - оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα; 4 - цифровая зеркальная камера, 5 - дополнительный объектив, 6 - матовый экран.

Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе реализуют следующим образом (см. Фиг. 1):

Измеряют полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность в плазме СВЧ разряда 2, которую создают в резонаторе 1, имеющем обычно цилиндрическую форму. Плазму СВЧ разряда 2 фотографируют цифровой зеркальной камерой 4 через оптический фильтр 3, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα. При обработке информации, полученной с ПЗС (прибор с зарядовой связью) матрицы цифровой зеркальной камеры 4, используют только линейные преобразования интенсивности для каждого пикселя фотографии плазмы СВЧ разряда 2. Границу плазмы СВЧ разряда 2 определяют по распределению интенсивности оптического излучения, выбирая уровень интенсивности не более 15% от максимального значения. Поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда вычисляют как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда 2.

Реализация способа по п. 2 (см. Фиг. 2) отличается тем, что фотографируют плазму СВЧ разряда 2 с ее изображения, сформированного дополнительным объективом 5 на матовом экране 6. На практике это сильно упрощает процесс фотографирования плазмы. Однако, поскольку при такой схеме измерения цифровая зеркальная камера 4 оказывается расположенной под углом, дополнительно сравнивают фотографию плазмы СВЧ разряда 2 с фотографией образца прямоугольной формы, помещенного на место разряда (по нему также определяют линейные размеры на фотографии), и путем последующего пересчета при обработке фотографии плазмы СВЧ разряда 2 корректируют имеющиеся геометрические искажения.

Реализация способа по п. 3 отличается тем, что фотографию плазмы СВЧ разряда 2 сохраняют в формате RAW (необработанные данные) для получения информации непосредственно с ПЗС матрицы цифровой зеркальной камеры 4 без искажений, связанных с обработкой данных, которая происходит при сохранении в другие форматы. Использование других форматов, например JPEG, приводит к нелинейным преобразованиям интенсивности оптического излучения, полученной с ПЗС матрицы цифровой зеркальной камеры 4, в общем случае с неизвестным профилем. Уменьшение искажений при передаче и обработке получаемой информации, соответственно, влечет за собой повышение точности предлагаемого способа измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда.

По расчетам авторов, предлагаемый способ позволяет определять поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе с ошибкой не более 20-30%, что является хорошим результатом по сравнению с аналогами и прототипом. Такой относительно невысокой ошибки удается достичь из-за использования в способе интенсивности излучения линии атома водорода серии Бальмера Нα, потому что, во-первых, эта линия обладает высокой интенсивностью и легко регистрируется и, во-вторых, согласно расчетам авторов, ее пространственное распределение наиболее близко, по сравнению с другими линиями излучения плазмы, совпадает с распределением поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе. Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает измерение поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе с достаточно высокой точностью и позволяет проводить корректное сравнение режимов осаждения алмазных пленок в различных плазмохимических CVD реакторах.


Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе
Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе
Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 61-70 из 72.
28.03.2020
№220.018.113a

Способ выращивания водорастворимых монокристаллов, использующий кондиционирование раствора

Изобретение относится к технологии выращивания водорастворимых оптических монокристаллов, в частности, группы дигидрофосфата калия (KDP), которые могут быть использованы, например, при изготовлении активных элементов параметрических преобразователей лазерного излучения для квантовой оптики. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717800
Дата охранного документа: 25.03.2020
06.07.2020
№220.018.301a

Источник пучков ионов с высоким током на основе плазмы эцр разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Изобретение относится к области формирования непрерывных сильноточных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Устройство содержит магнитную систему для создания магнитного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725615
Дата охранного документа: 03.07.2020
11.07.2020
№220.018.3163

Источник интенсивных пучков ионов на основе плазмы эцр разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Изобретение относится к области формирования интенсивных пучков ионов с высокой яркостью путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Устройство содержит плазменный электрод, выполненный в форме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726143
Дата охранного документа: 09.07.2020
12.07.2020
№220.018.31fb

Способ измерения in situ спектра экстинкции прозрачного образца в фотохимическом процессе

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения in situ спектра экстинкции прозрачного образца в фотохимическом процессе. Способ включает в себя облучение оптическим излучением прозрачного образца в рабочем положении в экспериментальной установке, последующий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726271
Дата охранного документа: 10.07.2020
12.07.2020
№220.018.31fd

Наземный пассивный микроволновый радиометрический комплекс для измерения высотного профиля температуры нижней и средней атмосферы земли

Изобретение относится к устройствам измерения характеристик атмосферы, позволяет измерять высотный профиль температуры нижней и средней атмосферы с поверхности Земли и представляет собой пассивный наземный комплекс из трех сопряженных с персональным компьютером спектрорадиометров, каждый из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726276
Дата охранного документа: 10.07.2020
12.07.2020
№220.018.3211

Изолятор фарадея на постоянных магнитах с высокой напряженностью магнитного поля

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров с высокой средней мощностью излучения. Сущность изобретения заключается в том, что изолятор Фарадея на постоянных магнитах с высокой напряженностью магнитного поля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726274
Дата охранного документа: 10.07.2020
06.08.2020
№220.018.3ce4

Способ определения оптической толщины атмосферы

Изобретение относится к области диагностики характеристик атмосферы и касается способа определения оптической толщины атмосферы. Способ включает в себя получение оптических изображений неба вблизи горизонта с захватом линии горизонта не менее чем в трех спектральных окнах оптического спектра,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002729171
Дата охранного документа: 04.08.2020
12.04.2023
№223.018.49bb

Способ определения размеров дефекта при ультразвуковом контроле с помощью датчика на фазированной решетке

Использование: для определения размеров дефекта при ультразвуковом контроле с помощью датчика на фазированной решетке. Сущность изобретения заключается в том, что определение размеров дефекта при ультразвуковом контроле с помощью датчика на фазированной решетке основано на анализе S, С или D...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002762780
Дата охранного документа: 22.12.2021
30.05.2023
№223.018.737a

Способ прогнозирования риска некроза свободного аутодермотрансплантата

Изобретение относится к медицине, а именно к трансплантологии и реконструктивной хирургии. Оценивают изменения состояния микроциркуляторного кровотока в тканях аутодермотрансплантата после свободной кожной пластики. Для кожной пластики используют свободный расщепленный аутодермотрансплантат....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002760989
Дата охранного документа: 02.12.2021
30.05.2023
№223.018.73cc

Способ оценки готовности реципиентной раны к свободной кожной пластике аутодермотрансплантатом

Изобретение относится к области медицины, а именно к общей хирургии, пластической хирургии, травматологии, и может быть использовано при подготовке реципиентной раны к свободной кожной пластике расщепленным аутодермотрансплантатом. C помощью оптической диффузионной спектроскопии определяют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755490
Дата охранного документа: 16.09.2021
Показаны записи 31-39 из 39.
20.01.2018
№218.016.1061

Устройство получения направленного экстремального ультрафиолетового излучения с длиной волны 11,2 нм ±1% для проекционной литографии высокого разрешения

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается устройства получения направленного экстремального ультрафиолетового излучения с длиной волны 11.2 нм ±1% для проекционной литографии высокого разрешения. Устройство включает в себя гиротрон, генерирующий пучок излучения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633726
Дата охранного документа: 17.10.2017
20.01.2018
№218.016.138f

Источник нейтронов ограниченных размеров для нейтронной томографии

Заявленное изобретение относится к источнику нейтронов ограниченных размеров для нейтронной томографии, а именно к «точечному» источнику нейтронов с характерными размерами меньше 100 мкм с потоком нейтронов на уровне 1010 нейтр⋅с-1. В заявленном устройстве нейтроны образуются в результате...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634483
Дата охранного документа: 31.10.2017
20.01.2018
№218.016.13c9

Способ идентификации переменного морского течения по данным радиолокационных наблюдений

Изобретение относится к радиолокационным методам изучения водной поверхности с целью обнаружения переменных течений. Достигаемый технический результат заключается в том, что способ позволяет идентифицировать переменные во времени и пространстве морские течения, которые на масштабах порядка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634592
Дата охранного документа: 01.11.2017
17.02.2018
№218.016.2e1b

Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски

Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски, в котором у поверхности алмазного образца формируется собирающая излучение центров окраски оптическая система, состоящая из конуса с круглым основанием из оптического стекла, окружающего конус...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643694
Дата охранного документа: 05.02.2018
04.04.2018
№218.016.367d

Изолятор фарадея с переменным направлением поля магнитной системы

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров ближнего и среднего ИК-диапазона. Изолятор Фарадея с переменным направлением поля магнитной системы содержит последовательно расположенные на оптической оси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646551
Дата охранного документа: 05.03.2018
04.04.2018
№218.016.36d4

Способ монтажа дискового активного элемента на высокотеплопроводный радиатор

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано для изготовления дисковых активных элементов мощных лазеров, обеспечивающих эффективное охлаждение активной среды. В способе согласно изобретению на активный элемент наносят с торцов диэлектрические отражающие и просветляющие...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646431
Дата охранного документа: 05.03.2018
25.06.2018
№218.016.65e8

Алмазный фотокатод

Изобретение относится к фотокатодам, работающим в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, которые могут быть использованы в фотоинжекторах электронов для ускорителей кильватерного типа, лазеров на свободных электронах, а также для электронно-оптического преобразования сигналов в различных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658580
Дата охранного документа: 21.06.2018
20.05.2023
№223.018.6755

Способ изготовления катодного узла микротриода с трубчатым катодом из нанокристаллической алмазной пленки (варианты)

Изобретение относится к технологии изготовления элементов вакуумной микроэлектроники с автоэмиссионными катодами. Технический результат - повышение точности воспроизведения геометрических размеров катодного узла, стабильности тока и ресурса работы катодного узла при техническом вакууме. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002794423
Дата охранного документа: 18.04.2023
27.05.2023
№223.018.7099

Способ изготовления мощного полевого транзистора свч на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ изготовления мощного полевого транзистора СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия согласно изобретению включает формирование на лицевой поверхности подложкиполупроводниковой гетероструктуры на основе нитрида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002787550
Дата охранного документа: 10.01.2023
+ добавить свой РИД