×
25.08.2017
217.015.b97c

Результат интеллектуальной деятельности: Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к плазменным технологиям, в частности к способам измерения поглощенной мощности в СВЧ-разрядах. При реализации предложенного способа измерения мощности, поглощаемой единицей объема СВЧ-разряда, получают СВЧ-разряд в водородсодержащем газе, фотографируют плазму СВЧ-разряда через светофильтр, выделяющий линию серии Бальмера, по интенсивности оптического излучения определяют границу плазмы разряда, вычисляют занимаемый плазмой объем, а также поглощаемую плазмой полную мощность. Мощность, поглощаемую единицей объема СВЧ-разряда, вычисляют как отношение полной поглощенной плазмой мощности к занимаемому плазмой объему. Техническим результатом изобретения является повышение точности измерений. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии осаждения алмазных пленок из газовой фазы CVD (chemical vaper deposition) методом и может быть использовано, например, для проведения сравнения различных CVD реакторов и выбора реактора с наилучшими характеристиками.

Алмазные пленки, полученные CVD методом, находят применение в различных областях науки и техники. В частности, толстые поликристаллические алмазные пленки (пластины) используются в качестве выходных окон мощных СВЧ генераторов, а также в качестве высокоэффективных отводов тепла. Монокристаллические алмазные пленки могут использоваться для изготовления мощных полупроводниковых приборов. Нанокристаллические алмазные пленки применяются в качестве покрытий с предельно низкой шероховатостью, что важно в трибологических и механических приложениях. Еще одна сфера применения таких пленок - эмиттеры для плоских дисплеев и автоэмиссионные катоды в вакуумной электронике. При этом существенным для применения являются не только уникальные свойства алмазных пленок, но и скорость их роста, важная с точки зрения экономической рентабельности. По мере развития науки и техники предъявляются все более жесткие требования к характеристикам создаваемых алмазных пленок, к удешевлению и оптимизации процесса их производства.

Необходимым условием для получения алмазных пленок в углеродсодержащей газовой среде является наличие атомарного водорода вблизи поверхности, на которой осаждается пленка. Скорость роста алмазных пленок в CVD реакторах зависит от концентрации атомарного водорода, которая определяется величиной поглощаемой мощности в единице объема плазмы (K.W. Hemawan, Т.А. Grotjohn, D.K. Reinhard, J. Asmussen, Improved microwave plasma cavity reactor for diamond synthesis at high-pressure and high power density / Diam. Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 1446-1452.) Поглощаемая мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда определяется как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы. Полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность можно измерить с высокой точностью. Основная ошибка в определении поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда связана с неоднозначным определением объема плазмы.

Известно несколько способов определения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в CVD реакторах. Наиболее распространенным является способ определения поглощенной мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда с помощью фотографии, которую используют для определения объема плазмы СВЧ разряда. Фотографию масштабируют, используя какой-нибудь пространственный масштаб в области разряда. После этого предлагают правило, по которому выбирают границу плазмы. Затем, учитывая аксиальную симметрию плазмы, вычисляется ее объем.

Так, например, известен способ определения поглощаемой мощности в единице объема плазмы в водородсодержащем газе (диссертация Nadira Derkaoui " des plasmas micro-ondes haute de puissance en H2-CH4 et H2-CH4-B2H6 pour le de diamant", 2012), заключающийся в том, что проводят измерение интенсивности линии излучения аргона, добавленного для диагностики, с длиной волны 750.4 нм вдоль оси симметрии разряда. Затем делают предположение, что поглощаемая мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда распределена в пространстве так же, как интенсивность линии аргона. Далее величину поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда вычисляют усреднением неоднородного пространственного распределения интенсивности линии аргона. В этом способе никак не оценивается ошибка измерений. По нашим оценкам ошибка измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда этим способом превышает 100%.

Измерение поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда можно осуществить способом, предложенным в статье Hemawan K.W., Grotjohn Т.А., Rein-hard D.K., Asmussen J. Improved microwave plasma cavity reactor for diamond synthesis at high-pressure and high power density / Diam. Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 1446-1452, который выбран в качестве прототипа. Способ-прототип заключается в том, что поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда определяют как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда. Объем плазмы СВЧ разряда определяют по масштабированным фотографиям светимости разряда во всем оптическом диапазоне спектра. Границу области разряда, по которой вычисляют объем плазмы СВЧ разряда, определяют по яркому центральному ядру плазмы.

Недостатком способа прототипа является использование интегральной светимости разряда, в том числе и не водородсодержащих линий излучения, для измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда, так как не очевидна ее связь с областью пространства, где происходит поглощение энергии, а также определение границы разряда по переходу между центральной ярко светящейся областью и остальным оптическим свечением разряда. В этом способе авторы тоже не приводят ошибку измерений. По нашим оценкам ошибка измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда этим способом также превышает 100%.

Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является разработка способа, позволяющего повысить точность измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе.

Технический результат в разработанном способе достигается тем, что измеряют полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность, фотографируют плазму СВЧ разряда, определяют границу плазмы СВЧ разряда по интенсивности оптического излучения для нахождения ее объема, вычисляют поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда.

Новым в разработанном способе является то, что фотографируют плазму СВЧ разряда цифровой зеркальной камерой через оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα, применяют линейное преобразование интенсивности оптического излучения для каждого пикселя фотографии плазмы СВЧ разряда при обработке информации, используют распределение интенсивности оптического излучения для определения границы объема плазмы СВЧ разряда, выбирая уровень интенсивности не более 15% от максимального значения.

В первом частном случае реализации способа (по п. 2) новым является то, что фотографируют плазму СВЧ разряда с ее изображения, сформированного вспомогательным объективом на матовом экране.

Во втором частном случае реализации способа (по п. 3) новым является то, что фотографию плазмы СВЧ разряда сохраняют в формате RAW.

Способ поясняется следующими чертежами.

На фиг. 1 приведена схема измерений для общей реализации разработанного способа по п. 1: 1 - резонатор, внутри которого создается плазма; 2 - плазма СВЧ разряда; 3 - оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα; 4 - цифровая зеркальная камера.

На фиг. 2 приведена схема измерений для реализации способа по п. 2: 1 - резонатор, внутри которого создается плазма; 2 - плазма СВЧ разряда; 3 - оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα; 4 - цифровая зеркальная камера, 5 - дополнительный объектив, 6 - матовый экран.

Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе реализуют следующим образом (см. Фиг. 1):

Измеряют полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность в плазме СВЧ разряда 2, которую создают в резонаторе 1, имеющем обычно цилиндрическую форму. Плазму СВЧ разряда 2 фотографируют цифровой зеркальной камерой 4 через оптический фильтр 3, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα. При обработке информации, полученной с ПЗС (прибор с зарядовой связью) матрицы цифровой зеркальной камеры 4, используют только линейные преобразования интенсивности для каждого пикселя фотографии плазмы СВЧ разряда 2. Границу плазмы СВЧ разряда 2 определяют по распределению интенсивности оптического излучения, выбирая уровень интенсивности не более 15% от максимального значения. Поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда вычисляют как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда 2.

Реализация способа по п. 2 (см. Фиг. 2) отличается тем, что фотографируют плазму СВЧ разряда 2 с ее изображения, сформированного дополнительным объективом 5 на матовом экране 6. На практике это сильно упрощает процесс фотографирования плазмы. Однако, поскольку при такой схеме измерения цифровая зеркальная камера 4 оказывается расположенной под углом, дополнительно сравнивают фотографию плазмы СВЧ разряда 2 с фотографией образца прямоугольной формы, помещенного на место разряда (по нему также определяют линейные размеры на фотографии), и путем последующего пересчета при обработке фотографии плазмы СВЧ разряда 2 корректируют имеющиеся геометрические искажения.

Реализация способа по п. 3 отличается тем, что фотографию плазмы СВЧ разряда 2 сохраняют в формате RAW (необработанные данные) для получения информации непосредственно с ПЗС матрицы цифровой зеркальной камеры 4 без искажений, связанных с обработкой данных, которая происходит при сохранении в другие форматы. Использование других форматов, например JPEG, приводит к нелинейным преобразованиям интенсивности оптического излучения, полученной с ПЗС матрицы цифровой зеркальной камеры 4, в общем случае с неизвестным профилем. Уменьшение искажений при передаче и обработке получаемой информации, соответственно, влечет за собой повышение точности предлагаемого способа измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда.

По расчетам авторов, предлагаемый способ позволяет определять поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе с ошибкой не более 20-30%, что является хорошим результатом по сравнению с аналогами и прототипом. Такой относительно невысокой ошибки удается достичь из-за использования в способе интенсивности излучения линии атома водорода серии Бальмера Нα, потому что, во-первых, эта линия обладает высокой интенсивностью и легко регистрируется и, во-вторых, согласно расчетам авторов, ее пространственное распределение наиболее близко, по сравнению с другими линиями излучения плазмы, совпадает с распределением поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе. Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает измерение поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе с достаточно высокой точностью и позволяет проводить корректное сравнение режимов осаждения алмазных пленок в различных плазмохимических CVD реакторах.


Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе
Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе
Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-50 из 72.
25.06.2018
№218.016.65e8

Алмазный фотокатод

Изобретение относится к фотокатодам, работающим в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, которые могут быть использованы в фотоинжекторах электронов для ускорителей кильватерного типа, лазеров на свободных электронах, а также для электронно-оптического преобразования сигналов в различных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658580
Дата охранного документа: 21.06.2018
10.07.2018
№218.016.6eec

Сильноточный источник пучков ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Изобретение относится к средствам формирования сильноточных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. В источнике пучка ионов система формирования и экстракции пучка ионов из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660677
Дата охранного документа: 09.07.2018
02.11.2018
№218.016.99ce

Способ неразрушающего контроля поврежденности металлов

Использование: для неразрушающего контроля поврежденности металлов. Сущность изобретения заключается в том, что определяют временные задержки распространения упругой волны, при этом определение временных задержек производят для одного типа объемной упругой волны при разных температурах и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671421
Дата охранного документа: 31.10.2018
08.03.2019
№219.016.d381

Продольно-изгибный гидроакустический преобразователь

Предложен продольно-изгибный гидроакустический преобразователь с бочкообразной боковой стенкой герметичного корпуса, имеющей максимальные средний диаметр и толщину на середине продольной оси симметрии и минимальные средний диаметр и толщину на торцах, гофрированной вдоль продольной оси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681268
Дата охранного документа: 05.03.2019
09.05.2019
№219.017.49a4

Активный элемент дискового лазера с системой охлаждения

Изобретение относится к лазерной технике. Сущность заключается в раздельном охлаждении внутренней и внешней части дискового активного элемента либо путем торцевого присоединения внутренней и внешней его части к охлаждающим радиаторам с различной температурой, либо прикреплением внутренней части...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687088
Дата охранного документа: 07.05.2019
31.05.2019
№219.017.7012

Лазер с модуляцией добротности резонатора и стабилизацией выходных импульсов (варианты)

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано для конструирования импульсных лазеров с модуляцией добротности. Блок накачки, осуществляющий работу в постоянном режиме, выполнен автономным от задающего генератора, блок управления содержит источник промежуточного напряжения,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002689846
Дата охранного документа: 29.05.2019
01.06.2019
№219.017.7263

Изолятор фарадея для лазеров с высокой средней мощностью излучения

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров с субкиловаттной средней мощностью излучения. Изолятор содержит магнитооптический ротатор, установленный в магнитной системе и представляющий собой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690037
Дата охранного документа: 30.05.2019
19.07.2019
№219.017.b65b

Способ измерения характеристик магнитного поля

Изобретение относится к способам измерения характеристик магнитного поля и может быть использовано при создании и эксплуатации магнитных датчиков и магнитометров. Способ измерения характеристик магнитного поля заключается в том, что кристалл алмаза с NV-центрами помещают в область измеряемого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002694798
Дата охранного документа: 16.07.2019
25.07.2019
№219.017.b82e

Магнитоуправляемая гидравлическая виброопора

Изобретение относится к машиностроению. Виброопора содержит корпус с диамагнитной металлической разделительной перегородкой, в которой выполнены дроссельные каналы, соединяющие камеры, заполненные демпфирующей магнитореологической жидкостью. Рабочая камера ограничена опорной платой и эластичной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002695472
Дата охранного документа: 23.07.2019
25.07.2019
№219.017.b90a

Способ контроля толщины изделия из стали

Изобретение относится к ультразвуковой толщинометрии, дополненной измерениями магнитным методом. Способ заключается в том, что измеряют время распространения сдвиговой ультразвуковой волны и процентное содержание магнитной фазы в деформированном материале изделия из стали аустенитного класса и,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002695327
Дата охранного документа: 23.07.2019
Показаны записи 31-39 из 39.
20.01.2018
№218.016.1061

Устройство получения направленного экстремального ультрафиолетового излучения с длиной волны 11,2 нм ±1% для проекционной литографии высокого разрешения

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается устройства получения направленного экстремального ультрафиолетового излучения с длиной волны 11.2 нм ±1% для проекционной литографии высокого разрешения. Устройство включает в себя гиротрон, генерирующий пучок излучения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633726
Дата охранного документа: 17.10.2017
20.01.2018
№218.016.138f

Источник нейтронов ограниченных размеров для нейтронной томографии

Заявленное изобретение относится к источнику нейтронов ограниченных размеров для нейтронной томографии, а именно к «точечному» источнику нейтронов с характерными размерами меньше 100 мкм с потоком нейтронов на уровне 1010 нейтр⋅с-1. В заявленном устройстве нейтроны образуются в результате...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634483
Дата охранного документа: 31.10.2017
20.01.2018
№218.016.13c9

Способ идентификации переменного морского течения по данным радиолокационных наблюдений

Изобретение относится к радиолокационным методам изучения водной поверхности с целью обнаружения переменных течений. Достигаемый технический результат заключается в том, что способ позволяет идентифицировать переменные во времени и пространстве морские течения, которые на масштабах порядка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634592
Дата охранного документа: 01.11.2017
17.02.2018
№218.016.2e1b

Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски

Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски, в котором у поверхности алмазного образца формируется собирающая излучение центров окраски оптическая система, состоящая из конуса с круглым основанием из оптического стекла, окружающего конус...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643694
Дата охранного документа: 05.02.2018
04.04.2018
№218.016.367d

Изолятор фарадея с переменным направлением поля магнитной системы

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров ближнего и среднего ИК-диапазона. Изолятор Фарадея с переменным направлением поля магнитной системы содержит последовательно расположенные на оптической оси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646551
Дата охранного документа: 05.03.2018
04.04.2018
№218.016.36d4

Способ монтажа дискового активного элемента на высокотеплопроводный радиатор

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано для изготовления дисковых активных элементов мощных лазеров, обеспечивающих эффективное охлаждение активной среды. В способе согласно изобретению на активный элемент наносят с торцов диэлектрические отражающие и просветляющие...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646431
Дата охранного документа: 05.03.2018
25.06.2018
№218.016.65e8

Алмазный фотокатод

Изобретение относится к фотокатодам, работающим в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, которые могут быть использованы в фотоинжекторах электронов для ускорителей кильватерного типа, лазеров на свободных электронах, а также для электронно-оптического преобразования сигналов в различных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658580
Дата охранного документа: 21.06.2018
20.05.2023
№223.018.6755

Способ изготовления катодного узла микротриода с трубчатым катодом из нанокристаллической алмазной пленки (варианты)

Изобретение относится к технологии изготовления элементов вакуумной микроэлектроники с автоэмиссионными катодами. Технический результат - повышение точности воспроизведения геометрических размеров катодного узла, стабильности тока и ресурса работы катодного узла при техническом вакууме. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002794423
Дата охранного документа: 18.04.2023
27.05.2023
№223.018.7099

Способ изготовления мощного полевого транзистора свч на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ изготовления мощного полевого транзистора СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия согласно изобретению включает формирование на лицевой поверхности подложкиполупроводниковой гетероструктуры на основе нитрида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002787550
Дата охранного документа: 10.01.2023
+ добавить свой РИД